JPS58141551A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS58141551A JPS58141551A JP2401782A JP2401782A JPS58141551A JP S58141551 A JPS58141551 A JP S58141551A JP 2401782 A JP2401782 A JP 2401782A JP 2401782 A JP2401782 A JP 2401782A JP S58141551 A JPS58141551 A JP S58141551A
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- resistor
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/8605—Resistors with PN junctions
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置において、特に抵抗が高精度となる
半導体装置に関する。
半導体装置に関する。
近年モノリシックＤ／Ａ変換器において、高分解能の要
求にともない、抵抗の高精度化が必要になってきている
。本発明はそのような高精度な抵抗の半導体装置ｆ提供
することにある。
求にともない、抵抗の高精度化が必要になってきている
。本発明はそのような高精度な抵抗の半導体装置ｆ提供
することにある。
第１図は半導体集積［０１路装＋１などで用いられる半
導体装ｆｔの従来構造を示す図である。ＩｔよＰ副手導
体基板、２は数Ω・ｍの比抵抗のＮ型エピタキシャル層
、３けｐＨν絶縁分離領域、４はＰ型抵抗領域、５はＮ
型高濃度領域、６は絶縁酸化膜、７゜８は金ＭＥ極で従
来の製造方法のフォトレジスト（ＰＲ）工程、拡散及び
酸化工程によシ形成できる。この従来構造において、５
のＮ型高濃度領域の電位はＰ副抵抗領域４の電位と同じ
かそれ以上でなければガらない。もしＮ型高濃度領域５
が低い電位になるとＰ副抵抗領域４をエミッタ、Ｎｍエ
ピタキシャル層２をベース、Ｐ型半導体基板１全コレク
タとする寄性ＮＰＮが働きＰ型抵抗領域にはいる電流値
と出てゆく電流値が変化する。一般に高精度抵抗が心髄
な場合、Ｐ副抵抗領域４の下に狸込み領域を入ｆＩない
ことが多い為寄性Ｐ Ｎ ｌ’のｈＦＥが大きい。判に
狸込み領域を入れないＪ」由は、第１に埋込み領域を入
れるとエビタキシャル層の表面に数百λの段差ができフ
ォトレジスト（ＰＲ）工程での精度が出しにくいこと、
第２に埋込領域上のエピタキシャル層２の結晶性がよく
ないことなどによる。一方５のＮｉＪ高濃度領域と４の
Ｐ型抵抗領域上の逆バイアス電圧をｖＲと［７、抵抗の
絶対値Ｒとするとき（１）の関係がある。
導体装ｆｔの従来構造を示す図である。ＩｔよＰ副手導
体基板、２は数Ω・ｍの比抵抗のＮ型エピタキシャル層
、３けｐＨν絶縁分離領域、４はＰ型抵抗領域、５はＮ
型高濃度領域、６は絶縁酸化膜、７゜８は金ＭＥ極で従
来の製造方法のフォトレジスト（ＰＲ）工程、拡散及び
酸化工程によシ形成できる。この従来構造において、５
のＮ型高濃度領域の電位はＰ副抵抗領域４の電位と同じ
かそれ以上でなければガらない。もしＮ型高濃度領域５
が低い電位になるとＰ副抵抗領域４をエミッタ、Ｎｍエ
ピタキシャル層２をベース、Ｐ型半導体基板１全コレク
タとする寄性ＮＰＮが働きＰ型抵抗領域にはいる電流値
と出てゆく電流値が変化する。一般に高精度抵抗が心髄
な場合、Ｐ副抵抗領域４の下に狸込み領域を入ｆＩない
ことが多い為寄性Ｐ Ｎ ｌ’のｈＦＥが大きい。判に
狸込み領域を入れないＪ」由は、第１に埋込み領域を入
れるとエビタキシャル層の表面に数百λの段差ができフ
ォトレジスト（ＰＲ）工程での精度が出しにくいこと、
第２に埋込領域上のエピタキシャル層２の結晶性がよく
ないことなどによる。一方５のＮｉＪ高濃度領域と４の
Ｐ型抵抗領域上の逆バイアス電圧をｖＲと［７、抵抗の
絶対値Ｒとするとき（１）の関係がある。
：ｌ、ｏｃ（■□）ｋ ・・・・・・（１）
但しｋは抵抗の不純物分布によって決まる定数。
但しｋは抵抗の不純物分布によって決まる定数。
従って（１）の関係より高精度の抵抗を得るにｔよ逆バ
イアス電圧ｖＲの影１’を小さくすることが必歎になる
。■□の影響を小さくするのに第１図において抵抗の金
属１！Ｌ極７とＮ型高濃度領域５の１を極８を接続した
ものを一方の端子とし、他方の端子を残ルの金属電極７
とする自己バイアス抵抗にすればよい。
イアス電圧ｖＲの影１’を小さくすることが必歎になる
。■□の影響を小さくするのに第１図において抵抗の金
属１！Ｌ極７とＮ型高濃度領域５の１を極８を接続した
ものを一方の端子とし、他方の端子を残ルの金属電極７
とする自己バイアス抵抗にすればよい。
しかしながらこの従来構造の場合、抵抗栖゛造の対称性
が無いために抵抗を流れる電流の方向によって抵抗の絶
対値の精度が得にくい。
が無いために抵抗を流れる電流の方向によって抵抗の絶
対値の精度が得にくい。
本発明は上記した欠点を除去することにある。
本発明は、−導電型半導体基板の−・主平面に逆導電型
抵抗領域と、該逆導電型抵抗領域と間［をおいて−導電
型高濃度領域と、該−導を型高濃度領域と前記透導１を
型抵抗領域上の絶縁膜にそれぞれ第１．第２亀蓚用の窓
’を設は電気的に接続すること、前記逆導電型抵抗領域
上の該第２電極用の窓の両側に第３．第４電１＆用の窓
と電極を設けること７に％徴とする半導体装置である。
抵抗領域と、該逆導電型抵抗領域と間［をおいて−導電
型高濃度領域と、該−導を型高濃度領域と前記透導１を
型抵抗領域上の絶縁膜にそれぞれ第１．第２亀蓚用の窓
’を設は電気的に接続すること、前記逆導電型抵抗領域
上の該第２電極用の窓の両側に第３．第４電１＆用の窓
と電極を設けること７に％徴とする半導体装置である。
本発明によれば、抵抗の自己バイアスの電極用の窓を抵
抗の中ｊ１’ｉ”から取シ出しその両側に等しく対称の
位置に抵抗のコンタクトを取ることにより高精度の抵抗
を得ることができる。
抗の中ｊ１’ｉ”から取シ出しその両側に等しく対称の
位置に抵抗のコンタクトを取ることにより高精度の抵抗
を得ることができる。
本発明を一実施例によって詳細に説明する。
第２図は本発明の一実施例の平面図であり、第３図は本
発明の他の実施例を示す平面図である。
発明の他の実施例を示す平面図である。
第２図においてＰ型基板上に９のＮ型エピタキシャル層
を設け、１０のＰ壓絶縁分離領域を設け１１のＰ型抵抗
領域、１２のＮ型高濃度領域を設け、電極用の窓１３．
１４．１５．１６を設け、抵抗の金属電極７，１８を設
ける。
を設け、１０のＰ壓絶縁分離領域を設け１１のＰ型抵抗
領域、１２のＮ型高濃度領域を設け、電極用の窓１３．
１４．１５．１６を設け、抵抗の金属電極７，１８を設
ける。
本発明が従来構造の半導体装置と異なる点は、第１にＰ
型抵抗領域１１の中心に電極用の窓１４を開は金属電極
１８によシＮ型高濃度餉域１２の電極用の窓１６とを接
続すること、第２にＰ型抵抗領域上１上の電極用の窓１
４と対称の位置に抵抗の電極用の窓］３と１５を設ける
ことである。
型抵抗領域１１の中心に電極用の窓１４を開は金属電極
１８によシＮ型高濃度餉域１２の電極用の窓１６とを接
続すること、第２にＰ型抵抗領域上１上の電極用の窓１
４と対称の位置に抵抗の電極用の窓］３と１５を設ける
ことである。
本発明によれは抵抗の中心で対称となっているため、電
流の向きによらず抵抗に加わる逆バイアス電圧ｖＲが常
に一定となるため高精度抵抗の半導体装置を提供できる
。例えば比？＃度が５：１のものを必要とするとき、第
２図で示された絶縁分離された抵抗を５つ直列に接続し
たものと、同じ抵抗１つによって約１０００１）Ｉ）Ｉ
Ｔ＋の高精度の相対比精度を得ることができる。
流の向きによらず抵抗に加わる逆バイアス電圧ｖＲが常
に一定となるため高精度抵抗の半導体装置を提供できる
。例えば比？＃度が５：１のものを必要とするとき、第
２図で示された絶縁分離された抵抗を５つ直列に接続し
たものと、同じ抵抗１つによって約１０００１）Ｉ）Ｉ
Ｔ＋の高精度の相対比精度を得ることができる。
第３図は本発明の他の実施例を示す平面図である。第２
図と同符号の番号は同じものを示す。第２図と異なるの
は２′のＮ型′？ｉ！Ｊ濃度領域がＰ型抵抗領域１１を
間ｔｂｉおいてリング状に設けていることである。Ｎ型
高濃度領域２′がリング状に設けられていることによっ
て逆バイアス電圧ｖＲの加わシ方が均一になシ相対比精
度がさらによくなる。
図と同符号の番号は同じものを示す。第２図と異なるの
は２′のＮ型′？ｉ！Ｊ濃度領域がＰ型抵抗領域１１を
間ｔｂｉおいてリング状に設けていることである。Ｎ型
高濃度領域２′がリング状に設けられていることによっ
て逆バイアス電圧ｖＲの加わシ方が均一になシ相対比精
度がさらによくなる。
第２図、第３図において、電極窓１３．１５を介して配
ｌｆ＃１７ヲコンタクトさせる代りに一方または両方の
霜１極窓を設けす、拡散層によシ抵抗の一端または両端
にコンタクトさせてもよい。
ｌｆ＃１７ヲコンタクトさせる代りに一方または両方の
霜１極窓を設けす、拡散層によシ抵抗の一端または両端
にコンタクトさせてもよい。
本発明によれば抵抗を流かれる電流の向きによらず高Ｎ
度抵抗の半導体装置が、しかも従来の製造方法を変える
ことがないため容易に作れるのでその効果は大きい。
度抵抗の半導体装置が、しかも従来の製造方法を変える
ことがないため容易に作れるのでその効果は大きい。
第１図は従来構造の断面図、第２図と第３図は本発明の
一実施例を説明するための平面図。 １・・・・・・ＰＷ半導体基板、２．９・・・・・・Ｎ
型エピタキシャル層、３．１０・・・・・・Ｐ型高濃度
領域、４゜１１・・・・・・Ｐ型抵抗領域、５，１２．
１２’・・・・・・高濃度Ｎ型領竣、６・・・・・・絶
縁膜、７．８．１７．１８・・・・・・金属電極、１３
．１４，１５．１６・・・・・・電極用の窓。
一実施例を説明するための平面図。 １・・・・・・ＰＷ半導体基板、２．９・・・・・・Ｎ
型エピタキシャル層、３．１０・・・・・・Ｐ型高濃度
領域、４゜１１・・・・・・Ｐ型抵抗領域、５，１２．
１２’・・・・・・高濃度Ｎ型領竣、６・・・・・・絶
縁膜、７．８．１７．１８・・・・・・金属電極、１３
．１４，１５．１６・・・・・・電極用の窓。
Claims (1)
- 一擲電型半導体領域に逆導電型抵抗領域′ｆ設け、該−
導電型半導体領域と前記逆導電型抵抗領域上の絶縁膜に
それぞれ第１．第２電極用の窓を設゛け第１．第２電極
をそれぞれ設けて両電極を電気的に接続し、前記逆導電
型抵抗領域の該第２′＃ＡＩ極の両側に前記逆導電型抵
抗領域を抵抗として用いるためのコンタクトを設けたこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2401782A JPS58141551A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2401782A JPS58141551A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58141551A true JPS58141551A (ja) | 1983-08-22 |
Family
ID=12126766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2401782A Pending JPS58141551A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58141551A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55146957A (en) * | 1979-03-19 | 1980-11-15 | Trw Inc | Semiconductor resistor and method of fabricating same |
-
1982
- 1982-02-17 JP JP2401782A patent/JPS58141551A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55146957A (en) * | 1979-03-19 | 1980-11-15 | Trw Inc | Semiconductor resistor and method of fabricating same |
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