JPS5983762A - 真空蒸着装置の排気方法 - Google Patents
真空蒸着装置の排気方法Info
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- JPS5983762A JPS5983762A JP19295682A JP19295682A JPS5983762A JP S5983762 A JPS5983762 A JP S5983762A JP 19295682 A JP19295682 A JP 19295682A JP 19295682 A JP19295682 A JP 19295682A JP S5983762 A JPS5983762 A JP S5983762A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- evaporation
- input
- torr
- evaporation source
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は真空蒸着装置の排気方法に関し、とくに、高
真空度を短時間で実現する排気方法を提供するものであ
る。
真空度を短時間で実現する排気方法を提供するものであ
る。
従来例の構成とその問題点
真空蒸着装置は、第１図に概要を断面図で示したように
、真空用室１の内部に、蒸着物質２を装填した蒸発源３
を有し、この蒸発源３と向き合う所定空間に被蒸着用基
体４を配置して、この基体４０表面に蒸発源３から蒸発
飛来した蒸着物質２の被膜を形成するものである。この
とき、真空用室１の内部は、高い真空度、通常、１×１
０ トール以上の真空度に保持され、また、蒸発源３と
基体４との間には可動のシャッタ５を設けて、蒸着物質
２が基体４の面に蒸着される量を制御する。
、真空用室１の内部に、蒸着物質２を装填した蒸発源３
を有し、この蒸発源３と向き合う所定空間に被蒸着用基
体４を配置して、この基体４０表面に蒸発源３から蒸発
飛来した蒸着物質２の被膜を形成するものである。この
とき、真空用室１の内部は、高い真空度、通常、１×１
０ トール以上の真空度に保持され、また、蒸発源３と
基体４との間には可動のシャッタ５を設けて、蒸着物質
２が基体４の面に蒸着される量を制御する。
なお、この装置で、６は真空用室１の開閉扉であり、７
は内部を透視できる気密窓である。
は内部を透視できる気密窓である。
ところで、上述のよう橙真空蒸着装置においては、高真
空度に到達させるための排気時間が比較的長く、とくに
、量産工程ではその排気時間の短縮が大きな課題であっ
た。
空度に到達させるための排気時間が比較的長く、とくに
、量産工程ではその排気時間の短縮が大きな課題であっ
た。
発明の目的
この発明の目的は、高真空度に到達させる排気時間を大
幅に短縮し得る排気方法を確立するととにあり、とりわ
け、真空蒸着装置の最終到達真空度が１ｘ１０１・−ル
以上の高真空度を迅速に実現する排気方法を提供するこ
とにある。
幅に短縮し得る排気方法を確立するととにあり、とりわ
け、真空蒸着装置の最終到達真空度が１ｘ１０１・−ル
以上の高真空度を迅速に実現する排気方法を提供するこ
とにある。
発明の構成
この発明は、要約するに、真空用室内に蒸着物質を装填
した蒸発源および被蒸着基体とを収めて前記真空用室内
を、排気系により所望の最終到達真空度設定値の％以上
の真空度に到らせ、ついで、前記蒸発源に蒸着時正規入
力の％程度の入力を供給してｆｆ１ｆＪ記蒸着物質を予
備蒸発させたから前記所望の最終到達真空変寸で排気す
る工程をそなえた真空蒸着工程す、の抽気方法である。
した蒸発源および被蒸着基体とを収めて前記真空用室内
を、排気系により所望の最終到達真空度設定値の％以上
の真空度に到らせ、ついで、前記蒸発源に蒸着時正規入
力の％程度の入力を供給してｆｆ１ｆＪ記蒸着物質を予
備蒸発させたから前記所望の最終到達真空変寸で排気す
る工程をそなえた真空蒸着工程す、の抽気方法である。
本発明によれは、蒸着物質の予備蒸発過程で、その蒸発
粒子が真空用室内の残存気体を吸着し、同室内の真空度
が、急速に高められる。
粒子が真空用室内の残存気体を吸着し、同室内の真空度
が、急速に高められる。
実施例の説明
次に、この発明を実施例によって詳しく述べる。
第１図に示した真空蒸着装置で、被蒸着用基体４として
、半導体基板を用い、この基板面に電極形成用の了ルミ
ニウム膜を蒸着する工程においては、真空用室１内を１
×１０ トール以上の高真空度に排気することが必要で
ある。排気工程は、従来通り、たとえば、クライオ排気
ポンプによって、２Ｘ１０ ）−ルまで減圧し、つい
で、この時点で、蒸発源３に対して、蒸着時正規入力の
Ｎ（程度の入力を与える。蒸着物質２がアルミニウムの
場合、電子ビーム発生源に供給される入力は、蒸着時）
正規入力が１０ＫｖＡ（１Ａ×１０に■）であるとする
と、その半分の約５ＫＶＡ（ｏ、５Ａｘ１ｏＫＶ ）で
ある。この過程で蒸発源３内のアルミニウムは溶融蒸発
を起し始めるか、この蒸発アルミニウムの粒子が真空用
室内の残存気体を吸着し、そのゲッタリング作用によっ
て、真空用室内の気圧を急速に減じる。第２図は、到達
真空度と排気時間との関係を示し、実線Ｉの特性がこの
実施例の場合であり、点線Ｈの特性が従来例の場合であ
る。第２図によれば、到達真空度が２×１０−６トール
になるまでの時間ｔ。は従来例と同じであるが、これよ
り１×１Ｑ トールに到達するまでの時間が、特性■の
従来例ではｔｌＩ−２３分てあっだのに比べて、この実
施例ではｔＩ”−ｓ分に々す、その差約１５分の時間短
縮が可能であった。
、半導体基板を用い、この基板面に電極形成用の了ルミ
ニウム膜を蒸着する工程においては、真空用室１内を１
×１０ トール以上の高真空度に排気することが必要で
ある。排気工程は、従来通り、たとえば、クライオ排気
ポンプによって、２Ｘ１０ ）−ルまで減圧し、つい
で、この時点で、蒸発源３に対して、蒸着時正規入力の
Ｎ（程度の入力を与える。蒸着物質２がアルミニウムの
場合、電子ビーム発生源に供給される入力は、蒸着時）
正規入力が１０ＫｖＡ（１Ａ×１０に■）であるとする
と、その半分の約５ＫＶＡ（ｏ、５Ａｘ１ｏＫＶ ）で
ある。この過程で蒸発源３内のアルミニウムは溶融蒸発
を起し始めるか、この蒸発アルミニウムの粒子が真空用
室内の残存気体を吸着し、そのゲッタリング作用によっ
て、真空用室内の気圧を急速に減じる。第２図は、到達
真空度と排気時間との関係を示し、実線Ｉの特性がこの
実施例の場合であり、点線Ｈの特性が従来例の場合であ
る。第２図によれば、到達真空度が２×１０−６トール
になるまでの時間ｔ。は従来例と同じであるが、これよ
り１×１Ｑ トールに到達するまでの時間が、特性■の
従来例ではｔｌＩ−２３分てあっだのに比べて、この実
施例ではｔＩ”−ｓ分に々す、その差約１５分の時間短
縮が可能であった。
なお、この実施例では、到達真空度２Ｘ１０”−６トー
ルリ、降の排気工程におけるアルミニウムの予備蒸着時
にはシャッタ５を閉じて、アルミニウム蒸発粒子が基体
４の半導体基板面に伺着しないように制御され、到達真
空度１×１Ｑ−６トールになっ／こ時点でＰ発源３の印
加入力を正規入力を正規入力状態にし／ζ以降の蒸着時
にはシャッタ５を開くように操作する。そして、アルミ
ニウムの基着過程完了後の蒸危装ｆ６の操作手順は従来
の場合と同じてよい、。
ルリ、降の排気工程におけるアルミニウムの予備蒸着時
にはシャッタ５を閉じて、アルミニウム蒸発粒子が基体
４の半導体基板面に伺着しないように制御され、到達真
空度１×１Ｑ−６トールになっ／こ時点でＰ発源３の印
加入力を正規入力を正規入力状態にし／ζ以降の蒸着時
にはシャッタ５を開くように操作する。そして、アルミ
ニウムの基着過程完了後の蒸危装ｆ６の操作手順は従来
の場合と同じてよい、。
この発明は、蒸発源３の加熱手段として、電子ビーム加
熱蒸着を例示したか、抵抗力り熱方式の蒸発源を用いる
場合も同じ原則が適用てき乙３．また蒸着物質も、アル
ミニウムに限らず、広く全屈蒸着のほとんどの場合に適
用可能である。
熱蒸着を例示したか、抵抗力り熱方式の蒸発源を用いる
場合も同じ原則が適用てき乙３．また蒸着物質も、アル
ミニウムに限らず、広く全屈蒸着のほとんどの場合に適
用可能である。
発明の効果
以上に訂しく述へたように、本発明によれは、通常の真
空蒸着装置を用いて、その排気工程に同一蒸着物質の予
備蒸発過程を導入することによって、所望の高真空度、
たとえば、ｌＸ１０）−ル以上の高真空状態を短時間に
達成することができ、金属の真空蒸着工程の迅速化、効
率向上が可能になり、半導体装置の製造工程に適用して
、能率を大幅に高めることができる。
空蒸着装置を用いて、その排気工程に同一蒸着物質の予
備蒸発過程を導入することによって、所望の高真空度、
たとえば、ｌＸ１０）−ル以上の高真空状態を短時間に
達成することができ、金属の真空蒸着工程の迅速化、効
率向上が可能になり、半導体装置の製造工程に適用して
、能率を大幅に高めることができる。
第１図はこの発明の実施例に用いた真空蒸着装置の概要
を示す断面図、第２図はこの発明の方法による排気特性
を従来例と対比して示す図である。 １・・・・・・真空用室、２・・・・蒸着物質、３・・
・・・蒸発源、４・・・・・・被蒸着用基体、５・・
シ六・ツタ。
を示す断面図、第２図はこの発明の方法による排気特性
を従来例と対比して示す図である。 １・・・・・・真空用室、２・・・・蒸着物質、３・・
・・・蒸発源、４・・・・・・被蒸着用基体、５・・
シ六・ツタ。
Claims (1)
- （１） 真空用室内に蒸着物質を装填した蒸発源およ
び被蒸着用基体とを収めて、前記真空用室内を、排気系
により所望の最終到達真空度設定値の％以上の真空度に
到らせ、ついで、前記蒸発源に蒸着時正規入力の４・イ
程度の入力を供給して前記蒸発物質を予備蒸発させなが
ら前記所望の最終到達真空変寸で排気する工程をそなえ
た真空蒸着装置の排気方法。 （榊 最終到達真空度が１×１０ トール以上に設定さ
れる特許請求の範囲第１項に記載の真空蒸着装置の排気
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19295682A JPS5983762A (ja) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | 真空蒸着装置の排気方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19295682A JPS5983762A (ja) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | 真空蒸着装置の排気方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5983762A true JPS5983762A (ja) | 1984-05-15 |
Family
ID=16299819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19295682A Pending JPS5983762A (ja) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | 真空蒸着装置の排気方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5983762A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102268641A (zh) * | 2011-06-29 | 2011-12-07 | 彩虹（佛山）平板显示有限公司 | 一种玻璃盖板镀膜的方法 |
| CN106399950A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-02-15 | 光驰科技(上海)有限公司 | 一种实现离子源均匀照射镀膜基片的镀膜方法 |
-
1982
- 1982-11-02 JP JP19295682A patent/JPS5983762A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102268641A (zh) * | 2011-06-29 | 2011-12-07 | 彩虹（佛山）平板显示有限公司 | 一种玻璃盖板镀膜的方法 |
| CN106399950A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-02-15 | 光驰科技(上海)有限公司 | 一种实现离子源均匀照射镀膜基片的镀膜方法 |
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