JPS58123872A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS58123872A JPS58123872A JP706882A JP706882A JPS58123872A JP S58123872 A JPS58123872 A JP S58123872A JP 706882 A JP706882 A JP 706882A JP 706882 A JP706882 A JP 706882A JP S58123872 A JPS58123872 A JP S58123872A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- valve
- substrate
- sputtering
- evacuation
- target material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜作製装置として、基板と薄膜の付着強度が
大きい高融点材料薄膜の作製が可能であるスパッタリン
グ装置に関するものである。
大きい高融点材料薄膜の作製が可能であるスパッタリン
グ装置に関するものである。
一般に、小規模生産用のバッチタイプのスパッタリング
装置では、基板の脱着時にターゲット材料かスパッタリ
ング槽が大気中にさらされるものであった。このため、
ターゲット材料が酸化されたり、スパッタリング槽の壁
に水蒸気等のガスが吸着する結果、作製された薄膜の特
性に悪影響を及ぼしたり、ターゲット材料の清浄化のた
めの予備スパッタリングを必要とするためターゲット材
料、電力及び時間を無駄に消費するという欠点があった
。
装置では、基板の脱着時にターゲット材料かスパッタリ
ング槽が大気中にさらされるものであった。このため、
ターゲット材料が酸化されたり、スパッタリング槽の壁
に水蒸気等のガスが吸着する結果、作製された薄膜の特
性に悪影響を及ぼしたり、ターゲット材料の清浄化のた
めの予備スパッタリングを必要とするためターゲット材
料、電力及び時間を無駄に消費するという欠点があった
。
本発明は前記従来の欠点を解消するものであり、ターゲ
ットと基板の間に真空用パルプを設けて基板の脱着時の
ターゲット材料の酸化を防ぐとともに大気中にさらされ
るスパッタリング槽の内部の壁面の面積を減らすように
構成したものである。
ットと基板の間に真空用パルプを設けて基板の脱着時の
ターゲット材料の酸化を防ぐとともに大気中にさらされ
るスパッタリング槽の内部の壁面の面積を減らすように
構成したものである。
以下、本発明のスパッタリング装置を実施例の図面を用
いて説明する。第1図は本発明の一実施例を示しており
、第1図において、1はスノ(ツタリング槽、Ba、s
bは荒引き)くルブ、12はメインパルプ、13は拡散
ポンプ、14は補助ノくルプ、16は回転ポンプであり
、スノくツタリング槽1は荒引きパルプBa、sbを通
じて回転ポンプ16によって真空荒引きされた後、メイ
ンパルプ12、補助パルプ14を通じて拡散ポンプ13
゜回転ポンプ16によって高真空に本引きされる。
いて説明する。第1図は本発明の一実施例を示しており
、第1図において、1はスノ(ツタリング槽、Ba、s
bは荒引き)くルブ、12はメインパルプ、13は拡散
ポンプ、14は補助ノくルプ、16は回転ポンプであり
、スノくツタリング槽1は荒引きパルプBa、sbを通
じて回転ポンプ16によって真空荒引きされた後、メイ
ンパルプ12、補助パルプ14を通じて拡散ポンプ13
゜回転ポンプ16によって高真空に本引きされる。
第2図はスパッタリング槽1の内部を示しており、第2
図において、2はターゲット材料、3は基板、6は真空
用パルプ、7はシャッター、9はノ(リアプルリークパ
ルプ、10はリークノくルブ、11は上ぶたであり、バ
リアプルリークパルプ9を通じてボンベ17.パルプ1
8から高真空のスノくツタリング槽1内に高純度の不活
性ガスを一定の圧力になるまで導入した後、ターゲット
材料2に高電圧を印加してスパッタリング槽1内で放電
させるとターゲット材料のスパッタリングが行なわれる
。
図において、2はターゲット材料、3は基板、6は真空
用パルプ、7はシャッター、9はノ(リアプルリークパ
ルプ、10はリークノくルブ、11は上ぶたであり、バ
リアプルリークパルプ9を通じてボンベ17.パルプ1
8から高真空のスノくツタリング槽1内に高純度の不活
性ガスを一定の圧力になるまで導入した後、ターゲット
材料2に高電圧を印加してスパッタリング槽1内で放電
させるとターゲット材料のスパッタリングが行なわれる
。
本実lもスパッタリング装置は以上のような構成であり
、以下に述べるように使用する。まず、最初のスパッタ
リングによる薄膜作製終了後、真空用パルプ6を閉じ、
リークパルプ1oを開けてスパッタリング槽1の基板3
側部分を大気圧にして、上ぶた11を開けて基板3を交
換する。基板3の交換後、リークバルブ10.補助ノ(
ルプ14の順に閉じ、荒引きパルプ8aを開けてスノ(
ツタリング槽1の基板3側部分の真空荒引きを行ない荒
引きパルプ8aを閉じ、補助〕(パルプ14を開けた後
、真空用パルプ6を徐々等間けるとスノ(ツタリング槽
1全体を高真空に本引きできる。すなわち、ターゲット
4と基板3の間を遮断できる真空用パルプを設けること
゛によって、ターゲット4を大気中にさらして汚染させ
ることなしに基板3の交換が可能となり、かつ大気にさ
らされるスパッタリング槽1の内部の壁面の面積が減る
ので、薄膜の特性の向上、真空引き時間、予備スパッタ
リング時間の短縮が可能になる。また、ターゲット材料
2の交換の時には、真空用パルプ6は開けたままでメイ
ンパルプ12を閉じてスパッタリング槽1全体を大気中
にさらせばターゲット材料2の交換ができる。
、以下に述べるように使用する。まず、最初のスパッタ
リングによる薄膜作製終了後、真空用パルプ6を閉じ、
リークパルプ1oを開けてスパッタリング槽1の基板3
側部分を大気圧にして、上ぶた11を開けて基板3を交
換する。基板3の交換後、リークバルブ10.補助ノ(
ルプ14の順に閉じ、荒引きパルプ8aを開けてスノ(
ツタリング槽1の基板3側部分の真空荒引きを行ない荒
引きパルプ8aを閉じ、補助〕(パルプ14を開けた後
、真空用パルプ6を徐々等間けるとスノ(ツタリング槽
1全体を高真空に本引きできる。すなわち、ターゲット
4と基板3の間を遮断できる真空用パルプを設けること
゛によって、ターゲット4を大気中にさらして汚染させ
ることなしに基板3の交換が可能となり、かつ大気にさ
らされるスパッタリング槽1の内部の壁面の面積が減る
ので、薄膜の特性の向上、真空引き時間、予備スパッタ
リング時間の短縮が可能になる。また、ターゲット材料
2の交換の時には、真空用パルプ6は開けたままでメイ
ンパルプ12を閉じてスパッタリング槽1全体を大気中
にさらせばターゲット材料2の交換ができる。
なお、前記実施例では2極スパツタリング装置について
述べたが、4極スパツタリング装置などの各種スパッタ
リング装置についても同様に構造を変えて応用できる。
述べたが、4極スパツタリング装置などの各種スパッタ
リング装置についても同様に構造を変えて応用できる。
以上のように本発明によれば、基板の脱着時のターゲッ
ト材料の酸化を防ぐことができるため、スパッタリング
装置による薄膜作製において薄膜の特性向上、ターゲッ
::ト材料、電力1時間の節約などの効果をもたらすこ
とができる利点を有するものである。
ト材料の酸化を防ぐことができるため、スパッタリング
装置による薄膜作製において薄膜の特性向上、ターゲッ
::ト材料、電力1時間の節約などの効果をもたらすこ
とができる利点を有するものである。
第1図は本発明のスパッタリング装置の一実施例を示す
構成図、第2図は同スパッタリング装置の主要拡大図で
ある。 2・ ターゲット材料、3・・・・・・基板、6・・・
・・真空用パルプ、8a・パ°荒引きパルプ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図
構成図、第2図は同スパッタリング装置の主要拡大図で
ある。 2・ ターゲット材料、3・・・・・・基板、6・・・
・・真空用パルプ、8a・パ°荒引きパルプ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図
Claims (1)
- ターゲットと基板の間を遮断するようにスパッタリング
槽内に真空用パルプを設けてなるスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP706882A JPS58123872A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP706882A JPS58123872A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | スパツタリング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58123872A true JPS58123872A (ja) | 1983-07-23 |
Family
ID=11655754
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP706882A Pending JPS58123872A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58123872A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000063460A1 (de) * | 1999-04-16 | 2000-10-26 | Balzers Aktiengesellschaft | Verfahren zum vakuumbehandeln von werkstücken und vakuumbehandlungsanlage |
-
1982
- 1982-01-19 JP JP706882A patent/JPS58123872A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000063460A1 (de) * | 1999-04-16 | 2000-10-26 | Balzers Aktiengesellschaft | Verfahren zum vakuumbehandeln von werkstücken und vakuumbehandlungsanlage |
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