DE2548329A1 - Verfahren zum schneiden von gezuechteten kristallen in scheiben und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens - Google Patents

Verfahren zum schneiden von gezuechteten kristallen in scheiben und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens

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    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/53—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone involving the removal of at least part of the materials of the treated article, e.g. etching, drying of hardened concrete
    • C04B41/5338—Etching
    • C04B41/5353—Wet etching, e.g. with etchants dissolved in organic solvents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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Description

Böblingen, den 20. Oktober 1975 sa~fe
Annelderin: International Business Machines
Corporation, Armonk, N.Y. 10504
Amtliches Aktenzeichen: Neuanmeldung Aktenzeichen der Anmelderin: PI 974 053
Verfahren zum Schneiden von gezüchteten Kristallen in Scheiben und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens .
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Schneiden von gezüchteten Kristallen, insbesondere von stabförraigen Halbleiterkristallen, in dünne Scheiben, und eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens .'
Bei der Herstellung von Halbleiterschaltungen., insbesondere von integrierten Schaltungen, werden dünne Scheiben aus einkristallinem Silicium verwendet, die von einem gezüchteten, stabförmigeη
inkristall abgeschnitten werden. Das Abschneiden erfolgt gewöhnlich durch rotierende Schneidblätter,die entweder auf ihrem inneren Durchraesser oder auf ihrem äußeren Durchmesser miü Diamanten besetzt sind. Eine derartige Schneidvorrichtung int beispielsweise im US-Patent 3 039 235 beschrieben. Bei dieser Vorrichtung wird
in ringförmiges Schneidblatt, das auf seinem inneren Rand eine Diamantfritte trägt, dazu benutzt, einen stabförmigen Halbleiter-Kristall in einzelne Scheiben zu zerschneiden. Bei dieser Vorrichtung läßt es sich allerdings nicht vermeiden, daß die HaIbleiterplättchen infolge der abtragenden Wirkung der Diamantfritte auf dem rotierenden Schneidblatt Beschädigungen an ihrer Oberfläche erleiden. Diese Oberflächenschäden müssen selbstverstand-Lieh durch Läppen und Polieren vor der Weiterverarbeitung der lalbleiterplättchen zur Herstellung von Halbleiterschaltungen entfernt werden.
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Es ist deshalb Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Schneiden von gezüchteten Kristallen sowie eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens anzugeben, bei welchem die Beschädigung der Oberfläche der Plättchen weitgehend reduziert ist. Dieses Verfahren soll gleichzeitig sehr einfach sein, so daß es auch in kleinerem Umfange wirtschaftlich durchgeführt werden kann.
3emäß der Erfindung wird diese Aufgabe bei einem Verfahren der eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß der Kristall entlang der gewünschten Schnittlinie mit einer chemischen Ätzlösung beaufschlagt wird, daß im Bereich der Schnittlinie der Kristall and/oder die Ätzlösung erhitzt werden, und daß eine Relativbewegung zwischen dem Beaufschlagungsbereich der Ätzlösung und dem {ristall in der Schnittebene herbeigeführt wird.
Sine vorteilhafte Ausbildung des Verfahrens besteht darin, daß lie Ätzlösung mit Hilfe einer in der Schnittebene rotierenden cheibe, auf deren Umfang sie aufgebracht wird, gegen die Schnittlinie des Kristalls geschleudert wird. Eine weitere vor- ;eilhafte Ausgestaltung des Verfahrens besteht darin, daß entlang der Schnittlinie des Kristalls im Beaufschlagungsbereich der Ätzlösung, vorzugsweise zwischen Kristall und Ätzlösung, ein gegenüber der Ätzlösung resistenter, elektrischer Heizdraht eingebracht wird. Vorzugsweise wird die Ätzlösung in tangentialer Richtung auf die rotierende Scheibe aufgebracht und in radialer Richtung von der Scheibe gegen die Schnittlinie des Kristalls geschleudert.
Eine vorteilhafte Ausbildung des Verfahrens besteht darin, daß der Kristall und/oder die Ätzlösung im Bereich der Schnittlinie auf 50 bis 100 C erhitzt werden. Beim Schneiden eines Siliciumkristalles wird in vorteilhafter Weise eine Ätzlösung aus einer Mischung von Salpetersäure (HNO,), Flußsäure (HP) und Essigsäure (CH3COOH) verwendet.
Eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens, inbesondere zum
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Schneiden eines stabförmigeη Halbleiterkristalls in einem bestimmten Winkel zu seiner Längsachse, ist in vorteilhafter Weise so ausgebildet, daß eine in der Schnittebene rotierende Scheibe vorgesehen ist, von der die auf ihrem Umfang mittels einer Düse aufgebrachte Ätzlösung in radialer Richtung gegen die Schnittlinie des Kristalls geschleudert wird, daß ein, bügeiförmig ein Isolier-
tück mit einer Aussparung zur Aufnahme des Kristalls umspannender Heizdraht vorgesehen ist, der entlang der Schnittlinie auf dem Kristall aufliegt, und daß die Halterung des Kristalls in der Schnittebene verschiebbar ist.
Die Erfindung wird anhand eines durch die Zeichnungen erläuterten Ausführungsbeispieles beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 in einer schematischen Darstellung die Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens in Seitenansicht, und
Fig. 2 die in Pig. I dargestellte Vorrichtung in Draufsicht.
Die in Fig. 1 dargestellte Vorrichtung dient dazu, eine chemische Ätzlösung entlang der beabsichtigten Schneidlinie und in der gewünschten Ebene bezüglich der Längsachse des stabförmigen Kristalls 10 durch Ausschleudern auf den Kristall aufzubringen. Zu diesem Zweck wird eine chemische Ätzlösung 11 mittels einer Düse 12 tangential auf den Umfang· 13 einer rotierenden Scheibe 14 derart aufgebracht, daß,die Ätzlösung entlang der beabsichtigten Schnittlinie und in der bestimmten Ebene bezüglich der Längsachse 15 des Kristalls 10 in radialer Richtung ausgeschleudert wird. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel ist die Ebene im wesentlichen senkrecht zu der Längsachse 15 des Kristalls.
Der stabförmige Kristall 10 kann in der üblichen Weise mittels ·. einer Einspannvorrichtung 16 befestigt sein. Geeignete Vorrich-
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tungen hierfür sind beispielsweise ein Backenfutter oder eine Einspannvorrichtung mit steuerbar era Vorschub in Richtung der Längsachse des Kristalls.
Im Bereich der Schnittlinie wird eine Wärmeeinwirkung herbeigeführt, wobei mindestens der Kristall oder die Ätzlösung erhitzt werden. Zu diesem Zweck ist in der in Fig. 1 dargestellten Vorrichtung ein Heizdraht 17 an einem Isolierstück 18 befestigt, das zur Aufnahme des Kristalls 10 eine Ausnehmung 19 aufweist. Der Heizdraht 17 ist an dem Isolierstück mittels der Bolzen 20, 21 befestigt, wodurch eine Ausdehnung des Heizdrahtes über die Ausnehmung 19 ermöglicht wird, über die Bolzen 20, 21 erfolgt mittels der Leitungen 22, 23 die Stromzuführung zur Erhitzung des Drahtes. Selbstverständlich besteht der Heizdraht aus einem Material, das von der chemischen Ätzlösung nicht angegriffen wird. Beispielsweise kann der Heizdraht, ebenso wie die Scheibe aus Tantal, Columbium (Niob) oder Wolfram bestehen, wobei Tantal zu bevorzugen ist.
Der Heizdraht ist angrenzend an den Umfang 13 der Scheibe 14 angeordnet und liegt während des Schneidens beim Durchdringen des Kristalls 10 stets vor der Scheibe.
Wenn der Draht vom Strom durchflossen wird, erreicht er eine hohe Temperatur, durch welche sowohl der Kristall 10 als auch die Ätzlösung 11 erhitzt werden. Dadurch wird das Ätzen entlang der Schnittlinie und in der Schnittebene bezüglich der Achse des Kristalls beschleunigt.
Die Zusammensetzung der im Betrieb verwendeten Ätzlösung hängt von der Struktur des Kristalls, der Schnittgeschwindigkeit und von der gewünschten Oberflächenbeschaffenheit ab. Z.B. kann die Ätzlösung aus einem Gemisch von verschiedenen Säuren bestehen, beispielsweise Salpetersäure (HNO ), Flußsäure (HF) und Essigsäure (CH-COOH) in konzentrierter Form und im Volumensverhältnis
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von 3:2:1 oder 5:3:1 oder 8:3:1. Diese Zusamnensetzungen sind lediglich als Beispiele anzusehen, da die Ätzlösung vielerlei Formen und Zusammensetzungen haben kann.
Durch Erhöhen der Temperatur der Ätzlösung mittels des Heizdrahtes auf etwa 50 bis 100 0C wird der Schneidvorgang beschleunigt. Die unmittelbare Nähe des Heizdrahtes an der Kristalloberfläche bewirkt gleichzeitig auch eine Erhitzung des Kristalls, die sich ebenfalls lahingehend auswirkt, daß sich die Abtragungsgeschwindigkeit erlöht.
Sur Herstellung von dünnen Kristallscheiben, in dem dargestellten Ausführungsbeispiel von Scheiben aus Halbleitermaterial, muß eine Relativbewegung zwischen dem Kristall und der chemischen Ätzlösung hergestellt werden. Zu diesem Zweck kann die Einspannvorrichtung 16 mit einem Antrieb 25 verbunden werden, um eine hin- und hergehende Bewegung des Kristalls 10 in der beabsichtigten Schnittebene herbeizuführen. Ebenso kann der Kristall stationär angeordnet sein und der Isolierblock und die Scheibe können eine hin- und hergehende Bewegung ausführen.
Zusätzlich kann nach jedem Schneidvorgang der Kristaxi in Richtung des Pfeils 26 um einen bestimmten Betrag vorgeschoben v/erden, um die richtige Lage für den nächsten Schnitt zu erhalten.
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Claims (1)

  1. PATENTAMSPR ti C Ii E
    1. Verfahren zum Schneiden von gezüchteten Kristallen, insbesondere von stabförmigeη Halbleiterkristallen in dünne Scheiben,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß der Kristall entlang der gewünschten Schnittlinie mit einer chemischen Ätzlösung beaufschlagt wird, daß im Bereich der Schnittlinie der Kristall und/oder die Ätzlösung erhitzt werden, und
    daß eine Relativbewegung zwischen dem Beaufschlagungsbereich der Ätzlösung und dem Kristall in der Schnittebene herbeigeführt wird.
    2. Verfahren nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß die Ätzlösung mit Hilfe einer in der Schnittebene rotierenden Scheibe, auf deren Umfang sie aufgebracht wird, gegen die Schnittlinie des Kristalls geschleudert wird.
    Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet,
    daß entlang der Schnittlinie des Kristalls im Beaufschlagungsbereich der Ätzlösung, vorzugsweise zwischen Kristall und Ätzlösung, ein gegenüber der Ätzlösung resistenter, elektrischer Heizdraht eingebracht wird.
    4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3> dadurch gekennzeichnet,
    daß die Ätzlösung in tangentialer Richtung auf die rotierende Scheibe aufgebracht und in radialer Richtung von der Scheibe gegen die Schnittlinie des Kristalls geschleudert wird.
    Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4,
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    dadurch gekennzeichnet,
    daß der Kristall und/oder die Ätzlösung im Bereich der Schnittlinie auf 50 bis 100 0C erhitzt werden.
    Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 5?
    inbesondere zum Schneiden eines Siliciumkristalls, dadurch gekennzeichnet,
    daß die Ätzlösung aus einer Mischung von Salpetersäure (HNO-), Flußsäure (HP) und Essigsäure (CH5COOH) gebildet wird.
    Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1,' inbesondere zum Schneiden eines stabförmigen Halbleiterkristalls in einem bestimmten Winkel zu seiner Längsachse,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß eine in der Schnittebene rotierende Scheibe (lh) vorgesehen ist, von der die auf ihren Umfang (13) mittels einer Düse (12) aufgebrchte Ätzlösung (11) in radialer Richtung gegen die Schnittlinie des Kristalls (10) geschleudert wird,
    daß ein, bügeiförmig ein Isolierstück (18) mit einer Aussparung (19) zur Aufnahme des Kristalls (10) umspannender Heizdraht (17) vorgesehen ist, der entlang der Schnittlinie auf dem Kristall aufliegt, und
    daß die Halterung des Kristalls in der Schnittebene verschiebbar ist.
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    Leerseite
DE2548329A 1974-12-16 1975-10-29 Verfahren zum Schneiden von stabförmigen Kristallen in Scheiben und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens Expired DE2548329C2 (de)

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