JPS58144487A - ジクロルエテニル化合物の製造法 - Google Patents
ジクロルエテニル化合物の製造法Info
- Publication number
- JPS58144487A JPS58144487A JP57027962A JP2796282A JPS58144487A JP S58144487 A JPS58144487 A JP S58144487A JP 57027962 A JP57027962 A JP 57027962A JP 2796282 A JP2796282 A JP 2796282A JP S58144487 A JPS58144487 A JP S58144487A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- dichloroethenyl
- formula
- group
- compound shown
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ジグ０ルエテモ
造法に関する。更に詳しくは本発明は、一般式％式％（
） 〔式中Ａｒは、フェニル基、多核芳香環基又は複素環基
を示し、これらは置換基を有していてもよい。
） 〔式中Ａｒは、フェニル基、多核芳香環基又は複素環基
を示し、これらは置換基を有していてもよい。
置換基としてはハ０ゲシ、水酸基、アル士ル、アルケニ
ル、アラル士ル、アルコ士シ、アシロ士シ、アラル士ル
オ士シ、フェノ士シ又は置換基を有するフェノ士シ基で
あり、該置換基の数は１〜３であり、これらは同一であ
っても異なっていてもよい。ルは１〜３の整数を示す。
ル、アラル士ル、アルコ士シ、アシロ士シ、アラル士ル
オ士シ、フェノ士シ又は置換基を有するフェノ士シ基で
あり、該置換基の数は１〜３であり、これらは同一であ
っても異なっていてもよい。ルは１〜３の整数を示す。
〕で表わされるジグ００エチモ
本発明で得られる一般式（Ｉ）のジグ００エチモ−づ０
ツカ−及び消炎剤の原料として有用々一般式（Ｉｆ）で
表わされるアリール酢酸誘導体に誘導することができる
。
ツカ−及び消炎剤の原料として有用々一般式（Ｉｆ）で
表わされるアリール酢酸誘導体に誘導することができる
。
（Ｉ） （ＴＴ）〔式中Ｙは水酸
基、アミノ基又はアル］士シ基を示す。、４ｒ及びルは
前記に同じ。〕 上記一般式（Ｉ）で表わされるジクロルエチニル化合物
を製造する方法としては、例えばトリづＯムづＯベニル
化合物をカリウムづト士サイド、ナトリウムづト十サイ
ド等の特殊なアルカリで処理して得る方法（特開昭５１
−１２５２５２号公報参照）、テトラクＯル化合物を強
力な塩基で処理する方法（Ｂｕｌｌ、 Ｃｈｅｒｎ、Ｓ
ｏｃ、 Ｊａｐａｎ ５２（５）、 １５１１〜１５１
４（＋９７９）参照）等が知られている。しかしこれ等
の方法は、いずれも原料化合物としてトリクロルメチル
カルピノールを直接処理する方法ではなく、またこれ等
の方法は、金属アルコ士サイド等の高価な試薬を必要と
するし、目的化合物の収率も低く、製造に要する工程も
長い等の欠点を有している。トリク０ルメチルカルピノ
ールを電解還元してジクロルエチニル化合物を得る唯一
の文献としてＡｎｔｅｗ、 Ｃｈｔｒｎ、 Ｉｒｂｔ、
Ｅｄ、 Ｅｎｇｌ、 Ｉ ６．５７〜５８（１９７７
）がある。しかしこの文献の方法は、公害、毒性の点で
現在問題化し、使用中止される方向にある水銀を電極と
して用いることが必須とされている。まだこの方法は定
電位下に電解還元を行なう方法である。そのために電流
効率が著しく悪く経済的に不利であること、目的化合物
の実質収率が最良の場合でも８０％程度であり、その他
は２０〜３０チと極めて低い等の決定的な欠点を有して
いる。
基、アミノ基又はアル］士シ基を示す。、４ｒ及びルは
前記に同じ。〕 上記一般式（Ｉ）で表わされるジクロルエチニル化合物
を製造する方法としては、例えばトリづＯムづＯベニル
化合物をカリウムづト士サイド、ナトリウムづト十サイ
ド等の特殊なアルカリで処理して得る方法（特開昭５１
−１２５２５２号公報参照）、テトラクＯル化合物を強
力な塩基で処理する方法（Ｂｕｌｌ、 Ｃｈｅｒｎ、Ｓ
ｏｃ、 Ｊａｐａｎ ５２（５）、 １５１１〜１５１
４（＋９７９）参照）等が知られている。しかしこれ等
の方法は、いずれも原料化合物としてトリクロルメチル
カルピノールを直接処理する方法ではなく、またこれ等
の方法は、金属アルコ士サイド等の高価な試薬を必要と
するし、目的化合物の収率も低く、製造に要する工程も
長い等の欠点を有している。トリク０ルメチルカルピノ
ールを電解還元してジクロルエチニル化合物を得る唯一
の文献としてＡｎｔｅｗ、 Ｃｈｔｒｎ、 Ｉｒｂｔ、
Ｅｄ、 Ｅｎｇｌ、 Ｉ ６．５７〜５８（１９７７
）がある。しかしこの文献の方法は、公害、毒性の点で
現在問題化し、使用中止される方向にある水銀を電極と
して用いることが必須とされている。まだこの方法は定
電位下に電解還元を行なう方法である。そのために電流
効率が著しく悪く経済的に不利であること、目的化合物
の実質収率が最良の場合でも８０％程度であり、その他
は２０〜３０チと極めて低い等の決定的な欠点を有して
いる。
本発明者らは、斯かる現状に鑑み上記一般式（Ｉ）のジ
グ００エチニル化合物を工業的に有利に製造 □し
得る方法を開発すべく、鋭意研究を重ねた結果、遂に本
発明を完成するに至った。
グ００エチニル化合物を工業的に有利に製造 □し
得る方法を開発すべく、鋭意研究を重ねた結果、遂に本
発明を完成するに至った。
即ち本発明は、一般式
〔式中、４ｒは、フェニル基、多核芳香環基又は複素環
基を示し、これらは置換基を有していてもよい。
基を示し、これらは置換基を有していてもよい。
置換基としてはハ０ゲシ、水酸基、アル士ル、アルケニ
ル、アラル士ル、アルコ＋シ、アシ０＋シ、アラル士ル
オ＋シ、フェノ＋シ又は置換基を有するフェノ士シ基で
あり、該置換基の数は１〜３であり、これらは同一であ
っても異なっていてもよい。Ｒはアル中ル基を示す。ル
は１〜３の整数を示す。〕 で表わされるトリクロルメチルカルビノール誘導体を電
解還元することを特徴とする一般式％式％（） 〔式中Ａｒ及びルは前記に同じ。〕 で表わされるジクロルエチニル化合物の製造法に係る。
ル、アラル士ル、アルコ＋シ、アシ０＋シ、アラル士ル
オ＋シ、フェノ＋シ又は置換基を有するフェノ士シ基で
あり、該置換基の数は１〜３であり、これらは同一であ
っても異なっていてもよい。Ｒはアル中ル基を示す。ル
は１〜３の整数を示す。〕 で表わされるトリクロルメチルカルビノール誘導体を電
解還元することを特徴とする一般式％式％（） 〔式中Ａｒ及びルは前記に同じ。〕 で表わされるジクロルエチニル化合物の製造法に係る。
本発明の方法によれば、一般式（ＩＩ）のジクロルエチ
ニル化合物を特殊な試薬を用いることなく簡便な操作で
しかも高収率で製造することができる。
ニル化合物を特殊な試薬を用いることなく簡便な操作で
しかも高収率で製造することができる。
本明細書においてＡｒはフェニル基、多核芳香環基又は
複素環基を示し、これ等はそれぞれ置換基を有していて
もいなくても良い。
複素環基を示し、これ等はそれぞれ置換基を有していて
もいなくても良い。
好ましい多核芳香環基としてはα−ナフチル、β−ナフ
チル、アシスラニル、ヒレニル等を挙げることができる
。好ましい複素環基としては酸素、窒素、硫黄原子等を
含む環状基を挙げることができ、その代表例としてはフ
リル、テトラしドロフリル、ヒラニル、テトラしドロピ
ラニル、ヒ０リル、じリジニル、チェニル、才子サリリ
ル、ｔルホリニル、チアジニル等を列挙することができ
る。
チル、アシスラニル、ヒレニル等を挙げることができる
。好ましい複素環基としては酸素、窒素、硫黄原子等を
含む環状基を挙げることができ、その代表例としてはフ
リル、テトラしドロフリル、ヒラニル、テトラしドロピ
ラニル、ヒ０リル、じリジニル、チェニル、才子サリリ
ル、ｔルホリニル、チアジニル等を列挙することができ
る。
またフェニル、多核芳香環基又は複素環基の置換基とし
ては、へロゲシ、水酸基、アル士ル、アルケニル、アラ
ル＋ル、アルコ士シ、アシ０＋シ、アラル＋ルオ士シ、
フェノ士シ又は置換基を有するフェノ士シ基を挙げるこ
とができ、該置換基の数は１〜３であり、これらは同一
であっても異なっていてもよい。ルは１〜３の整数を示
す。ハ０ゲシの例としては弗素、塩素、臭素、沃素を挙
げることができる。好捷しいアル士ル基の例としてはメ
チル、エチル、づチル、オクチル、デシル等の炭素数１
−１０のアル＋ルを挙げることができる。好ましいアル
ケニル基の例としてはビニル、アリル、づ０ベニル、へ
士セニル、デセニル等の炭素数２〜１０のアルケニルを
挙げることができる。好ましいアラル士ル基の例として
はベンジル、フェネチル、フェニルづチル等の炭素数７
〜ｌＯのアラル士ルを挙げることができる。−好ましい
アルコ士シの例としてはメト士シ、エト＋シ、へ士シル
オ士シ、メチレ、７ジオ十シ等の炭素数１〜６のものを
、アシＯ士シとしてはアセト士シ、づチリルオ＋シ、パ
レリ）レオ＋シ等の炭素数２〜６のものを挙げることが
できる。好ましいアラル＋ルオ十シの例としてはベシジ
ルオ士シ、フエネチルオ十シ等の炭素数７〜ｌＯのもの
を挙げることができる。フェノ士シ基の置換基の例とし
てはハロゲン、ニド０、アル士ル、アルコ士シ、アリー
ル等を挙げることができる。
ては、へロゲシ、水酸基、アル士ル、アルケニル、アラ
ル＋ル、アルコ士シ、アシ０＋シ、アラル＋ルオ士シ、
フェノ士シ又は置換基を有するフェノ士シ基を挙げるこ
とができ、該置換基の数は１〜３であり、これらは同一
であっても異なっていてもよい。ルは１〜３の整数を示
す。ハ０ゲシの例としては弗素、塩素、臭素、沃素を挙
げることができる。好捷しいアル士ル基の例としてはメ
チル、エチル、づチル、オクチル、デシル等の炭素数１
−１０のアル＋ルを挙げることができる。好ましいアル
ケニル基の例としてはビニル、アリル、づ０ベニル、へ
士セニル、デセニル等の炭素数２〜１０のアルケニルを
挙げることができる。好ましいアラル士ル基の例として
はベンジル、フェネチル、フェニルづチル等の炭素数７
〜ｌＯのアラル士ルを挙げることができる。−好ましい
アルコ士シの例としてはメト士シ、エト＋シ、へ士シル
オ士シ、メチレ、７ジオ十シ等の炭素数１〜６のものを
、アシＯ士シとしてはアセト士シ、づチリルオ＋シ、パ
レリ）レオ＋シ等の炭素数２〜６のものを挙げることが
できる。好ましいアラル＋ルオ十シの例としてはベシジ
ルオ士シ、フエネチルオ十シ等の炭素数７〜ｌＯのもの
を挙げることができる。フェノ士シ基の置換基の例とし
てはハロゲン、ニド０、アル士ル、アルコ士シ、アリー
ル等を挙げることができる。
またＲで示されるアル士ル基の例としてはメチル、エチ
ル、’１０ヒル、づチル等のアル士ル基を挙げることが
できる。
ル、’１０ヒル、づチル等のアル士ル基を挙げることが
できる。
本発明の上記電解還元反応は有機溶媒又は水−有機溶媒
中、酸性条件下、隔膜を用いて行われる。
中、酸性条件下、隔膜を用いて行われる。
有機溶媒としてはメタノール、エタノール等のアルコー
ル類、ジオ十サシ、メチルセロツルづ等のエーテル類、
アセトニトリル、ジメチルホルムアミド等、水をある程
度溶解し、電解中、不活性である溶媒が使用される。酸
性条件を維持するためには、例えばあらゆ°る゛種類の
無機酸、有機酸を用いることができるが、通常は塩酸、
硫酸等の鉱酸、ペンゼシスルホン酸、トルエシスルホシ
酸等の有機酸が好ましい。
ル類、ジオ十サシ、メチルセロツルづ等のエーテル類、
アセトニトリル、ジメチルホルムアミド等、水をある程
度溶解し、電解中、不活性である溶媒が使用される。酸
性条件を維持するためには、例えばあらゆ°る゛種類の
無機酸、有機酸を用いることができるが、通常は塩酸、
硫酸等の鉱酸、ペンゼシスルホン酸、トルエシスルホシ
酸等の有機酸が好ましい。
本発明においては支持電解質としては、例えばテトラエ
チルアシモニウムクＯライド、テトラメチルアシ七ニウ
ムク０ライト等の第３級アミシの５塩酸塩、硫酸塩など
の塩類、パラトルニジスルホン酸テトラエチルア′Ｊ′
ｆ：二つム塩、パラトルエシスルホシ酸テトラメチルア
シ七ニウム塩、過塩素酸テトラメチルアニア七ニウム塩
等の第４級アシ七ニウム塩、ホウフッ化水素酸ナトリウ
ム、ホウフ゛す化水素酸テトラメチルアシｔニウム塩等
のホウつツ化水素酸塩、ベン１！シスルホシ酸、トルエ
ンスルホシ酸等のアルカリ金属塩、その他アルカリ金属
、アルカリ土類金属の塩類等の通常の支持電解質を使用
することが出来る。支持電解質の使用量は広い範囲から
選択できるが、通常原料１ｔルに対し約０．０１−１０
七ル、好ましくは０．５〜５モルの範囲で使用するのが
良い。電極材料としては炭素、白金、チタシ、鉄、ステ
ンレス、ニッケル、鉛やこれらを主成分とする合金等の
通常の電極を使用することが出来る。経済性も考慮に入
れて好ましい例としては除権に鉛、陽極に炭素の使用を
挙げることができる。本発明の電解還元は定電流下にて
行なわれる。隔膜としては、高分子隔膜、イオン交換膜
、カラスフィルター、素焼板等の隔膜を用いることがで
きる。反応温度は特に限定されないが、通常−１Ｏ〜ｌ
ＯＯ℃程度、好ましくは室温付近で円滑に反応が進行す
る。
チルアシモニウムクＯライド、テトラメチルアシ七ニウ
ムク０ライト等の第３級アミシの５塩酸塩、硫酸塩など
の塩類、パラトルニジスルホン酸テトラエチルア′Ｊ′
ｆ：二つム塩、パラトルエシスルホシ酸テトラメチルア
シ七ニウム塩、過塩素酸テトラメチルアニア七ニウム塩
等の第４級アシ七ニウム塩、ホウフッ化水素酸ナトリウ
ム、ホウフ゛す化水素酸テトラメチルアシｔニウム塩等
のホウつツ化水素酸塩、ベン１！シスルホシ酸、トルエ
ンスルホシ酸等のアルカリ金属塩、その他アルカリ金属
、アルカリ土類金属の塩類等の通常の支持電解質を使用
することが出来る。支持電解質の使用量は広い範囲から
選択できるが、通常原料１ｔルに対し約０．０１−１０
七ル、好ましくは０．５〜５モルの範囲で使用するのが
良い。電極材料としては炭素、白金、チタシ、鉄、ステ
ンレス、ニッケル、鉛やこれらを主成分とする合金等の
通常の電極を使用することが出来る。経済性も考慮に入
れて好ましい例としては除権に鉛、陽極に炭素の使用を
挙げることができる。本発明の電解還元は定電流下にて
行なわれる。隔膜としては、高分子隔膜、イオン交換膜
、カラスフィルター、素焼板等の隔膜を用いることがで
きる。反応温度は特に限定されないが、通常−１Ｏ〜ｌ
ＯＯ℃程度、好ましくは室温付近で円滑に反応が進行す
る。
出発原料として用いられる一般式（ｍ）のトリクロルメ
チルカルピノール誘導体は、文献未載の化合物である。
チルカルピノール誘導体は、文献未載の化合物である。
該化合物は、例えば入手容易々公知化合物である一般式
〔式中Ａγ及びルは前記に同じ。〕で表わされるトリク
０ルメチル力ルピノール誘導体をアシル化することによ
り容易に製造される。このアシル化は、例えば適当な溶
媒中有機塩基の存在下一般式（ＩＶ）の化合物にアシル
化剤を反応させることによシ行なわれる。また有機塩基
を溶媒として兼用することもできる。溶媒としては例え
ばエチルエーテル、テトラしドロフラン等のエーテル類
、アセトニトリル、ベンゼシ、トルニジ等の芳香族炭化
水素類等を挙げることができ、また有機塩基としては例
えばピリジン、ヒコリン等のヒリ、；υ類、トリエチル
アミン、ジメチルアミシ等のアル＋ルアミシ類等を挙げ
ることができる。またアシル化剤としては例えば無水酢
酸、無水酪酸等の酸無水物、アｔチルク０ライド、づ０
ピオニルクロライド等の酸へ〇ゲシ化物等を挙げること
ができる。斯かるアシル化剤は一般式（′ｆｖ）の化合
物に対し理論量の通常１〜５倍量、好ましくは１．１〜
２倍景用いるのがよい。またこのアシル化は通常−３０
〜１５０℃、好ましくは一１０〜１００℃にて行なわれ
る。
０ルメチル力ルピノール誘導体をアシル化することによ
り容易に製造される。このアシル化は、例えば適当な溶
媒中有機塩基の存在下一般式（ＩＶ）の化合物にアシル
化剤を反応させることによシ行なわれる。また有機塩基
を溶媒として兼用することもできる。溶媒としては例え
ばエチルエーテル、テトラしドロフラン等のエーテル類
、アセトニトリル、ベンゼシ、トルニジ等の芳香族炭化
水素類等を挙げることができ、また有機塩基としては例
えばピリジン、ヒコリン等のヒリ、；υ類、トリエチル
アミン、ジメチルアミシ等のアル＋ルアミシ類等を挙げ
ることができる。またアシル化剤としては例えば無水酢
酸、無水酪酸等の酸無水物、アｔチルク０ライド、づ０
ピオニルクロライド等の酸へ〇ゲシ化物等を挙げること
ができる。斯かるアシル化剤は一般式（′ｆｖ）の化合
物に対し理論量の通常１〜５倍量、好ましくは１．１〜
２倍景用いるのがよい。またこのアシル化は通常−３０
〜１５０℃、好ましくは一１０〜１００℃にて行なわれ
る。
上記各反応で得られる本発明の中間体及び目的化合物は
、例えば抽出、濃縮、蒸留、再結晶、カラムク０マドタ
ラフイー等の通常の方法によって容易に分離、精製する
ことが出来る。
、例えば抽出、濃縮、蒸留、再結晶、カラムク０マドタ
ラフイー等の通常の方法によって容易に分離、精製する
ことが出来る。
以下に参考例及び実施例を掲げる。
参考例 ｌ
パラしド０＋ジフェニルトリクＤルメチルカルピノール
０．１ｔルをピリジ、、１０．３ ｔニルに溶解し、攪
拌下無水酢酸０．２２ｔルを滴下し、さらに２時間攪拌
する。反応終了後ピリ、；シを減圧下に留去し、残渣を
５Ｑｓ＋／の水で洗浄し、結晶をＦ別するとＰ−アセト
士ジフェニルトリク０ルメチルカルじノール酢酸エステ
ルを得る。
０．１ｔルをピリジ、、１０．３ ｔニルに溶解し、攪
拌下無水酢酸０．２２ｔルを滴下し、さらに２時間攪拌
する。反応終了後ピリ、；シを減圧下に留去し、残渣を
５Ｑｓ＋／の水で洗浄し、結晶をＦ別するとＰ−アセト
士ジフェニルトリク０ルメチルカルじノール酢酸エステ
ルを得る。
収率９８．５％、ｍｐ １５２．５〜１５３℃参考例
２ パラメト士ジフェニルトリク０ルメチルカルピノール０
．１Ｅニルを用い、参考例１と同様に処理してパラメト
士ジフェニルトリク０ルメチルカルビノール酢酸エステ
ルを得る。
２ パラメト士ジフェニルトリク０ルメチルカルピノール０
．１Ｅニルを用い、参考例１と同様に処理してパラメト
士ジフェニルトリク０ルメチルカルビノール酢酸エステ
ルを得る。
収率９９．Ｏ％％ｍｐ ８２〜８２．５℃実施例 ｌ
濃塩酸１０ｍ１、バラトルニジスルホン酸テトラエチル
ア、７ｔニウム塩２．５ｆ及びトリエチルアシｔニウム
クＯライド５．５１をエタノール６０プに溶解し、この
溶液を隔膜で隔てた陽極室と陰極室に入れる。陰極室に
バラアセト士ジフェニルトリク０ルメチルカルピノール
酢酸エステル陰極に鉛、陽極に炭素を用いて定電流電解
を行った。５ Ｆ／’ｆ、ル通電後、陰極液を水２００
１１７６に加え、５Ｑｍｌのへ十サシで４回抽出を行っ
た後、へ＋サシ抽出液を無水硫酸マグネシウムで乾燥す
る。
ア、７ｔニウム塩２．５ｆ及びトリエチルアシｔニウム
クＯライド５．５１をエタノール６０プに溶解し、この
溶液を隔膜で隔てた陽極室と陰極室に入れる。陰極室に
バラアセト士ジフェニルトリク０ルメチルカルピノール
酢酸エステル陰極に鉛、陽極に炭素を用いて定電流電解
を行った。５ Ｆ／’ｆ、ル通電後、陰極液を水２００
１１７６に加え、５Ｑｍｌのへ十サシで４回抽出を行っ
た後、へ＋サシ抽出液を無水硫酸マグネシウムで乾燥す
る。
溶媒を留去した後シリカゲルカラムで残渣を分離、精製
するとバラヒトＯ士シーβ、β−ジクロルスチ収率９５
．２ｔｓ％ｍＰ ９０〜９１℃ＩＲＣｃｍ”−’＞
３３７０、ｌ ６０４．１５００．１４４２、■３７５
．１２３５．１１８０．１１０９．９０９．８７３．８
２１，６８２ 実施例 ２ ３％の硫酸を含有するメタノール５０ｍを隔膜で隔てた
陽極室、陰極室に入れる。更に陰極室にバラアセト＋ジ
フェニルトリクロルメチルカルビノール酢酸エステル１
０ミリ七ルを加える。陽極、陰極に鉛を用いて定電流電
解を行った。反応温度を４５〜５０℃に保ち、３ Ｆ／
’ｆｆ、ル通電後、実施例１と同様の処理を行うと、パ
ラしドロ士シーβ、β−ジクＯルスチレ、７１゜８３ｆ
（収率９６．８％）を得る。
するとバラヒトＯ士シーβ、β−ジクロルスチ収率９５
．２ｔｓ％ｍＰ ９０〜９１℃ＩＲＣｃｍ”−’＞
３３７０、ｌ ６０４．１５００．１４４２、■３７５
．１２３５．１１８０．１１０９．９０９．８７３．８
２１，６８２ 実施例 ２ ３％の硫酸を含有するメタノール５０ｍを隔膜で隔てた
陽極室、陰極室に入れる。更に陰極室にバラアセト＋ジ
フェニルトリクロルメチルカルビノール酢酸エステル１
０ミリ七ルを加える。陽極、陰極に鉛を用いて定電流電
解を行った。反応温度を４５〜５０℃に保ち、３ Ｆ／
’ｆｆ、ル通電後、実施例１と同様の処理を行うと、パ
ラしドロ士シーβ、β−ジクＯルスチレ、７１゜８３ｆ
（収率９６．８％）を得る。
実施例 ３
濃塩酸ｌ０ｉＡ’、バラトルエシスルホシ酸テトラエチ
ルア、７ｆニウム塩２．５ｆ、ｔ−リエチルアンモニウ
ムク０ライド５．５９をエタノール６０ｍ１に溶解し、
この溶液を隔膜で隔てた陽極室と陰極室に入れる。陰極
室には、バラベンジＤ＋ジフェニルトリク０ルメチルカ
ルじノール酢酸エステル陰極に鉛、陽極に炭素を用いて
定電流電解を行った。５ Ｆ／Ｔ：、ル通電後、陰極液
を水２００−に加え、５Ｑｍ／のへ十サシで４回抽出を
行った後、へ十サシ抽出液を無水硫酸マクネシウムで乾
燥する。
ルア、７ｆニウム塩２．５ｆ、ｔ−リエチルアンモニウ
ムク０ライド５．５９をエタノール６０ｍ１に溶解し、
この溶液を隔膜で隔てた陽極室と陰極室に入れる。陰極
室には、バラベンジＤ＋ジフェニルトリク０ルメチルカ
ルじノール酢酸エステル陰極に鉛、陽極に炭素を用いて
定電流電解を行った。５ Ｆ／Ｔ：、ル通電後、陰極液
を水２００−に加え、５Ｑｍ／のへ十サシで４回抽出を
行った後、へ十サシ抽出液を無水硫酸マクネシウムで乾
燥する。
溶媒を留去した後、残渣をシリカゲルカラムで分離、精
製するとバラベ、、／シロ士シフェニルジク０２を得る
。収率９１．０％、ｍｐ ７４．５〜７６、５℃実施例
４ ３チの硫酸、２０％の水を含有するメタノール溶液５Ｑ
ｍｊ’を隔膜で隔てた陽極室、陰極室に入れ、更にバラ
アセト士ジフェニルトリク０ルメチルカルピノール酢酸
エステルｌＯミリｔルを陰極室に加える。陽極及び陰極
に鉛を用いて定電流電解を行った。反応温度を４０〜４
５℃に保ち、３Ｆ／ｌル通電後実施例１と同様の処理を
行うとバラしドロ士シーβ、β−ジク０ルスチレシ１．
７９９（収率９４．７％）を得る。
製するとバラベ、、／シロ士シフェニルジク０２を得る
。収率９１．０％、ｍｐ ７４．５〜７６、５℃実施例
４ ３チの硫酸、２０％の水を含有するメタノール溶液５Ｑ
ｍｊ’を隔膜で隔てた陽極室、陰極室に入れ、更にバラ
アセト士ジフェニルトリク０ルメチルカルピノール酢酸
エステルｌＯミリｔルを陰極室に加える。陽極及び陰極
に鉛を用いて定電流電解を行った。反応温度を４０〜４
５℃に保ち、３Ｆ／ｌル通電後実施例１と同様の処理を
行うとバラしドロ士シーβ、β−ジク０ルスチレシ１．
７９９（収率９４．７％）を得る。
実施例 ５
３％硫酸を含有するアセトニトリル５ＱｍＡ’をイオン
交換膜で隔てた陽極室、陰極室に入れ、更にバラアセト
士ジフェニルトリク０ルメチルカルピノール酢酸エステ
ルｌＯミリｔルを陰極室に加える。陽極及び陰極に鉛を
用いて５０〜５５℃の温度で定電流電解を行い、３ Ｆ
／’ｆｆ−ルの通電後実施例１と同様の処理を行うとバ
ラしドＤ士シーβ、β−ジク０ルスチレ、７１．８４
ｆ （収率９７．４チ）を得る。
交換膜で隔てた陽極室、陰極室に入れ、更にバラアセト
士ジフェニルトリク０ルメチルカルピノール酢酸エステ
ルｌＯミリｔルを陰極室に加える。陽極及び陰極に鉛を
用いて５０〜５５℃の温度で定電流電解を行い、３ Ｆ
／’ｆｆ−ルの通電後実施例１と同様の処理を行うとバ
ラしドＤ士シーβ、β−ジク０ルスチレ、７１．８４
ｆ （収率９７．４チ）を得る。
実施例 ６〜！７
表１に記載の原料を用いて実施例１〜５と同様の処理を
行って得た結果を同様表１に示す。
行って得た結果を同様表１に示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ 一般式 〔式中Ａｒは、フェニル基、多核芳香環基又は複素環基
を示し、これらは置換基を有していてもよい。置換基と
してはハ０ゲシ、水酸基、アル士ル、アルケニル、アラ
ル士ル、アルコ士シ、アシＤ＋シ、アラル士ルオ＋シ、
フェノ士シ又は置換基を有するフェノ士シ基であシ、該
置換基の数は１〜３であり、これらは同一であっても異
なっていてもよい。Ｒはアル士ル基を示す。 ルは１〜３の整数を示す。〕 で表わされるトリク０ルメチル力ルピノール誘導体を電
解還元することを特徴とする一般式％式％） 〔式中Ａｒ及びルは前記に同じ。〕 で表わされるジグ０ルエテモ
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57027962A JPS6033900B2 (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | ジクロルエテニル化合物の製造法 |
| US06/352,546 US4544766A (en) | 1981-03-06 | 1982-02-26 | Process for preparing aryl acetic acid derivatives |
| GB8205956A GB2098597B (en) | 1981-03-06 | 1982-03-01 | Process for preparing aryl acetic acid derivatives |
| DE3207506A DE3207506C2 (de) | 1981-03-06 | 1982-03-02 | Verfahren zur Herstellung von Arylessigsäurederivaten |
| CH1326/82A CH650763A5 (de) | 1981-03-06 | 1982-03-04 | Verfahren zur herstellung von arylessigsaeurederivaten. |
| FR8203699A FR2522651B1 (ja) | 1981-03-06 | 1982-03-05 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57027962A JPS6033900B2 (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | ジクロルエテニル化合物の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58144487A true JPS58144487A (ja) | 1983-08-27 |
| JPS6033900B2 JPS6033900B2 (ja) | 1985-08-06 |
Family
ID=12235510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57027962A Expired JPS6033900B2 (ja) | 1981-03-06 | 1982-02-22 | ジクロルエテニル化合物の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6033900B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58263A (ja) * | 1981-04-29 | 1983-01-05 | ビンクス・マニユフアクチユアリング・コンパニ− | 多成分スプレ−ガン |
-
1982
- 1982-02-22 JP JP57027962A patent/JPS6033900B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58263A (ja) * | 1981-04-29 | 1983-01-05 | ビンクス・マニユフアクチユアリング・コンパニ− | 多成分スプレ−ガン |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6033900B2 (ja) | 1985-08-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6843120B2 (ja) | （４ｓ）−４−（４−シアノ−２−メトキシフェニル）−５−エトキシ−２，８−ジメチル−１，４−ジヒドロ−１，６−ナフチリジン−３−カルボキサミドの調製方法および電気化学的方法による（４ｓ）−４−（４−シアノ−２−メトキシフェニル）−５−エトキシ−２，８−ジメチル−１，４−ジヒドロ−１，６−ナフチリジン−３−カルボキサミドの回収 | |
| EP0079464B1 (en) | Thiazolidine-4-carboxylic-acid derivative, process for its preparation and pharmaceutical compositions containing it | |
| RU2711358C1 (ru) | Простой способ получения авибактама | |
| US4603014A (en) | Thiazolinoazetidinone derivatives and process for the preparation of the same | |
| JPS58144487A (ja) | ジクロルエテニル化合物の製造法 | |
| JPH01156965A (ja) | チオヒダントイン化合物 | |
| JPS61218580A (ja) | ２−（２−アミノ−４−チアゾリル）−２−メトキシイミノ酢酸誘導体及びその製造法 | |
| Barba et al. | Electrolysis of 4-aryl-2-methylfurans | |
| JPH058200B2 (ja) | ||
| JPS60187689A (ja) | ３−エキソメチレンセフアム誘導体の製造法 | |
| JP3081854B2 (ja) | 光学活性なレボブノロール合成中間体の製造方法 | |
| JP3432880B2 (ja) | 光学活性アザスピロ化合物の製法 | |
| JPS6339893A (ja) | ５−フルオロウリジン類およびその製法 | |
| JPH0452272B2 (ja) | ||
| EP0304684A1 (en) | Process for the preparation of benzoxazine derivatives | |
| EP1582518A1 (en) | Process for preparing 3-Hydroxythiolane | |
| JPH0314011B2 (ja) | ||
| JPS59152389A (ja) | スルフエンイミン誘導体の製造法 | |
| JPH0789933A (ja) | 光学活性なインドリン誘導体の製法と中間体 | |
| JPH0318620B2 (ja) | ||
| JPH06135883A (ja) | 芳香族アシル化合物の製造方法 | |
| JPH0641066A (ja) | ピロール誘導体の製造方法 | |
| JPS6236037B2 (ja) | ||
| JPH027583B2 (ja) | ||
| JP2005097241A (ja) | フラーレノ酸ハライドの製造法 |