JPS58126975A - 真空浸炭炉による浸炭処理方法 - Google Patents

真空浸炭炉による浸炭処理方法

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JPS58126975A
JPS58126975A JP743682A JP743682A JPS58126975A JP S58126975 A JPS58126975 A JP S58126975A JP 743682 A JP743682 A JP 743682A JP 743682 A JP743682 A JP 743682A JP S58126975 A JPS58126975 A JP S58126975A
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JP
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carburizing
furnace
vacuum
diffusion
gas
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JP743682A
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JPH032944B2 (ja
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Tatsu Fukuda
福田 達
Hisashi Hattori
服部 寿
Hidetaka Urano
浦野 英孝
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Komatsu Ltd
Original Assignee
Komatsu Ltd
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/06Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
    • C23C8/08Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied
    • C23C8/20Carburising
    • C23C8/22Carburising of ferrous surfaces

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は真空浸炭炉により鋼の表面に擬球状炭化物を
生成する浸炭処理方法に関する。
従来鋼の表面に擬球状炭化物を生成する浸炭処理方法と
して、ガス浸炭による炭化物生成方法がすでに提唱され
ているが、従来の生成方法には次のような問題点がめっ
た。
(1)  通常のガス浸炭に使用されるキャリアガス中
には、微量の眩化成分でろるH曹0−? Co、を含ん
でいる。°そのため、浸炭中に品物の表11110〜3
0μの探さの範囲で、・オーステナイト結晶粒界で、F
gよりも酸素との親和力の強いCtL、Mn勢の元素が
、優先酸化され、さらに粒界内のCt。
Mn等も粒界に拡散酸化されていくため、表Itlsの
合金元素量が、減少する新開、粒界酸化が生ずる0これ
は、通常のガス浸炭法では避けられない現象である。
ところが、炭化物を生成させるためには、炭化物生成傾
向の強い元素例えば乙等は、本処理には、欠かせない元
素であり、これら元素の不在、又は、減少は、ガス浸炭
が、本処理法に本質的に向いていない浸炭法と云える。
(2)  ガス浸炭法では、高温浸炭(930℃9上)
の場合、上記粒界酸化も酷くなり最表面に充分に炭化物
を生成することが不可能となり、炭化物生成の核が得ら
れない0 (3)  炭化物生成サイクルは過−j浸炭雰1気(/
4C堝以上の炭素ポテンシャル)を常時必豐とするため
、余剰の生ガス(メタン、プロパン等に化水素ガス)を
炉内に導入することになり、炉内のスーティング(煤)
が、はけしく生ずる。しかし、通常のガス浸炭炉では、
スーティング発生を極力押えており、gkK対して炉体
(ヒータ、耐熱鋼、耐火物等)も充分強いとは云えない
(4)粒界酸化の生じた状態で、高炭素浸炭し九場合表
面部(〜20J)K炭化物が抜は九ような組織になり、
充分な表面炭素濃度は得られない0 この発明はかかる問題点を改善する目的でなされたもの
である。
以下この発明の一実施例を図面を参照して詳述すると、
まず浸炭処理すべきワーク(鋼)を900〜1050℃
の浸炭温度に設定した図示しない真空浸炭炉中に投入し
て、約α5 Torrの真空下てワークを加熱し、その
後炭化水素ガス例えばメタン、プロパン、ブタンなどを
炉内に導入して第1図に示すように浸炭拡散を数回繰返
す。これらの繰返し操作は長時間の浸炭を行った場合網
状上メンタイトが発達し、その結果脆い組織とがるのを
防止するためで、浸炭、拡散を繰返すことによって拡散
時に網状セメンタイFがオーステナイト粒内に溶は込む
ため、網状セメンタイトの粗大化が阻止できることにな
る。
このようにして浸炭した後、一旦中性ガス例えば瓦やA
yガスなどで空冷する0次に再度浸炭温度にまで加熱し
て、lc岸!(ガン!組織からFa、cに変る変態点)
を越えるカーボンポテンシャル(CP)の雰囲気中で浸
炭し、そして真空中で拡散を行い、これを数回繰返す。
このときの浸炭温度は前回の浸炭温度900〜1050
 ℃と同等かそれ以下が好ましい。浸炭後再び中性ガス
で空冷した後再び浸炭温度にまで加熱して浸炭拡散を繰
返す。このときの浸脚温度は2回目の浸炭温度と同等か
それ以下が好ましい。そのj!1EtIとしては網状セ
メンタイトの生成を抑制するためである。一般に焼入れ
温fILは浸炭温度よりはく設定されていることから%
焼入れ加熱時にセ   啼メンタイトを分断するために
は3回目の加熱サイクルの浸炭温1i:は低く目に設定
する心機がめる0 以上のようにして高炭素良戻サイクル中に3回の加熱冷
却を繰返した後焼入れサイクルで焼入れ温度750〜9
00℃に加熱し、さらに油冷して浸炭焼入れ処理を終了
する。
ま友上記方法により得られたワークの表面には第2図(
顕微鏡写真)で示すように擬球状の訳化物が生成されて
、耐摩耗性及び耐ピツチング寿命が向上すると共に、処
理時間も他の処理方法に比べて第3図に示すように約1
/3に短縮できる。
さらに焼戻し軟化抵抗も、従来の浸炭法αやガス浸炭に
よる炭化物の生成方法すに比べて第4図に示すように同
等以上の性能を有するものとなる。
この発明は以上詳述したように真空浸炭炉内rCおいて
浸炭拡散を繰返した恢一旦中性ガス中で冷却し、杏び加
熱して浸炭拡散する操作を複数回繰返すことにより鋼の
表111IVc酎拳粍性、耐ピツチング寿命Kiすれた
擬球状炭化物を生成するようにじたもので、真空炉中で
加熱後炉内に炭化水素ガスを導入して浸炭を行うため、
酸素分圧が低く表面に粒界酸化が生じることがなく、こ
れによって炭化物生成傾向の強い元素を表面近傍で減少
させることなく浸炭できるため、表面炭化濃度を容易に
高めるこ−とができる0浸縦温度を高くしても表面部に
粒界酸化層が生成されることがないため、ガス浸炭より
も^温で浸炭でき、これによってガス浸炭に比べて2〜
3倍の能率で高゛炭素浸炭が可能になる。また真空炉内
に導入する炭化水素ガスは微量でよいと共に、ワーク表
面を均一な高い炭素ポテンシャルに維持するために絶え
ず供給される炭化水素ガスの余剰分は煤として炉内や鳥
兜系に析出されるため、煤の回収も容易となり、煤が耐
火物やヒータなどを劣化させる虞れもない。
【図面の簡単な説明】
図面はこの発明の一実施例を示し、第1図はl!!訳サ
イクルを示す線図、第2図は得られた処理品の表層部顕
微続写真、第3図は処理時間の比較を示す線図、第4図
は焼戻し軟化抵抗の比較を示す線図である。 出願人 株式会社 小松製作所 代理人弁理士米原正章 弁理士洪水  忠 手続補正書(方式) 昭和57年5月18日 特許庁長官  島田春樹 殿 1、事件−の表示  特願昭57−007436  号
2、発明の名称   真空浸炭炉による浸炭処理方法3
、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所  東京都港区赤坂2丁目3番6号名称 (123
)株式会社小松製作所 代表者  河  合  良  − 昭和でフ年4月9日(発送日 昭和57年4月27日)
6、補正の対象 2補正の内容 (1)  願書添付の明細書中第6頁下から1行目の「
・・・・・・の表層部顕微鏡写真、」を「・・・・・・
の表層部における金属鑑識を示す顕微鏡写真、」と補正
する。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 処理すべきワークを浸炭温度に設定した真空炉中に投入
    して加熱昇温後、炉内に炭化水素ガスを導入して浸炭拡
    散を繰返し、その後中性ガスにより一旦冷却した後再び
    真空炉中で浸炭温度にまで加熱して浸炭拡散を繰返すと
    ともに、上記加熱冷却操作を数回繰返すことを特徴とす
    る真空浸炭炉による浸炭処理方法。
JP743682A 1982-01-22 1982-01-22 真空浸炭炉による浸炭処理方法 Granted JPS58126975A (ja)

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