JPS6043340B2 - 塩素化アゼチジノン誘導体及びその製造法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規な塩素化アゼチジノン誘導体及びその製造
法に関する。

本発明の塩素化アゼチジノン誘導体は文献未載の新規化
合物であり、下記一般式〔１〕で表わされる。

〔式中Ｒ１はアリールメチル基又はアリールオキシメチ
ル基を示す。

Ｒ２はハロゲン原子を置換基として有することのある低
級アルキル基、アリールメチル基又はアリールオキシメ
チル基を示す。Ｒ゜は基１１（Ｒ゜は低級アルキル基）
、基 一ｑ−ーＦＬ？Ｐ４。

−裏−Ｐ４（Ｒ４は前記に同じ）、基−Ｓ−ＳＯ２一Ｒ
５（Ｒ５はアリール基）、基−ｓ−い〔 （Ｒ４は上
記一般式〔１〕で表わされるアゼチジノン誘導体は種々
の方法により製造されるが、その好ましい一例を挙げれ
ば例えば塩酸及び／又は塩化物の存在下一般式〔式中Ｒ
１、Ｒ２及びＲ３は前記に同じ。

〕で表わされるアゼチジノン誘導体を電解処理すること
により製造される。前記に同じ）、基−８−＼ ］又
は基 卜示す。

但しＲ３が基 」を示す場合には、Ｒ１がベン
ジル基を示し且つＲ２がメチル基を示すものとする。

〕上記一般式〔１〕で表わされる塩素化アゼチジノン誘
導体はペニシリン系、セフアロスポリン系抵抗生物質を
合成するための中間体として有用な化合物である。例え
ば下記反応式に従い本発明の化合物から抗菌剤として有
用なセフアロスポリン・系化合物〔■〕に誘導し得る。
本発明において、Ｒ１及びＲ２で示されるアリールメチ
ル基としては例えばベンジル基、ｐ−クロ７口ベンジル
基、ｐ−メトキシベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、
ｐ−ヒドロキシベンジル基、ジフェニルメチル基等を挙
げることができる。

Ｒ１及びＲ２で示されるアリールオキシメチル基として
は例えばフェノキシメチル基、ｐ−ニトロフエフノキシ
メチル基、ｐ−メトキシフェノキシメチル基等を挙げる
ことができる。Ｒ２で示されるハロゲン原子を置換基と
して有することのある低級アルキル基としては例えばメ
チル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、
ｎ−ブチル基、Ｔｅｒｔ−ブチル基、２−クロロエチル
基、２●２●２−トリクロロエチル基等を挙げることが
できる。Ｒ４で示される低級アルキル基としては例えば
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基
、ｎ−ブチル基、Ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基
、ｎ−ヘキシル基等を挙げることができる。またＲ５で
示されるアリール基としては例えばフェニル基、ｐ−ク
ロルフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｐ−ニトロ
フェニル基、ｐ−ヒドロキシフェニル基等を挙げること
ができる。本発明において出発原料として用いられる一
般式（■）で表わされるアゼチジノン誘導体は公知又は
新規化合物である。例えば一般式〔■〕の化合物のうち
、Ｒ３が基−８一過？Ｒ，を示す化合物はテトラヘドロ
ンレター４８９７（１９７０）に記載されている方法に
従うことにより、Ｒ３が基−Ｓ−ＳＯ２−Ｒ５を示す化
合物はＣｈｉｍｉａｌ３（１９７６）に記載されている
方法に従うことにより、Ｒ３が基一８−？ 」； 川
を示す化合物は特開昭４９−１０２６的号公報に記載さ
れている方法に従うことによりそれぞれ容易に製造され
る。

一般式〔■〕の化合物のうちＲ３が基 ｎ を示す化合物は文献未載の新規化合一Ｓ−０
−Ｒ４物であり、例えば下記に示す方法により容易に製
造される。

即ち該化合物は一般式〔式中Ｒ１及びＲ２は前記に同じ
。

〕で表わされるアゼチジノン誘導体を低級アルコール中
にて電解処理することにより製造される。ここで出発原
料として用いられる一般式〔■〕で表わされるアゼチジ
ノン誘導体は公知の化合物であり、例えばテトラヘドロ
ンレター３００１（１９７３）に記載の方法により容易
に製造される。

一般式〔■〕の化合物の電解処理はメタノール、エタノ
ール、イソプロピルアルコール、ブタノール等の低級ア
ルコール中にて支持電解質として硫酸、過塩素酸、ｐ−
トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等を用い−７０
〜６０℃の範囲の温度ノ内で行なわれる。電極としては
通常の電極材料、例えば白金、炭素、ステンレス、鉛等
が広く使用でき、また電解は定電位電解、定電流電解の
いずれでも行ない得る。また一般式〔■〕の化合物のう
ちＲ３が基 を示す化合物は文献未載の新規化
合物であり、例えば下記に示す方法により容易に製造さ
れる。

即ち該化合物は一般式〔式中Ｒ１及びＲ２は前記に同じ
。

〕で表わされるアゼチジノン誘導体と一般式〔式中Ｒ６
は水素原子、低級アルキル基、置換又は非置換のアリー
ル基又はアラルキル基を示す。

〕で表わされる亜リン酸エステルとを反応させることに
より製造される。ここで出発原料として用いられる一般
式〔■〕で表わされるアゼチジノン誘導体は公知の化合
物であり、例えばテトラヘドロンレター３００１（１９
７３）に記載の方法により容易に製造される。

また一般式〔■〕で表わされる亜リン酸エステルも入手
容易な公知の化合物である。一般式〔■〕の化合物と一
般式〔■〕の化合物との反応は無溶媒下又は適当な不活
性溶媒中にて行なわれる。

不活性溶媒としては例えば塩化メチレン、クロロホルム
、四塩化炭素、ジクロルエタン等のハロゲン化炭化水素
類、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジオキサン
、テトラヒドロフラン等のエーテル類、アセトニトリル
、ブチロニトリル等のニトリル類、ベンゼン、トルエン
、クロルベンゼン等の芳香族炭化水素類、ヘキサン、シ
クロヘキサン、ヘプタン、ペンタン等の炭化水素類、こ
れらの混合溶媒等を挙げることができる。一般式〔■〕
の化合物と一般式〔■〕の化合物との使用割合としては
特に限定がなく広い範囲内で適宜選択することができる
が、通常前者に対して後者を０．１〜１＠モル量程度用
いるのがよい。該反応は室温下、加温下及び冷却下のい
ずれでも行ない得るが、通常−２０〜１００℃にて行な
われる。上記一般式〔■〕で表わされるアゼチジノン誘
導体の電解処理は塩酸及び／又は塩化物の存在下に必要
な電気量を通電することにより行なわれる。

塩化物としては公知のものを広く使用でき、例えば塩化
リチウム、塩化ナトリウム、塩化カリウム等のアルカリ
金属の塩、塩化マグネシウム、塩化バリウム、塩化カル
シウム等のアリカリ土類金属の塩、塩化アンモニウム、
塩化テトラメチルアンモニウム、塩化テトラエチルアン
モニウム、塩化ベンジルトリメチルアンモニウム等のア
ンモニウム塩乃至第４級アンモニウム塩等が挙げられる
。斯かる塩酸及び／又は塩化物の使用量としては特に制
限がなく広い範囲内で適宜選択することができるが、通
常反応系内に一般式〔■〕の化合物に対して０．５〜１
０倍モル量存在させるのがよい。塩化物を使用する場合
には反応系内に鉱酸又は有機酸を共存させると効果的で
ある。用いられる鉱酸としては例えば硫酸、硫酸水素ナ
トリウム、硫酸水素カリウム、リン酸、ホウ酸等を挙げ
ることができ、また有機酸としては例えばギ酸、酢酸、
プロピオン酸、酪酸、シユウ酸、クエン酸等のカルボン
酸、バラトルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等のス
ルホン酸等を挙げることができる。斯かる鉱酸又は有機
酸を反応系内に一般式〔■〕の化合物に対して０．５〜
１唯モル量程度存在させるのがよい。この電解処理にお
ける反応媒体としては通常水、有機溶媒又は水と有機溶
媒との混合溶媒が用いられる。有機溶媒としては、塩素
化反応に不活性な溶媒であれば広く使用でき、例えばギ
酸メチル、ギ酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸
ブチル、プロピオン酸エチル等のエステル類、ジクロル
メタン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロルエタン、
ジプロムエタン、クロルベンゼン等のハロゲン化炭化水
素類、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジオキサ
ン、テトラヒドロフラン等のエーテル類、アセトニトリ
ル、ブチロニトリル等のニトリル類、ペンタン、ヘキサ
ン、シクロヘキサン等の炭化水素類、二硫化炭素等を挙
げることができる。電解反応は、定電位電解及び定電流
電解のいずれでも行うことができる。電流密度は通常１
〜５００ｒｒ１．Ａ１ｄの範囲であり、好ましくは５〜
２００ｍＡ１ｃ１ｔである。反応に必要な電気量は、基
質濃度溶媒の種類、電解槽の型状等によつて一定しない
が、通常２〜５０Ｆ′ＩｍＯｌでよい。電極としては白
金、炭素、ステンレス、チタン、ニッケル等通常使用さ
れる電極を使用することができる。反応温度としては原
料及び生成物が分解、変性しない温度以下であれば特に
限定されないが、−３０℃〜６０℃の範囲で行われ、好
ましくは−２０〜３０℃の範囲である。電解槽としては
、無隔膜電解槽、隔膜電解槽共に使用することができる
。斯くして得られる本発明の化合物は通常行なわれてい
る分離手段、例えば溶媒抽出、カラムクロマトグラフィ
ー等の手段により反応混合物から容易に単離精製される
。

本発明の方法によれば、温和な条件下に簡便に且つ高収
率で目的化合物を収得し得る。しかも目的物の分離、精
製も容易であり、副生物等の廃棄物の問題がなく、工業
的にも極めて有利な方法である。以下に参考例及び実施
例を挙げる。

参考例１ 化合物〔■〕（Ｒ１＝ベンジル、Ｒ２＝メチル）２５０
．３ｍ９をメタノール５０ｍ１に溶媒し、濃硫酸０．４
ｍｔを加える。

白金電極を装入し（４×３ｄ）、攪拌）下０〜２℃、５
７ＴＬＡＩＣＩｔで２時間電解反応を行う。反応終了後
酢酸エチルで抽出し、飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄し
た後、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。減圧下溶媒を除
去し、残渣をベンゼンー酢酸エチル（３：１）の溶媒を
用いてシリ力ゲルカラムで分離、精製すると、１６７．
９ｍ９の化合物〔■〕（Ｒ１＝ベンジル、Ｒ２＝メチル
、ぃ。−ー５ィぃ，Ｔ４．．）を得る（収率羽％）。Ｎ
ＭＲ（ＣＤＣｌ３δ）１．９９（Ｓ．．３Ｈ）、３．４
２（Ｓｌ３Ｈ）、３．５６（Ｓ，．２Ｈ）、３．７２（
Ｓ．．３Ｈ）、４．５２（ＱｌｌＨ）、４．７０、４．
８４、５．０５、５．１６（４Ｓ１４Ｈ）、６．７１（
ＤｌｌＨ）、７．２７（Ｓ，．５Ｈ）参考例２化合物〔
■〕（Ｒ１＝フエノキシメチル、Ｒ２＝メチル）１００
ｍ９をベンゼン１ｍ１に溶解し、トリメチルホスファイ
ト（化合物〔■〕）（Ｒ４＝メチル、Ｒ６＝メチル）０
．４５ｍｔを加え、１時間加熱還流させる。

反応混合物を室温まで冷却し、酢酸エチル１０ｍ１で抽
出する。５％苛性ソーダ水溶液、飽和食塩水の順序で洗
浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。

減圧下溶媒を除去し、残渣をベンゼンー酢酸エチル（１
：１）の混合溶媒を用いて、シリカゲルカラムで分離、
精製すると、８４．０ｍ９の化合物〔■〕（Ｒ１＝フエ
ノキシメチル、Ｒ２＝メチル、Ｒ３−ーＳ−トニ
Ｒ４＝メチル）を得る。収率９４％ＩＲ（ＣＨＣｌ３ｃ
７ｎ−リ１７８２、１７４へ１６８５ＮＭＲ（ＣＤＣｌ
３δ）１．９０（Ｓｌ３Ｈ）、３．５９（Ｓｌ３ｌｌ）
、３．７５（Ｓ．．３Ｈ）、３．７６（Ｓ．ｓ３ｌ（）
、４．５２（Ｓｌ２Ｈ）、４．８１（ＳｌｌＨ）、５．
０２（ＳｌｌＨ）、５．１１（ＳｌｌＨ）、５．４８〜
５．８０（Ｍ．．２Ｈ）、６．８〜７．４（５Ｈ）、７
．６７（ＤｌｌＨ）実施例１ 化合物〔■〕（Ｒ１＝ベンジル、Ｒ２＝ＣＨ３、
、Ｒ４＝ＣＨ３）５００ｍ９、塩化メ
チレン５０ｍｔ１食塩１０．０ｙ１水３０ｍ１及び酢酸
０．８ｍ１を反応容器に入れ、攪拌し二液層の溶液を作
る。

白金電極（１．５ｃｍ×２ｃ１ｎ）を取り付け、反応温
度１５〜１７℃の範囲で、電流密度１０７７１．ＡＩＣ
Ｉｔ１４紛間攪拌下、電解を行つた（通電量は原料１モ
ルに対し？に相当する）。電解終了後有機層を分離し、
飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄する。無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥した後減圧下有機溶媒を除去し、残渣をベンゼ
ンニ酢酸エチル（５：１）の混合溶媒用をいて、シリカ
ゲルカラムで精製すると、４４５ＴｆＬ９の目的物〔１
〕（Ｒ１＝ベンジル、Ｒ２＝Ｃｌｌ３、Ｒ３−ー具，２
４Ｒ４＝ＣＨ３）を得る。収率８２％１Ｒ（νＴｌｌａ
Ｘ）２９７０−１、１７８０Ｃ７７！−１、１７６０ｃ
ＴＬ−１、１６７５ｄ一１、１５４０ｃ７ｎ−１ＮＭＲ
（ＣＤＣＬ３δ）３．４０（Ｓ．．３ｌ］）、３．５４
（Ｓｌ２Ｈ）、３．７１（Ｓ．．狙）、４．２０（Ｓ．
．？）、４．４６（ＤｌｌＨ）、４．８２（ＳｌｌＨ）
、４．９５（ＳｌｌＨ）、５．３３（ＳｌｌＨ）、５．
５２（ＳｌｌＨ）、６．４２（ＤｌｌＨ）、７．２３（
Ｓ，．５ｌｌ）実施例２〜１１ 原料及び反応条件を変えて、実施例と同様の処理を行つ
た。

結果を第１〜４表に示す。尚表中Ｐｈはフェニル基を意
味する。（２）Ｐｔ：白金電極（１．５×２ｃＩｔ）、
Ｃ：炭素電極（１．５×２Ｃ７１り（３）化合物〔■〕
の１モルに対する通電量（ファラデー）（４）カラムク
ロマト後の化合物〔１〕の収率実施例１２化合物〔■〕
（Ｒ１＝フエノキシメチル、Ｒ２＝２・２・２−トリク
ロルエチル、Ｒ４＝メチル）５０Ｔｎ９を塩化 メチレン３ｍ１に溶解し、飽和食塩水５ｍ１、硫酸０．
０７ｍ１を加え、攪拌して二液層の溶液を調整する。

白金電極（１．５Ｃ７７！×２ｃ７ｎ）を取り付け、電
流密度１０７ｎ，Ａ１ｃ１ｔ１反応温度１８〜２０゜Ｃ
の範囲で攪拌下２紛間電解を行う。反応終了後塩化メチ
レンを分離し、水層を塩化メチレンで抽出する。飽和食
塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒
を減圧下除去する。残渣をベンゼンー酢酸（５：１）の
混合溶媒を用いてシリカゲルカラムで精製すると、４８
．４ｍｇの目的物〔１〕（Ｒ１＝フエノキシメチル、Ｒ
２＝２●２●２−トリクロルェチ，Ｌ．、Ｒ，，、Ｊｌ
．ｒ．ｌＲ４＝メチル）４８．４Ｔｎ９を得る。収率９
０．８％ＩＲ（ＣＨＣｌ３ν１Ｔ．ａＸ）３３７０Ｃ７
ｎ−１、１７８０ｃ１ｎ−１、１７５００一１、１６９
？−１１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３δ）２．０８（Ｓ．．
３Ｈ）、４．１７（Ｓ．．２ｌｌ）、４．４９（Ｓ．．
？）、４．７８（ＳｌｌＨ）、４．８０（Ｓｌ２Ｈ）、
５．０５（Ｓ．．２Ｈ）、５．４２（ＱｌｌＨ）、５．
９６（ＤｌｌＨ）、６．６〜７．４（Ｍ，．５Ｈ）、７
．６５（ＤｌｌＨ）実施例１３ 化合物〔■〕（Ｒ１＝フエノキシメチル、Ｒ２＝メチル
、Ｒ３＝ーＳ−ＳＯ２−Ｒ５、Ｒ５＝フエニル）３０．
５ｍｇ、ＮａＣｌｌ．Ｏダ、水３ｍ１１塩化メチレン５
ｍｔ及び濃硫酸０．０７Ｔ！Ｌｌを容器に入れ攪拌し、
二液層の溶液を調整する。

白金電極を用い１５分間電解を行う。電気量は５ＦＩｍ
０１に相当する。反応終了後実施例１と同様の処理を行
うと２９．９ｍ９の目的物〔１〕（Ｒ１＝フエノキシメ
チル、Ｒ２＝メチル、Ｒ３＝ーＳ−ＳＯ２−Ｒ５、Ｒ５
＝フエニル）を得る。収率９２．４％ＩＲ（Ｃｍ−１）
３０６０、２９６０、１７８０、１７４０１１６５５、
１６０へ１５９５、１５２へ１４９０１１４４０１１３
２２、１２３５、１１３飄１０７０ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３
δ）３．７２（Ｓ．．３Ｈ）、４．１０（Ｓｌ２ｌｌ）
、４．４０（Ｓ，．２Ｈ）、４．８２（ＳｌｌＨ）、５
．１２（ＳｌｌＨ）、５．２６（ＳｌｌＨ）、５．１〜
５．３５（ＭｌｌＨ）、５．９４（Ｄ．．Ｊ＝６．６Ｈ
ｚ）、６．７〜８．８（ＭｌｌｌＨ）実施例１４ 化合物〔■〕（Ｒ１＝ベンジル、Ｒ２＝メチル）Ｒ３−
ーＳ−炬 ］）３９．７ｍ９、塩化メチレン３ｍ１及び
飽和食塩水１５ｍ１を容器に入れ、攪拌して二液層の溶
液を調整する。

白金電極を装入して１３７ｎＡ１ｄ１９゜Ｃで２時間電
解を行う。電気量は３ｆ１ｍ０１に相当する。反応終了
後実施例１と同様の処理を行うと３８．２ｍ９の無色油
状物として目的物〔１〕（Ｒ１＝ベンジル、Ｒ２＝メチ
ル、 を得る。

収率８９．５％ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３δ）２．８３（Ｓ，
．４Ｈｌサクシンシミド）、３．７２（ｓ１？、ＣＨ２
Ｐｈ）、３．７７（ｓ１狙、ＣＯＯＣＨ３）、４．２５
（Ｓ．ｓ２Ｈ．．ＣＨ２Ｃｌ）、５．０５（ＳｌｌＨ．
．ＮＣＨ〈）、５．１４（ＤｌｌＨｌラクタム）、５．
２７（ＤｄｌｌＨｌラクタム）、５．４（ＳｌｌＨ，．
Ｃ＝ＣＨ２）、５．５９（ＳｌｌＨ．．Ｃ＝ＣＨ２）、
７．０〜７．５（Ｍ．．６Ｈｌフェニル）実施例１５ 化合物〔■〕（Ｒ１＝フエノキシメチル、Ｒ２＝メ
１１／チル、Ｒ３＝ーＳ−Ｐ１ 、Ｒ
４＝エチル）３４．６５ｍ９、塩化マグネシウム（６水
加物）４．５ｙ１水３ｍｔ１酢酸エチル３ｍ１及び濃硫
酸０．０７ｍ１を容器に入れ攪拌して二液層の溶液を調
整する。

白金電極を装入し、攪拌下３０ｍ，Ａ１ｃ１ｔで３紛間
電解を行う。電気量は８Ｆ１ｍ０１に相当する。反応終
了後実施例１と同様の処理を行うと、３４．３４ｍ９の
目的物〔１〕（Ｒ１＝フエノキシメチル、Ｒ２＝メチル
、 Ｒ４＝エチル）を得る。収率
９２．８％ＩＲ（Ｃ７ｘ−１）２９８０１２９６０、２
９４０１１７８０、１７４５、１６９へ１６０３、１５
８へ１４９＼１４４０１１２５０１１０１０１８１へ７
屯７２０ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３δ）１．３１（Ｄｔ．．６
Ｈ）、３．７８（Ｓｌ３Ｈ）、４．０９（Ｍ，．４Ｈ）
、４．２０（Ｓ．．２Ｈ）、４．５０（Ｓ．．２ｌｌ）
、５．１０（ＳｌｌＨ）、５．２１（Ｓ．．ｌＨ）、５
．５５（ＳｌｌＨ）、５．２〜５．８５（Ｍ．．２Ｈ）
、６．７〜７．４（Ｍ，．５ｌ（）、７．６（Ｄ．．Ｊ
＝１０．５Ｈｚ１１Ｈ）実施例１６化合物〔■〕（Ｒ１
＝ｐ−クロベンジル、Ｒ２＝ｐ−ニトロベンジル、Ｒ３
：ニー？．＋Ｒ４、Ｒ４＝イソプロピル）を用いて実施
例１と同様の操作、処理を行うと化合物〔１〕（Ｒ１＝
ｐ−クロルベンジル、Ｒ２＝ｐ−ニトロベンジル、８・
−」＋８・、Ｒ゛＝イソプロピル）を得る。

収率斜％ＩＲ，．ＮＭＲで確認同定した。

元素分析 理論値Ｃ：５０．９８％Ｈ：４．４５％Ｎ：６．８６％
実測値Ｃ：５０．６１％Ｈ：４．４４％Ｎ：６．８５％
実施例１７化合物〔■〕（Ｒ１＝ｐ−ニトロフェノキシ
メチル、Ｒ２＝フエノキシメチル、Ｒ３−ー？＋８４、
Ｒ４＝ｔ−ブチル）を用いて実施例１と同様の動作、処
理を行うと化合物〔１〕（Ｒ１＝ｐ−ニトロフェノキシ
メチル、Ｒ２＝フエノキシメチル、ｎ−ブチル）を得る
。

収率８２．０％ＩＲ．．ＮＭＲで確認同定した。

元素分析値 理論値Ｃ：５１．９６％Ｈ：４．８５％Ｎ：６．７３％
実測値Ｃ：５１．９２％Ｈ：４．８４％Ｎ：６．７５％
実施例１８化合物〔■〕（Ｒ１＝ｐ−メトキシベンジル
、Ｒ２＝２−クロロエチル、＝エチル）を用いて実施例
１２の同様の操作、処理を行うと化合物〔１〕（Ｒ１＝
ｐ−メトキシベンジル、Ｒ２＝２−クロロエチル、
１１Ｒ゛＝エチル）を得る。

収Ｒ３＝ーＳ−ーーＣ−Ｒ４− 化合物〔■〕（Ｒ１＝ｐ−メトキシフェノキシメチル、
Ｒ２＝ジフエニルメチル、 Ｒ４＝ｎ
−プロピル）を用いて実施例１２と同様の操作、処理を
行うと、化合物〔１〕（Ｒ１＝ｐ−メトキシフェノキシ
メチル、１Ｒ２＝ジフエニルメチル、Ｒ３＝ーＳ−Ｋ
］Ｒ４＝ｎ−プロピル）を得る。

収率８５％″ 訳、ＮＭＲで確認同定を行つた。

元素分析 理論値Ｃ：６２．７０％Ｈ：５．４３％Ｎ：４．３０％
実測値Ｃ：６２．７３％Ｈ：５．４０％Ｎ：４．２９％
実施例２０） 化合物〔■〕（Ｒ１＝ベンジル、Ｒ２＝
ｐ−ニトロフェノキシメチル、Ｒ３＝ーＳ−ＳＯ２−Ｒ
５、Ｒ５＝フエニル）を用いて実施例１３と同様の操作
、処理を行うと、化合物〔１〕（Ｒ１＝ベンジル、Ｒ２
＝ｐ−ニトロフェノキシメチル、Ｒ３＝ーＳ−ＳＯ２一
．Ｒ５、Ｒ５＝フエニル）を得る。

収率８３％■、ＮＭＲで確認同定を行つた。元素分析 理論値Ｃ：５２．７６％Ｈ：３．９８％Ｎ：６．３７％
実測値Ｃ：５２．７９％Ｈ：３．９７％Ｎ：６．３８％
実施例１２化合物〔■〕（Ｒ１＝フエノキシメチル、Ｒ
２＝ｐ−メトキシベンジル、Ｒ３＝ーＳ−ＳＯ２−Ｒ５
、Ｒ５＝ｐ−クロルフェニル）を用いて実施例１３と同
様の操作、処理を行うと、化合物〔１〕（Ｒ１、Ｒ２、
Ｒ３、Ｒ５上記に同じ）を得る。

収率８６．５％釈、ＮＭＲで確認同定した。元素分析 理論値Ｃ：５３．０１％Ｈ：４．１６％Ｎ：４．１２％
実測値Ｃ：５３．０４％Ｈ：４．１５％Ｎ：４．１５％
実施例 坐化合物〔■〕（Ｒ１＝ｐ−ニトロベンジル、
Ｒ２＝フェノキシメチル、＝ｎ−プロピル）を用いて実
施例１５と同様の操作、処理を行うと化合物〔１〕（Ｒ
１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４上記に同じ）を得る。

収率８３％実施例２３ 化合物〔■〕（Ｒ１＝フエノキシメチル、Ｒ２＝ベンジ
ル、Ｒ３−ーＳ−Ｎ１ １）を用いて、実施例１４と同
様の操作、処理を行つて化合物〔１〕（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ
３）は上記に同じ）を得た。

収率８３．５％■、ＮＭＲで確認同定した。

元素分析 理論値Ｃ：６０．０４％Ｈ：４．２３％Ｎ：６．７８％
実測値Ｃ：６０．０１％Ｈ：４．２２％Ｎ：６．８１％
参考例３３−クロロメチルー７−フェニルアセトアミド
ー３−セフエムー４−カルボン酸ベンジルエステルの合
成３−クロロメチルー２−（３−フェニルアセトアミド
ー４−フェニルスルホニルチオー２−アゼチジノンー１
−イル）−３−ブテン酸ベンジルエステ１０１ｍ９と乾
燥ＤＭＦｌｍｌを反応容器中で混合し均一溶媒とする。

反応容器をドライアイスーアセトン浴にひたして−２５
℃に冷却する。これに市販の２８％アンモニア水１５．
５μｅを加え、つづいて反応温度を−３０〜−２０℃の
範囲に保ち、１時間攪拌する。反応後５％塩酸５滴を加
えたのち酢酸エチルを約３０ｍ１加える。氷を浮べた食
塩水中に反応混合物を移し、有機層を分離する。得られ
た有機層を飽和食塩水で２回洗い、得られた有機層を無
水硫酸ナトリウム上で乾燥した後、濃縮する。得られた
残渣をシリカゲルカラムによつて精製し、３−クロロメ
チルー７−フェニルアセトアミドー３−セフエムー４−
カルボン酸ベンジルエステルが６８ｍｇ（収率８％）得
られる。以下に得られた化合物の分析値を示す。

ＩＲ（ＣＨＣｌ３）：１７９０１１７３０、１６８２（
Ｃ７７！−１）ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δＰｐｍ＝３．
３２及び３．６０（２ＦＩ１ＡＢｑ１１８Ｈｚ）、３．
５３（２Ｈ１ｓ）、４．３１及び４．４５（２Ｈ．．Ａ
Ｂｑ１１２Ｈｚ）、４．８６（１Ｈ．．ｄ１５Ｈｚ）、
５．２０（２Ｈ，．ｓ）、５．７７（１Ｈ．．ｄ．ｄ１
５Ｈｚ１９．２Ｈｚ）、６．４３（１Ｈ．．ｄ１９．２
Ｈｚ）、７．２７（５Ｈ．．ｓ）、７．３３（５１（、
ｓ）比較例１ 特開昭５１−１２２０３吋公報に記載の実施例４に準じ
て反応を行なつた。

即ちリチウムイソプロピルアミド溶液〔無水テトラヒド
ロフラン５ｍ１１ジイソプロピルアミン２．５ｇ及びｎ
−ブチルリチウム１．２ｍ１（２％ヘキサン溶液）で調
製〕を−７８℃にてベンジルーα−クロロイソプロピリ
デンー４−オキソー３−フェニルアセトアミドー１−ア
ゼチジンアセテート２．５ｙを無水テトラヒドロフラン
５ｍ１に溶解した液に攪拌しながら滴下する。−７８℃
で３紛おいたのち反応混合物を酢酸２ｍ１と無水テトラ
ヒドロフラン２ｍ１の溶液と混合し、温度を１０〜２０
゜Ｃに上昇させる。次いで酢酸エチルにて抽出を行ない
、得られた酢酸エチル溶液を水洗、乾燥（Ｎａ２ＳＯ４
）し、溶媒を減圧で除去した後、得られた残渣をシリカ
ゲルカラムにて精製すると目的の３−クロロメチルー７
−フェニルアセトアミドー３−セフエムー４−カルボン
酸ベンジルエステルが９０ｍ９得られた（収率５％）。
比較例２ ベンジル２−チオヒドラゾジカルボキシエチルーα−ク
ロロイソプロピリデンー４−オキソー３−フェニルアセ
トアミドー１−アゼチジンアセテート２．５ｙと乾燥Ｄ
ＭＦ２５ｍｌを反応容器中で混合し均一溶媒とする。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒ＾１はアリールメチル基又はアリールオキシメ
   チル基を示す。 Ｒ＾２はハロゲン原子を置換基として有することのある
   低級アルキル基、アリールメチル基又はアリールオキシ
   メチル基を示す。Ｒ＾３は基▲数式、化学式、表等があ
   ります▼（Ｒ＾４は低級アルキル基）、基▲数式、化学
   式、表等があります▼（Ｒ＿４は前記に同じ）、基−Ｓ
   −ＳＯ＿２−Ｒ＾５（Ｒ＾５はアリール基）、基▲数式
   、化学式、表等があります▼（Ｒ＾４は前記に同じ）基
   ▲数式、化学式、表等があります▼又は基▲数式、化学
   式、表等があります▼を示す。 但しＲ＾３が基▲数式、化学式、表等があります▼を示
   す場合には、Ｒ＾１がベンジル基を示し且つＲ＾２がメ
   チル基を示すものとする。 〕で表わされる塩素化アゼチジノン誘導体。２ 塩酸及
   び／又は塩化物の存在下に一般式▲数式、化学式、表等
   があります▼〔式中Ｒ＾１はアリールメチル基又はアリ
   ールオキシメチル基を示す。 Ｒ＾２はハロゲン原子を置換基として有することのある
   低級アルキル基、アリールメチル基又はアリールオキシ
   メチル基を示す。Ｒ＾３は基▲数式、化学式、表等があ
   ります▼（Ｒ＿４は低級アルキル基）、基▲数式、化学
   式、表等があります▼（Ｒ＾４は前記に同じ）、基−Ｓ
   −ＳＯ＿２−Ｒ＾５（Ｒ＾５はアリール基）、基▲数式
   、化学式、表等があります▼（Ｒ＾４は前記に同じ）基
   ▲数式、化学式、表等があります▼又は基▲数式、化学
   式、表等があります▼を示す。 但しＲ＾３が基▲数式、化学式、表等があります▼を示
   す場合には、Ｒ＾１がベンジル基を示し且つＲ＾２がメ
   チル基を示すものとする。 〕で表わされるアゼチジノン誘導体を電解処理して一般
   式▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒ＾１、Ｒ＾２びＲ＾３は前記と同じ。 〕で表わされる塩素化アゼチジノン誘導体を得ることを
   特徴とする塩素化アゼチジノン誘導体の製造法。３ 反
   応系内に鉱酸又は有機酸を存在させて電解処理を行なう
   特許請求の範囲第２項に記載の方法。 ４ 反応媒体として低級カルボン酸エステル又はハロゲ
   ン化炭化水素を使用する特許請求の範囲第２項又は第３
   項に記載の方法。 ５ −３０〜６０℃にて電解処理を行なう特許請求の範
   囲第２項乃至第４項のいずれかに記載の方法。