JPS58154287A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS58154287A JPS58154287A JP57037624A JP3762482A JPS58154287A JP S58154287 A JPS58154287 A JP S58154287A JP 57037624 A JP57037624 A JP 57037624A JP 3762482 A JP3762482 A JP 3762482A JP S58154287 A JPS58154287 A JP S58154287A
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- Japan
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- groove
- shaped
- layer
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は半導体発光装置に係り、特に光導波路を内蔵す
る半導体レーザのような半導体発光装置の構造に関する
。
る半導体レーザのような半導体発光装置の構造に関する
。
（ｂｌ 技術り背景
近年半導体基板に溝を形成Ｌ７、その溝内に活性層を埋
め込み且つ溝の周囲を屈折率が像いクラッド層で囲み先
導波路を形成した構造の半導体レーザが多く用いられる
。中でもＩｎＰ半―体鳩に形成した７字形成るいはＵ字
形の溝内に１ンジウム拳カリウム・ひ素・りん（ＩｎＧ
ａＡｓＰ）からなる活性層を埋め込んだ工れＧ畠ＡｓＰ
／ＩｎＰレーザは、極めて低い閾値電流密度（Ｊ ｔ）
を有する優ｎたレーザ素子でを・る。本発明は主として
上距゛のような半導体゛／−ザ累子に関するものである
。
め込み且つ溝の周囲を屈折率が像いクラッド層で囲み先
導波路を形成した構造の半導体レーザが多く用いられる
。中でもＩｎＰ半―体鳩に形成した７字形成るいはＵ字
形の溝内に１ンジウム拳カリウム・ひ素・りん（ＩｎＧ
ａＡｓＰ）からなる活性層を埋め込んだ工れＧ畠ＡｓＰ
／ＩｎＰレーザは、極めて低い閾値電流密度（Ｊ ｔ）
を有する優ｎたレーザ素子でを・る。本発明は主として
上距゛のような半導体゛／−ザ累子に関するものである
。
（Ｃ） 従来技術と間粗点
活性層が溝内に埋め込まれたＩｎＧａＡｓＰ−ＩｎＰレ
ーザ素子は、上記のような優れた特性を肩する反面、従
来はこれを製造する段階に於て、特定の基板に形成され
た素子に、温良特性の悪いものや光出力に飽和状態を示
すものがあられれ、製造歩留まりが低下するという問題
があった。
ーザ素子は、上記のような優れた特性を肩する反面、従
来はこれを製造する段階に於て、特定の基板に形成され
た素子に、温良特性の悪いものや光出力に飽和状態を示
すものがあられれ、製造歩留まりが低下するという問題
があった。
第１図はＳ幅４．７Ｃμｍ）程度のＩｎＧａＡａＰ−Ｉ
ｎＰレーザ素子の（電流ｌ−光出力Ｌ）％性を示したも
ので、該従来素子に於ては２５ （℃ｌｌ ５０し”（
、、’ｌいずれの光出力りも大電流領斌に於て飽和状態
を不し特に５０Ｌ℃）に於てその傾向が甚だしい。従来
この現象を改善しようとして、結晶成長技術に種々の工
夫を試みたが改善することができなかった。
ｎＰレーザ素子の（電流ｌ−光出力Ｌ）％性を示したも
ので、該従来素子に於ては２５ （℃ｌｌ ５０し”（
、、’ｌいずれの光出力りも大電流領斌に於て飽和状態
を不し特に５０Ｌ℃）に於てその傾向が甚だしい。従来
この現象を改善しようとして、結晶成長技術に種々の工
夫を試みたが改善することができなかった。
■字形連成るいはＵ字形溝構造のパラメータを提供し、
ＩｎＧａＡａＰ−ＩｎＰレーザ累子の製造歩留まりを向
上させることを目的とする。
ＩｎＧａＡａＰ−ＩｎＰレーザ累子の製造歩留まりを向
上させることを目的とする。
（ｅ） 発明の構成
即ち本発明は（１ｏｏ）面を主面とするＩｎＰ半尋体増
の上面に＜０１１＞面内方位に沿って帯状に形成され、
その斜面が（１１１）Ｂ面となるＶ字形もしくはＵ字形
の溝を有し、且つ該溝内に帯状の活性層及び該活性層を
上下両面から挾む二つのクラッド層が配設される構造の
半導体発光装置に於て、前記Ｖ字形溝もしくはＵ字形溝
の開口幅を４〔μｍ〕以下にしてなることを特徴とする
。
の上面に＜０１１＞面内方位に沿って帯状に形成され、
その斜面が（１１１）Ｂ面となるＶ字形もしくはＵ字形
の溝を有し、且つ該溝内に帯状の活性層及び該活性層を
上下両面から挾む二つのクラッド層が配設される構造の
半導体発光装置に於て、前記Ｖ字形溝もしくはＵ字形溝
の開口幅を４〔μｍ〕以下にしてなることを特徴とする
。
（ｆ） 発明の実施例 ′ □
以１本琵明を図に従って詳細に説明する。
第２図（イ）及び（ロ）は温度特性が悪く、光出力が飽
和状態を示す従来のレーザ拳子のｊｊＩ部断面断面図３
図はレーザ効率（η）の説明図、第４図はレーザ効率（
り）とＩｎＰ＊ｐ−ｎ接合幅（１，＋ ｇ、 ）の関係
図、第５図は■又はＵ字形溝開口幅囚とＩｎＰ−ｐ−ｎ
接合幅（Ｊ、＋Ｊ、）の関係図、第６図（イ）及び（ロ
）Ｖｉ、本発明のＶ字形溝構造に於ける一実施例の要部
断面図及びＵ字形Ｓ構造に於ける一実施例の歎部爵ｒｉ
ｆｏ図で、第７図は本発明の構造を有するＩｎＧａＡ＋
ｓＰ／ＩｎＰレーザ素子の代表的な（電流Ｉ−光出力し
）％性図である。
和状態を示す従来のレーザ拳子のｊｊＩ部断面断面図３
図はレーザ効率（η）の説明図、第４図はレーザ効率（
り）とＩｎＰ＊ｐ−ｎ接合幅（１，＋ ｇ、 ）の関係
図、第５図は■又はＵ字形溝開口幅囚とＩｎＰ−ｐ−ｎ
接合幅（Ｊ、＋Ｊ、）の関係図、第６図（イ）及び（ロ
）Ｖｉ、本発明のＶ字形溝構造に於ける一実施例の要部
断面図及びＵ字形Ｓ構造に於ける一実施例の歎部爵ｒｉ
ｆｏ図で、第７図は本発明の構造を有するＩｎＧａＡ＋
ｓＰ／ＩｎＰレーザ素子の代表的な（電流Ｉ−光出力し
）％性図である。
ＩｎＧｉＡｓＰ／ＩｎＰレーザ素子は、第２図（イ）成
るいは（ロ）に示すように（１００）面を主面とするｎ
型インジウム・りん（ｎ−ＩｎＰ）基板１上にｐ ＡＶ
インジウム・りん（ｐ−ＩｎＰ）電流阻止層２を１．５
１μｍ’）程度の厚さに液相成長成るいは拡散で形成し
た後、溝の延長向をく０１１〉方向に取ってＶ字形１斜
面は（１１１）Ｂ面）３．成るいはＵ字形溝をエツチン
グで形成し、次いでｎ ”Ｉ ｎ Ｐ第１クラッド層４
゜ノンドープのＩｎＧａＡａＰ活性層５、ｐ−ＩｎＰ第
２クラッド層６、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層７を順
次成長して製造される（８はｐ！極、９はｎ電極）。
るいは（ロ）に示すように（１００）面を主面とするｎ
型インジウム・りん（ｎ−ＩｎＰ）基板１上にｐ ＡＶ
インジウム・りん（ｐ−ＩｎＰ）電流阻止層２を１．５
１μｍ’）程度の厚さに液相成長成るいは拡散で形成し
た後、溝の延長向をく０１１〉方向に取ってＶ字形１斜
面は（１１１）Ｂ面）３．成るいはＵ字形溝をエツチン
グで形成し、次いでｎ ”Ｉ ｎ Ｐ第１クラッド層４
゜ノンドープのＩｎＧａＡａＰ活性層５、ｐ−ＩｎＰ第
２クラッド層６、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層７を順
次成長して製造される（８はｐ！極、９はｎ電極）。
このようにして製造し第１図に示したように（電流Ｉ−
先出力Ｌ）特性の悪いものは、第２図に示すようにＶ字
形溝、Ｕ字形溝いずれの場合も溝の中にＩｎＰＯｐ−ｎ
接合Ｊが形成されておシ、このｐ−ｎ接合がもれ電流の
通路になると考えられる。
先出力Ｌ）特性の悪いものは、第２図に示すようにＶ字
形溝、Ｕ字形溝いずれの場合も溝の中にＩｎＰＯｐ−ｎ
接合Ｊが形成されておシ、このｐ−ｎ接合がもれ電流の
通路になると考えられる。
そこでレーザの効率（初を第３図のように定義しく図中
Ｉｔｈは閾値電流、Ｉｓｍｖｔｉ光出力５（ｍＷ）時の
負荷電流）、腋効率（ダ）と第２図に示すＩｎＰのｐ−
ｎ接合ＪＯ幅即ちもれ電流通路の幅（ＩＩ ＋ｊ、）の
関係を２５ （’Ｃ）と５０ （’Ｃ）で測定すると第
４図に示すような結果になゐ０この結果からｊ、＋ｊ、
が大きくなるとマは急激に低下することがわかシ、この
ことは良好なレーず素子を得るためには、Ｊ、＋１゜即
ち溝内に形成されるｐ−＋ａｎ接合幅をＯにしなければ
ならない事を示している。
Ｉｔｈは閾値電流、Ｉｓｍｖｔｉ光出力５（ｍＷ）時の
負荷電流）、腋効率（ダ）と第２図に示すＩｎＰのｐ−
ｎ接合ＪＯ幅即ちもれ電流通路の幅（ＩＩ ＋ｊ、）の
関係を２５ （’Ｃ）と５０ （’Ｃ）で測定すると第
４図に示すような結果になゐ０この結果からｊ、＋ｊ、
が大きくなるとマは急激に低下することがわかシ、この
ことは良好なレーず素子を得るためには、Ｊ、＋１゜即
ち溝内に形成されるｐ−＋ａｎ接合幅をＯにしなければ
ならない事を示している。
次いで発明者は上記ｉ、＋ｉｍ＝ｏを満足する構造、即
ち活性層をＶ字形溝の場合斜面に、又Ｕ字形溝の場合壁
面に接するように成長させる方法を検討した。その結果
第５図に示すようにＶ字形成るいはＵ字形いずれの溝の
場合に於ても、溝の開口幅Ｗが４〔μｍ〕以下であれば
殆んどの素子に於て１＊＋１ｍが０になるととを確認し
庭。
ち活性層をＶ字形溝の場合斜面に、又Ｕ字形溝の場合壁
面に接するように成長させる方法を検討した。その結果
第５図に示すようにＶ字形成るいはＵ字形いずれの溝の
場合に於ても、溝の開口幅Ｗが４〔μｍ〕以下であれば
殆んどの素子に於て１＊＋１ｍが０になるととを確認し
庭。
この結果に基づいて形成したＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰレ
ーザ素子に於けるＶ字形溝構造のものとＵ字形溝構造の
ものを、それぞれ示したのが第６図（イ）及び（ロ）で
あるＣ１これらの図に於て１はｎ−ＩｎＰ基板、２拡ｐ
−１ｎＰ電流阻止層、３はＶ字形溝、ぎはＵ字形溝、番
はｎ−ＩｎＰ第１クラッド層、５はノンドープＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層、６はｐ−ＩｎＰ第２クラッド層、７はｐ
−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層、 ８はｐ電極、９はｎ電
極を表わしている０ これ等の図に示したように７字形溝３成るい紘Ｕ字形溝
ぎの開口幅Ｗを４〔μｍ〕以下にした素子に於ては、溝
３又はγ内に活性層５をその端面が溝の斜面若しくは壁
面に接するように成長させることが容易にできる。従っ
て溝３，３′内にＩｎＰのｐ−ｎ接合が形成されること
がない。
ーザ素子に於けるＶ字形溝構造のものとＵ字形溝構造の
ものを、それぞれ示したのが第６図（イ）及び（ロ）で
あるＣ１これらの図に於て１はｎ−ＩｎＰ基板、２拡ｐ
−１ｎＰ電流阻止層、３はＶ字形溝、ぎはＵ字形溝、番
はｎ−ＩｎＰ第１クラッド層、５はノンドープＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層、６はｐ−ＩｎＰ第２クラッド層、７はｐ
−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層、 ８はｐ電極、９はｎ電
極を表わしている０ これ等の図に示したように７字形溝３成るい紘Ｕ字形溝
ぎの開口幅Ｗを４〔μｍ〕以下にした素子に於ては、溝
３又はγ内に活性層５をその端面が溝の斜面若しくは壁
面に接するように成長させることが容易にできる。従っ
て溝３，３′内にＩｎＰのｐ−ｎ接合が形成されること
がない。
第７図は、本発明の一実施例であるＶ字形溝間口幅ｓ、
６（μｍ）を有するＩｎＧａＡｓＰ−ＩｎＰレーザ素子
に於ける、２５（℃）と５０〔℃〕の（電流Ｉ−光出力
Ｌ）４Ｉ性を示し九ものある。この図から本発明の構造
に於ては、光出力りが飽和状態を示さす２５ （’Ｃ）
、 ５０ （”Ｃ）いずれの場合にも大電流領域までの
ひた優秀な（電流−光出力）４！性を示すことがわかる
。
６（μｍ）を有するＩｎＧａＡｓＰ−ＩｎＰレーザ素子
に於ける、２５（℃）と５０〔℃〕の（電流Ｉ−光出力
Ｌ）４Ｉ性を示し九ものある。この図から本発明の構造
に於ては、光出力りが飽和状態を示さす２５ （’Ｃ）
、 ５０ （”Ｃ）いずれの場合にも大電流領域までの
ひた優秀な（電流−光出力）４！性を示すことがわかる
。
次に本発明の構造を有するＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰレー
ザ素子の製造方法を第６１！ｌ（イ）及び（ロ）を用い
て説明する。
ザ素子の製造方法を第６１！ｌ（イ）及び（ロ）を用い
て説明する。
骸素子の基板には（１００）面を主面とするｎ−ＩｎＰ
基板基板用い、先ず該基板の上面に例えば１．５〔μｍ
〕程度の厚さ又は深さを有するｐ−ＩｎＰ電流阻止層２
を液相成長法成るいは拡散法で形成する。
基板基板用い、先ず該基板の上面に例えば１．５〔μｍ
〕程度の厚さ又は深さを有するｐ−ＩｎＰ電流阻止層２
を液相成長法成るいは拡散法で形成する。
次いで腋電流阻止層２上に二酸化シリ；ン（Ｓｉｎ、）
Ｊ［（図示せず）を化学気相成長等で形成し、 該Ｓ１
０．膜に通常の方法で＜０１１＞方向に沿りた例えば２
〔μｍ１１１ｔＣ）ｌｉ＋を有する帯状の窓を形成し・
＃Ｓ１０・膜を゛すと旨・７字形溝に対しては塩酸過剰
の塩酸（Ｈｅｎ）ニジん酸（Ｈ，ＰＯ，）・混液又は塩
酸過剰の塩酸（ＨＣｊ）：硝酸（ＨＮＯｓ ）・混液を
、又Ｕ字形溝に対してはＨＣｊ：ＨＮＯａ＝２：３程度
の硝酸過剰の混液を用いてＩｎＰ層の選択エツチングを
行って開口幅４〔μｍ〕以下の７字形溝３成るいはＵ字
形溝ぎを形成する。
Ｊ［（図示せず）を化学気相成長等で形成し、 該Ｓ１
０．膜に通常の方法で＜０１１＞方向に沿りた例えば２
〔μｍ１１１ｔＣ）ｌｉ＋を有する帯状の窓を形成し・
＃Ｓ１０・膜を゛すと旨・７字形溝に対しては塩酸過剰
の塩酸（Ｈｅｎ）ニジん酸（Ｈ，ＰＯ，）・混液又は塩
酸過剰の塩酸（ＨＣｊ）：硝酸（ＨＮＯｓ ）・混液を
、又Ｕ字形溝に対してはＨＣｊ：ＨＮＯａ＝２：３程度
の硝酸過剰の混液を用いてＩｎＰ層の選択エツチングを
行って開口幅４〔μｍ〕以下の７字形溝３成るいはＵ字
形溝ぎを形成する。
次いで前記８１０．膜（図示せず）を除去した後、連続
液相成長法によシ、該基板上にｎ−ＩｎＰ＠１クラッド
層４． ＩｎＧａＡｓＰ活性層５．ｐ−ＩｎＰ第２クラ
ッド層６ｓ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層７を順次
成長形成する。
液相成長法によシ、該基板上にｎ−ＩｎＰ＠１クラッド
層４． ＩｎＧａＡｓＰ活性層５．ｐ−ＩｎＰ第２クラ
ッド層６ｓ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層７を順次
成長形成する。
なお各層の厚さは溝部に於て第１クラッド層約１（ａｍ
：］、活性層約０．１５ （μｍ ） 、第２クラツド
層シ金−亜鉛（ＡｕＺｎ）もしくはチタン−白金−金（
Ｔ ｉ −Ｐ ｔ−Ａｕ）等からなるｐ電極８及び金−
ゲルマニウム（ＡｕＧ・）等からなるｎ電極９を形成す
る。
：］、活性層約０．１５ （μｍ ） 、第２クラツド
層シ金−亜鉛（ＡｕＺｎ）もしくはチタン−白金−金（
Ｔ ｉ −Ｐ ｔ−Ａｕ）等からなるｐ電極８及び金−
ゲルマニウム（ＡｕＧ・）等からなるｎ電極９を形成す
る。
（の 発明の詳細
な説明したように本−１１Ｊ１の構造を有するＩｎ−Ｇ
ａＡｓＰ／ＩｎＰレーザ素子に於ては、賦素子を製造す
る際に１字形連成るいｕＵ字形溝内のｎ−ＩｎＰ第１り
２ツド鳩の上面を完全に覆ってＩｎＧａＡｓＰ活性層が
形成できるので、前記溝内にｎ−ＩｎＰ第１クラッド層
とｐ−ＩｎＰ第２り２ラド層が直かに接して形成される
ＩｎＰのｐ−ｎ接合が現われることがない。
ａＡｓＰ／ＩｎＰレーザ素子に於ては、賦素子を製造す
る際に１字形連成るいｕＵ字形溝内のｎ−ＩｎＰ第１り
２ツド鳩の上面を完全に覆ってＩｎＧａＡｓＰ活性層が
形成できるので、前記溝内にｎ−ＩｎＰ第１クラッド層
とｐ−ＩｎＰ第２り２ラド層が直かに接して形成される
ＩｎＰのｐ−ｎ接合が現われることがない。
従って本発明によれば活性層を通らない電流通路が形成
されないので、ｌ５ＧａＡｓＰ−ＩｎＰレーザの温ｆ４
Ｉ性及び光出力特性が改善され、製造歩留まシも向上す
る。
されないので、ｌ５ＧａＡｓＰ−ＩｎＰレーザの温ｆ４
Ｉ性及び光出力特性が改善され、製造歩留まシも向上す
る。
第１図は従来素子の（電流ｌ−光出力Ｌ）特性図、第２
図（イ）及び（ロ）紘温ｆ特性が悪く、光出力が飽和状
態を示す従来素子のｌＩｓ断面図、第３図はレーザ効率
（ダ）の説明図、第４図はレーザ効率（Ｖ）とＩｎＰ＊
ｐ−ｎ接合＠（４＋ｊｓ）の関係図、籐５図はＶ又はＵ
字形溝開口幅（Ｗ）とＩｎＰ＊ｐ−ｎ接合幅（ｊ、＋ｊ
＊）の関係図、菖６図０）及び（ロ）は本発明のＶ字形
溝構造に於ける一実施例の要部断面図及びＵ字形溝構造
に於ける一実施例の要部断面図で、菖７図は本発明の構
造を有するＩｎＧａＡｍＰ／ＩｎＰレーザ素子の代表的
な（電流ｌ−光力出Ｌ）％性図である。 図に於て、１はｎ−ＩｎＰ基板、２はｐ−ＩｎＰ電流阻
止層、ＳａＶ字形溝、ぎはＵ字形溝、 ４はｎ−Ｉｎ
Ｐ第１・クラッド層、 ５はノンドープＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層、６はｐ−ＩｎＰ第２・り２ラド層、７はｐ−
ＩｎＧａＡａＰキャップ層、８はｐ電極、９はｎ電極、
ＷはＶ字形溝及びＵ字形溝の開口幅★示す。 第 １図 （イン 、 （
口〕、、（ 第２ 閃 葉３図 光出力 第４図 ＩＩ＋１ｚ□’り 審５閃 Ｗ（ｐ剛〕 ｏ −−−Ｖ溝−傷合 Φ−−−Ｕ漬の場合 笛６囲 第７図 一■ １・ １
図（イ）及び（ロ）紘温ｆ特性が悪く、光出力が飽和状
態を示す従来素子のｌＩｓ断面図、第３図はレーザ効率
（ダ）の説明図、第４図はレーザ効率（Ｖ）とＩｎＰ＊
ｐ−ｎ接合＠（４＋ｊｓ）の関係図、籐５図はＶ又はＵ
字形溝開口幅（Ｗ）とＩｎＰ＊ｐ−ｎ接合幅（ｊ、＋ｊ
＊）の関係図、菖６図０）及び（ロ）は本発明のＶ字形
溝構造に於ける一実施例の要部断面図及びＵ字形溝構造
に於ける一実施例の要部断面図で、菖７図は本発明の構
造を有するＩｎＧａＡｍＰ／ＩｎＰレーザ素子の代表的
な（電流ｌ−光力出Ｌ）％性図である。 図に於て、１はｎ−ＩｎＰ基板、２はｐ−ＩｎＰ電流阻
止層、ＳａＶ字形溝、ぎはＵ字形溝、 ４はｎ−Ｉｎ
Ｐ第１・クラッド層、 ５はノンドープＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層、６はｐ−ＩｎＰ第２・り２ラド層、７はｐ−
ＩｎＧａＡａＰキャップ層、８はｐ電極、９はｎ電極、
ＷはＶ字形溝及びＵ字形溝の開口幅★示す。 第 １図 （イン 、 （
口〕、、（ 第２ 閃 葉３図 光出力 第４図 ＩＩ＋１ｚ□’り 審５閃 Ｗ（ｐ剛〕 ｏ −−−Ｖ溝−傷合 Φ−−−Ｕ漬の場合 笛６囲 第７図 一■ １・ １
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１００）面を主面とするインジウム・りん（Ｉｎθ半
導体層の上面に＜０１１＞面内方位に沿うて帯状に形成
され、７字形でその斜面が（１１１）Ｂ面の溝、もしく
はＵ字形の溝を有し、且つ該溝内に帯状の活性層及び咳
活性層を上−ト両面から挾む二つのクラッド層が配設さ
れる構造に於て、前記Ｖ字形ｍ＝、しくはＵ字形溝の開
口幅を４〔μｍ）以下にしてなることを特徴とする半導
体発光装置０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57037624A JPS58154287A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57037624A JPS58154287A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58154287A true JPS58154287A (ja) | 1983-09-13 |
| JPH0377675B2 JPH0377675B2 (ja) | 1991-12-11 |
Family
ID=12502783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57037624A Granted JPS58154287A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58154287A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5360763A (en) * | 1992-09-07 | 1994-11-01 | Nec Corporation | Method for fabricating an optical semiconductor device |
| KR20030026090A (ko) * | 2001-09-24 | 2003-03-31 | 주식회사 옵토웨이퍼테크 | 반도체 발광 칩 및 그의 제조방법과 반도체 발광소자 및그의 제조방법 |
-
1982
- 1982-03-10 JP JP57037624A patent/JPS58154287A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5360763A (en) * | 1992-09-07 | 1994-11-01 | Nec Corporation | Method for fabricating an optical semiconductor device |
| KR20030026090A (ko) * | 2001-09-24 | 2003-03-31 | 주식회사 옵토웨이퍼테크 | 반도체 발광 칩 및 그의 제조방법과 반도체 발광소자 및그의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0377675B2 (ja) | 1991-12-11 |
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