JPS60187689A - 3−エキソメチレンセフアム誘導体の製造法 - Google Patents
3−エキソメチレンセフアム誘導体の製造法Info
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- JPS60187689A JPS60187689A JP59043535A JP4353584A JPS60187689A JP S60187689 A JPS60187689 A JP S60187689A JP 59043535 A JP59043535 A JP 59043535A JP 4353584 A JP4353584 A JP 4353584A JP S60187689 A JPS60187689 A JP S60187689A
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- halomethylcephem
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D501/00—Heterocyclic compounds containing 5-thia-1-azabicyclo [4.2.0] octane ring systems, i.e. compounds containing a ring system of the formula:, e.g. cephalosporins; Such ring systems being further condensed, e.g. 2,3-condensed with an oxygen-, nitrogen- or sulfur-containing hetero ring
- C07D501/02—Preparation
- C07D501/04—Preparation from compounds already containing the ring or condensed ring systems, e.g. by dehydrogenation of the ring, by introduction, elimination or modification of substituents
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61K—PREPARATIONS FOR MEDICAL, DENTAL OR TOILETRY PURPOSES
- A61K31/00—Medicinal preparations containing organic active ingredients
- A61K31/33—Heterocyclic compounds
- A61K31/395—Heterocyclic compounds having nitrogen as a ring hetero atom, e.g. guanethidine or rifamycins
- A61K31/54—Heterocyclic compounds having nitrogen as a ring hetero atom, e.g. guanethidine or rifamycins having six-membered rings with at least one nitrogen and one sulfur as the ring hetero atoms, e.g. sulthiame
- A61K31/542—Heterocyclic compounds having nitrogen as a ring hetero atom, e.g. guanethidine or rifamycins having six-membered rings with at least one nitrogen and one sulfur as the ring hetero atoms, e.g. sulthiame ortho- or peri-condensed with heterocyclic ring systems
- A61K31/545—Compounds containing 5-thia-1-azabicyclo [4.2.0] octane ring systems, i.e. compounds containing a ring system of the formula:, e.g. cephalosporins, cefaclor, or cephalexine
-
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- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
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- C07D501/14—Compounds having a nitrogen atom directly attached in position 7
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B3/00—Electrolytic production of organic compounds
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ll」3欠机四m
本発明は、3−エキソメチレンセファム誘導体の製造法
、更に詳しくは一般式 E式中R1はアリールアセチルアミノ基、アリールオキ
シアセチルアミノ基、複素環アセチルアミノ基又はイミ
ド基を示す。R2はカルボキシル基の保護基を示す。]
で表わされる3−エキソメチレンセファム誘導体の製造
法に関する。
、更に詳しくは一般式 E式中R1はアリールアセチルアミノ基、アリールオキ
シアセチルアミノ基、複素環アセチルアミノ基又はイミ
ド基を示す。R2はカルボキシル基の保護基を示す。]
で表わされる3−エキソメチレンセファム誘導体の製造
法に関する。
上記一般式(I)で表わされる3−エキソメチレンセフ
ァム誘導体は、非天然型のセファロスポリン系抗生物質
を合成するための中間体として重要な化合物である[
” Recent A dvances 1nthe
Chemistry of β−1−actamAnt
ibioNcs″T he Royal S ocie
ty ofChemistry Burinton H
ouse、 L ondon 。
ァム誘導体は、非天然型のセファロスポリン系抗生物質
を合成するための中間体として重要な化合物である[
” Recent A dvances 1nthe
Chemistry of β−1−actamAnt
ibioNcs″T he Royal S ocie
ty ofChemistry Burinton H
ouse、 L ondon 。
p15参照コ。
従 来 技 術
従来一般式(I)で表わされる3−エキソメチレンセフ
ァム誘導体の製造法としては、天然のセファロスポリン
Cの化学変換による方法やペニシリンから誘導する方法
が知られている。前者の方法には原料として用いられる
天然のセファロスポリンCが高価で入手し難いという欠
点があり、そのため一般には出発原料が安価に入手でき
る点において有利な後者の方法が広く採用されている。
ァム誘導体の製造法としては、天然のセファロスポリン
Cの化学変換による方法やペニシリンから誘導する方法
が知られている。前者の方法には原料として用いられる
天然のセファロスポリンCが高価で入手し難いという欠
点があり、そのため一般には出発原料が安価に入手でき
る点において有利な後者の方法が広く採用されている。
ペニシリンから一般式(I)で表わされる3−エキソメ
チレンセファム誘導体を誘導する方法としては、例えば
下記反応式に示すように、ペニシリンのS−オキシド(
II)の熱分解で得られるスルフェン酸誘導体(Iff
)を閉環して3−エキソメチレンセファム−8−オキシ
ド誘導体(rV)とし、次いで該誘導体(IV)を還元
して目的とする3−エキソメチレンセファム誘導体(I
)に変換する方法が知うレテイる[3. Kukolj
aら、J、Am 。
チレンセファム誘導体を誘導する方法としては、例えば
下記反応式に示すように、ペニシリンのS−オキシド(
II)の熱分解で得られるスルフェン酸誘導体(Iff
)を閉環して3−エキソメチレンセファム−8−オキシ
ド誘導体(rV)とし、次いで該誘導体(IV)を還元
して目的とする3−エキソメチレンセファム誘導体(I
)に変換する方法が知うレテイる[3. Kukolj
aら、J、Am 。
Chem 、 Soc、 、 98.5040 (19
76)参照]。
76)参照]。
(II) (III)
(rV) ’ (I)
しかしながら、上記の方法では、ペニシリン−8−オキ
シド誘導体(If)の開環塩素化の際に、当量以上のN
−クロロサクシンイミドを必要とし、また得られたアゼ
チジノン誘導体(III)を閉環する際に、少なくとも
当量の塩化第二スズを必要とし、さらに3−エキソメチ
レンセファム−8−オキシド誘導体(IV )の還元の
際に、多量の三価リン化合物を必要とする。該反応の各
ステップに使用される試薬は、それぞれその取扱いに注
意を必要とし、且つ廃棄物処理等に問題がある。従って
該方法は工業的製造法としては満足し難いものである。
シド誘導体(If)の開環塩素化の際に、当量以上のN
−クロロサクシンイミドを必要とし、また得られたアゼ
チジノン誘導体(III)を閉環する際に、少なくとも
当量の塩化第二スズを必要とし、さらに3−エキソメチ
レンセファム−8−オキシド誘導体(IV )の還元の
際に、多量の三価リン化合物を必要とする。該反応の各
ステップに使用される試薬は、それぞれその取扱いに注
意を必要とし、且つ廃棄物処理等に問題がある。従って
該方法は工業的製造法としては満足し難いものである。
発明の目的 び構
本発明は、上記3−エキソメチレンセファム誘導体(I
)の工業的に有利な製造法を提供するものである。
)の工業的に有利な製造法を提供するものである。
本発明の方法によれば、3−エキソメチレンセファム誘
導体(I)は、一般式 [式中R1及びR2は前記に同じ。Xはハロゲン原子を
示す。]で表わされる3−ハロメチルセフェム化合物を
含水有機溶媒中電解することにより製造される。
導体(I)は、一般式 [式中R1及びR2は前記に同じ。Xはハロゲン原子を
示す。]で表わされる3−ハロメチルセフェム化合物を
含水有機溶媒中電解することにより製造される。
本明細書において R1で示される基としては、セファ
ロスポリンの7位置換基又はペニシリンの6位置換基と
して使用できる基であれば特に限定されない。アリール
アセチルアミノ基としては、例えばフェニルアセチルア
ミノ、フェニルグリシルアミノ、p−ヒドロキシグリシ
ルアミノ又はそのN−アシル体、α−スルホニルフェニ
ルアセチルアミノ、α−ヒトOキシアセチルアミン、α
−カルバモイルフェニルアセチルアミノ、p〜メトキシ
フェニルアセチルアミノ、p−クロロフェニルアセチル
アミノ、p−ヒドロキシフェニルアセチルアミノ、α−
ナフチルアセチルアミノ、β−ナフチルアセチルアミノ
基等を挙げることができ、またアリールオキシアセチル
アミノ基としては、例えばノエノキシアセチルアミン、
p−クロロフェノキシアセチルアミノ、p−ブロムフェ
ノキシアセチルアミン、p−メトキシアセチルアミノ基
等を挙げることができ、複素環アセチルアミノ基として
は、例えばテトラゾールアセチルアミノ、チェニルアセ
チルアミン、2−アミノチアゾールアセチルアミノ、フ
リルアセデルアミノ基及びそのα位の置換体等を挙げる
ことができる。イミド基としては、例えばサクシンイミ
ド、フタルイミド基及び上記アミン基の保護基であるア
シル基が2個置換したイミド基等を挙げることができる
。
ロスポリンの7位置換基又はペニシリンの6位置換基と
して使用できる基であれば特に限定されない。アリール
アセチルアミノ基としては、例えばフェニルアセチルア
ミノ、フェニルグリシルアミノ、p−ヒドロキシグリシ
ルアミノ又はそのN−アシル体、α−スルホニルフェニ
ルアセチルアミノ、α−ヒトOキシアセチルアミン、α
−カルバモイルフェニルアセチルアミノ、p〜メトキシ
フェニルアセチルアミノ、p−クロロフェニルアセチル
アミノ、p−ヒドロキシフェニルアセチルアミノ、α−
ナフチルアセチルアミノ、β−ナフチルアセチルアミノ
基等を挙げることができ、またアリールオキシアセチル
アミノ基としては、例えばノエノキシアセチルアミン、
p−クロロフェノキシアセチルアミノ、p−ブロムフェ
ノキシアセチルアミン、p−メトキシアセチルアミノ基
等を挙げることができ、複素環アセチルアミノ基として
は、例えばテトラゾールアセチルアミノ、チェニルアセ
チルアミン、2−アミノチアゾールアセチルアミノ、フ
リルアセデルアミノ基及びそのα位の置換体等を挙げる
ことができる。イミド基としては、例えばサクシンイミ
ド、フタルイミド基及び上記アミン基の保護基であるア
シル基が2個置換したイミド基等を挙げることができる
。
R2で示されるカルボキシル基の保護基としては、T
heodora W 、 Greeneによる“P r
otectiveQ roups in Q rgan
tc S ynthesis”第5章記載の保護基が使
用できる。カルボキシル基の保護基の具体例としては、
例えばメチル、エチル、プロピル、tert−ブチル、
メトキシメチル、メトキシエトキシメチル、1−ブOボ
キシメチル、1−メトキシカルボニル−2−オキソプロ
ピル、ベンジル、0−ニトロベンジル、p−ニトロベン
ジル、0、p−ジニトロベンジル、p−メトキシベンジ
ル、トリメトキシベンジル、トリメトキシジクロルベン
ジル、ビペロニル、ジフェニルメチル、ビス(p−メト
キシフェニル)メチル、ジトリルメチル、フェニル−p
−メトキシフェニルメチル、フェナシル、ベンジルオキ
シメチル、トリチル、α−ジフェニルエチル、α−p−
メトキシフェニルエチル、クミル、70−レニル基等を
例示できる。またXで示されるハロゲン原子としては、
例えば塩素原子、臭素原子、沃素原子等を挙げることが
できる。
heodora W 、 Greeneによる“P r
otectiveQ roups in Q rgan
tc S ynthesis”第5章記載の保護基が使
用できる。カルボキシル基の保護基の具体例としては、
例えばメチル、エチル、プロピル、tert−ブチル、
メトキシメチル、メトキシエトキシメチル、1−ブOボ
キシメチル、1−メトキシカルボニル−2−オキソプロ
ピル、ベンジル、0−ニトロベンジル、p−ニトロベン
ジル、0、p−ジニトロベンジル、p−メトキシベンジ
ル、トリメトキシベンジル、トリメトキシジクロルベン
ジル、ビペロニル、ジフェニルメチル、ビス(p−メト
キシフェニル)メチル、ジトリルメチル、フェニル−p
−メトキシフェニルメチル、フェナシル、ベンジルオキ
シメチル、トリチル、α−ジフェニルエチル、α−p−
メトキシフェニルエチル、クミル、70−レニル基等を
例示できる。またXで示されるハロゲン原子としては、
例えば塩素原子、臭素原子、沃素原子等を挙げることが
できる。
本発明において出発原料として用いられる3−ハロメチ
ルセフェム化合物(V)は、いずれも公知の化合物であ
り、ペニシリンから容易に合成され得る化合物である[
鳥居滋ら、テトラヘドロンレター、23.2187 (
1982)参照]。
ルセフェム化合物(V)は、いずれも公知の化合物であ
り、ペニシリンから容易に合成され得る化合物である[
鳥居滋ら、テトラヘドロンレター、23.2187 (
1982)参照]。
本発明の方法は含水有機溶媒中で電解を行なうことを特
徴としている。従来より水系で電解を行なうと、溶媒と
して水を使用するので安価で取扱いが容易でありかつ電
解質を溶解しやすい為に、高価で特殊な有機系溶媒中で
電解を行なうよりも効率がよいことが知られている。し
かし本発明の原料である3−ハロメチルセフェム化合物
は水に溶解しない。水に溶解する為には3−ハロメチル
セフェム化合物をフリーの酸又はその塩にする必要があ
る。しかしフリーの酸又は塩で電解を行なうと得られる
3−エキソメチレンセファム誘導体が不安定であり、そ
れより安定化された生成物である3−メチルセフェム誘
導体が副生成物として得られる。本発明者らは得られる
3−エキソメチレンセファム誘導体がエステルでは安定
であることに注目し、上記欠点を共に解決する方法とし
て含水有機溶媒中出発原料の3−八日メチルセフェムの
エステルを電解する方法を見い出し、これにより高収率
で安定な3−エキソメチレンセファムのエステル誘導体
を得ることが可能となったのである。用いられる有機溶
媒としては、具体的にはテトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、ジエチルエーテル等のエーテル類、アセトニトリル
、ブチロニトリル等のニトリル類、メタノール、エタノ
ール、プロパツール、イソプロパツール、tert−ブ
チルアルコール、エチレングリコール等のアルコール類
、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン等の
ケトン類、ジメチルホルムアミド及びジメチルスルホキ
シドからなる群から選ばれた少なくとも1種の親水性有
11溶媒や該親水性有機溶媒を主成分とする溶媒が挙げ
られる。上記有驕溶媒と水との割合としては、出発原料
として用いられる3 −/S oメチルセフェム化合物
<V>の種類等により異なり一概には言えないが、通常
前者:後者を重量比で100:1〜1:10、好ましく
は20:1〜1:5の範囲内になるように適宜選択する
のがよい。また含水有機溶媒の量としては、出発原料と
して用いられる3−ハロメチルセフェム化合物(V)の
種類等により異なり一概には言えないが、該化合物(V
)に対して通常0.3〜i ooo重量倍、好ましくは
0.5〜100重量倍使用される。
徴としている。従来より水系で電解を行なうと、溶媒と
して水を使用するので安価で取扱いが容易でありかつ電
解質を溶解しやすい為に、高価で特殊な有機系溶媒中で
電解を行なうよりも効率がよいことが知られている。し
かし本発明の原料である3−ハロメチルセフェム化合物
は水に溶解しない。水に溶解する為には3−ハロメチル
セフェム化合物をフリーの酸又はその塩にする必要があ
る。しかしフリーの酸又は塩で電解を行なうと得られる
3−エキソメチレンセファム誘導体が不安定であり、そ
れより安定化された生成物である3−メチルセフェム誘
導体が副生成物として得られる。本発明者らは得られる
3−エキソメチレンセファム誘導体がエステルでは安定
であることに注目し、上記欠点を共に解決する方法とし
て含水有機溶媒中出発原料の3−八日メチルセフェムの
エステルを電解する方法を見い出し、これにより高収率
で安定な3−エキソメチレンセファムのエステル誘導体
を得ることが可能となったのである。用いられる有機溶
媒としては、具体的にはテトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、ジエチルエーテル等のエーテル類、アセトニトリル
、ブチロニトリル等のニトリル類、メタノール、エタノ
ール、プロパツール、イソプロパツール、tert−ブ
チルアルコール、エチレングリコール等のアルコール類
、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン等の
ケトン類、ジメチルホルムアミド及びジメチルスルホキ
シドからなる群から選ばれた少なくとも1種の親水性有
11溶媒や該親水性有機溶媒を主成分とする溶媒が挙げ
られる。上記有驕溶媒と水との割合としては、出発原料
として用いられる3 −/S oメチルセフェム化合物
<V>の種類等により異なり一概には言えないが、通常
前者:後者を重量比で100:1〜1:10、好ましく
は20:1〜1:5の範囲内になるように適宜選択する
のがよい。また含水有機溶媒の量としては、出発原料と
して用いられる3−ハロメチルセフェム化合物(V)の
種類等により異なり一概には言えないが、該化合物(V
)に対して通常0.3〜i ooo重量倍、好ましくは
0.5〜100重量倍使用される。
本発明の電解反応を行なうに際して、反応系内に支持電
解質が添加される。支持電解質としては、この分野で従
来公知のものを広く使用でき、例えばLi CQ OL
、Na C1204等の過塩素酸のアルカリ金属塩、M
(] (CG10a )2等の過塩素酸のアルカリ土類
金属塩、NHLCQOt、(C2H5)□NCl20A
等の過塩素酸のアンモニウム塩、Lt BFA 、Na
BF4等の硼弗化水素酸のアルカリ金属塩、NaC9
等のハロゲン化水素酸のアルカリ金属塩、N)−140
Q、NH43r等のハロゲン化水素酸のアンモニウム塩
、NHA HSO4、(NHA )28ot等の硫酸の
アンモニウム塩、パラトルエンスルホン酸ナトリウム、
パラトルエンスルホン酸リチウム等のスルホン酸のアル
カリ金属塩等が挙げられる。本発明ではこれら支持電解
質を一種又は二種以上混合して使用できる。斯かる支持
電解質の使用量としては、用いられる溶媒の種類等によ
り異なり一概には言えないが、通常溶媒に対して0.1
〜10wt%程度、好ましくは0.1〜5wt%程度用
いられる。
解質が添加される。支持電解質としては、この分野で従
来公知のものを広く使用でき、例えばLi CQ OL
、Na C1204等の過塩素酸のアルカリ金属塩、M
(] (CG10a )2等の過塩素酸のアルカリ土類
金属塩、NHLCQOt、(C2H5)□NCl20A
等の過塩素酸のアンモニウム塩、Lt BFA 、Na
BF4等の硼弗化水素酸のアルカリ金属塩、NaC9
等のハロゲン化水素酸のアルカリ金属塩、N)−140
Q、NH43r等のハロゲン化水素酸のアンモニウム塩
、NHA HSO4、(NHA )28ot等の硫酸の
アンモニウム塩、パラトルエンスルホン酸ナトリウム、
パラトルエンスルホン酸リチウム等のスルホン酸のアル
カリ金属塩等が挙げられる。本発明ではこれら支持電解
質を一種又は二種以上混合して使用できる。斯かる支持
電解質の使用量としては、用いられる溶媒の種類等によ
り異なり一概には言えないが、通常溶媒に対して0.1
〜10wt%程度、好ましくは0.1〜5wt%程度用
いられる。
本発明の電解還元は、非分離単一セル及び陽陰極室を隔
膜で分離した分離セルのいずれを用いても行なうことが
できる。また本発明の電解には、通常の電解反応に用い
られる電極を広く使用でき、具体的には陽極素材として
白金、ステンレス、炭素、酸化鉄、表面処理したチタン
等が、また陰極素材として亜鉛、鉛、銅、ニッケル、ス
テンレス、白金、炭素等がそれぞれ例示できる。
膜で分離した分離セルのいずれを用いても行なうことが
できる。また本発明の電解には、通常の電解反応に用い
られる電極を広く使用でき、具体的には陽極素材として
白金、ステンレス、炭素、酸化鉄、表面処理したチタン
等が、また陰極素材として亜鉛、鉛、銅、ニッケル、ス
テンレス、白金、炭素等がそれぞれ例示できる。
本発明の1!解には、定電位電解法及び定電流電解法の
いずれをも採用することができるが、装置や操作の簡便
さの点で定電流電解法を採用するのが望ましい。電流密
度は、通常1〜500mA/can2、好ましくは5〜
50m A/cn+2(7)範囲内とするのがよい。電
解温度は、通常−10〜50℃、好ましくは0〜30℃
の範囲内である。また通電電気量は、用いる電解槽の型
状、出発原料である3−ハロメチルセフェム化合物(V
)の種類、用いる溶媒の種類等により異なり一概には言
えないが、通常出発原料(v)1モル当り2〜10F1
好ましくは2〜5Fとするのがよく、上記電気量を通電
すると反応は完結する。
いずれをも採用することができるが、装置や操作の簡便
さの点で定電流電解法を採用するのが望ましい。電流密
度は、通常1〜500mA/can2、好ましくは5〜
50m A/cn+2(7)範囲内とするのがよい。電
解温度は、通常−10〜50℃、好ましくは0〜30℃
の範囲内である。また通電電気量は、用いる電解槽の型
状、出発原料である3−ハロメチルセフェム化合物(V
)の種類、用いる溶媒の種類等により異なり一概には言
えないが、通常出発原料(v)1モル当り2〜10F1
好ましくは2〜5Fとするのがよく、上記電気量を通電
すると反応は完結する。
上記電解反応終了後、電解溶液を濃縮し、通常の抽出操
作を行なうことにより、目的とする3−エキソメチレン
セファム誘導体(I)をほぼ純品として得ることができ
る。更にII製が必要であれば、再結晶法、カラムクロ
マト法等の慣用の精製手段を採用すればよい。
作を行なうことにより、目的とする3−エキソメチレン
セファム誘導体(I)をほぼ純品として得ることができ
る。更にII製が必要であれば、再結晶法、カラムクロ
マト法等の慣用の精製手段を採用すればよい。
大−mm=
以下に実施例を掲げて本発明をより一層明らかにする。
尚phはフェニル基を意味する。
実施例1
〈
〈
陽陰極室をガラスフィルターで分離したH管壁分離セル
を用意し、これにテトラヒドロフラン12鶴、水3鶴、
Lt CQOA 330tI1g及びNHA CQ 0
L467+11(lより調整した混合溶液を陽陰極室に
加える。7−フェニルアセトアミド−3−クロロメチル
セフェム−4−カルボンflp−メトキシベンジルエス
テル51mgを陰極室に加え、撹拌して均一溶液とする
。次に陽極として白金(表面積1.5012)及び陰極
として鉛電極(表面積1.50II12)をそれぞれセ
ットし、室温下電流密度を6.6m A/cn2に一定
に保ち電解を85分行ない5F/molの電気量を通電
した。通電終了後、陰極室の電解液を取り出し、減圧上
溶媒を留去する。残液より酢酸エチルで抽出した後、抽
出液を飽和食塩水で2回洗浄し、無水硫酸ナトリウム上
で乾燥する。乾燥後抽出液を減圧下濃縮すると白色結晶
が得られる。
を用意し、これにテトラヒドロフラン12鶴、水3鶴、
Lt CQOA 330tI1g及びNHA CQ 0
L467+11(lより調整した混合溶液を陽陰極室に
加える。7−フェニルアセトアミド−3−クロロメチル
セフェム−4−カルボンflp−メトキシベンジルエス
テル51mgを陰極室に加え、撹拌して均一溶液とする
。次に陽極として白金(表面積1.5012)及び陰極
として鉛電極(表面積1.50II12)をそれぞれセ
ットし、室温下電流密度を6.6m A/cn2に一定
に保ち電解を85分行ない5F/molの電気量を通電
した。通電終了後、陰極室の電解液を取り出し、減圧上
溶媒を留去する。残液より酢酸エチルで抽出した後、抽
出液を飽和食塩水で2回洗浄し、無水硫酸ナトリウム上
で乾燥する。乾燥後抽出液を減圧下濃縮すると白色結晶
が得られる。
得られた粗結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
すると純品の7−フェニルアセトアミド−3−1キソメ
チレンセファム−4−カルボン酸p−メトキシベンジル
エステル41.1mg(収率87%)を得る。
すると純品の7−フェニルアセトアミド−3−1キソメ
チレンセファム−4−カルボン酸p−メトキシベンジル
エステル41.1mg(収率87%)を得る。
得られた化合物のNMRを第5表に示す。
実施例2〜8
電極を第1表に示すIiwAに変える以外は実施例1と
同様に処理する。生成物のN M Rは実施例1で得ら
れる化合物の結果と一致した。
同様に処理する。生成物のN M Rは実施例1で得ら
れる化合物の結果と一致した。
第1表
実施例9〜14
条件を第2表に示す条件に変える以外は実施例1と同様
に処理する。生成物のNMRは実施例1で得られる化合
物の結果と一致した。
に処理する。生成物のNMRは実施例1で得られる化合
物の結果と一致した。
第2表
実施例15〜17
条件を第3表に示す条件に変える以外は実施例1と同様
に処理する。生成物のNMRは実施例1で得られる化合
物の結果と一致した。
に処理する。生成物のNMRは実施例1で得られる化合
物の結果と一致した。
第3表
実施例18〜27
反応基質及び通電電気量を第4表に示す化合物に変える
以外は実施例1と同様の処理を行ない、対応する目的化
合物を得た。得られた結果を第5表に示す。
以外は実施例1と同様の処理を行ない、対応する目的化
合物を得た。得られた結果を第5表に示す。
杢W
本発明の方法は、入手容易な3−ハロメチルセフェム化
合物(V)を出発原料とし、反応操作は簡易であり、ま
た簡易な単離操作で目的とする安定な3−エキソメチレ
ンセファム誘導体(I)を高純度で製造し得るものであ
る。また本発明の方法では、N−クロロサクシンイミド
、塩化第二スズ、三価リン化合物等の使用は不必要であ
り、その取扱いや廃棄物処理等が問題となることはない
。
合物(V)を出発原料とし、反応操作は簡易であり、ま
た簡易な単離操作で目的とする安定な3−エキソメチレ
ンセファム誘導体(I)を高純度で製造し得るものであ
る。また本発明の方法では、N−クロロサクシンイミド
、塩化第二スズ、三価リン化合物等の使用は不必要であ
り、その取扱いや廃棄物処理等が問題となることはない
。
従って、本発明の方法は、3−エキソメチレンセファム
誘導体(I)の工業的製造方法として極めて有利な方法
である。
誘導体(I)の工業的製造方法として極めて有利な方法
である。
(以 上)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ 一般式 E式中R1はアリールアセチルアミノ基、アリールオキ
シアセチルアミノ基、複素環アセチルアミノ基又はイミ
ド基を示す。R2はカルボキシル基の保護基を示す。X
はハロゲン原子を示す。] で表わされる3−ハロメチルセフェム化合物を含水有機
溶媒中電解することを特徴とする一般式 [式中R1及びR2は前記に同じ。] で表わされる3−エキソメチレンセファム誘導体の製造
法。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59043535A JPS60187689A (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | 3−エキソメチレンセフアム誘導体の製造法 |
GB08505028A GB2157287B (en) | 1984-03-06 | 1985-02-27 | Process for preparing 3-exomethylenecepham derivatives |
US06/707,767 US4629542A (en) | 1984-03-06 | 1985-03-04 | Process for preparing 3-exomethylenecepham derivatives |
DE19853507592 DE3507592A1 (de) | 1984-03-06 | 1985-03-04 | Verfahren zur herstellung von 3-exomethylencepham-derivaten |
IT05129/85A IT1187225B (it) | 1984-03-06 | 1985-03-05 | Procedimento per preparare 3-esometilenecefam derivati |
IT1985A05129A IT8505129A1 (it) | 1984-03-06 | 1985-03-05 | Procedimento per preparare 3-esometilenecefam derivati |
CH1014/85A CH664155A5 (de) | 1984-03-06 | 1985-03-05 | Verfahren zur herstellung von 3-exomethylencepham-derivaten. |
NL8500607A NL193407C (nl) | 1984-03-06 | 1985-03-05 | Werkwijze voor de bereiding van 3-exomethyleencefamderivaten. |
FR8503277A FR2562896B1 (fr) | 1984-03-06 | 1985-03-06 | Procede de preparation de derives de 3-exomethylenecephame |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59043535A JPS60187689A (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | 3−エキソメチレンセフアム誘導体の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60187689A true JPS60187689A (ja) | 1985-09-25 |
Family
ID=12666427
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59043535A Pending JPS60187689A (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | 3−エキソメチレンセフアム誘導体の製造法 |
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Country | Link |
---|---|
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JP (1) | JPS60187689A (ja) |
CH (1) | CH664155A5 (ja) |
DE (1) | DE3507592A1 (ja) |
FR (1) | FR2562896B1 (ja) |
GB (1) | GB2157287B (ja) |
IT (2) | IT1187225B (ja) |
NL (1) | NL193407C (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4958018A (en) * | 1988-05-11 | 1990-09-18 | Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha | Method for production of 3-exomethylenecepham derivatives |
FR2688518A1 (fr) * | 1992-03-13 | 1993-09-17 | Rhone Poulenc Rorer Sa | Procede de preparation de derives du taxane. |
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---|---|---|---|---|
US4888100A (en) * | 1989-03-15 | 1989-12-19 | Eli Lilly And Company | Photochemical conversion of cephalosporins, 1-carba(1-dethia)cephalosporins and 1-oxa(1-dethia)cephalosporins |
US5604222A (en) * | 1993-12-27 | 1997-02-18 | Lupin Laboratories, Ltd. | Method for the preparation of 2-chloro sulfinyl azetidinones |
US5578721A (en) * | 1994-07-11 | 1996-11-26 | Lupin Laboratories Limited | Process for preparation of 3-exomethylene cepham sulfoxide esters |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52142090A (en) * | 1976-04-12 | 1977-11-26 | Lilly Co Eli | Method of producing 77methoxyy 33exomethylene cepham compound by electrolysis |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS515396B1 (ja) * | 1971-04-05 | 1976-02-19 | ||
US4354022A (en) * | 1981-06-05 | 1982-10-12 | Fujisawa Pharmaceutical Co., Ltd. | Process for preparing 3-methylenecepham compounds or a salt thereof |
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1984
- 1984-03-06 JP JP59043535A patent/JPS60187689A/ja active Pending
-
1985
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- 1985-03-04 US US06/707,767 patent/US4629542A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-03-04 DE DE19853507592 patent/DE3507592A1/de active Granted
- 1985-03-05 IT IT05129/85A patent/IT1187225B/it active
- 1985-03-05 CH CH1014/85A patent/CH664155A5/de not_active IP Right Cessation
- 1985-03-05 IT IT1985A05129A patent/IT8505129A1/it unknown
- 1985-03-05 NL NL8500607A patent/NL193407C/nl not_active IP Right Cessation
- 1985-03-06 FR FR8503277A patent/FR2562896B1/fr not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52142090A (en) * | 1976-04-12 | 1977-11-26 | Lilly Co Eli | Method of producing 77methoxyy 33exomethylene cepham compound by electrolysis |
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---|---|---|---|---|
US4958018A (en) * | 1988-05-11 | 1990-09-18 | Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha | Method for production of 3-exomethylenecepham derivatives |
FR2688518A1 (fr) * | 1992-03-13 | 1993-09-17 | Rhone Poulenc Rorer Sa | Procede de preparation de derives du taxane. |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL8500607A (nl) | 1985-10-01 |
DE3507592C2 (ja) | 1992-03-19 |
US4629542A (en) | 1986-12-16 |
CH664155A5 (de) | 1988-02-15 |
FR2562896B1 (fr) | 1988-01-08 |
IT1187225B (it) | 1987-12-16 |
FR2562896A1 (fr) | 1985-10-18 |
NL193407B (nl) | 1999-05-03 |
NL193407C (nl) | 1999-09-06 |
IT8505129A1 (it) | 1986-09-05 |
GB8505028D0 (en) | 1985-03-27 |
GB2157287A (en) | 1985-10-23 |
GB2157287B (en) | 1987-10-07 |
DE3507592A1 (de) | 1985-09-12 |
IT8505129A0 (it) | 1985-03-05 |
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