JPS58123872A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS58123872A JPS58123872A JP706882A JP706882A JPS58123872A JP S58123872 A JPS58123872 A JP S58123872A JP 706882 A JP706882 A JP 706882A JP 706882 A JP706882 A JP 706882A JP S58123872 A JPS58123872 A JP S58123872A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- valve
- substrate
- sputtering
- evacuation
- target material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜作製装置として、基板と薄膜の付着強度が
大きい高融点材料薄膜の作製が可能であるスパッタリン
グ装置に関するものである。
大きい高融点材料薄膜の作製が可能であるスパッタリン
グ装置に関するものである。
一般に、小規模生産用のバッチタイプのスパッタリング
装置では、基板の脱着時にターゲット材料かスパッタリ
ング槽が大気中にさらされるものであった。このため、
ターゲット材料が酸化されたり、スパッタリング槽の壁
に水蒸気等のガスが吸着する結果、作製された薄膜の特
性に悪影響を及ぼしたり、ターゲット材料の清浄化のた
めの予備スパッタリングを必要とするためターゲット材
料、電力及び時間を無駄に消費するという欠点があった
。
装置では、基板の脱着時にターゲット材料かスパッタリ
ング槽が大気中にさらされるものであった。このため、
ターゲット材料が酸化されたり、スパッタリング槽の壁
に水蒸気等のガスが吸着する結果、作製された薄膜の特
性に悪影響を及ぼしたり、ターゲット材料の清浄化のた
めの予備スパッタリングを必要とするためターゲット材
料、電力及び時間を無駄に消費するという欠点があった
。
本発明は前記従来の欠点を解消するものであり、ターゲ
ットと基板の間に真空用パルプを設けて基板の脱着時の
ターゲット材料の酸化を防ぐとともに大気中にさらされ
るスパッタリング槽の内部の壁面の面積を減らすように
構成したものである。
ットと基板の間に真空用パルプを設けて基板の脱着時の
ターゲット材料の酸化を防ぐとともに大気中にさらされ
るスパッタリング槽の内部の壁面の面積を減らすように
構成したものである。
以下、本発明のスパッタリング装置を実施例の図面を用
いて説明する。第１図は本発明の一実施例を示しており
、第１図において、１はスノ（ツタリング槽、Ｂａ、ｓ
ｂは荒引き）くルブ、１２はメインパルプ、１３は拡散
ポンプ、１４は補助ノくルプ、１６は回転ポンプであり
、スノくツタリング槽１は荒引きパルプＢａ、ｓｂを通
じて回転ポンプ１６によって真空荒引きされた後、メイ
ンパルプ１２、補助パルプ１４を通じて拡散ポンプ１３
゜回転ポンプ１６によって高真空に本引きされる。
いて説明する。第１図は本発明の一実施例を示しており
、第１図において、１はスノ（ツタリング槽、Ｂａ、ｓ
ｂは荒引き）くルブ、１２はメインパルプ、１３は拡散
ポンプ、１４は補助ノくルプ、１６は回転ポンプであり
、スノくツタリング槽１は荒引きパルプＢａ、ｓｂを通
じて回転ポンプ１６によって真空荒引きされた後、メイ
ンパルプ１２、補助パルプ１４を通じて拡散ポンプ１３
゜回転ポンプ１６によって高真空に本引きされる。
第２図はスパッタリング槽１の内部を示しており、第２
図において、２はターゲット材料、３は基板、６は真空
用パルプ、７はシャッター、９はノ（リアプルリークパ
ルプ、１０はリークノくルブ、１１は上ぶたであり、バ
リアプルリークパルプ９を通じてボンベ１７．パルプ１
８から高真空のスノくツタリング槽１内に高純度の不活
性ガスを一定の圧力になるまで導入した後、ターゲット
材料２に高電圧を印加してスパッタリング槽１内で放電
させるとターゲット材料のスパッタリングが行なわれる
。
図において、２はターゲット材料、３は基板、６は真空
用パルプ、７はシャッター、９はノ（リアプルリークパ
ルプ、１０はリークノくルブ、１１は上ぶたであり、バ
リアプルリークパルプ９を通じてボンベ１７．パルプ１
８から高真空のスノくツタリング槽１内に高純度の不活
性ガスを一定の圧力になるまで導入した後、ターゲット
材料２に高電圧を印加してスパッタリング槽１内で放電
させるとターゲット材料のスパッタリングが行なわれる
。
本実ｌもスパッタリング装置は以上のような構成であり
、以下に述べるように使用する。まず、最初のスパッタ
リングによる薄膜作製終了後、真空用パルプ６を閉じ、
リークパルプ１ｏを開けてスパッタリング槽１の基板３
側部分を大気圧にして、上ぶた１１を開けて基板３を交
換する。基板３の交換後、リークバルブ１０．補助ノ（
ルプ１４の順に閉じ、荒引きパルプ８ａを開けてスノ（
ツタリング槽１の基板３側部分の真空荒引きを行ない荒
引きパルプ８ａを閉じ、補助〕（パルプ１４を開けた後
、真空用パルプ６を徐々等間けるとスノ（ツタリング槽
１全体を高真空に本引きできる。すなわち、ターゲット
４と基板３の間を遮断できる真空用パルプを設けること
゛によって、ターゲット４を大気中にさらして汚染させ
ることなしに基板３の交換が可能となり、かつ大気にさ
らされるスパッタリング槽１の内部の壁面の面積が減る
ので、薄膜の特性の向上、真空引き時間、予備スパッタ
リング時間の短縮が可能になる。また、ターゲット材料
２の交換の時には、真空用パルプ６は開けたままでメイ
ンパルプ１２を閉じてスパッタリング槽１全体を大気中
にさらせばターゲット材料２の交換ができる。
、以下に述べるように使用する。まず、最初のスパッタ
リングによる薄膜作製終了後、真空用パルプ６を閉じ、
リークパルプ１ｏを開けてスパッタリング槽１の基板３
側部分を大気圧にして、上ぶた１１を開けて基板３を交
換する。基板３の交換後、リークバルブ１０．補助ノ（
ルプ１４の順に閉じ、荒引きパルプ８ａを開けてスノ（
ツタリング槽１の基板３側部分の真空荒引きを行ない荒
引きパルプ８ａを閉じ、補助〕（パルプ１４を開けた後
、真空用パルプ６を徐々等間けるとスノ（ツタリング槽
１全体を高真空に本引きできる。すなわち、ターゲット
４と基板３の間を遮断できる真空用パルプを設けること
゛によって、ターゲット４を大気中にさらして汚染させ
ることなしに基板３の交換が可能となり、かつ大気にさ
らされるスパッタリング槽１の内部の壁面の面積が減る
ので、薄膜の特性の向上、真空引き時間、予備スパッタ
リング時間の短縮が可能になる。また、ターゲット材料
２の交換の時には、真空用パルプ６は開けたままでメイ
ンパルプ１２を閉じてスパッタリング槽１全体を大気中
にさらせばターゲット材料２の交換ができる。
なお、前記実施例では２極スパツタリング装置について
述べたが、４極スパツタリング装置などの各種スパッタ
リング装置についても同様に構造を変えて応用できる。
述べたが、４極スパツタリング装置などの各種スパッタ
リング装置についても同様に構造を変えて応用できる。
以上のように本発明によれば、基板の脱着時のターゲッ
ト材料の酸化を防ぐことができるため、スパッタリング
装置による薄膜作製において薄膜の特性向上、ターゲッ
：：ト材料、電力１時間の節約などの効果をもたらすこ
とができる利点を有するものである。
ト材料の酸化を防ぐことができるため、スパッタリング
装置による薄膜作製において薄膜の特性向上、ターゲッ
：：ト材料、電力１時間の節約などの効果をもたらすこ
とができる利点を有するものである。
第１図は本発明のスパッタリング装置の一実施例を示す
構成図、第２図は同スパッタリング装置の主要拡大図で
ある。 ２・ ターゲット材料、３・・・・・・基板、６・・・
・・真空用パルプ、８ａ・パ°荒引きパルプ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
構成図、第２図は同スパッタリング装置の主要拡大図で
ある。 ２・ ターゲット材料、３・・・・・・基板、６・・・
・・真空用パルプ、８ａ・パ°荒引きパルプ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
Claims (1)
- ターゲットと基板の間を遮断するようにスパッタリング
槽内に真空用パルプを設けてなるスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP706882A JPS58123872A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP706882A JPS58123872A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | スパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58123872A true JPS58123872A (ja) | 1983-07-23 |
Family
ID=11655754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP706882A Pending JPS58123872A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58123872A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000063460A1 (de) * | 1999-04-16 | 2000-10-26 | Balzers Aktiengesellschaft | Verfahren zum vakuumbehandeln von werkstücken und vakuumbehandlungsanlage |
-
1982
- 1982-01-19 JP JP706882A patent/JPS58123872A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000063460A1 (de) * | 1999-04-16 | 2000-10-26 | Balzers Aktiengesellschaft | Verfahren zum vakuumbehandeln von werkstücken und vakuumbehandlungsanlage |
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