JPS60153130A - アルミニウムのドライエツチング装置 - Google Patents
アルミニウムのドライエツチング装置Info
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- JPS60153130A JPS60153130A JP976484A JP976484A JPS60153130A JP S60153130 A JPS60153130 A JP S60153130A JP 976484 A JP976484 A JP 976484A JP 976484 A JP976484 A JP 976484A JP S60153130 A JPS60153130 A JP S60153130A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、アルミニウムのドライエツチング装置に係わ
り、特に均一性の向上をはかったドライエツチング装置
に関する。
り、特に均一性の向上をはかったドライエツチング装置
に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
近年、集積回路は微細化の一途を辿り、最近では最少寸
法が１〜２［μＩＩｌ］の超微細素子も試作されるに至
っている。このような微細加工には、通常平行平板電極
を有する真空排気された容器内にＣＦ４等の反応性ガス
を導入し、試料載置の電極（陰極）に高周波電力を印加
することによりグロー放電を生じせしめ、プラズマ中の
正イオンを陰極面上に生じる陰極降下電圧によって加速
し、このイオンを試料に垂直に入射させて該試料を物理
化学反応によりエツチングする、所謂反応性イオンエツ
チング法（ＲＩ Ｅ ： Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉ ｏｎ
Ｅ ｔｃｌ＋ ｉ ｎｇ ）が用いられている。しかし
、このＲＩＥ法においてはカス解離効果の比較的低いグ
ロー放電を用いているため、例えばＣＦ４＋１−４２ガ
スを用いたＳｉＯ２の１ッヂング速度は高々３００〜５
００［入］であり、１［μｍ］膜厚の８１０２をエツチ
ングするのに３０分以上もの時間を要し、量産性の点で
！傷めて不都合であった。
法が１〜２［μＩＩｌ］の超微細素子も試作されるに至
っている。このような微細加工には、通常平行平板電極
を有する真空排気された容器内にＣＦ４等の反応性ガス
を導入し、試料載置の電極（陰極）に高周波電力を印加
することによりグロー放電を生じせしめ、プラズマ中の
正イオンを陰極面上に生じる陰極降下電圧によって加速
し、このイオンを試料に垂直に入射させて該試料を物理
化学反応によりエツチングする、所謂反応性イオンエツ
チング法（ＲＩ Ｅ ： Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉ ｏｎ
Ｅ ｔｃｌ＋ ｉ ｎｇ ）が用いられている。しかし
、このＲＩＥ法においてはカス解離効果の比較的低いグ
ロー放電を用いているため、例えばＣＦ４＋１−４２ガ
スを用いたＳｉＯ２の１ッヂング速度は高々３００〜５
００［入］であり、１［μｍ］膜厚の８１０２をエツチ
ングするのに３０分以上もの時間を要し、量産性の点で
！傷めて不都合であった。
さらに、アルミニウム膜のエツチングにおいてはエツチ
ング均一性が悪く実用的でなかった。
ング均一性が悪く実用的でなかった。
一方、量産性の問題を解決するものとしては、本発明者
等が提案した高周波電力印加の陰極下に永久磁石からな
る磁場発生手段を設け、マグネトロン放電により高速エ
ツチングを可能としたドライエツチング装置も開発され
、製産工程へ導入されるようになってきた。しかしなが
ら、この種の装置にあってもアルミニウム膜においては
、均一性が今だ悪く、製産工程への導入が遅れているの
が現状である。この原因の一つとして、本発明者等の、
実験により次のことが明らかとなった。
等が提案した高周波電力印加の陰極下に永久磁石からな
る磁場発生手段を設け、マグネトロン放電により高速エ
ツチングを可能としたドライエツチング装置も開発され
、製産工程へ導入されるようになってきた。しかしなが
ら、この種の装置にあってもアルミニウム膜においては
、均一性が今だ悪く、製産工程への導入が遅れているの
が現状である。この原因の一つとして、本発明者等の、
実験により次のことが明らかとなった。
第１図は従来のドライエツチング装置を示す概略構成図
であり、真空容器１には、試料２を載置し高周波電力が
印加される陰極３と、エツチング深を導入するためのガ
ス導入管４と、これらのガスを試料に対して均等に排気
するためのガス排気管５とが設けられている。この装置
を用いて、高周波電力８５０ ［Ｗ］ 、エツチング圧
力０．１［Ｔ ｏｒｒコ、エツチングガスＢＣｆｓ ：
３０（ＳＣＣＭ＞＋ＣＪ１２： ５０ （ＳＣＣＭ）の
条件でアルミニウム膜を３０秒間エツチングし、エツチ
ング終了時、即ち高周波電力を切ってからエツチングガ
スを排気するまでの時間を、１０秒。
であり、真空容器１には、試料２を載置し高周波電力が
印加される陰極３と、エツチング深を導入するためのガ
ス導入管４と、これらのガスを試料に対して均等に排気
するためのガス排気管５とが設けられている。この装置
を用いて、高周波電力８５０ ［Ｗ］ 、エツチング圧
力０．１［Ｔ ｏｒｒコ、エツチングガスＢＣｆｓ ：
３０（ＳＣＣＭ＞＋ＣＪ１２： ５０ （ＳＣＣＭ）の
条件でアルミニウム膜を３０秒間エツチングし、エツチ
ング終了時、即ち高周波電力を切ってからエツチングガ
スを排気するまでの時間を、１０秒。
３０秒、６０秒と変えてエツチングの封缶を測定した。
その結果、第２図に示したように、エツチング時間が一
定であるのにも拘らず、］ニツチングガスを排気するま
での時間が長い程ガス導入口付近のエツチング深さが深
くなっていることが明らかとなった。また、このガス導
入口付近のエツチング形状をＳＥＭにより観察した結果
、大きなアンダーカットを生じていることも判明した。
定であるのにも拘らず、］ニツチングガスを排気するま
での時間が長い程ガス導入口付近のエツチング深さが深
くなっていることが明らかとなった。また、このガス導
入口付近のエツチング形状をＳＥＭにより観察した結果
、大きなアンダーカットを生じていることも判明した。
このことは、通常報告されているように、アルミニウム
は表面のアルミナ層が除去された後は生のＣＪ１２によ
ってもエツチングされることを示しており、アルミニウ
ム膜を均一性よくしかもアンダーカットがなくエツチン
グする１こは、コニツチング後（高周波電力をＯＦＦ後
）できるだけ速ヤ】かにエツチングガスを除去する必要
があることを示している。
は表面のアルミナ層が除去された後は生のＣＪ１２によ
ってもエツチングされることを示しており、アルミニウ
ム膜を均一性よくしかもアンダーカットがなくエツチン
グする１こは、コニツチング後（高周波電力をＯＦＦ後
）できるだけ速ヤ】かにエツチングガスを除去する必要
があることを示している。
［発明の目的コ
本光明の目的は、アルミニウム膜を均一性よくしかもア
ンダーカットを生じることなく、エツチング覆ることが
でき、エツチング信頼性の向上をはかり１９るアルミニ
ウムのドライエツチング装置を提供することにある。
ンダーカットを生じることなく、エツチング覆ることが
でき、エツチング信頼性の向上をはかり１９るアルミニ
ウムのドライエツチング装置を提供することにある。
［発明の概要コ
本発明の骨子は、エツヂフグ後の残留エツチングガスを
速やかに排気し、残留エツチングガスによってアルミニ
ウム膜がエツチングされるのを防止することにある。
速やかに排気し、残留エツチングガスによってアルミニ
ウム膜がエツチングされるのを防止することにある。
即ち本発明は、アルミニウムをエツチングするためのト
ライエツヂングＨｆｆｉにおいて、エツチング容器と、
この容器内に対向配置された平行平板型電極と、これら
の電極間に高周波電力を印加する手段と、前記容器に接
続され該容器内にアルミニウムのエツチング用カスを導
入するガス導入管と、このガス導入管の上記容器と接す
る直前位置もしくはその近傍に設けられ該導入管のガス
流路を間ｒｆｌｉ’る開閉バルブと、前記容器内を排気
する第１のガス排気手段とを設け、エツチング終了時に
開閉バルブを閉じることにより、エツチング終了後の容
器内の残留エツチングガスが抽Ａｂかに刊気するように
したものである。なお、］２ツチンクガスの活性化手段
として、前記容器内に配置される平行平板型電極と、こ
れら電極間に高周波電力を印加する手段に代えて、光照
射機４８を用いることもできる。
ライエツヂングＨｆｆｉにおいて、エツチング容器と、
この容器内に対向配置された平行平板型電極と、これら
の電極間に高周波電力を印加する手段と、前記容器に接
続され該容器内にアルミニウムのエツチング用カスを導
入するガス導入管と、このガス導入管の上記容器と接す
る直前位置もしくはその近傍に設けられ該導入管のガス
流路を間ｒｆｌｉ’る開閉バルブと、前記容器内を排気
する第１のガス排気手段とを設け、エツチング終了時に
開閉バルブを閉じることにより、エツチング終了後の容
器内の残留エツチングガスが抽Ａｂかに刊気するように
したものである。なお、］２ツチンクガスの活性化手段
として、前記容器内に配置される平行平板型電極と、こ
れら電極間に高周波電力を印加する手段に代えて、光照
射機４８を用いることもできる。
また本発明は、上記構成に加え開閉バルブと容器との間
のガス導入管内を排気覆る第２の７ｊスＪＪ＋気手段を
設け、残留エツチングカスの排気をより速やかに行うよ
うにしたものである。
のガス導入管内を排気覆る第２の７ｊスＪＪ＋気手段を
設け、残留エツチングカスの排気をより速やかに行うよ
うにしたものである。
［発明の効果コ
本発明によれば、開閉バルブをエツチング容器の直前に
設けているので、エツチング終了後容器内に流入するエ
ツチングガスを極めて少なくすることができる。このた
υ、エツチング終了後、容器内の残留エツチングガスを
速やかに排気することができ、アルミニウムのエツチン
グの均一性向上をはかり得る。さらに、アンダーカッ１
−の問題がなくなり、信頼性の高いドライエツチングが
可能となる。また、第２の排気手段を段！すた場合、エ
ツチング終了後の残留エツチングガスの排気をより速や
かに行うことができ、エツチングｆ言頼性のより一闇の
向上をはかり得るわ ［Ｊｅ明の実施例コ 第３図は本発明の一実施例に係わるドライエツチング装
置を示″１概略構成図である。図中１”Ｎよエツチング
容器で、この容器１１番は底部開口を閉塞するよう取着
された平板状の陰極１２と共に、気密封止されたエツチ
ング至を構成しても入る。容器１１は接地され、試料１
３が載置される陰極１２にはマツチング回路１４を介し
て高周波電源１５から高周波電力が印加される。そして
、容器１１の上壁（ｇ４極）１１ａと陰極１３とが平行
平板復電１重として作用するものとなって（する。
設けているので、エツチング終了後容器内に流入するエ
ツチングガスを極めて少なくすることができる。このた
υ、エツチング終了後、容器内の残留エツチングガスを
速やかに排気することができ、アルミニウムのエツチン
グの均一性向上をはかり得る。さらに、アンダーカッ１
−の問題がなくなり、信頼性の高いドライエツチングが
可能となる。また、第２の排気手段を段！すた場合、エ
ツチング終了後の残留エツチングガスの排気をより速や
かに行うことができ、エツチングｆ言頼性のより一闇の
向上をはかり得るわ ［Ｊｅ明の実施例コ 第３図は本発明の一実施例に係わるドライエツチング装
置を示″１概略構成図である。図中１”Ｎよエツチング
容器で、この容器１１番は底部開口を閉塞するよう取着
された平板状の陰極１２と共に、気密封止されたエツチ
ング至を構成しても入る。容器１１は接地され、試料１
３が載置される陰極１２にはマツチング回路１４を介し
て高周波電源１５から高周波電力が印加される。そして
、容器１１の上壁（ｇ４極）１１ａと陰極１３とが平行
平板復電１重として作用するものとなって（する。
一方、容器１１の上壁１１ａにはエツチングガスを容器
１１内に導入するためのカス導入口１１ｂが設けられ、
この導入口１１１）に電磁開閉ノくルブ１Ｇを介してガ
ス導入管１７が接続されて（罵る。
１１内に導入するためのカス導入口１１ｂが設けられ、
この導入口１１１）に電磁開閉ノくルブ１Ｇを介してガ
ス導入管１７が接続されて（罵る。
即ち、ガス導入管１７の容器１１と接続される直前にバ
ルブ１６が設けられている。そして、このバルブ１６は
スイッチ回路１８の動作により前記高周波電源１５と同
期して開閉づ゛る。即ち、高周波電源１５がＯＦＦされ
たのと同時に閉塞動作するものとなっている。また、容
器１１の底部には容器１１内のエツチングガスを排気す
るためのガス排気口１１Ｃが設けられ、この排気［：］
１１ Ｃにはガス排気管１９が接続されている。そし
て、ノｊス排気管１９を介して図示しない真空ポンプ等
により容器１１内が排気されるものとなっている。
ルブ１６が設けられている。そして、このバルブ１６は
スイッチ回路１８の動作により前記高周波電源１５と同
期して開閉づ゛る。即ち、高周波電源１５がＯＦＦされ
たのと同時に閉塞動作するものとなっている。また、容
器１１の底部には容器１１内のエツチングガスを排気す
るためのガス排気口１１Ｃが設けられ、この排気［：］
１１ Ｃにはガス排気管１９が接続されている。そし
て、ノｊス排気管１９を介して図示しない真空ポンプ等
により容器１１内が排気されるものとなっている。
なお、第３図中２１は前記陰極１２を冷却するための水
冷管であり、この水冷管ｌよ電極リードとして用いられ
ている。また、２２は絶縁物を示している。
冷管であり、この水冷管ｌよ電極リードとして用いられ
ている。また、２２は絶縁物を示している。
このような構成であれば、エツチング終了時にバルブ１
６が閉塞されるので、エツチング柊７１１にガス導入管
１７内のエツチングガスが容器１１内に流入されること
はない。従って、容器１１内を速やかに排気することが
でき、残留エッチングガスによるアルミニウム等の試料
１３のエツチングを極めて小さくすることができる。こ
のため、アルミニウムの１ツチング均一性向上をはかり
得る。
６が閉塞されるので、エツチング柊７１１にガス導入管
１７内のエツチングガスが容器１１内に流入されること
はない。従って、容器１１内を速やかに排気することが
でき、残留エッチングガスによるアルミニウム等の試料
１３のエツチングを極めて小さくすることができる。こ
のため、アルミニウムの１ツチング均一性向上をはかり
得る。
第４図は上記装置を用い先に説明したのと同様なエツチ
ング条件、即ち高周波電力８５０［Ｗ］。
ング条件、即ち高周波電力８５０［Ｗ］。
エツチング圧力０．１ ［Ｔｏｒｒ ］ 、エツチング
ガスＢＣＪ１３： ３０ （ＳＣＣＭ）＋ＣＪ１２：
５０（ＳＣＣＭ）の条件でアルミニウムをエツチングし
た後、６０秒間容器１１内に放置したときのエツチング
分布を示フ゛特性図である。この図からも判るように、
ガス導入口１１ｂ付近のエツチング深さが異常に深くな
る等の現象は見られず、良好なエツチング均一性が得ら
れた。また、ガス導入口１１１）付近のエツチング形状
をＳＥＭにより観察した結果、アンダーカットは殆んど
見られなかった。
ガスＢＣＪ１３： ３０ （ＳＣＣＭ）＋ＣＪ１２：
５０（ＳＣＣＭ）の条件でアルミニウムをエツチングし
た後、６０秒間容器１１内に放置したときのエツチング
分布を示フ゛特性図である。この図からも判るように、
ガス導入口１１ｂ付近のエツチング深さが異常に深くな
る等の現象は見られず、良好なエツチング均一性が得ら
れた。また、ガス導入口１１１）付近のエツチング形状
をＳＥＭにより観察した結果、アンダーカットは殆んど
見られなかった。
第５図は他の実施例の要部構成を示す図である。
なお、第３図と同一部分には同一符号を付して、その詳
しい説明は省略する。この実施例が先に説明した実施例
と異なる点は、ガス導入管１７内の残留エツチングガス
を排気するためのガス排気管３１を設けたことにある。
しい説明は省略する。この実施例が先に説明した実施例
と異なる点は、ガス導入管１７内の残留エツチングガス
を排気するためのガス排気管３１を設けたことにある。
即ち、ガス導入管１７の容器１１どバルブ１６との間の
位置にガス排気管３１が接続されている。
位置にガス排気管３１が接続されている。
このガス排気管３１は前記高周波電源１５と同期して作
動する真空ポンプ（図示せず）に接続される。そして、
前記高周波電源１５がＯＦＦになるのと同時にガス導入
管１７内がガス排気管３１を介して排気されるものとな
っている。また、この実Ｒ例の場合、ガス導入管１７は
ガスを分散させるマニホールド３２に容器１１内で接続
され、これにより試料１３上にエツチングガスが均一に
流入するものとなっている。
動する真空ポンプ（図示せず）に接続される。そして、
前記高周波電源１５がＯＦＦになるのと同時にガス導入
管１７内がガス排気管３１を介して排気されるものとな
っている。また、この実Ｒ例の場合、ガス導入管１７は
ガスを分散させるマニホールド３２に容器１１内で接続
され、これにより試料１３上にエツチングガスが均一に
流入するものとなっている。
このような構成であれば、カス排気管３１によりエツチ
ング終了後ガス導入管１７内のガスが容器１１内に導入
されるのを防止できるので、先の実施例と同様な効果が
１ｑられる。しかも、マニホールド３２を設けているの
で、試料１３上に流入するガスを均一化することができ
、エツチング均一性のより一層の向上をはかり得る。こ
こで、マニホールド３２を設けることができる理由は、
ガス排気管３１を設けたからである。即ち、マニホール
ド３２の存在によりエツチング終了後マニホールド３２
内のカスが容器１１内に流入するこ゛とになるが、本実
施例ではガス排気管３１によりこれは防止できるのであ
る。
ング終了後ガス導入管１７内のガスが容器１１内に導入
されるのを防止できるので、先の実施例と同様な効果が
１ｑられる。しかも、マニホールド３２を設けているの
で、試料１３上に流入するガスを均一化することができ
、エツチング均一性のより一層の向上をはかり得る。こ
こで、マニホールド３２を設けることができる理由は、
ガス排気管３１を設けたからである。即ち、マニホール
ド３２の存在によりエツチング終了後マニホールド３２
内のカスが容器１１内に流入するこ゛とになるが、本実
施例ではガス排気管３１によりこれは防止できるのであ
る。
なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
ない。例えば、前記開閉バルブを設ける位置は、前記ガ
ス導入管の容器と接続される箇所の直前位置もしくはそ
こから１０ａ以内の近傍であれば均一エツチングが可能
で、その場合容器にできるだけ近い位置が好ましい。ま
た、開閉バルブは必ずしも電磁開閉バルブに限るもので
はなく、各種の開閉バルブを用いることが可能である。
ない。例えば、前記開閉バルブを設ける位置は、前記ガ
ス導入管の容器と接続される箇所の直前位置もしくはそ
こから１０ａ以内の近傍であれば均一エツチングが可能
で、その場合容器にできるだけ近い位置が好ましい。ま
た、開閉バルブは必ずしも電磁開閉バルブに限るもので
はなく、各種の開閉バルブを用いることが可能である。
ただし、高周波電源と同期して作動するためには、電気
的に開閉制御できるものが望ましい。また、エツチング
ガスの活性手段として、上述した例のように平行平板型
電極と高周波電力印加手段に代えて、例えば（Ｐｒｏｃ
、ｏｆ ４ｔｈ ３ｙｍｐ 、 ｏｎＱｒｙ Ｐｒｏ
ｃｅｓｓｅｓ、 １９８２年、第６頁）に開示されたよ
うな光照射機構を用いてもよい。その他、本発明の要旨
を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができ
る。
的に開閉制御できるものが望ましい。また、エツチング
ガスの活性手段として、上述した例のように平行平板型
電極と高周波電力印加手段に代えて、例えば（Ｐｒｏｃ
、ｏｆ ４ｔｈ ３ｙｍｐ 、 ｏｎＱｒｙ Ｐｒｏ
ｃｅｓｓｅｓ、 １９８２年、第６頁）に開示されたよ
うな光照射機構を用いてもよい。その他、本発明の要旨
を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができ
る。
第１図は従来のドライエツチング装置を承り概略構成図
、第２図は上記装置の問題点を説明するための特性図、
第３図は本光明の〜実施例に係わるドライエツチング装
置を示ず慨Ｉ１１構成図、第４図は上記実施例装置の作
用を説明するだめの特性図、第５図は他の実施例の要部
構成を示す図である。 １１・・・エツチング容器、１１ａ・・・陽極、１１１
】・・・ガス導入口、１１ｃ・・・ガス排気口、１２・
・・陰極、１３・・・試料、１４・・・マツチング回路
、１５・・・高周波電源、１６・・・電磁開閉バルブ、
１７・・・ガス導入管、１８・・・スイッチ回路、１９
．３１・・・ガス排気管、３２・・・マニホールド。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 烏 龜 ゐ （コｌ）セ祉「、乙”’−ｆ：’Ｔ （、Ｖ）８琢Ａ＜壬４■
、第２図は上記装置の問題点を説明するための特性図、
第３図は本光明の〜実施例に係わるドライエツチング装
置を示ず慨Ｉ１１構成図、第４図は上記実施例装置の作
用を説明するだめの特性図、第５図は他の実施例の要部
構成を示す図である。 １１・・・エツチング容器、１１ａ・・・陽極、１１１
】・・・ガス導入口、１１ｃ・・・ガス排気口、１２・
・・陰極、１３・・・試料、１４・・・マツチング回路
、１５・・・高周波電源、１６・・・電磁開閉バルブ、
１７・・・ガス導入管、１８・・・スイッチ回路、１９
．３１・・・ガス排気管、３２・・・マニホールド。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 烏 龜 ゐ （コｌ）セ祉「、乙”’−ｆ：’Ｔ （、Ｖ）８琢Ａ＜壬４■
Claims (8)
- （１） 被エツチング試料が収納されるエツチング容器
と、この容器に接続され該容器内にアルミニウムのエツ
チング用ガスを導入するガス導入管と、前記容器内に導
入された前記カスを活性化する手段と、前記ガス導入管
の上記容器と接する直前位置もしくはその近傍に設けら
れ該導入管のガス流路をＩｔｉｌ ｆ’Ｊ］する開閉バ
ルブと、前記容器内を排気するカス排気手段とを具備し
てなることを特徴とするアルミニウムのドライエツチン
グ装置。 - （２） 前記開閉バルブは、電磁開閉バルブからなるも
のであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
アルミニウムのトライエツチング装置。 - （３） カスを活性化する手段は、エツチング容器内に
対向配置される平行平板型電極と、これら電１飢間に高
周波電力を印加する手段から構成されることを１１１Ｊ
る特許請求の範囲第１項記載のアルミニウムのドライエ
ツチング装置。 - （４）前記開閉バルブは、前記高周波電力のオフと同時
に閉塞動作するものであることを特徴とする特許請求の
範囲第３項記載のアルミニウムのドライエツチング装置
。 - （５）ガスを活性化する手段は、光照射櫟構であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のアルミニウム
のドライエツチング装置。 - （６） 被エツチング試料が収納されるエツチング容器
と、この容器に接続され該容器内にアルミニウムのエツ
チング用ガスを導入するガス導入管と、前記容器内に導
入された前記カスを゛活性化する手段と、前記ガス導ズ
管の上記容器と接する直前位置もしくはその近傍に設け
られ該導入管のガス流路を開閉する開閉バルブと、前記
容器内を排気する第１のガス排気手段と、前記開閉バル
ブと容器との間のガス導入管内を排気する第２の排気手
段とを具備してなることを特徴とするアルミニウムのド
ライエツチング装置。 - （７）前記開閉バルブは、電磁開閉バルブからなるもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第６項記載のア
ルミニウムのドライエツチング装置。 - （８） ガスを活性化する手段は、エツチング容器内に
対向配置される平行平板型電極と、これら電極間に高周
波電力を印加する手段から構成されることを特徴とする
特許請求の範囲第６項記載のアルミニウムのドライエツ
チング装置。 ■ 前記Ｉｉｌ！閉バルブは前記高周波電力のオフと同
時に閉塞動作するものであり、且つ前記第２の排気手段
は上記高周波電力のオフと同時に排気動作するものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第８項記載のアルミ
ニウムのドライエツチング装置。 （ｌｆｆ＋ ガスを活性化する手段は、光照射機構であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第６項記載のアルミ
ニウムのドライエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP976484A JPS60153130A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | アルミニウムのドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP976484A JPS60153130A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | アルミニウムのドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60153130A true JPS60153130A (ja) | 1985-08-12 |
Family
ID=11729332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP976484A Pending JPS60153130A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | アルミニウムのドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60153130A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6369988A (ja) * | 1986-09-09 | 1988-03-30 | Nec Corp | ドライエツチング方法 |
| GB2325776B (en) * | 1996-12-09 | 2000-10-11 | Sony Corp | Editing device,editing system and editing method |
-
1984
- 1984-01-23 JP JP976484A patent/JPS60153130A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6369988A (ja) * | 1986-09-09 | 1988-03-30 | Nec Corp | ドライエツチング方法 |
| GB2325776B (en) * | 1996-12-09 | 2000-10-11 | Sony Corp | Editing device,editing system and editing method |
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