JPS58168230A - マイクロ波プラズマ処理方法 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理方法Info
- Publication number
- JPS58168230A JPS58168230A JP5010682A JP5010682A JPS58168230A JP S58168230 A JPS58168230 A JP S58168230A JP 5010682 A JP5010682 A JP 5010682A JP 5010682 A JP5010682 A JP 5010682A JP S58168230 A JPS58168230 A JP S58168230A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- shielding plate
- plasma
- rotating
- reaction
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明はマイクロ波ゾラズｉ地理方法に関し、更に詳し
くはマイクロ波ｆ２ズ！エツチング／ア、シングレート
を均一にしうるようにしたマイクロ波グラズマ挑理方法
Ｋ１１ｌする。
くはマイクロ波ｆ２ズ！エツチング／ア、シングレート
を均一にしうるようにしたマイクロ波グラズマ挑理方法
Ｋ１１ｌする。
（２）技１１０背景および従来技留と問題点マイＩＩＩ
ＩＩＩＥ（例えばｉ４轟Ｇ１１ｌ）Ｋよ〉励起される！
ツメマによる！；ＩＩ！”Ｏ如き試料Ｏ４６通は無−周
ａｌｌ（ＩＦ＞１９１ｑｌ＆１ＭｃＨＬｄｌｓ、ｓ浦ム
Ｏ高周波電力を使用）に比べ高密度プラズマによ〉高速
鍋温が可能″ｅＴｏ１１、例えばドライエツテンダ技−
として有ｉｉ＊されてきている。つｔ）、同じ電力を使
用してもｊＩ＃ＩＬ数が高いとより多くの仕事ができ、
例えば工Ｖテング中ｆ”４ジシ、ン（堆積）が高速でな
されるので、牛導体りエハの高速処理が可能となる。一
方、Ｂ Ｆ ７” ａズマ処理においては、マツチング
ボックスを用いるなど調整に時ＩＩと熟練を要する。か
かる状況からマイク■液励＠ｆｉｌｅマを轡いる４６１
１俵置お装び処理方法が一尭されている。
ＩＩＩＥ（例えばｉ４轟Ｇ１１ｌ）Ｋよ〉励起される！
ツメマによる！；ＩＩ！”Ｏ如き試料Ｏ４６通は無−周
ａｌｌ（ＩＦ＞１９１ｑｌ＆１ＭｃＨＬｄｌｓ、ｓ浦ム
Ｏ高周波電力を使用）に比べ高密度プラズマによ〉高速
鍋温が可能″ｅＴｏ１１、例えばドライエツテンダ技−
として有ｉｉ＊されてきている。つｔ）、同じ電力を使
用してもｊＩ＃ＩＬ数が高いとより多くの仕事ができ、
例えば工Ｖテング中ｆ”４ジシ、ン（堆積）が高速でな
されるので、牛導体りエハの高速処理が可能となる。一
方、Ｂ Ｆ ７” ａズマ処理においては、マツチング
ボックスを用いるなど調整に時ＩＩと熟練を要する。か
かる状況からマイク■液励＠ｆｉｌｅマを轡いる４６１
１俵置お装び処理方法が一尭されている。
本抛明者畳は、従来のプラズマ＃＆塩方法を用いえ場合
イ）定常波による分布、口）試料の温度分布、試＠０損
傷およびｄ石英チェンΔ０ｆ１４粍等０９間厘があ）、
これを解決する九め先に、金属製真空容器内に直線マイ
クロ液電力を印加してデｌ）、ｌｅマを励起する一方で
、その容器内に開孔し丸金異性Ｏ纏蔽板を配置しζｏｉ
ａ蔽板で纏蔽された領域で試料をグツズ！処理方法およ
び装置を提案している。
“パ゛′こＯ方法および載置によれば、ｆ′ｈＩ！にな
７” ９１ ｗ粒子のみを処理すべ龜試料に轟てること
ができるＯで処理富村科の消耗を防止することができる
。
イ）定常波による分布、口）試料の温度分布、試＠０損
傷およびｄ石英チェンΔ０ｆ１４粍等０９間厘があ）、
これを解決する九め先に、金属製真空容器内に直線マイ
クロ液電力を印加してデｌ）、ｌｅマを励起する一方で
、その容器内に開孔し丸金異性Ｏ纏蔽板を配置しζｏｉ
ａ蔽板で纏蔽された領域で試料をグツズ！処理方法およ
び装置を提案している。
“パ゛′こＯ方法および載置によれば、ｆ′ｈＩ！にな
７” ９１ ｗ粒子のみを処理すべ龜試料に轟てること
ができるＯで処理富村科の消耗を防止することができる
。
すなわち皺装置を用いた場合、ｆ２ズマ発生室で発生し
九活性種は遮蔽板に設は友債数の大を通うてり、凸表面
Ｋｔで拡張しそζで反応が行なわれる。従って反応は畳
方的で照射損傷も少ないという利点がある。しかるＫか
かゐ方法および装置にヨル場合、エツチングおよび／又
紘アッシ／！レートが遮蔽板の穴の真下では、その他の
部分よシも適いこととなシ、エツチングおよび／又はア
。
九活性種は遮蔽板に設は友債数の大を通うてり、凸表面
Ｋｔで拡張しそζで反応が行なわれる。従って反応は畳
方的で照射損傷も少ないという利点がある。しかるＫか
かゐ方法および装置にヨル場合、エツチングおよび／又
紘アッシ／！レートが遮蔽板の穴の真下では、その他の
部分よシも適いこととなシ、エツチングおよび／又はア
。
シングレートのレート分布に均一性において弱干欠ける
欠点があ一５丸。
欠点があ一５丸。
（３） 発明の目的
本発明は、かかる欠点を解消しエツチングおよび／又は
ア、シングレー）ｔ−均一にして稍直Ｏ高いｄ／−ンを
脅しかも従来のグツズ！処理方法によｈｌａｋＯ欠点（
定電波の分布、試料の温度分布、試料Ｏ損傷）よび石萬
テ、ンパの消耗等）をも同時Ｋｌｌ決することかで自る
ようにしたマイクロ波！ツメマ鶏：Ｓｔ′ｊ５法を提供
することをその目的とする。
ア、シングレー）ｔ−均一にして稍直Ｏ高いｄ／−ンを
脅しかも従来のグツズ！処理方法によｈｌａｋＯ欠点（
定電波の分布、試料の温度分布、試料Ｏ損傷）よび石萬
テ、ンパの消耗等）をも同時Ｋｌｌ決することかで自る
ようにしたマイクロ波！ツメマ鶏：Ｓｔ′ｊ５法を提供
することをその目的とする。
（４） 侮＠Ｏ梼威
かかる１釣を達成するため、本発明はマイクロ波よ如励
−されるｆうＪｅマを用いて牛導体りエノ１などＯ試料
を部層すゐ方法において、試料が処理される反応室を複
Ｉｋの孔が開けられた遮蔽板によりてプラズマが励Ｊ１
１ｉ１１れるプラズマ発生部から区分し、諌試料を誼總
蔽板と水平Ｋ１１転および／又社上下這ＩＩｈ破しめ亀
がら、１九は該遮蔽板を骸試料に対し水平に一転もしく
は上下運動せしめながら前記試料をｌ＆場することを特
徴とする。
−されるｆうＪｅマを用いて牛導体りエノ１などＯ試料
を部層すゐ方法において、試料が処理される反応室を複
Ｉｋの孔が開けられた遮蔽板によりてプラズマが励Ｊ１
１ｉ１１れるプラズマ発生部から区分し、諌試料を誼總
蔽板と水平Ｋ１１転および／又社上下這ＩＩｈ破しめ亀
がら、１九は該遮蔽板を骸試料に対し水平に一転もしく
は上下運動せしめながら前記試料をｌ＆場することを特
徴とする。
（Ｍ） 尭−Ｏ実施例
１
以下、本発明方法〇−夷膣を図面を参照しつつ説―する
。第１図は本発明方法を実施するための装置の一例を示
す、この装置においては特に試料を回転および／又は上
下させる九め０機構ムを設けている。マイクロ波処理１
１島は、／クズ１発生寓ｌとエツチングおよび／又はア
、シンダｌｌｌ１Ｏ丸めの反応室２とから構成され、複
数の大を有する履１ｉ１ｆｔＰＫより部分されている。
。第１図は本発明方法を実施するための装置の一例を示
す、この装置においては特に試料を回転および／又は上
下させる九め０機構ムを設けている。マイクロ波処理１
１島は、／クズ１発生寓ｌとエツチングおよび／又はア
、シンダｌｌｌ１Ｏ丸めの反応室２とから構成され、複
数の大を有する履１ｉ１ｆｔＰＫより部分されている。
このマイク四波鵡、ｗａｉｔは導波管３を介して幾１１
１１４に接続されている０反応ｍ２には試料搬送機構Ｃ
が接続されてお）、こＯ機構Ｃは試料受電シカセット器
、搬入機＠６、搬出機構７および試料送シーし力竜、ト
８かもなる。尚、マイハ波感履富１にはｆＸ導入口９お
よび排気口１０が設けられている０次に前記機構ムにつ
いて説−する０機構ムは試料Ｑを回転させるための回転
機構ム１と試料を上下動させるための機構ム３とからな
る。すなわち、回転機構ム冨は毫−ター１１およびゼヤ
１２から構成され、上下機構ムｍａう、り１３、ウオー
ム１゛４およびモーター１ｓから構成される。
１１４に接続されている０反応ｍ２には試料搬送機構Ｃ
が接続されてお）、こＯ機構Ｃは試料受電シカセット器
、搬入機＠６、搬出機構７および試料送シーし力竜、ト
８かもなる。尚、マイハ波感履富１にはｆＸ導入口９お
よび排気口１０が設けられている０次に前記機構ムにつ
いて説−する０機構ムは試料Ｑを回転させるための回転
機構ム１と試料を上下動させるための機構ム３とからな
る。すなわち、回転機構ム冨は毫−ター１１およびゼヤ
１２から構成され、上下機構ムｍａう、り１３、ウオー
ム１゛４およびモーター１ｓから構成される。
今、試料受取シカセット５から試料Ｑ唸搬入機構６によ
りて反応室２に送られ、１転輪ｌ＠ＫＷＡ定され九試料
台１７に載置される。尚、試料搬送機構Ｃは真空に保持
され、その各機構はｒ−）パルｆ（ｍｌ示せず）で連絡
されている。マイクロ波処ｍ１１１ｍは、０１−１０．
０Ｔ＠ｒｒの真空に保たれ、反応ガス（エツチングのと
自はＣＦ４＋０２ ）はガス−人口９から送られ排気口
ｌ・から排気される。マグネトロン４で発生し九マイク
ロ波はマイクロ波導波管３を経てプラズマ発生室ｌへ伝
搬されプラズマを励起する０反応１１２に搬送され九試
料Ｑは試料台１７に載置され、回転機構Ａ、によシ回転
せられる０回転は、モーター１１が作動しイア１２が螺
合回転する。更に又、回転機構ム１は２．り１３および
ウオーム１４が連動し上下動する。すなわち、試料ｑは
、回転機構ム２および上下機構ム１のすくなくとも一方
を作動させるととＫよシ、回転および／又は上下動せら
れながら、遮蔽板Ｐの孔を過つ九グラズマ粒子によって
処理される。この時、試料ｑは一定速度で回転および／
又は上下動しているので遮蔽板の穴の位置゛にかかわら
ず反応、例えばエツチングのレートが均一となる。
りて反応室２に送られ、１転輪ｌ＠ＫＷＡ定され九試料
台１７に載置される。尚、試料搬送機構Ｃは真空に保持
され、その各機構はｒ−）パルｆ（ｍｌ示せず）で連絡
されている。マイクロ波処ｍ１１１ｍは、０１−１０．
０Ｔ＠ｒｒの真空に保たれ、反応ガス（エツチングのと
自はＣＦ４＋０２ ）はガス−人口９から送られ排気口
ｌ・から排気される。マグネトロン４で発生し九マイク
ロ波はマイクロ波導波管３を経てプラズマ発生室ｌへ伝
搬されプラズマを励起する０反応１１２に搬送され九試
料Ｑは試料台１７に載置され、回転機構Ａ、によシ回転
せられる０回転は、モーター１１が作動しイア１２が螺
合回転する。更に又、回転機構ム１は２．り１３および
ウオーム１４が連動し上下動する。すなわち、試料ｑは
、回転機構ム２および上下機構ム１のすくなくとも一方
を作動させるととＫよシ、回転および／又は上下動せら
れながら、遮蔽板Ｐの孔を過つ九グラズマ粒子によって
処理される。この時、試料ｑは一定速度で回転および／
又は上下動しているので遮蔽板の穴の位置゛にかかわら
ず反応、例えばエツチングのレートが均一となる。
１８２図ないし第４図に本発明の他の態様を示す。
すなわち、第２図はｊｍ薮板Ｐ′全体が上下運動できる
機構である。すなわち、マイクロ波処理富Ｂ′内の回転
軸１８にギア１９が設けられている。＝方、基台２０の
中央に穴が設けられ、この穴の内側にはギアが設けられ
ている。基台２０に支柱２１が植設され、この支柱２１
上にはｍａ板Ｐ′が固着されている。従って、回転軸１
８の回転に伴ない遮蔽板Ｐ′が上下運動する。今、先の
例におけるグッズマ波処理！Ｂの代シにｍ２ｅｌ！Ｊの
マイクロ波処理１ｉＩＢ’を設けることによシ、遮蔽板
Ｐ′を上下運動せしめながら試料Ｑ′のプラズマ処暑を
行うことができる。第３図および第４図は、遮蔽板Ｐ１
が回転する場合のグラズマ波処ｍ室Ｂ’Ｏ例を示す、ｆ
ラズマ波処理室Ｂｌの構成を次に示す、ｆラズマ波処理
＠Ｂｌの壁に中空部を有するリング板２２が固着されて
いる。このリング板２２にはベアリングを介して複数の
穴が設けられ九圓転可能な遮蔽板ｐｌが取シつけられて
いる。又、該遮蔽板ｐｇの端面低部にはイア２３が固定
され、更にｆラズマ波旭履室Ｂ１の壁には、前記ギア２
３と螺合するギア２４を先端に有する回転軸２５が回転
可能に挿通されている。９ｔりて鋏回転軸２５を回転駆
動させることによｔ）ｆアク３およびギア２４が連動し
遮蔽板ｐｉが回転し、かかる状態でエツチング処理する
仁とによ）、均一な工、テングレートを得ることができ
る。このように処場畜れ九試料Ｑ′は反応室２から搬出
機構７によｃｍ出され試料受取シカセット８に導ひかれ
、次の工ｌｉＫ移送される。
機構である。すなわち、マイクロ波処理富Ｂ′内の回転
軸１８にギア１９が設けられている。＝方、基台２０の
中央に穴が設けられ、この穴の内側にはギアが設けられ
ている。基台２０に支柱２１が植設され、この支柱２１
上にはｍａ板Ｐ′が固着されている。従って、回転軸１
８の回転に伴ない遮蔽板Ｐ′が上下運動する。今、先の
例におけるグッズマ波処理！Ｂの代シにｍ２ｅｌ！Ｊの
マイクロ波処理１ｉＩＢ’を設けることによシ、遮蔽板
Ｐ′を上下運動せしめながら試料Ｑ′のプラズマ処暑を
行うことができる。第３図および第４図は、遮蔽板Ｐ１
が回転する場合のグラズマ波処ｍ室Ｂ’Ｏ例を示す、ｆ
ラズマ波処理室Ｂｌの構成を次に示す、ｆラズマ波処理
＠Ｂｌの壁に中空部を有するリング板２２が固着されて
いる。このリング板２２にはベアリングを介して複数の
穴が設けられ九圓転可能な遮蔽板ｐｌが取シつけられて
いる。又、該遮蔽板ｐｇの端面低部にはイア２３が固定
され、更にｆラズマ波旭履室Ｂ１の壁には、前記ギア２
３と螺合するギア２４を先端に有する回転軸２５が回転
可能に挿通されている。９ｔりて鋏回転軸２５を回転駆
動させることによｔ）ｆアク３およびギア２４が連動し
遮蔽板ｐｉが回転し、かかる状態でエツチング処理する
仁とによ）、均一な工、テングレートを得ることができ
る。このように処場畜れ九試料Ｑ′は反応室２から搬出
機構７によｃｍ出され試料受取シカセット８に導ひかれ
、次の工ｌｉＫ移送される。
（６）発明の効果
本発明は、以上説明し丸ようにマイクロ波よシ励起され
るｆ２ズマを用いて半導体ウェノ・などの試料を錫層す
る方法において、試料が旭塩される反応ｉｉｌ管複数の
孔が開けられ九迩藪板によってプラズマが励起されるプ
ラズマ発生部から区分し、該試料を鋏ｊ１蔽板と水平に
回転および／又は上下運動せしめながら、または鋏遮蔽
板を＃試料に対し水平に回転もしく妹上下運動せしめな
がら前記試料を錫層するように構成したものであるから
、反応室にはｆラメ１粒子のみが進められるため、試料
の損傷および試料上のレジスト膜のだれ又は変質が避け
られ、更に均一な工、テングおよび／又はア、シ／グレ
ート分布を得ることが高％ＡＭ＆の・譬ターンを有する
半導体の得る効果を奏する。
るｆ２ズマを用いて半導体ウェノ・などの試料を錫層す
る方法において、試料が旭塩される反応ｉｉｌ管複数の
孔が開けられ九迩藪板によってプラズマが励起されるプ
ラズマ発生部から区分し、該試料を鋏ｊ１蔽板と水平に
回転および／又は上下運動せしめながら、または鋏遮蔽
板を＃試料に対し水平に回転もしく妹上下運動せしめな
がら前記試料を錫層するように構成したものであるから
、反応室にはｆラメ１粒子のみが進められるため、試料
の損傷および試料上のレジスト膜のだれ又は変質が避け
られ、更に均一な工、テングおよび／又はア、シ／グレ
ート分布を得ることが高％ＡＭ＆の・譬ターンを有する
半導体の得る効果を奏する。
第１図は、本発明方法Ｋｌ！用するマイクロ波！ラズマ
ＪＡ理装置の一例を示す概略断面図、第２図はマイクロ
波処理室の一例を示す一部断面図、菖３図はマイクロ波
凪履室の他の例を示す一部断面図、第４図は第３図０１
−１断面図である。 １・・・プラズマ発生家、２・・・反応室、Ｐ、？’、
？’・・・遮蔽板、Ｑ・・・試料。 特許出願人 富士通株式金社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 陥 之 第２図 第３図 Ｐ” 第４［！ｌ ρ″
ＪＡ理装置の一例を示す概略断面図、第２図はマイクロ
波処理室の一例を示す一部断面図、菖３図はマイクロ波
凪履室の他の例を示す一部断面図、第４図は第３図０１
−１断面図である。 １・・・プラズマ発生家、２・・・反応室、Ｐ、？’、
？’・・・遮蔽板、Ｑ・・・試料。 特許出願人 富士通株式金社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 陥 之 第２図 第３図 Ｐ” 第４［！ｌ ρ″
Claims (1)
- １、 マイクロ波よ〕励起されるｆラズマを用いて試料
を処理する方法において、骸賦料が地理される反応室を
、複数の孔が−けられ九纏蔽板によりてプラズマが励起
されるグツｊｅ！発生室から区分し、該試料を＃遮蔽板
と水平に回転および／又は上下運動せしめながら、また
は該鐘蔽、ｌｌ７Ｌを皺試料に対し水平に回転もしくは
上下運動せしめながら前記試料をａｍすることを特徴と
する、！イク党波グツズーＩ＆塩方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5010682A JPS58168230A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | マイクロ波プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5010682A JPS58168230A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | マイクロ波プラズマ処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58168230A true JPS58168230A (ja) | 1983-10-04 |
Family
ID=12849826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5010682A Pending JPS58168230A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | マイクロ波プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58168230A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60109232A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-14 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理方法 |
| JPS62165929A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-22 | Tokyo Electron Ltd | アッシング装置 |
| JPS62165934A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-22 | Tokyo Electron Ltd | アッシング方法 |
| JPS62165923A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-22 | Tokyo Electron Ltd | アツシング方式 |
| JPS62165930A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-22 | Tokyo Electron Ltd | アツシング装置 |
| JPS62165935A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-22 | Tokyo Electron Ltd | アツシング終点検出装置 |
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| US5385624A (en) * | 1990-11-30 | 1995-01-31 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for treating substrates |
| WO2015137364A1 (ja) * | 2014-03-14 | 2015-09-17 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | プラズマ処理装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52122236A (en) * | 1976-04-07 | 1977-10-14 | Tokyo Shibaura Electric Co | Etching device |
| JPS55110777A (en) * | 1979-02-20 | 1980-08-26 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma treating apparatus |
-
1982
- 1982-03-30 JP JP5010682A patent/JPS58168230A/ja active Pending
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| JPWO2015137364A1 (ja) * | 2014-03-14 | 2017-04-06 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | プラズマ処理装置 |
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