JPH1133887A - 半導体ウェーハの研削方法及びその装置 - Google Patents
半導体ウェーハの研削方法及びその装置Info
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- JPH1133887A JPH1133887A JP19386397A JP19386397A JPH1133887A JP H1133887 A JPH1133887 A JP H1133887A JP 19386397 A JP19386397 A JP 19386397A JP 19386397 A JP19386397 A JP 19386397A JP H1133887 A JPH1133887 A JP H1133887A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体ウェーハの裏面研削時に半導体ウェーハ
のエッジ部分に発生する加工変質層を除去することがで
きる半導体ウェーハの研削方法及びその装置を提供す
る。 【解決手段】本発明は、半導体ウェーハ２２の裏面２２
Ｂを研削するカップ型砥石２４と、半導体ウェーハ２２
のエッジ２２Ｃを面取りする砥石３６とを備え、カップ
型砥石２４による裏面２２Ｂの研削加工と、砥石３６に
よるエッジ２２Ｃの面取り加工とを同時に行う。
のエッジ部分に発生する加工変質層を除去することがで
きる半導体ウェーハの研削方法及びその装置を提供す
る。 【解決手段】本発明は、半導体ウェーハ２２の裏面２２
Ｂを研削するカップ型砥石２４と、半導体ウェーハ２２
のエッジ２２Ｃを面取りする砥石３６とを備え、カップ
型砥石２４による裏面２２Ｂの研削加工と、砥石３６に
よるエッジ２２Ｃの面取り加工とを同時に行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェーハの研
削方法及びその装置に係り、特に半導体ウェーハの製造
最終工程で半導体ウェーハの裏面を研削加工する研削方
法及びその装置に関する。
削方法及びその装置に係り、特に半導体ウェーハの製造
最終工程で半導体ウェーハの裏面を研削加工する研削方
法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハの製造最終工程では、半
導体ウェーハの裏面研削加工が行われている。裏面研削
終了した半導体ウェーハは、酸化膜形成処理等のウェー
ハ処理が施された後、ダイシング工程に送られる。
導体ウェーハの裏面研削加工が行われている。裏面研削
終了した半導体ウェーハは、酸化膜形成処理等のウェー
ハ処理が施された後、ダイシング工程に送られる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体ウェーハの研削方法では、半導体ウェーハの裏面
研削に起因して半導体ウェーハのエッジ部分に脆い加工
変質層が発生し、この加工変質層によって半導体ウェー
ハが破損する場合があるという欠点がある。このような
不具合は、半導体ウェーハの裏面研削終了後に、半導体
ウェーハのエッジを面取り加工して加工変質層を除去す
れば良いが、裏面が研削された極薄い半導体ウェーハを
面取り加工することは非常に困難で実施できないという
欠点がある。
半導体ウェーハの研削方法では、半導体ウェーハの裏面
研削に起因して半導体ウェーハのエッジ部分に脆い加工
変質層が発生し、この加工変質層によって半導体ウェー
ハが破損する場合があるという欠点がある。このような
不具合は、半導体ウェーハの裏面研削終了後に、半導体
ウェーハのエッジを面取り加工して加工変質層を除去す
れば良いが、裏面が研削された極薄い半導体ウェーハを
面取り加工することは非常に困難で実施できないという
欠点がある。
【０００４】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、半導体ウェーハの裏面研削時に半導体ウェー
ハのエッジ部分に発生した加工変質層を簡単に除去する
ことができる半導体ウェーハの研削方法及びその装置を
提供することを目的とする。
たもので、半導体ウェーハの裏面研削時に半導体ウェー
ハのエッジ部分に発生した加工変質層を簡単に除去する
ことができる半導体ウェーハの研削方法及びその装置を
提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決する為の手段】本発明は、前記目的を達成
するために、半導体ウェーハを保持して、該半導体ウェ
ーハの片面を研削加工する半導体ウェーハの研削方法に
おいて、前記半導体ウェーハの片面の研削加工と、該半
導体ウェーハのエッジの面取り加工とを同時に行うこと
を特徴としている。
するために、半導体ウェーハを保持して、該半導体ウェ
ーハの片面を研削加工する半導体ウェーハの研削方法に
おいて、前記半導体ウェーハの片面の研削加工と、該半
導体ウェーハのエッジの面取り加工とを同時に行うこと
を特徴としている。
【０００６】また、本発明は、前記目的を達成するため
に、半導体ウェーハを保持するテーブルと、前記テーブ
ルに保持された前記半導体ウェーハの片面に押し付けら
れて、該半導体ウェーハの片面を研削加工する研削用砥
石と、前記テーブルに保持された前記半導体ウェーハの
エッジに押し付けられて、該半導体ウェーハのエッジを
面取り加工する面取り用砥石と、を備え、前記研削用砥
石による研削加工と、前記面取り用砥石による面取り加
工とを同時に行うことを特徴としている。
に、半導体ウェーハを保持するテーブルと、前記テーブ
ルに保持された前記半導体ウェーハの片面に押し付けら
れて、該半導体ウェーハの片面を研削加工する研削用砥
石と、前記テーブルに保持された前記半導体ウェーハの
エッジに押し付けられて、該半導体ウェーハのエッジを
面取り加工する面取り用砥石と、を備え、前記研削用砥
石による研削加工と、前記面取り用砥石による面取り加
工とを同時に行うことを特徴としている。
【０００７】本発明によれば、研削用砥石による半導体
ウェーハの片面の研削加工と、面取り用砥石による半導
体ウェーハのエッジの面取り加工とを同時に行う。この
ように、研削加工と面取り加工とを同時に行うと、研削
加工終了後の極薄い半導体ウェーハを面取りするより
も、面取りが容易になる。よって、本発明は、半導体ウ
ェーハのエッジ部分に発生する加工変質層を簡単に除去
することができる。
ウェーハの片面の研削加工と、面取り用砥石による半導
体ウェーハのエッジの面取り加工とを同時に行う。この
ように、研削加工と面取り加工とを同時に行うと、研削
加工終了後の極薄い半導体ウェーハを面取りするより
も、面取りが容易になる。よって、本発明は、半導体ウ
ェーハのエッジ部分に発生する加工変質層を簡単に除去
することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
る半導体ウェーハの研削方法及びその装置の好ましい実
施の形態について詳説する。図１は、本発明の実施の形
態の半導体ウェーハの研削装置を示す全体構造図であ
る。同図に示す半導体ウェーハの研削装置１０は、主と
して吸着テーブル１２、研削用砥石装置１４、及び面取
り用砥石装置１６から構成される。
る半導体ウェーハの研削方法及びその装置の好ましい実
施の形態について詳説する。図１は、本発明の実施の形
態の半導体ウェーハの研削装置を示す全体構造図であ
る。同図に示す半導体ウェーハの研削装置１０は、主と
して吸着テーブル１２、研削用砥石装置１４、及び面取
り用砥石装置１６から構成される。
【０００９】前記吸着テーブル１２は円盤状に形成さ
れ、その下面にモータ１８の出力軸２０が吸着テーブル
１２の中心軸と同軸上に取り付けられている。この吸着
テーブル１２は、モータ１８の駆動力によって図中矢印
Ａ方向に回転される。また、吸着テーブル１２の上面に
は、図示しないバッキング材が設けられ、このバッキン
グ材に半導体ウェーハ２２の表面２２Ａが吸着されてい
る。これにより、半導体ウェーハ２２は、吸着テーブル
１２上に保持されて、吸着テーブル１２と共に回転され
る。
れ、その下面にモータ１８の出力軸２０が吸着テーブル
１２の中心軸と同軸上に取り付けられている。この吸着
テーブル１２は、モータ１８の駆動力によって図中矢印
Ａ方向に回転される。また、吸着テーブル１２の上面に
は、図示しないバッキング材が設けられ、このバッキン
グ材に半導体ウェーハ２２の表面２２Ａが吸着されてい
る。これにより、半導体ウェーハ２２は、吸着テーブル
１２上に保持されて、吸着テーブル１２と共に回転され
る。
【００１０】前記研削用砥石装置１４は、カップ型砥石
２４、モータ２６、及びエアシリンダ２８等から構成さ
れる。前記カップ型砥石２４は、吸着テーブル１２に吸
着保持された半導体ウェーハ２２の裏面２２Ｂを研削加
工する砥石であり、砥石部分２５を下向きにして設けら
れている。また、カップ型砥石２４は、上面にモータ２
６の出力軸３０がカップ型砥石２４の中心軸と同軸上に
取り付けられ、このモータ２６の駆動力によって図中矢
印Ｂ方向に回転される。
２４、モータ２６、及びエアシリンダ２８等から構成さ
れる。前記カップ型砥石２４は、吸着テーブル１２に吸
着保持された半導体ウェーハ２２の裏面２２Ｂを研削加
工する砥石であり、砥石部分２５を下向きにして設けら
れている。また、カップ型砥石２４は、上面にモータ２
６の出力軸３０がカップ型砥石２４の中心軸と同軸上に
取り付けられ、このモータ２６の駆動力によって図中矢
印Ｂ方向に回転される。
【００１１】前記モータ２６の上部には、エアシリンダ
２８のピストン３２が取り付けられている。したがっ
て、エアシリンダ２８を駆動してピストン３２を伸縮動
作させると、カップ型砥石２４を半導体ウェーハ２２に
対して進退移動させることができる。よって、カップ型
砥石２４を半導体ウェーハ２２の裏面２２Ｂに押圧当接
させて送り動作させることにより、半導体ウェーハ２２
の裏面２２Ｂをカップ型砥石２４で研削することができ
る。なお、前記エアシリンダ２８は、研削装置本体１１
上に立設されたＬ字状の支柱３４に固定されている。
２８のピストン３２が取り付けられている。したがっ
て、エアシリンダ２８を駆動してピストン３２を伸縮動
作させると、カップ型砥石２４を半導体ウェーハ２２に
対して進退移動させることができる。よって、カップ型
砥石２４を半導体ウェーハ２２の裏面２２Ｂに押圧当接
させて送り動作させることにより、半導体ウェーハ２２
の裏面２２Ｂをカップ型砥石２４で研削することができ
る。なお、前記エアシリンダ２８は、研削装置本体１１
上に立設されたＬ字状の支柱３４に固定されている。
【００１２】前記面取り用砥石装置１６は、砥石３６、
モータ３８、及び上下駆動機構等から構成される。前記
砥石３６は、吸着テーブル１２に吸着保持された半導体
ウェーハ２２の裏面２２Ｂのエッジ２２Ｃを面取り加工
する砥石である。この砥石３６は、モータ３８の出力軸
４０に固着されている。また、モータ３８は、半導体ウ
ェーハ２２のエッジ２２Ｃに対して砥石３６が傾斜して
当接するように、支持部材４２の下部に傾斜して固定さ
れている。
モータ３８、及び上下駆動機構等から構成される。前記
砥石３６は、吸着テーブル１２に吸着保持された半導体
ウェーハ２２の裏面２２Ｂのエッジ２２Ｃを面取り加工
する砥石である。この砥石３６は、モータ３８の出力軸
４０に固着されている。また、モータ３８は、半導体ウ
ェーハ２２のエッジ２２Ｃに対して砥石３６が傾斜して
当接するように、支持部材４２の下部に傾斜して固定さ
れている。
【００１３】前記支持部材４２には、上下駆動機構を構
成するナット部材４４が固定されている。このナット部
材４４は、同じく上下駆動機構を構成するねじ送り装置
のねじ棒４６に螺合されると共に、直進ガイド部材４８
に係合されている。また、前記ねじ棒４６の上端には、
モータ５０の図示しない出力軸が連結されている。した
がって、モータ５０を駆動してねじ棒４６を正転／逆転
させると、ナット部材４４等を介して砥石３６を上下移
動させることができる。よって、砥石３６を半導体ウェ
ーハ２２のエッジ２２Ｃに当接させて送り動作させるこ
とにより、半導体ウェーハ２２のエッジ２２Ｃを面取り
することができる。なお、前記モータ５０は、研削装置
本体１１上に立設されたＬ字状の支柱５２に固定され、
この支柱５２に前記直進ガイド部材４８が設けられてい
る。
成するナット部材４４が固定されている。このナット部
材４４は、同じく上下駆動機構を構成するねじ送り装置
のねじ棒４６に螺合されると共に、直進ガイド部材４８
に係合されている。また、前記ねじ棒４６の上端には、
モータ５０の図示しない出力軸が連結されている。した
がって、モータ５０を駆動してねじ棒４６を正転／逆転
させると、ナット部材４４等を介して砥石３６を上下移
動させることができる。よって、砥石３６を半導体ウェ
ーハ２２のエッジ２２Ｃに当接させて送り動作させるこ
とにより、半導体ウェーハ２２のエッジ２２Ｃを面取り
することができる。なお、前記モータ５０は、研削装置
本体１１上に立設されたＬ字状の支柱５２に固定され、
この支柱５２に前記直進ガイド部材４８が設けられてい
る。
【００１４】次に、前記の如く構成された半導体ウェー
ハの研削装置の作用について説明する。まず、研削対象
の半導体ウェーハ２２を、その表面２２Ａを下向きにし
て吸着テーブル１２の上面に吸着保持させる。次に、半
導体ウェーハ２２をモータ１８で回転させると共に、カ
ップ型砥石２４をモータ２６で回転させ、そして砥石３
６をモータ３８で回転させる。
ハの研削装置の作用について説明する。まず、研削対象
の半導体ウェーハ２２を、その表面２２Ａを下向きにし
て吸着テーブル１２の上面に吸着保持させる。次に、半
導体ウェーハ２２をモータ１８で回転させると共に、カ
ップ型砥石２４をモータ２６で回転させ、そして砥石３
６をモータ３８で回転させる。
【００１５】次いで、裏面研削用のカップ型砥石２４
を、エアシリンダ２８のピストン３２を伸長させること
により下降移動させて、カップ型砥石２４の砥石部分２
５を半導体ウェーハ２２の裏面２２Ｂに押圧当接させ
る。そして、この動作に連動して、面取り用の砥石３６
を、ねじ送り装置によって下降移動させて、半導体ウェ
ーハ２２のエッジ２２Ｃに押圧当接させる。
を、エアシリンダ２８のピストン３２を伸長させること
により下降移動させて、カップ型砥石２４の砥石部分２
５を半導体ウェーハ２２の裏面２２Ｂに押圧当接させ
る。そして、この動作に連動して、面取り用の砥石３６
を、ねじ送り装置によって下降移動させて、半導体ウェ
ーハ２２のエッジ２２Ｃに押圧当接させる。
【００１６】これにより、カップ型砥石２４によって裏
面研削が行われ、これと同時に砥石３６によってエッジ
２２Ｃの面取りが行われる。図２は、裏面研削前の半導
体ウェーハ２２の要部拡大断面図である。同図に示すよ
うに裏面研削前の半導体ウェーハ２２は、エッジ２２Ｃ
が両面ともテーパ状に予め面取りされている。この半導
体ウェーハ２２の裏面２２Ｂを、面取り加工を行わずに
研削すると図３に示すように、エッジ２２Ｃの裏面２２
Ｂ側の面取り部分も一緒に研削されてエッジ２２Ｃが先
鋭状になり、また、エッジ２２Ｃに加工変質層が発生し
て半導体ウェーハ２２が脆くなる。
面研削が行われ、これと同時に砥石３６によってエッジ
２２Ｃの面取りが行われる。図２は、裏面研削前の半導
体ウェーハ２２の要部拡大断面図である。同図に示すよ
うに裏面研削前の半導体ウェーハ２２は、エッジ２２Ｃ
が両面ともテーパ状に予め面取りされている。この半導
体ウェーハ２２の裏面２２Ｂを、面取り加工を行わずに
研削すると図３に示すように、エッジ２２Ｃの裏面２２
Ｂ側の面取り部分も一緒に研削されてエッジ２２Ｃが先
鋭状になり、また、エッジ２２Ｃに加工変質層が発生し
て半導体ウェーハ２２が脆くなる。
【００１７】これに対して、本実施の形態では、研削加
工と同時に面取り加工を行っているので、エッジ２２Ｃ
に発生した加工変質層を、面取り用の砥石３６で直ちに
研削することができる。よって、本実施の形態では、加
工変質層を簡単に除去することができる。また、裏面研
削終了後の裏面２２Ｂ側のエッジ２２Ｃに、図４に示す
テーパ状の面取りを施すこともできる。
工と同時に面取り加工を行っているので、エッジ２２Ｃ
に発生した加工変質層を、面取り用の砥石３６で直ちに
研削することができる。よって、本実施の形態では、加
工変質層を簡単に除去することができる。また、裏面研
削終了後の裏面２２Ｂ側のエッジ２２Ｃに、図４に示す
テーパ状の面取りを施すこともできる。
【００１８】なお、この半導体ウェーハの研削装置によ
る研削方法は、スルーフィード研削又はインフィード研
削とする。そして、エッジの面取り時間は、裏面研削時
間よりも長く設定することが面取り精度を向上させる点
から好ましい。また、スパークアウト研削を行う場合に
は、エッジの面取り時間を同時間、または長く設定する
ことが好ましい。
る研削方法は、スルーフィード研削又はインフィード研
削とする。そして、エッジの面取り時間は、裏面研削時
間よりも長く設定することが面取り精度を向上させる点
から好ましい。また、スパークアウト研削を行う場合に
は、エッジの面取り時間を同時間、または長く設定する
ことが好ましい。
【００１９】本実施の形態では、半導体ウェーハを研削
する研削装置について説明したが、これに限られるもの
ではなく、研磨布等の研磨体で半導体ウェーハを研磨す
る研磨装置にも適用することができる。
する研削装置について説明したが、これに限られるもの
ではなく、研磨布等の研磨体で半導体ウェーハを研磨す
る研磨装置にも適用することができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
ウェーハの研削方法及びその装置によれば、研削用砥石
による半導体ウェーハの片面の研削加工と、面取り用砥
石による半導体ウェーハのエッジの面取り加工とを同時
に行うようにしたので、半導体ウェーハのエッジ部分に
発生する加工変質層を簡単に除去することができる。
ウェーハの研削方法及びその装置によれば、研削用砥石
による半導体ウェーハの片面の研削加工と、面取り用砥
石による半導体ウェーハのエッジの面取り加工とを同時
に行うようにしたので、半導体ウェーハのエッジ部分に
発生する加工変質層を簡単に除去することができる。
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体ウェーハの研
削装置の全体構造図
削装置の全体構造図
【図２】裏面研削前の半導体ウェーハの要部拡大断面図
【図３】裏面研削加工のみ実施した半導体ウェーハの要
部断面拡大図
部断面拡大図
【図４】裏面研削加工と面取り加工とを同時に実施した
半導体ウェーハの要部拡大断面図
半導体ウェーハの要部拡大断面図
１０…半導体ウェーハの研削装置 １２…吸着テーブル １４…研削用砥石装置 １６…面取り用砥石装置 ２２…半導体ウェーハ ２４…カップ型砥石（裏面研削用砥石） ３６…砥石（面取り用砥石）
Claims (2)
- 【請求項１】半導体ウェーハを保持して、該半導体ウェ
ーハの片面を研削加工する半導体ウェーハの研削方法に
おいて、 前記半導体ウェーハの片面の研削加工と、該半導体ウェ
ーハのエッジの面取り加工とを同時に行うことを特徴と
する半導体ウェーハの研削方法。 - 【請求項２】半導体ウェーハを保持するテーブルと、 前記テーブルに保持された前記半導体ウェーハの片面に
押し付けられて、該半導体ウェーハの片面を研削加工す
る研削用砥石と、 前記テーブルに保持された前記半導体ウェーハのエッジ
に押し付けられて、該半導体ウェーハのエッジを面取り
加工する面取り用砥石と、 を備え、前記研削用砥石による研削加工と、前記面取り
用砥石による面取り加工とを同時に行うことを特徴とす
る半導体ウェーハの研削装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19386397A JP3377024B2 (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 半導体ウェーハの研削方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19386397A JP3377024B2 (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 半導体ウェーハの研削方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1133887A true JPH1133887A (ja) | 1999-02-09 |
| JP3377024B2 JP3377024B2 (ja) | 2003-02-17 |
Family
ID=16315013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19386397A Expired - Fee Related JP3377024B2 (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 半導体ウェーハの研削方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3377024B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6722964B2 (en) | 2000-04-04 | 2004-04-20 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and method |
| KR100429739B1 (ko) * | 2001-05-02 | 2004-05-03 | 스피드팜 가부시키가이샤 | 디바이스 웨이퍼의 외주 연마장치 및 연마방법 |
| JP2014027000A (ja) * | 2012-07-24 | 2014-02-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
| JP2014054694A (ja) * | 2012-09-12 | 2014-03-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
| CN107932191A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-04-20 | 广州市正坚包装材料科技有限公司南沙分公司 | 板材加工装置 |
-
1997
- 1997-07-18 JP JP19386397A patent/JP3377024B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6722964B2 (en) | 2000-04-04 | 2004-04-20 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and method |
| US6935932B2 (en) | 2000-04-04 | 2005-08-30 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and method |
| US7108589B2 (en) | 2000-04-04 | 2006-09-19 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and method |
| KR100429739B1 (ko) * | 2001-05-02 | 2004-05-03 | 스피드팜 가부시키가이샤 | 디바이스 웨이퍼의 외주 연마장치 및 연마방법 |
| JP2014027000A (ja) * | 2012-07-24 | 2014-02-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
| JP2014054694A (ja) * | 2012-09-12 | 2014-03-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
| CN107932191A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-04-20 | 广州市正坚包装材料科技有限公司南沙分公司 | 板材加工装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3377024B2 (ja) | 2003-02-17 |
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