JPS6033900B2 - ジクロルエテニル化合物の製造法 - Google Patents
ジクロルエテニル化合物の製造法Info
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- JPS6033900B2 JPS6033900B2 JP57027962A JP2796282A JPS6033900B2 JP S6033900 B2 JPS6033900 B2 JP S6033900B2 JP 57027962 A JP57027962 A JP 57027962A JP 2796282 A JP2796282 A JP 2796282A JP S6033900 B2 JPS6033900 B2 JP S6033900B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ジクロルェテニル化合物の新規な製造法に関
する。
する。
更に詳しくは本発明は、一般式〜一ＣＨ：ＣＣ１２）ｎ
（１）〔式中針は、フェニル基、多核
芳香環基又は複素環基を示し、これらは置換基を有して
いてもよい。置換基としてはハロゲン、水酸基、アルキ
ル、アルケニル、アラルキル、アルコキシ、アシ。キシ
、アラルキルオキシ、フェノキシ又は置換基を有するフ
ェノキシ基であり、該置換基の数は１〜３であり、これ
らは同一であっても異なっていてもよい。ｎは１〜３の
整数を示す。〕で表わされるジクロロェナニル化合物の
新規な製造法に関する。本発明で得られる一般式（１）
のジクロロェナニル化合物は、例えば下式に示す如く抗
性物質、Ｂーフロッカー及び消炎剤の原料として有用な
一般式（ロ）で表わされるアリール酢酸誘導体に譲導す
ることができる。
（１）〔式中針は、フェニル基、多核
芳香環基又は複素環基を示し、これらは置換基を有して
いてもよい。置換基としてはハロゲン、水酸基、アルキ
ル、アルケニル、アラルキル、アルコキシ、アシ。キシ
、アラルキルオキシ、フェノキシ又は置換基を有するフ
ェノキシ基であり、該置換基の数は１〜３であり、これ
らは同一であっても異なっていてもよい。ｎは１〜３の
整数を示す。〕で表わされるジクロロェナニル化合物の
新規な製造法に関する。本発明で得られる一般式（１）
のジクロロェナニル化合物は、例えば下式に示す如く抗
性物質、Ｂーフロッカー及び消炎剤の原料として有用な
一般式（ロ）で表わされるアリール酢酸誘導体に譲導す
ることができる。
〔式中Ｙは水酸基、ァミノ基又はアルコキシ基を示す。
〜及びｎは前記に同じ。〕上記一般式（１）で表わされ
るジクロルェテニル化合物を製造する方法としては、例
えばトリブロムプロベニル化合物をカリウムブトキサィ
ド、ナトリウムブートキサィド等の特殊なアルカリで処
理して得る方法（特関昭５１−１２５２５２号公報参照
）、テトラクロル化合物を強力な塩基で処理する方法（
Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊａｐａｎ ５２｛５）
，１５１１〜１５１４（１９７９）参照）等が知られて
いる。
るジクロルェテニル化合物を製造する方法としては、例
えばトリブロムプロベニル化合物をカリウムブトキサィ
ド、ナトリウムブートキサィド等の特殊なアルカリで処
理して得る方法（特関昭５１−１２５２５２号公報参照
）、テトラクロル化合物を強力な塩基で処理する方法（
Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊａｐａｎ ５２｛５）
，１５１１〜１５１４（１９７９）参照）等が知られて
いる。
しかしこれ等の方法は、いずれも原料化合物としてトリ
クロルメチルカルビノールを直接処理する方法ではなく
、またこれ等の方法は、金属アルコキサィド等の高価な
試薬を必要とするし、目的化合物の収率も低く、製造に
要する工程も長い等の欠点を有している。トリクロルメ
チルカルビノールを電解還元してジクロルェテニル化合
物を得る唯一の文献としてＡｎ鉾ｗ．Ｃｈｅｍ．ｌｎｔ
．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．１６，５７〜５８（１９７７）があ
る。しかしこの文献の方法は、公害、毒性の点で現在問
題化し、使用中止される方向にある水銀を電極として用
いることが必須とされている。またこの方法は定電位下
に電解還元を行なう方法である。そのために電流効果が
著しく悪く経済的に不利であること、目的化合物の実質
収率が最良の場合でも８０％程度であり、その他は２０
〜３０％と極めて低い等の決定的な欠点を有している。
本発明者らは、斯かる現状に鑑み上記一対史式（１）の
ジクロロヱテニル化合物を工業的に有利に製造し得る方
法を関発すべく、鋭意研究を重ねた結果、遂に本発明を
完成するに至った。
クロルメチルカルビノールを直接処理する方法ではなく
、またこれ等の方法は、金属アルコキサィド等の高価な
試薬を必要とするし、目的化合物の収率も低く、製造に
要する工程も長い等の欠点を有している。トリクロルメ
チルカルビノールを電解還元してジクロルェテニル化合
物を得る唯一の文献としてＡｎ鉾ｗ．Ｃｈｅｍ．ｌｎｔ
．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．１６，５７〜５８（１９７７）があ
る。しかしこの文献の方法は、公害、毒性の点で現在問
題化し、使用中止される方向にある水銀を電極として用
いることが必須とされている。またこの方法は定電位下
に電解還元を行なう方法である。そのために電流効果が
著しく悪く経済的に不利であること、目的化合物の実質
収率が最良の場合でも８０％程度であり、その他は２０
〜３０％と極めて低い等の決定的な欠点を有している。
本発明者らは、斯かる現状に鑑み上記一対史式（１）の
ジクロロヱテニル化合物を工業的に有利に製造し得る方
法を関発すべく、鋭意研究を重ねた結果、遂に本発明を
完成するに至った。
即ち本発明は、一般式
〔式中ふは、フェニル基、多核芳香環基又は複素環基を
示し、これらは置換基を有していてもよい。
示し、これらは置換基を有していてもよい。
置換基としてはハロゲン、水酸基、アルキル、アルケニ
ル、アラルキル、アルコキシ、アシロキシ、ァラルキル
オキシ、フェノキシ又は置換基を有するフェノキシ基で
あり、該置換基の数は１〜３であり、これらは同一であ
っても異なっていてもよい。Ｒはアルキル基を示す。ｎ
は１〜３の整数を示す。〕で表わされるトリクロルメチ
ルカルビノール議導体を電解還元することを特徴とする
一般式〜キＣＨ二ＣＣ１２）ｎ （１）〔
式中〜及びｎは前言己に同じ。
ル、アラルキル、アルコキシ、アシロキシ、ァラルキル
オキシ、フェノキシ又は置換基を有するフェノキシ基で
あり、該置換基の数は１〜３であり、これらは同一であ
っても異なっていてもよい。Ｒはアルキル基を示す。ｎ
は１〜３の整数を示す。〕で表わされるトリクロルメチ
ルカルビノール議導体を電解還元することを特徴とする
一般式〜キＣＨ二ＣＣ１２）ｎ （１）〔
式中〜及びｎは前言己に同じ。
〕で表わされるジクロルェテニル化合物の製造法に係る
。
。
本発明の方法によれば、一般式（ロ）のジクロルェテニ
ル化合物を特殊な試薬を用いることなく簡便な操作でし
かも高収率で製造することができる。本明細書において
Ａｒはフェニル基、多核芳香環基又は複素環基を示し、
これ等はそれぞれ置換基を有していてもいなくても良い
。
ル化合物を特殊な試薬を用いることなく簡便な操作でし
かも高収率で製造することができる。本明細書において
Ａｒはフェニル基、多核芳香環基又は複素環基を示し、
これ等はそれぞれ置換基を有していてもいなくても良い
。
好ましい多核芳香環基としてはＱ−ナフチル、８ーナフ
チル、アンスラニル、ピレニル等を挙げることができる
。
チル、アンスラニル、ピレニル等を挙げることができる
。
好ましい複素環基としては酸素、窒素、硫黄原子等を含
む環状基を挙げることができ、その代表例としてはフリ
ル、テトラヒドロフリル、ピラニル、テトラヒドロピラ
ニル、ピロリル、ピリジニル、チエニル、オキサゾリル
、モルホリニル、チアジニル等を列挙することができる
。またフェニル、多核芳香環基又は複秦環基の置換基と
しては、ハロゲン、水酸基、アルキル、アルケニル、ア
ラルキル、アルコキシ、アシロキシ、アラルキルオキシ
、フェノキシ又は置換基を有するフェノキシ基を挙げる
ことができ、該置換基の数は１〜３であり、これらは同
一であっても異なっていてもよい。
む環状基を挙げることができ、その代表例としてはフリ
ル、テトラヒドロフリル、ピラニル、テトラヒドロピラ
ニル、ピロリル、ピリジニル、チエニル、オキサゾリル
、モルホリニル、チアジニル等を列挙することができる
。またフェニル、多核芳香環基又は複秦環基の置換基と
しては、ハロゲン、水酸基、アルキル、アルケニル、ア
ラルキル、アルコキシ、アシロキシ、アラルキルオキシ
、フェノキシ又は置換基を有するフェノキシ基を挙げる
ことができ、該置換基の数は１〜３であり、これらは同
一であっても異なっていてもよい。
ｎは１〜３の整数を示す。ハロゲンの例としては弗素、
塩素、臭素、沃素を挙げることができる。好ましいアル
キル基の例としてはメチル、エチル、ブチル、オクチル
、デシル等の炭素数１〜１０のアルキルを挙げることが
できる。好ましいアルケニル基の例としてはピニル、ア
リル、プロベニル、ヘキセニル、デセニル等の炭素数２
〜１０のアルケニルを挙げることができる。好ましいア
ラルキル基の例としてはペンジル、フェネチル、フェニ
ルブチル等の炭素数７〜１０のアラルキルを挙げること
ができる。好ましいアルコキシの例としてはメトキシ、
ェトキシ、ヘキシルオキシ、メチレンジオキシ等の炭素
数１〜６のものを、アシロキシとしてはアセトキシ、フ
チリルオキシ、バレＩＪルオキシ等の炭素数２〜６のも
のを挙げることができる。好ましいアラルキルオキシの
例としてはペンジルオキシ、フェネチルオキシ等の炭素
数７〜１０のものを挙げることができる。フェノキシ基
の置換基の例としてはハロゲン、ニトロ、アルキル、ア
ルコキシ、アリール等を挙げることができる。またＲで
示されるアルキル基の例としてはメチル、エチル、プロ
ピル、ブチル等のアルキル基を挙げることができる。
塩素、臭素、沃素を挙げることができる。好ましいアル
キル基の例としてはメチル、エチル、ブチル、オクチル
、デシル等の炭素数１〜１０のアルキルを挙げることが
できる。好ましいアルケニル基の例としてはピニル、ア
リル、プロベニル、ヘキセニル、デセニル等の炭素数２
〜１０のアルケニルを挙げることができる。好ましいア
ラルキル基の例としてはペンジル、フェネチル、フェニ
ルブチル等の炭素数７〜１０のアラルキルを挙げること
ができる。好ましいアルコキシの例としてはメトキシ、
ェトキシ、ヘキシルオキシ、メチレンジオキシ等の炭素
数１〜６のものを、アシロキシとしてはアセトキシ、フ
チリルオキシ、バレＩＪルオキシ等の炭素数２〜６のも
のを挙げることができる。好ましいアラルキルオキシの
例としてはペンジルオキシ、フェネチルオキシ等の炭素
数７〜１０のものを挙げることができる。フェノキシ基
の置換基の例としてはハロゲン、ニトロ、アルキル、ア
ルコキシ、アリール等を挙げることができる。またＲで
示されるアルキル基の例としてはメチル、エチル、プロ
ピル、ブチル等のアルキル基を挙げることができる。
本発明の上記電解還元反応は有機溶媒又は水−有機溶媒
中、酸性条件下、隔膜を用いて行われる。
中、酸性条件下、隔膜を用いて行われる。
有機溶媒としてはメタノール、エタノール等のアルコー
ル類、ジオキサン、メチルセロソルブ等のエーテル類、
アセトニトリル、ジメチルホルムアミド等、水をある程
度溶解し、電解中、不活性である溶媒が使用される。酸
性条件を維持するためには、例えばあらゆる種類の無機
酸、有機酸を用いることができるが、通常は塩酸、硫酸
等の鉱酸、ベンゼンスルホン酸、トルェンスルホン酸等
の有機酸が好ましい。本発明においては支持電解質とし
ては、例えばテトラエチルアンモニウムクロライド、テ
トラメチルアンモニウムクロライド等の第３級アミンの
塩酸塩、硫酸塩などの塩類、パラトルェンスルホン酸テ
トラエチルアンモニウム塩、パラトルェンスルホン酸テ
トラメチルアンモニウム塩、過塩素酸テトラメチルアン
モニウム塩等の第４級アンモニウム塩、ホウフツ化水素
酸ナトリウム、ホウフッ化水素酸テトラメチルアンモニ
ウム塩等のホウフッ化水素酸塩、ベンゼンスルホン酸、
トルェンスルホン酸等のアルカリ金属塩、その他アルカ
リ金属、アルカリ士類金属の塩類等の通常の支持電解質
を使用することが出釆る。
ル類、ジオキサン、メチルセロソルブ等のエーテル類、
アセトニトリル、ジメチルホルムアミド等、水をある程
度溶解し、電解中、不活性である溶媒が使用される。酸
性条件を維持するためには、例えばあらゆる種類の無機
酸、有機酸を用いることができるが、通常は塩酸、硫酸
等の鉱酸、ベンゼンスルホン酸、トルェンスルホン酸等
の有機酸が好ましい。本発明においては支持電解質とし
ては、例えばテトラエチルアンモニウムクロライド、テ
トラメチルアンモニウムクロライド等の第３級アミンの
塩酸塩、硫酸塩などの塩類、パラトルェンスルホン酸テ
トラエチルアンモニウム塩、パラトルェンスルホン酸テ
トラメチルアンモニウム塩、過塩素酸テトラメチルアン
モニウム塩等の第４級アンモニウム塩、ホウフツ化水素
酸ナトリウム、ホウフッ化水素酸テトラメチルアンモニ
ウム塩等のホウフッ化水素酸塩、ベンゼンスルホン酸、
トルェンスルホン酸等のアルカリ金属塩、その他アルカ
リ金属、アルカリ士類金属の塩類等の通常の支持電解質
を使用することが出釆る。
支持電解質の使用量は広い範囲から選択できるが、通常
原料１モルに対し約０．０１〜１０モル、好ましくは０
．５〜５モルの範囲で使用するのが良い。電極材料とし
ては炭素、白金、チタン、鉄、ステンレス、ニッケル、
鉛やこれらを主成分とする合金等の通常の電極を使用す
ることが出来る。経済性も考慮に入れて好ましい例とし
ては陰極に鉛、陽極に炭素の使用を挙げることができる
。本発明の電解還元は定電流下にて行なわれる。隔膜と
しては、高分子隔膜、イオン交換膜、ガラスフィルター
、素焼板等の隔膜を用いることができる。反応温度は特
に限定されないが、通常一１０〜１００午０程度、好ま
しくは室温付近で円滑に反応が進行する。出発原料とし
て用いられる一般式（ｍ）のトリクロルメチルカルビノ
−ル誘導体は、文献未萩の化合物である。
原料１モルに対し約０．０１〜１０モル、好ましくは０
．５〜５モルの範囲で使用するのが良い。電極材料とし
ては炭素、白金、チタン、鉄、ステンレス、ニッケル、
鉛やこれらを主成分とする合金等の通常の電極を使用す
ることが出来る。経済性も考慮に入れて好ましい例とし
ては陰極に鉛、陽極に炭素の使用を挙げることができる
。本発明の電解還元は定電流下にて行なわれる。隔膜と
しては、高分子隔膜、イオン交換膜、ガラスフィルター
、素焼板等の隔膜を用いることができる。反応温度は特
に限定されないが、通常一１０〜１００午０程度、好ま
しくは室温付近で円滑に反応が進行する。出発原料とし
て用いられる一般式（ｍ）のトリクロルメチルカルビノ
−ル誘導体は、文献未萩の化合物である。
該化合物は、例えば入手容易な公知化合物である一般式
〔式中〜及びｎは前記に同じ。〕で表わされるトリクロ
ルメチルカルビノール謙導体をアシル化することにより
容易に製造される。このアシル化は、例えば適当な溶媒
中有機塩基の存在下一般式（Ｗ）の化合物にアシル化剤
を反応させることにより行なわれる。また有機塩基を溶
媒として兼用することもできる。溶媒としては例えばエ
チルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、ア
セトニトリル、ベンゼン、トルェン等の芳香族炭化水素
類等を挙げることができ、また有機塩基としては例えば
ピリジン、ピコリン等のピリジン類、トリェチルアミン
、ジメチルアミン等のアルキルアミン類等を挙げること
ができる。またアシル化剤としては例えば無水酢酸、無
水酪酸等の酸無水物、アセチルクロラィド、プロピオニ
ルクロラィド等の酸ハロゲン化物等を挙げることができ
る。斯かるアシル化剤は一般式（Ｎ）の化合物に対し理
論量の通常１〜５倍量、好ましくは１．１〜２倍量用い
るのがよい。またこのアシル化は通常−３０〜１５００
０、好ましくは−１０〜１００００にて行なわれる。上
記各反応で得られる本発明の中間体及び目的化合物は、
例えば抽出、濃縮、蒸留、再結晶、カラムクロマトグラ
フィー等の通常の方法によって容易に分離、精製するこ
とが出来る。
〔式中〜及びｎは前記に同じ。〕で表わされるトリクロ
ルメチルカルビノール謙導体をアシル化することにより
容易に製造される。このアシル化は、例えば適当な溶媒
中有機塩基の存在下一般式（Ｗ）の化合物にアシル化剤
を反応させることにより行なわれる。また有機塩基を溶
媒として兼用することもできる。溶媒としては例えばエ
チルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、ア
セトニトリル、ベンゼン、トルェン等の芳香族炭化水素
類等を挙げることができ、また有機塩基としては例えば
ピリジン、ピコリン等のピリジン類、トリェチルアミン
、ジメチルアミン等のアルキルアミン類等を挙げること
ができる。またアシル化剤としては例えば無水酢酸、無
水酪酸等の酸無水物、アセチルクロラィド、プロピオニ
ルクロラィド等の酸ハロゲン化物等を挙げることができ
る。斯かるアシル化剤は一般式（Ｎ）の化合物に対し理
論量の通常１〜５倍量、好ましくは１．１〜２倍量用い
るのがよい。またこのアシル化は通常−３０〜１５００
０、好ましくは−１０〜１００００にて行なわれる。上
記各反応で得られる本発明の中間体及び目的化合物は、
例えば抽出、濃縮、蒸留、再結晶、カラムクロマトグラ
フィー等の通常の方法によって容易に分離、精製するこ
とが出来る。
以下に参考例及び実施例を掲げる。
参考例 １
／ぐラヒドロキシフエニルトリクロルメチルカルビノー
ル０．１モルをピリジン０．３モルに溶解し、縄梓下無
水酢酸０．２２モルを滴下し、さらに２時間燈梓する。
ル０．１モルをピリジン０．３モルに溶解し、縄梓下無
水酢酸０．２２モルを滴下し、さらに２時間燈梓する。
反応終了後ピリジンを減圧下に蟹去し、残澄を５０の‘
の水で洗浄し、結晶を炉列するとｐ−アセトキシフエニ
ルトリクロルメチルカルビノ−ル酢酸ェステルを得る。
収率９８．５％、ｍｐ１５２．５〜１５３００参考例
２パラメトキシフエニルトリクロルメチルカルビノール
０．１モルを用い、参考例１と同様に処理してパラメト
キシフエニルトリクロルメチルカルビノール酢酸ェステ
ルを得る。
の水で洗浄し、結晶を炉列するとｐ−アセトキシフエニ
ルトリクロルメチルカルビノ−ル酢酸ェステルを得る。
収率９８．５％、ｍｐ１５２．５〜１５３００参考例
２パラメトキシフエニルトリクロルメチルカルビノール
０．１モルを用い、参考例１と同様に処理してパラメト
キシフエニルトリクロルメチルカルビノール酢酸ェステ
ルを得る。
収率９９．０％、ｍｐ８２〜８２．５００実施例 １
濃塩酸１０の‘、パラトルェンスルホン酸テトラエチル
アンモニウム塩２．５夕及びトリェチルアンモニウムク
ロラィド５．５夕をエタノール６０の‘に熔解し、この
溶液を隅膜で隔てた陽極室と陰極室に入れる。
アンモニウム塩２．５夕及びトリェチルアンモニウムク
ロラィド５．５夕をエタノール６０の‘に熔解し、この
溶液を隅膜で隔てた陽極室と陰極室に入れる。
陰極室にパラアセトキシフェニルトリクロルメチルカル
ビノール酢酸ェステル１０ミリモルを加え、陰極に鉛、
陽極に炭素を用いて定電両電解を行った。
ビノール酢酸ェステル１０ミリモルを加え、陰極に鉛、
陽極に炭素を用いて定電両電解を行った。
軸／モル通電後、陰極液を水２００の‘に加え、５０の
｛のへキサンで４回抽出を行った後、ヘキサン抽出液を
無水硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を留去した後シ
リカゲルカラムで残湾を分離、精製するとパラヒドロキ
シ−８，８−ジクロルスチレン１．８０夕を得る。
｛のへキサンで４回抽出を行った後、ヘキサン抽出液を
無水硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を留去した後シ
リカゲルカラムで残湾を分離、精製するとパラヒドロキ
シ−８，８−ジクロルスチレン１．８０夕を得る。
収率９５．２％、ｍｐ９０〜９ｒｏ
ＩＲ（Ｃ択一１）３３７０・１６０４・１５００・１４
４２・１３７５、１２３５ １１８０、１１０９９０９
、８７３、８２１、６８２ 実施例 ２ ３％の硫酸を含有するメタノール５物上を隔膜で隔てた
陽極室、陰極室に入れる。
４２・１３７５、１２３５ １１８０、１１０９９０９
、８７３、８２１、６８２ 実施例 ２ ３％の硫酸を含有するメタノール５物上を隔膜で隔てた
陽極室、陰極室に入れる。
更に陰極室にパラアセトキシフエニルトリクロルメチル
カルビノール酢酸ェステル１０ミリモルを加える。陽極
、陰極に鉛を用いて定電流電解を行った。反応温度を４
５〜５０００に保ち、蛇／モル通電後、実施例１と同様
の処理を行うと、パラヒドロキシ−３，Ｂ−ジクロルス
チレン１．８３夕（収率９６．８％）を得る。実施例
３濃塩酸１０ｍ‘、パラトルェンスルホン酸テトラエチ
ルアンモニウム塩２．５夕、トリヱチルアンモニゥムク
ロラィド５．５夕をエタノール６０の‘に溶解し、この
溶液を隅膜で隔てた陽極室と陰極室に入れる。
カルビノール酢酸ェステル１０ミリモルを加える。陽極
、陰極に鉛を用いて定電流電解を行った。反応温度を４
５〜５０００に保ち、蛇／モル通電後、実施例１と同様
の処理を行うと、パラヒドロキシ−３，Ｂ−ジクロルス
チレン１．８３夕（収率９６．８％）を得る。実施例
３濃塩酸１０ｍ‘、パラトルェンスルホン酸テトラエチ
ルアンモニウム塩２．５夕、トリヱチルアンモニゥムク
ロラィド５．５夕をエタノール６０の‘に溶解し、この
溶液を隅膜で隔てた陽極室と陰極室に入れる。
陰極室には、パラベンジロキシフェニルトリクロルメチ
ルカルビノール酢酸ェステル１０ミリモルを加え、陰極
に鉛、陽極に炭素を用いて定電流電解を行った。
ルカルビノール酢酸ェステル１０ミリモルを加え、陰極
に鉛、陽極に炭素を用いて定電流電解を行った。
餌／モル通電後、陰極液を水２００の上に加え、５０の
【のへキサンで４回抽出を行った後、ヘキサン抽出液を
無水硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を留去した後、
残澄をシリカゲルカラムで分離、精製するとパラベンジ
ロキシフエニルジクロルエチレン２．５４夕を得る。
【のへキサンで４回抽出を行った後、ヘキサン抽出液を
無水硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を留去した後、
残澄をシリカゲルカラムで分離、精製するとパラベンジ
ロキシフエニルジクロルエチレン２．５４夕を得る。
収率９１．０％、ｍｐ７４．５〜７６．５００実施例
４３％の硫酸、２０％の水を含有するメタノール溶液５
０ぬを隔膜で隔てた陽極室、陰極室に入れ、更にパラア
セトキシフエニルトリクロルメチルカルビノール酢酸ェ
ステル１０ミリモルを陰極室に加える。
４３％の硫酸、２０％の水を含有するメタノール溶液５
０ぬを隔膜で隔てた陽極室、陰極室に入れ、更にパラア
セトキシフエニルトリクロルメチルカルビノール酢酸ェ
ステル１０ミリモルを陰極室に加える。
陽極及び陰極に鉛を用いて定電流電解を行った。反応温
度を４０〜４５ｏｏに保ち、粕／モル通電後実施例１と
同様の処理を行うとパラヒドロキシ−８，８−ジクロル
スチレン１．７９夕（収率９４７％）を得る。実施例
５ ３％硫酸を含有するアセトニトリル５０の上をイオン交
換膜で隔てた陽極室、陰極室に入れ、更にパラアセトキ
シフエニルトリクロルメチルカルビノール酢酸ェステル
１０ミリモルを陰極室に加える。
度を４０〜４５ｏｏに保ち、粕／モル通電後実施例１と
同様の処理を行うとパラヒドロキシ−８，８−ジクロル
スチレン１．７９夕（収率９４７％）を得る。実施例
５ ３％硫酸を含有するアセトニトリル５０の上をイオン交
換膜で隔てた陽極室、陰極室に入れ、更にパラアセトキ
シフエニルトリクロルメチルカルビノール酢酸ェステル
１０ミリモルを陰極室に加える。
陽極及び陰極に鉛を用いて５０〜５５ｏ０の温度で定電
流電解を行い、粕／モルの通電後実施例１と同様の処理
を行うとパラヒドロキシ−Ｂ，Ｂ−ジクロルスチレソ１
．８４夕（収率９７．４％）を得る。実施例 ６〜１７
表１に記載の原料を用いて実施例１〜５と同機の処理を
行って得た結果を同様表１に示す。
流電解を行い、粕／モルの通電後実施例１と同様の処理
を行うとパラヒドロキシ−Ｂ，Ｂ−ジクロルスチレソ１
．８４夕（収率９７．４％）を得る。実施例 ６〜１７
表１に記載の原料を用いて実施例１〜５と同機の処理を
行って得た結果を同様表１に示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ａｒは、フエニル基、多核芳香環基又は複素環基
を示し、これらは置換基を有していてもよい。 置換基としてはハロゲン、水酸基、アルキル、アルケニ
ル、アラルキル、アルコキシ、アシロキシ、アラルキル
オキシ、フエノキシ又は置換基を有するフエノキシ基で
あり、該置換基の数は１〜３であり、これらは同一であ
つても異なつていてもよい。Ｒはアルキル基を示す。ｎ
は１〜３の整数を示す。〕で表わされるトリクロルメチ
ルカルビノール誘導体を電解還元することを特徴とする
一般式Ａｒ−（ＣＨ＝ＣＣｌ＿２）＿ｎ 〔式中Ａｌ及びｎは前記に同じ。 〕 で表わされるジクロルエテニル化合物の製造法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57027962A JPS6033900B2 (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | ジクロルエテニル化合物の製造法 |
| US06/352,546 US4544766A (en) | 1981-03-06 | 1982-02-26 | Process for preparing aryl acetic acid derivatives |
| GB8205956A GB2098597B (en) | 1981-03-06 | 1982-03-01 | Process for preparing aryl acetic acid derivatives |
| DE3207506A DE3207506C2 (de) | 1981-03-06 | 1982-03-02 | Verfahren zur Herstellung von Arylessigsäurederivaten |
| CH1326/82A CH650763A5 (de) | 1981-03-06 | 1982-03-04 | Verfahren zur herstellung von arylessigsaeurederivaten. |
| FR8203699A FR2522651B1 (ja) | 1981-03-06 | 1982-03-05 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57027962A JPS6033900B2 (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | ジクロルエテニル化合物の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58144487A JPS58144487A (ja) | 1983-08-27 |
| JPS6033900B2 true JPS6033900B2 (ja) | 1985-08-06 |
Family
ID=12235510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57027962A Expired JPS6033900B2 (ja) | 1981-03-06 | 1982-02-22 | ジクロルエテニル化合物の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6033900B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58263A (ja) * | 1981-04-29 | 1983-01-05 | ビンクス・マニユフアクチユアリング・コンパニ− | 多成分スプレ−ガン |
-
1982
- 1982-02-22 JP JP57027962A patent/JPS6033900B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58263A (ja) * | 1981-04-29 | 1983-01-05 | ビンクス・マニユフアクチユアリング・コンパニ− | 多成分スプレ−ガン |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58144487A (ja) | 1983-08-27 |
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