JPS58175878A - 光半導体装置のパツケ−ジ - Google Patents
光半導体装置のパツケ−ジInfo
- Publication number
- JPS58175878A JPS58175878A JP57058830A JP5883082A JPS58175878A JP S58175878 A JPS58175878 A JP S58175878A JP 57058830 A JP57058830 A JP 57058830A JP 5883082 A JP5883082 A JP 5883082A JP S58175878 A JPS58175878 A JP S58175878A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- window structure
- package
- support
- optical semiconductor
- adhesive material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 16
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 abstract 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光半導体装置のパッケージに関する。
発光ダイオ−ビオ半導体レーザ、受光素子等各種の光半
導体装置の最近の発展に伴ない、パンケージも種々の構
造のものが使用されている。
導体装置の最近の発展に伴ない、パンケージも種々の構
造のものが使用されている。
第１図はその代表的なものの断面図であり、光半導体素
子１と・これをダイスボンデングした支持体２と透明材
料から構成されかつ光を出入する窓構体３から構成され
ている°。そして、上記窓構体３と支持体２は接着材料
４によって密封された形となっている。このようなパッ
ケージは通常の金属パッケージに比較して、種々の大き
さのものが容易に製作出来るという利点があるため、固
体撮像素子、太陽電池等の大面積の受光部を有する装置
には好適であり、現在広く用いられている。
子１と・これをダイスボンデングした支持体２と透明材
料から構成されかつ光を出入する窓構体３から構成され
ている°。そして、上記窓構体３と支持体２は接着材料
４によって密封された形となっている。このようなパッ
ケージは通常の金属パッケージに比較して、種々の大き
さのものが容易に製作出来るという利点があるため、固
体撮像素子、太陽電池等の大面積の受光部を有する装置
には好適であり、現在広く用いられている。
しかし、このパッケージは窓構体３と支持体２を接着材
料を用いて接着する時に一定の加圧下での熱処理が必要
となるため、接着材料４が接着部よりはみだしたり、窓
構体３が支持体２の所定の位置からずれて固定されると
いう欠点が生じる。
料を用いて接着する時に一定の加圧下での熱処理が必要
となるため、接着材料４が接着部よりはみだしたり、窓
構体３が支持体２の所定の位置からずれて固定されると
いう欠点が生じる。
特に、第２図に示す様に支持体２中に入った過剰の接着
材料５は熱処理時にガスを発生するため、窓構体３の内
側６はくもりを牛して、光出力および光感度を減少させ
、光半導体装置として致命的な欠陥となる。尚、第２図
で第１図と同一番号は同一部分を示し、以下の図面にお
いても同様とする。
材料５は熱処理時にガスを発生するため、窓構体３の内
側６はくもりを牛して、光出力および光感度を減少させ
、光半導体装置として致命的な欠陥となる。尚、第２図
で第１図と同一番号は同一部分を示し、以下の図面にお
いても同様とする。
本発明はこのような問題点をＭ消したものであり、接着
材料の支持体内への導入を防ぐことによりくもりを除き
、かつ窓部のずれを防止出来る光半導体装置のパッケー
ジを提供せんとするものである。
材料の支持体内への導入を防ぐことによりくもりを除き
、かつ窓部のずれを防止出来る光半導体装置のパッケー
ジを提供せんとするものである。
以下、本発明について実施例を参考にして詳細に述べる
。
。
第３図は本発明のパッケージの断面図を示す。
第１図と比較して窓構体３の周辺に段差が設けられて、
その周辺の厚さが薄くなり、接合面がかぎ（鉤）状にな
っている事が特徴である。
その周辺の厚さが薄くなり、接合面がかぎ（鉤）状にな
っている事が特徴である。
」二記窓構・体３はこのかぎ状の段差７によって支持体
２の内側の周辺にそって組合せられた状態となっている
。接着材料４を上記窓構体３の段差７または、支持体の
頂部に塗布した後、上記のように組合せ窓構体３を下側
にした状態で加圧し、熱処理を行う。このようｉ方法で
行うと接着材料のはみ出しは支持体２の外側に起るだけ
であり、内側への浸入は段差７によって防ぐことが出来
る。
２の内側の周辺にそって組合せられた状態となっている
。接着材料４を上記窓構体３の段差７または、支持体の
頂部に塗布した後、上記のように組合せ窓構体３を下側
にした状態で加圧し、熱処理を行う。このようｉ方法で
行うと接着材料のはみ出しは支持体２の外側に起るだけ
であり、内側への浸入は段差７によって防ぐことが出来
る。
一方、窓構体３のずれは支持体２と組合せられているた
め、発生しないことは明らかである。
め、発生しないことは明らかである。
実験によれば第４図に示すパッケージ１ａ＝１．０ｇ、
ｂ＝１．５１１Ｊｌ、ｃ＝１．６ｍ、ｄ＝７．Ｏｎ、＠
＝１０．Ｏｎ。
ｂ＝１．５１１Ｊｌ、ｃ＝１．６ｍ、ｄ＝７．Ｏｎ、＠
＝１０．Ｏｎ。
ｔ＝ｓ、Ｏａ、ｇ＝ｏ、ｓＭ）で窓構体３として１０Ｍ
口のパイレックスガラス、１０１１１１０の基板支持体
２としてセラミック、接着材料４として低融点ガラスを
用い、丙イｄの加圧状態で４２０″Ｃの温度で１０分間
処理した結果、接着材料の支持体の内側への侵入、窓の
くもり、窓のずれは全く認られなかった。
口のパイレックスガラス、１０１１１１０の基板支持体
２としてセラミック、接着材料４として低融点ガラスを
用い、丙イｄの加圧状態で４２０″Ｃの温度で１０分間
処理した結果、接着材料の支持体の内側への侵入、窓の
くもり、窓のずれは全く認られなかった。
第６図は本発明の別の実施例の断面図である。
本実施例は第３図の場合と異なって、窓構体３の周辺の
厚さが厚くなった段差構造８になっており、これが支持
体２の外側の低い面の段差部分９と組合せられた状態と
なっている。
厚さが厚くなった段差構造８になっており、これが支持
体２の外側の低い面の段差部分９と組合せられた状態と
なっている。
これによれば接着処理を前記窓構体３を上側にした状態
で行えばよく、前述と同様の効果が期待出来ることは言
うまでもない。
で行えばよく、前述と同様の効果が期待出来ることは言
うまでもない。
以上のように、本発明は窓構体の周辺、これに接する支
持体の一部に段差を設け、この窓構体と上記支持体を段
差によって組合せた構造をとることにより、窓構体と上
記支持体の接着部の接着材料が支持体の内側への浸入し
たり、あるいは窓部の接着ずれを防止するのに有効なも
のである。
持体の一部に段差を設け、この窓構体と上記支持体を段
差によって組合せた構造をとることにより、窓構体と上
記支持体の接着部の接着材料が支持体の内側への浸入し
たり、あるいは窓部の接着ずれを防止するのに有効なも
のである。
第１図は従来のパッケージの断面図、第２図は接着材料
がパッケージ内に侵入した状態を示す状態断面図、第３
図は本発明に係る先導体装置のノ（ッケージの断面図、
第４図は本発明の具体的実施例の断面図、第６図は本発
明の別の実施例の光半導体装置のパッケージの断面図で
ある。 １ 、、、、、、光半導体素子、２ 、、、、、、基板
支持体、３ 、、、、、、窓構体、４ 、、、、、、接
着材料、６ 、、、、、。 くもり而、７ 、、、、、、段差部分、８ 、、、、、
、窓構体の段差部、９ 、、、、、、支持体の段差部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 は力・１名第
１図 、？ 第２図 第３図
がパッケージ内に侵入した状態を示す状態断面図、第３
図は本発明に係る先導体装置のノ（ッケージの断面図、
第４図は本発明の具体的実施例の断面図、第６図は本発
明の別の実施例の光半導体装置のパッケージの断面図で
ある。 １ 、、、、、、光半導体素子、２ 、、、、、、基板
支持体、３ 、、、、、、窓構体、４ 、、、、、、接
着材料、６ 、、、、、。 くもり而、７ 、、、、、、段差部分、８ 、、、、、
、窓構体の段差部、９ 、、、、、、支持体の段差部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 は力・１名第
１図 、？ 第２図 第３図
Claims (1)
- 光半導体チップを支持する支持構体と、この支持構体を
おおう光透過窓構体とを備え、前記支持構体と前記光透
過窓構体とが接着材料によって接
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57058830A JPS58175878A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 光半導体装置のパツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57058830A JPS58175878A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 光半導体装置のパツケ−ジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58175878A true JPS58175878A (ja) | 1983-10-15 |
Family
ID=13095561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57058830A Pending JPS58175878A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 光半導体装置のパツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58175878A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006120862A1 (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 赤外線センサおよびその製造方法 |
| WO2010008892A1 (en) * | 2008-07-15 | 2010-01-21 | Aptina Imaging Corporation | Microelectronic imager packages with covers having non-planar surface features |
-
1982
- 1982-04-08 JP JP57058830A patent/JPS58175878A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006120862A1 (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 赤外線センサおよびその製造方法 |
| JPWO2006120862A1 (ja) * | 2005-05-11 | 2008-12-18 | 株式会社村田製作所 | 赤外線センサおよびその製造方法 |
| US7566874B2 (en) | 2005-05-11 | 2009-07-28 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Infrared sensor and its manufacturing method |
| WO2010008892A1 (en) * | 2008-07-15 | 2010-01-21 | Aptina Imaging Corporation | Microelectronic imager packages with covers having non-planar surface features |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20060081983A1 (en) | Wafer level microelectronic packaging with double isolation | |
| JPS58158950A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000515687A (ja) | 半導体光検出器パッケージング | |
| FR2491259B1 (fr) | Dispositif a semi-conducteurs et son procede de fabrication | |
| JPS58175878A (ja) | 光半導体装置のパツケ−ジ | |
| JPH07297324A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS58176979A (ja) | 光半導体装置のパツケ−ジ | |
| JP2970635B2 (ja) | 半導体レーザーモジュール及び金属フェルール | |
| JP2800760B2 (ja) | 光半導体モジュール | |
| JPS6018941A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63213373A (ja) | 光半導体デバイス | |
| JP2687707B2 (ja) | 受光半導体装置およびその組立方法 | |
| JPS61267363A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPH02101776A (ja) | 光センサ用パッケージとその製造方法 | |
| JPH02103967A (ja) | 光センサ用パッケージ | |
| JP3478559B2 (ja) | 光モジュール用パッケージ及びその製造方法 | |
| JPS6333852A (ja) | 半導体素子の封止構造 | |
| JPH06174980A (ja) | 光モジュール | |
| JPS6329974A (ja) | Ｃｃｄイメ−ジセンサ−用半導体装置 | |
| GB2121598A (en) | Sealing optoelectronic packages | |
| JPS5949698B2 (ja) | 電子部品の封止方法 | |
| JPS63246877A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPS6041735Y2 (ja) | 半導体光センサ | |
| JPS5916435A (ja) | 光送信モジユ−ル | |
| JPH01300530A (ja) | 半導体素子実装体の製造方法 |