JPS5818360B2 - 結晶ブ−ルを切断する方法 - Google Patents
結晶ブ−ルを切断する方法Info
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- JPS5818360B2 JPS5818360B2 JP50119015A JP11901575A JPS5818360B2 JP S5818360 B2 JPS5818360 B2 JP S5818360B2 JP 50119015 A JP50119015 A JP 50119015A JP 11901575 A JP11901575 A JP 11901575A JP S5818360 B2 JPS5818360 B2 JP S5818360B2
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- cutting
- etching
- wafer
- etching solution
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/53—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone involving the removal of at least part of the materials of the treated article, e.g. etching, drying of hardened concrete
- C04B41/5338—Etching
- C04B41/5353—Wet etching, e.g. with etchants dissolved in organic solvents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
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- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は結晶プール、即ちクリスタル・プール（ｃｒｙ
ｓｔａｌ ｂｏｕｌｅ）を切断する方法に関し、更に具
体的には半導体物質のプールをウェーハへ切断する方法
に関する。
ｓｔａｌ ｂｏｕｌｅ）を切断する方法に関し、更に具
体的には半導体物質のプールをウェーハへ切断する方法
に関する。
長年の間、１個のクリスタル・インゴット又は。
プールからシリコン・ウェーハを形成することは、ダイ
ヤモンドを装着した回転刃を使用する内径又は外径切断
輪によって達成された。
ヤモンドを装着した回転刃を使用する内径又は外径切断
輪によって達成された。
例えば、半導体ウェーハを切断するための主たる切断機
は、米国特許第３０３９２３５号に示されている。
は、米国特許第３０３９２３５号に示されている。
この機械において、内側にダイヤモンドのフリット（ｆ
ｒｉｔ）を宿するドーナツ形刃が使用され、半導体プー
ルを半導体物質より成る個別的ウェーハへ切断する。
ｒｉｔ）を宿するドーナツ形刃が使用され、半導体プー
ルを半導体物質より成る個別的ウェーハへ切断する。
この種の機械は非常に良好ｌご動作するが、刃がウェー
ハの表面に対して回転する時、ダイヤモンド・フリット
の研摩動作により、ウェーハ上で表面破損が生じる。
ハの表面に対して回転する時、ダイヤモンド・フリット
の研摩動作により、ウェーハ上で表面破損が生じる。
勿論このような表面破損は、ウェーハを半導体製造に使
用する前に、ラップ仕上げをしたり研摩したりすること
によって除去されねばならない。
用する前に、ラップ仕上げをしたり研摩したりすること
によって除去されねばならない。
本発明の目的は、ウェーハ上の表面破損が不動に除去さ
れる半導体ウェーハ切断力法を提供することである。
れる半導体ウェーハ切断力法を提供することである。
本発明の他の目的は、クリスタル・ボールの直径がどの
ようなものであれ、半導体インゴットを個別的な半導体
ウェーハへ薄切りする方法を提供することである。
ようなものであれ、半導体インゴットを個別的な半導体
ウェーハへ薄切りする方法を提供することである。
本発明の他の目的は、比較的零細な製造業者にとっても
経済的に利用可能な半導体物質（又はプール）切断力法
を提供することである。
経済的に利用可能な半導体物質（又はプール）切断力法
を提供することである。
第１図及び第２図を参照すると、そこには本発明に従っ
て構成された装置か示される。
て構成された装置か示される。
この装置は、クリスタル・プール１０の縦方向軸に関す
る意図された食刻線及び所定平面に沿って、化学食刻溶
液を噴射するように設計されている。
る意図された食刻線及び所定平面に沿って、化学食刻溶
液を噴射するように設計されている。
このため、化学食刻溶液１１は、ノズル１２によって回
転式の食刻液誘導輪、即ち食刻液適片輪１４の周辺部分
、１３の接線力向へ供給され、かくて化学食刻溶層は、
プール１０の縦方向軸１５に関する所定の平面及び意図
された食刻線ｌこ沿って、外力へ向って噴出するように
される。
転式の食刻液誘導輪、即ち食刻液適片輪１４の周辺部分
、１３の接線力向へ供給され、かくて化学食刻溶層は、
プール１０の縦方向軸１５に関する所定の平面及び意図
された食刻線ｌこ沿って、外力へ向って噴出するように
される。
これらの図において、前記所定の平面は、プール１０の
縦方向軸１５に対し実質的に直角である。
縦方向軸１５に対し実質的に直角である。
プール１０は、通常のクランプ装置１６を用いて取付け
ることができる。
ることができる。
たとえば、クランプ装置１６’（！：して、通常のあご
型チャックを用いることができる。
型チャックを用いることができる。
本発明に従えは、意図された食刻線領域に隣接して熱が
加えられ、プール又は溶液の少なくとも１つを加熱する
。
加えられ、プール又は溶液の少なくとも１つを加熱する
。
このため、加熱素子（又は線）１７が絶縁体１８へ付加
され、この絶縁体は、プール１０を受取るための孔（又
は）゛ンチ）１９を有する。
され、この絶縁体は、プール１０を受取るための孔（又
は）゛ンチ）１９を有する。
＠１７は、ピン２０及び２１によって絶縁体へ取付けら
れ、これらピンは孔１９内に線を延長することができる
。
れ、これらピンは孔１９内に線を延長することができる
。
ケーブル２２及び２３によって、電源（図示されず）が
ピン２０及び２１へ接続され、線を加熱するため、電流
が線を通ることができる。
ピン２０及び２１へ接続され、線を加熱するため、電流
が線を通ることができる。
勿論、線は化学食刻溶液に対して抵抗性を有する物質か
ら構成されていなければならない。
ら構成されていなければならない。
例えば、線及び適用輪の材質は、タンタル、ニオブ、タ
ングステン等で構成されてよいが、タンタルが最も望ま
しい。
ングステン等で構成されてよいが、タンタルが最も望ま
しい。
線は適用輪１４の周辺部分１３に隣接して転置され、切
断動作の間、プール１０内で適用輪に先行することが望
ましい。
断動作の間、プール１０内で適用輪に先行することが望
ましい。
線に電流を通すことにより、線は高温を発し、これはプ
ール１０及び食刻溶液１１の双方を加熱することにより
、プール軸に関する意図された食刻線及び所定平面に沿
って、食刻剤の食刻作用を高める。
ール１０及び食刻溶液１１の双方を加熱することにより
、プール軸に関する意図された食刻線及び所定平面に沿
って、食刻剤の食刻作用を高める。
実際には、プールの構成、切断速度、望まれる最終表面
に従って、食刻溶液を変えてよい。
に従って、食刻溶液を変えてよい。
例えば、酸性食刻溶液として、容積濃度が３：２：１若
しくは５：３：１又は８：３二１の硝酸（ＨＮＯ３）、
弗化水素酸（ＨＦ ）及び酢酸（０２Ｈ４０２）の混合
物を使用することができる。
しくは５：３：１又は８：３二１の硝酸（ＨＮＯ３）、
弗化水素酸（ＨＦ ）及び酢酸（０２Ｈ４０２）の混合
物を使用することができる。
食刻溶液１１の切断作用を加速するため、この食刻溶液
の温度を加熱された線１７によって約５０°Ｃ−１００
℃へ上昇させるとよい。
の温度を加熱された線１７によって約５０°Ｃ−１００
℃へ上昇させるとよい。
また、加熱された線１７をプール１０に接近させると、
ブール１０自体も同時に加熱されるので、食刻溶液によ
るシリコンの除去が加速されてウェーハの形成が促進さ
れることになる。
ブール１０自体も同時に加熱されるので、食刻溶液によ
るシリコンの除去が加速されてウェーハの形成が促進さ
れることになる。
ν クリスタル・ウェーハを効果的に形成するため（本
実施例においては、半導体物質のウェーハ）、プールと
化学食刻溶液との間で相対的動作がなされなければなら
ない。
実施例においては、半導体物質のウェーハ）、プールと
化学食刻溶液との間で相対的動作がなされなければなら
ない。
このため、クランプ装置１６は駆動装置２５へ接続され
てよく、この駆動ｉ装置は所定の切断平面に沿ってプー
ル１０の往復運動を生じる。
てよく、この駆動ｉ装置は所定の切断平面に沿ってプー
ル１０の往復運動を生じる。
他力、プールが静止されていて、適用輪、絶縁体１８、
線１７がそのような相対運動を生じるよつにしてもよい
。
線１７がそのような相対運動を生じるよつにしてもよい
。
更に、各切断の後で、プールを新しい切断のた）めの正
しい位置に置くため、矢印２６の方向にプールをインデ
ックスしてもよい。
しい位置に置くため、矢印２６の方向にプールをインデ
ックスしてもよい。
第１図及び第２図は本発明の方法を実施するために使用
してよい装置の略図である。 ｉ １０・・・・・・プール、１１・・・・・・化学
食刻液、１２・・・・・・ノズル、１３・・・・・・周
辺部分、１４・・・・・・食刻液適用軸、１５・・・・
・・縦方向軸、１６・・・・・・クランプ装置、１７・
・・・・・線、１８・・・・・・絶縁体、１９・・・・
・・孔、２０゜２１・・・・・・ピン、２２．２３・・
・・・・）１−ｊ／ｌ／。
してよい装置の略図である。 ｉ １０・・・・・・プール、１１・・・・・・化学
食刻液、１２・・・・・・ノズル、１３・・・・・・周
辺部分、１４・・・・・・食刻液適用軸、１５・・・・
・・縦方向軸、１６・・・・・・クランプ装置、１７・
・・・・・線、１８・・・・・・絶縁体、１９・・・・
・・孔、２０゜２１・・・・・・ピン、２２．２３・・
・・・・）１−ｊ／ｌ／。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ウェーハを形成するように結晶プールを切断する方
法にして、前記プールを締め付ける工程と、前記プール
の縦方向軸に関する予定の平面内で食刻すべき線に沿っ
て食刻液を噴射する工程と、前記プール及び前記噴射さ
れる食刻液のうち少くと。 も−力を加熱するように前記食刻すべき線の近傍に熱を
加える工程と、前記プールと前記噴射される食刻液との
間に相対運動を与える工程とから成るプール切断力法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US533036A US3915770A (en) | 1974-12-16 | 1974-12-16 | Method and apparatus for thermo-chemically slicing crystal boules |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5175380A JPS5175380A (ja) | 1976-06-29 |
| JPS5818360B2 true JPS5818360B2 (ja) | 1983-04-12 |
Family
ID=24124196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50119015A Expired JPS5818360B2 (ja) | 1974-12-16 | 1975-10-03 | 結晶ブ−ルを切断する方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3915770A (ja) |
| JP (1) | JPS5818360B2 (ja) |
| DE (1) | DE2548329C2 (ja) |
| FR (1) | FR2294816A1 (ja) |
| GB (1) | GB1452976A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4343662A (en) * | 1981-03-31 | 1982-08-10 | Atlantic Richfield Company | Manufacturing semiconductor wafer devices by simultaneous slicing and etching |
| US4465550A (en) * | 1982-06-16 | 1984-08-14 | General Signal Corporation | Method and apparatus for slicing semiconductor ingots |
| US5203961A (en) * | 1991-09-20 | 1993-04-20 | Yen Yung Tsai | Wet die cutter assembly and method |
| DE10014445C2 (de) * | 2000-03-23 | 2002-01-24 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zum Zerteilen eines Halbleiterstabes |
| US20060027542A1 (en) * | 2004-04-28 | 2006-02-09 | Niraj Mahadev | Method to eliminate defects on the periphery of a slider due to conventional machining processes |
| DE102006019461A1 (de) * | 2006-04-26 | 2007-10-31 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Ätzverfahren zum Materialabtrag an Festkörpern und dessen Verwendung sowie Vorrichtung hierzu |
| JP2014070277A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-21 | Nippon Seisen Co Ltd | エッチングカット用ワイヤー及びこれを用いた無機性脆性材料のカット方法 |
| JP2017008420A (ja) * | 2016-07-28 | 2017-01-12 | 日本精線株式会社 | エッチングカット用ワイヤーの製造方法及びこの方法で得られたエッチングカット用ワイヤーを用いた無機性脆性材料のカット方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2144370A (en) * | 1936-07-10 | 1939-01-17 | Telefunken Gmbh | Method of cutting bodies soluble in liquid |
| US2933437A (en) * | 1956-05-29 | 1960-04-19 | Bell Telephone Labor Inc | Chemical lapping method |
| US3039235A (en) * | 1961-01-31 | 1962-06-19 | Hamco Mach & Elect Co | Cutting apparatus |
| US3241265A (en) * | 1963-06-27 | 1966-03-22 | Ibm | Bombardment cutter |
-
1974
- 1974-12-16 US US533036A patent/US3915770A/en not_active Expired - Lifetime
-
1975
- 1975-09-23 GB GB3890275A patent/GB1452976A/en not_active Expired
- 1975-10-03 JP JP50119015A patent/JPS5818360B2/ja not_active Expired
- 1975-10-20 FR FR7533263A patent/FR2294816A1/fr active Granted
- 1975-10-29 DE DE2548329A patent/DE2548329C2/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1452976A (en) | 1976-10-20 |
| DE2548329C2 (de) | 1985-03-14 |
| FR2294816A1 (fr) | 1976-07-16 |
| JPS5175380A (ja) | 1976-06-29 |
| FR2294816B1 (ja) | 1979-04-06 |
| DE2548329A1 (de) | 1976-07-01 |
| US3915770A (en) | 1975-10-28 |
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