JPH01300530A - 半導体素子実装体の製造方法 - Google Patents
半導体素子実装体の製造方法Info
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- JPH01300530A JPH01300530A JP63130247A JP13024788A JPH01300530A JP H01300530 A JPH01300530 A JP H01300530A JP 63130247 A JP63130247 A JP 63130247A JP 13024788 A JP13024788 A JP 13024788A JP H01300530 A JPH01300530 A JP H01300530A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 28
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 6
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 abstract 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 abstract 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/484—Connecting portions
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- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、撮像用のＣＣＤ、紫外線照射型のＥＰＲＯＭ
、フォトダイオード等の受光部を有した半導体素子を実
装した実装体の製造方法に関する。
、フォトダイオード等の受光部を有した半導体素子を実
装した実装体の製造方法に関する。
（従来の技術〕
従来、この種の実装体としては、例えば第５図に示すも
のが知られている（例えば、特開昭５９−１０２３８号
公報参照） この実装体の製造方法は、例えば、受光部２を有する半
導体素子ｌをセラミック基材３に固着しく所謂ダイボン
ディング）、半導体素子ｌの両側においてセラミック基
材３に固着したリード端子４と半導体素子ｌとをワイヤ
５で結線し、更に、予め透明ガラス６を嵌着したセラミ
ックリッド７を、該透明ガラス６が受光部２の受光領域
Ｒを横断するようにセラミック基材３にガラス８を介し
て接着し、半導体素子１をセラミック基材３及びセラミ
ックリッド７内に気密封止（所謂ハーメチックシール）
したものである。
のが知られている（例えば、特開昭５９−１０２３８号
公報参照） この実装体の製造方法は、例えば、受光部２を有する半
導体素子ｌをセラミック基材３に固着しく所謂ダイボン
ディング）、半導体素子ｌの両側においてセラミック基
材３に固着したリード端子４と半導体素子ｌとをワイヤ
５で結線し、更に、予め透明ガラス６を嵌着したセラミ
ックリッド７を、該透明ガラス６が受光部２の受光領域
Ｒを横断するようにセラミック基材３にガラス８を介し
て接着し、半導体素子１をセラミック基材３及びセラミ
ックリッド７内に気密封止（所謂ハーメチックシール）
したものである。
そして、この実装体は、上記透明ガラス６から光を取入
れて、受光部２に光を照射しうるようになっている。
れて、受光部２に光を照射しうるようになっている。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、この従来の製造方法によって形成された実装
体は、透明ガラス６と受光部２との間に間隙があるので
、この間隙内で透過光の散乱が生じ、誤動作の原因を生
じさせるという問題があった。
体は、透明ガラス６と受光部２との間に間隙があるので
、この間隙内で透過光の散乱が生じ、誤動作の原因を生
じさせるという問題があった。
また、この散乱を極力押えるために、透明ガラス６をレ
ンズ状に形成すると、それだけ製造がめんどうになる。
ンズ状に形成すると、それだけ製造がめんどうになる。
また、予め透明ガラスを取付けるためのセラミックリッ
ドの加工や、セラミックリッドのガラスを介しての接着
行程も煩雑になっており、セラミックの材料コストに加
えて製造コストも高いものになっているという問題があ
った。
ドの加工や、セラミックリッドのガラスを介しての接着
行程も煩雑になっており、セラミックの材料コストに加
えて製造コストも高いものになっているという問題があ
った。
そこで、本発明の技術的課題は、実装体内での透過光の
散乱をなくするとともに、製造コストの低減を図る点に
ある。
散乱をなくするとともに、製造コストの低減を図る点に
ある。
このような課題を解決するための本発明の技術的手段は
、半導体素子に受光部の受光領域に介在する透光性の透
光体を密着し、次に、この半導体素子及び透光体に樹脂
製の封止体を被覆し、その後、受光領域を横断した封止
体を除去した製造方法にある。
、半導体素子に受光部の受光領域に介在する透光性の透
光体を密着し、次に、この半導体素子及び透光体に樹脂
製の封止体を被覆し、その後、受光領域を横断した封止
体を除去した製造方法にある。
〔作用）
この手段によれば、半導体素子及び透光体に封止体を被
覆する行程は量産に適した型を用いた方法で比較的容易
に行なわれる。
覆する行程は量産に適した型を用いた方法で比較的容易
に行なわれる。
そして、受光領域内にある封止体を除去すると、受光部
の受光領域が確保される。
の受光領域が確保される。
また、この手段によって製造された実装体は、透光体が
封止体に囲まれているので、透光体に入射した光は封止
体に反射しつつ受光部に誘導され、拡散することがない
。
封止体に囲まれているので、透光体に入射した光は封止
体に反射しつつ受光部に誘導され、拡散することがない
。
（実施例）
以下、添付図面に基づいて本発明の実施例に係る製造方
法を説明する。
法を説明する。
第１図（ｄ）及び第２図には、この実施例によって製造
される実装体の構造が示されている。
される実装体の構造が示されている。
この実装体において、受光部１２を備えた半導体素子１
１は、リードフレーム（以下「アイラ゛ンド１３」とい
う）の上部に接合されている。また、アイランド１３の
両側にはリード端子１４が配されており、このリード端
子１４の基端部１４ａと半導体素子１１の電極部１１ａ
とがワイヤ１５で結線されている。
１は、リードフレーム（以下「アイラ゛ンド１３」とい
う）の上部に接合されている。また、アイランド１３の
両側にはリード端子１４が配されており、このリード端
子１４の基端部１４ａと半導体素子１１の電極部１１ａ
とがワイヤ１５で結線されている。
そして、半導体素子１１は受光部１２の受光領域Ｒに介
在する透光性樹脂製の透光体１８で密着被抱され、受光
領域Ｒを除いて該半導体素子１１、アイランド１３．リ
ード端子１４の基端部１４ａ及び透光体１８が樹脂製の
封止体１６によって被覆されている。
在する透光性樹脂製の透光体１８で密着被抱され、受光
領域Ｒを除いて該半導体素子１１、アイランド１３．リ
ード端子１４の基端部１４ａ及び透光体１８が樹脂製の
封止体１６によって被覆されている。
次に、第１図に従って、この実装体を製造する本発明の
実施例に係る製造方法を説明する。
実施例に係る製造方法を説明する。
■ 先ず、予め、半導体素子１１をはんだ付やエポキシ
樹脂などによりアイランド１３に固着するとともに、リ
ード端子１４にワイヤ１５を結線したものを用意してお
く。
樹脂などによりアイランド１３に固着するとともに、リ
ード端子１４にワイヤ１５を結線したものを用意してお
く。
■ 次に、第１図（ａ）に示すように、半導体素子１１
に透明樹脂製透光体１８を半球状にモールディングする
。
に透明樹脂製透光体１８を半球状にモールディングする
。
■ 第１図（ｂ）に示すように、透光体１８をモールデ
ィングした中間体２０を金型２１に配置する（金型配置
）。
ィングした中間体２０を金型２１に配置する（金型配置
）。
この金型２１は上型２１ａと下型２１ｂとからなり、両
者によって中間体２０を略包囲し非透光性樹脂（封止体
１６）が注入されるキャビティ２２が形成される。また
、上型２１ａは、透光体１８の上方に非透光性樹脂の薄
肉部２５（厚さ１００ ｇｍ程度）が形成されるように
、透光体１８上端との間隔を所要のものに定めて形成さ
れている。
者によって中間体２０を略包囲し非透光性樹脂（封止体
１６）が注入されるキャビティ２２が形成される。また
、上型２１ａは、透光体１８の上方に非透光性樹脂の薄
肉部２５（厚さ１００ ｇｍ程度）が形成されるように
、透光体１８上端との間隔を所要のものに定めて形成さ
れている。
■ この状態で、非透光性樹脂を注入して成形体２４を
成形する。
成形する。
■ この成形体２４を取出し、第２図（ｃ）に示すよう
に、リード端子１４を折曲して所要の形状に成形する（
リード成形）。
に、リード端子１４を折曲して所要の形状に成形する（
リード成形）。
■ 更に、第２図（ｄ）に示すように、受光部１２の受
光領域Ｒを横断した上記薄肉部２５及び透光体１８の上
端部１８ａを除去し、受光領域Ｒを開放する開孔部１７
を形成する。
光領域Ｒを横断した上記薄肉部２５及び透光体１８の上
端部１８ａを除去し、受光領域Ｒを開放する開孔部１７
を形成する。
この除去は、−膜内に用いられる方法、例えば、市販の
ドライエツチャー装置により樹脂を灰化させて除去する
ドライエツチング法、あるいは、発煙硝酸や濃硝酸等で
樹脂を溶解して除去するウェットエツチング法によって
行なわれる。
ドライエツチャー装置により樹脂を灰化させて除去する
ドライエツチング法、あるいは、発煙硝酸や濃硝酸等で
樹脂を溶解して除去するウェットエツチング法によって
行なわれる。
上記封止体１６を注入する行程は、公知のトランスファ
ーモールド法を用いたものである。そのため、製造が比
較的容易に行なわれるとともに、封止体１６用の樹脂と
してトランスモールドパッケージ用の樹脂と同じものを
用いるので、セラミック等に比較して安価に製造できる
。ちなみに、従来のセラミックを用いたものに比較して
、製造コストで約１７２、材料コストで約１７１０程度
に低減される。
ーモールド法を用いたものである。そのため、製造が比
較的容易に行なわれるとともに、封止体１６用の樹脂と
してトランスモールドパッケージ用の樹脂と同じものを
用いるので、セラミック等に比較して安価に製造できる
。ちなみに、従来のセラミックを用いたものに比較して
、製造コストで約１７２、材料コストで約１７１０程度
に低減される。
そして、この実装体によれば、第２図に示すように、透
光体１８が封止体１６に囲繞されることになり、しかも
、透光体１８は直接受光部１２に至っているので、透光
体１８に入射した光が拡散しようとしても封止体１６の
内面１６ａに反射するので、拡散することがなく、受光
部１２に誘導されることになる。
光体１８が封止体１６に囲繞されることになり、しかも
、透光体１８は直接受光部１２に至っているので、透光
体１８に入射した光が拡散しようとしても封止体１６の
内面１６ａに反射するので、拡散することがなく、受光
部１２に誘導されることになる。
また、一般に透光体１８用の樹脂は封止体１６用の樹脂
に比較して耐湿性、耐応力性に劣っていることから、封
止体１６全体を透光体１８用の樹脂で成型することは半
導体素子１１にクラック発生等の悪影響を及ぼすが、透
光体１８は半導体素子１１を覆うだけの僅かな量なので
、上記の影響が回避される。
に比較して耐湿性、耐応力性に劣っていることから、封
止体１６全体を透光体１８用の樹脂で成型することは半
導体素子１１にクラック発生等の悪影響を及ぼすが、透
光体１８は半導体素子１１を覆うだけの僅かな量なので
、上記の影響が回避される。
即ち、この実装体は、耐湿性、耐応力性に劣ることがな
く、一般の樹脂封止型実装体と同様の信頼性が確保され
、従来のセラミック製の実装体と比較しても信頼性に遜
色がない。
く、一般の樹脂封止型実装体と同様の信頼性が確保され
、従来のセラミック製の実装体と比較しても信頼性に遜
色がない。
更にまた、半導体素子１１やワイヤ１５は透光体１８及
び封止体１６によって封止固定されるので、振動があっ
ても内部で動きにくくなっており、それだけ、故障が少
なくこの点でも信頼性が高い。
び封止体１６によって封止固定されるので、振動があっ
ても内部で動きにくくなっており、それだけ、故障が少
なくこの点でも信頼性が高い。
第３図は他の実施例に係る製造方法によって製造される
実装体構造を示しである。この実装体構造は、上記のも
のと略同様に構成されるが、上記と異なって透光体３０
が円柱状の透過部３１と透過部に連接され半導体の上面
に密接する鍔状の座部３２とで形成されている。
実装体構造を示しである。この実装体構造は、上記のも
のと略同様に構成されるが、上記と異なって透光体３０
が円柱状の透過部３１と透過部に連接され半導体の上面
に密接する鍔状の座部３２とで形成されている。
次に、この実装体を製造する本発明の他の実施例に係る
製造方法を説明する。
製造方法を説明する。
■ 先ず、上記透光体３０を、例えば、ガラスや樹脂を
用いて予め上記の形状に成形しておく。
用いて予め上記の形状に成形しておく。
■ 次に、第４図（ａ）に示すように、透光体３０を受
光部１２の受光領域Ｒに介在させて半導体素子１１に接
着固定する。
光部１２の受光領域Ｒに介在させて半導体素子１１に接
着固定する。
■ その後、上記と同様に、透光体３０を固定した中間
体３３を金型に配置する（金型配置）。
体３３を金型に配置する（金型配置）。
■ この状態で、第４図（ｂ）に示すように、非透光性
樹脂（封止体１６）を注入して成形体ガを成形する。
樹脂（封止体１６）を注入して成形体ガを成形する。
■ この成形体３４を取出し、第４図（ｂ）に示すよう
に、リード端子１４を折曲して所要の形状に成形する（
リード成形）。
に、リード端子１４を折曲して所要の形状に成形する（
リード成形）。
■ 更に、第２図（Ｃ）に示すように、透光体３０の上
側にある受光部１２の受光領域Ｒを横断した封止体１６
除去し、受光領域Ｒを開放する開孔部１７を形成する。
側にある受光部１２の受光領域Ｒを横断した封止体１６
除去し、受光領域Ｒを開放する開孔部１７を形成する。
このように他の実施例によって製造された半導体素子実
装体においても、上記実施例と同様の作用、効果を奏す
る。
装体においても、上記実施例と同様の作用、効果を奏す
る。
尚、上記各実施例において、透光体や封止体の形状につ
いては上述のものに限られるものではなく、適宜変更し
て差支えない。
いては上述のものに限られるものではなく、適宜変更し
て差支えない。
以上説明したように本発明の製造方法によれば、封止体
にセラミックなどと比較して安価な樹脂を用いることが
でき、しかも、該方法の行程中、半導体素子及び透光体
を被覆する行程では、−膜内な方法を用いて極めて簡単
に被覆できるので、材料や加工等の製造コストを大幅に
低減できる。
にセラミックなどと比較して安価な樹脂を用いることが
でき、しかも、該方法の行程中、半導体素子及び透光体
を被覆する行程では、−膜内な方法を用いて極めて簡単
に被覆できるので、材料や加工等の製造コストを大幅に
低減できる。
また、この方法によれば、製造された実装体は、透光体
が封止体に囲まれているので、実装体内部で透過光が拡
散することがなく受光部に誘導され、そのため、半導体
素子の誤動作を抑制することができるとともに、従来よ
りも少ない光量で動作させることも可能になり実装体の
性能を向上させることができる。
が封止体に囲まれているので、実装体内部で透過光が拡
散することがなく受光部に誘導され、そのため、半導体
素子の誤動作を抑制することができるとともに、従来よ
りも少ない光量で動作させることも可能になり実装体の
性能を向上させることができる。
第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は本発明の実施
例に係る半導体素子Ｈ実装体の製造方法を示す行程図、
第２図はこの製造方法によって製造される実装体の一例
を示す断面図、第３図は他の製造方法によって製造され
る実装体の一例を示す断面図、第４図（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）は他の実施例に係る半導体素子−実装体の製造方
法を示す行程図、第５図は従来の製造方法によって製造
された実装体の一例を示す断面図である。 １．１１・・・半導体素子 ２．１２・・・受光部 １６・・・封止体 １８．３０・・・透光体 特 許 出 願 人 日産自動車株式会社パ−・−丁 代 理 人 弁理士 土 橋 皓ｉ 、（パ
・パ ！”ニ ー−２」 ＄２ 閃 −（Ｎ ψ 第 ３ 醜 第 ４８
例に係る半導体素子Ｈ実装体の製造方法を示す行程図、
第２図はこの製造方法によって製造される実装体の一例
を示す断面図、第３図は他の製造方法によって製造され
る実装体の一例を示す断面図、第４図（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）は他の実施例に係る半導体素子−実装体の製造方
法を示す行程図、第５図は従来の製造方法によって製造
された実装体の一例を示す断面図である。 １．１１・・・半導体素子 ２．１２・・・受光部 １６・・・封止体 １８．３０・・・透光体 特 許 出 願 人 日産自動車株式会社パ−・−丁 代 理 人 弁理士 土 橋 皓ｉ 、（パ
・パ ！”ニ ー−２」 ＄２ 閃 −（Ｎ ψ 第 ３ 醜 第 ４８
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 受光部を有した半導体素子を実装した半導体素子実装
体の製造方法において、 半導体素子に受光部の受光領域に介在する透光性の透光
体を密着し、次に、この半導体素子及び透光体に樹脂製
の封止体を被覆し、その後、受光領域を横断した封止体
を除去したことを特徴とする半導体素子実装体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63130247A JPH01300530A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 半導体素子実装体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63130247A JPH01300530A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 半導体素子実装体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01300530A true JPH01300530A (ja) | 1989-12-05 |
Family
ID=15029664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63130247A Pending JPH01300530A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 半導体素子実装体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01300530A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001088975A3 (de) * | 2000-05-13 | 2002-06-20 | Micronas Gmbh | Verfahren zum herstellen eines bauteils |
-
1988
- 1988-05-30 JP JP63130247A patent/JPH01300530A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001088975A3 (de) * | 2000-05-13 | 2002-06-20 | Micronas Gmbh | Verfahren zum herstellen eines bauteils |
| DE10023539B4 (de) * | 2000-05-13 | 2009-04-09 | Micronas Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Bauteils |
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