JPH03229885A - 真空処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の目的 （産業上の利用分野） 本発明は、真空処理装置に関する。

（従来の技術） 半導体集積回路の微細化に伴い、各種のエツチング装置
が提案されており、このうち、微細パターンを高精度に
エツチングできる技術として、通常ガスプラズマ中の反
応成分を利用したプラズマエツチング技術が知られてい
る。

この装置は、真空機構に連結した気密容器内に上部電極
と下部電極を設け、上部電極にＲＦ電源が接続され、下
部電極上に被処理基板例えば半導体ウェハを設け、この
電源より各電極間に電力を印加すると同時に、所望の処
理ガスを上下の電極間に供給すると、この処理ガスが上
記電力によりプラズマ化され、このプラズマ化した処理
ガスにより半導体ウェハの表面をエツチングするもので
ある。

そして、上記の装置には、気密容器の前後にウェハカセ
ットを設け、このカセットから半導体ウェハを一枚づつ
搬送機構により搬送し、東に気密容器の前後に設けたゲ
ートバルブを開閉して気密容器内に半導体ウェハを搬入
し、処理後は、他側のゲートバルブの開閉により処理後
の半導体ウェハをウェハカセットに搬入するように構成
している。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、従来の処理装置は、気密容器壁に、ウェ
ハー導入部や排気部或は透視窓等が付設されているから
、真空スペースを構成している気密容器内は非対称形状
であり、例えば処理ガスのガス流が不均一に流れるおそ
れがあり、その為半導体ウェハはムラができ均一なエツ
チング処理がなされないことがある。

しかも、気密容器内には、ベローをはじめ種々の金属部
品が収納されているので、この金属部品の付近で放電の
集中が起きてイオン密度が集中するため、半導体ウェハ
が不均一にエツチングされるばかりでなく、この放電に
より金属部品がスパッタされて半導体ウェハの表面に付
着し、デバイスを作成した際に不都合が生じる。

又、クリーニングにおいては、気密容器を取り外してク
リーニングすることが不可能であり、クリーニングする
場合は、容器内を単に清掃するのみである。

本発明は、上記の従来の処理装置の課題に鑑みてなされ
たものであって、処理室内を対称型に構成することによ
り、処理ガスを均一に流して残留ガスが生じないように
すると共に、処理室内より極力金属部品をなくし、更に
は処理室の小型化と、構成部品の脱着を容易にしてクリ
ーニングの容易化を図ることを目的としている。

発明の構成 （課題を解決するための手段） 上記の目的を達成するため、本発明は、被処理基板を真
空スペースで処理する真空処理装置において、上記被処
理基板の上下位置に設けた上部電極体と下部電極体の少
なくとも一方側の電極体を昇降自在に設け、この昇降す
る電極体の外周位置に石英・セラミックス等の絶縁物で
形成した気密壁を設けて気密処理室を形成した真空処理
装置である。

（作　用） 本発明は、上述のように、構成したから、上部電極体を
適宜の昇降機構により上昇させて気密壁を下方に位置し
ている気密面より離間させ、次いで、カセット内に収納
されている被処理基板を搬送機構により気密壁内の気密
処理室に搬入し、その後、上部電極体を下降させて気密
壁の下端面を気密面に気密状態に接触させて上下部の電
極体により構成される気密スペースで気密処理室を構成
する。

そして、この気密処理室は、真空排気機構を介して真空
状態にされており、上部電極体に接続した高周波電源よ
り各電極体間に電力を印加すると共に、処理ガスを気密
処理室内に供給して、このガスをプラズマ化しプラズマ
化した処理ガスにより被処理基板の表面を均一にエツチ
ング処理し。

処理後は上部電極体を上昇させて気密壁を離間させ１次
いで搬送機構により被処理基板をカセット内に収納され
る。

（実施例） 以下に、本発明における真空処理装置を半導体ウェハの
エツチング処理装置に適用した一例を図面に従って説明
する。

第１図において、真空構成容器１の側壁に、ウェハ取入
口２とウェハ取出口３を設け、上記真空構成容器１の内
部には上部電極体４と下部電極体５とが配置されている
。この上部電極体４は、エアシリンダ等により昇降移動
する昇降機構６を設けて、ベロー７を介して昇降可能に
設けられ、しかも高周波電源８から高周波電力が付加さ
れる如く電気的に接続されている。

更に、上部電極体４は、第２図番：示す如く円形の枠体
９に保持枠部１０を介して固着され、上部電極体４の枠
体９の外周面の下端に取付部１１を介して気密壁１２を
取付け、枠体９と気密壁１２はシール材１３を介して気
密状態に取付けられている。

なお、上部電極体４には、図示しないが真空排気機構と
処理ガスを導入する導入部が設けられている。

上記した気密壁１２は円筒形状に形成され、石英やセラ
ミックス等の絶縁物で高純度の材質で形成されており、
この気密壁１２により気密処理室２１を構成して、いる
、上部電極体４の下方には、下部電極体５を対向した位
置に設け、この下部電橋体５にリフター１４を設け、こ
のリフター１４により半導体ウェハ１５を電極体５上に
載置離反操作可能に設け、下部電極体５の外周に方向容
器１壁には排気ガスの排気リング１６が設けられている
。

また、真空構成室１の下方位置に気密壁１２が下降した
ときに、気密壁１２の下面が当接してシール部材１７を
介して気密を保持する円形上のセラミックス製気密面１
８を設けている。

また、真空構成室１の前後には、取入口２と取出口３に
連設したウェハ収納室（図示せず）とウェハ１５の位置
合せをするアライメント部を収納し、更に、ウェハ１５
を搬出するための搬送人機構が設けられており、しかも
ロード・ロック機構の場合は、真空予備室１９．２０が
配設されている。

次に上記実施例の作用を説明する。

上部電極体４を昇降機構６により上昇させて気密壁１２
を気密面１８より離間させ、その後半導体ウェハ１５を
搬送入機構により気密処理室２１に搬入し、リフター１
４上に載置される。次いで、リフター１４を下降して下
部電極体５上に半導体ウェハ１５を固着させ、その後、
上部電極体４を下降させて気密壁１２の下端面を気密面
１８に気密状態に接触させて気密処理室２１を構成する
。

そして、気密処理室２１は、真空排気機構を介して０．
１〜ＩＴｏｒｒに減圧されており、上部電極体４に接続
した高周波電源８より電力を印加すると共に、処理ガス
を気密処理室２１内に供給してガスをプラズマ化し、こ
のプラズマ化した処理ガスにより半導体ウェハ１５の表
面を均一にエツチング処理され、処理後は上部電極体４
を上昇させて気密壁１２を離間させ、その後搬出入機構
により半導体ウェハ１５を収納カセット内に収納保管さ
れる。

発明の効果 以上のことから明らかなように本発明によると、次のよ
うな有用な効果を奏する。

即ち、気密処理室内を対称形状に形成したから。

処理室内に供給された処理ガスは均一に流れて残留ガス
が生じるおそれがないので、被処理基板は均一な状態で
エツチング処理される。また処理室内には金属部品を極
力なくしたので、被処理基板に悪影響を与えることなく
歩留りの向上を図ることができ、更には、処理室は必要
最小限度のスペースであるから、処理室の小型化を図る
ことができると共に、処理室内の構成部品の脱着が極め
て容易であるから、処理室内のクリーニングを容易に行
うことができる。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明における真空処理装置の一実施例を示した
もので、第１図は真空処理装置の断面図である。 ４・・・上部電極体　　　５・・・下部電極体１２・・
・気密壁　　　　１５・・・非処理基板２１・・・気密
処理室 第 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）被処理基板を真空スペースで処理する真空処理装
   置において、上記被処理基板を介在する位置に設けた第
   １の電極体と第２の電極体の少なくとも一方側の電極体
   を進退自在に設け、この進退移動する電極体の外周位置
   に石英・セラミックス等の絶縁物で形成した気密壁を設
   けて気密処理室を形成したことを特徴とする真空処理装
   置。