JP2775529B2 - 太陽電池製造装置 - Google Patents
太陽電池製造装置Info
- Publication number
- JP2775529B2 JP2775529B2 JP3059698A JP5969891A JP2775529B2 JP 2775529 B2 JP2775529 B2 JP 2775529B2 JP 3059698 A JP3059698 A JP 3059698A JP 5969891 A JP5969891 A JP 5969891A JP 2775529 B2 JP2775529 B2 JP 2775529B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- reaction chamber
- solar cell
- reaction
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上にアモルファス
膜を形成して太陽電池を製造する太陽電池製造装置に関
する。
膜を形成して太陽電池を製造する太陽電池製造装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】光エネルギを電気エネルギに変換する太
陽電池は、クリーンで無尽蔵のエネルギを得ることがで
きるものとして注目されており、特にアモルファスシリ
コンを主体としたアモルファス太陽電池は、大面積化が
容易で低コスト化が可能なこと、フレキシブル化できる
こと等の特徴を有しており、将来の電力用太陽電池とし
て非常に有望視されている。
陽電池は、クリーンで無尽蔵のエネルギを得ることがで
きるものとして注目されており、特にアモルファスシリ
コンを主体としたアモルファス太陽電池は、大面積化が
容易で低コスト化が可能なこと、フレキシブル化できる
こと等の特徴を有しており、将来の電力用太陽電池とし
て非常に有望視されている。
【0003】このアモルファス太陽電池は、透光性絶縁
基板上に表面電極(透明電極),アモルファス膜及び裏
面電極を順次積層して構成され、現在、その製造には、
プラズマCVD法や光CVD法等の種々の方法が試みら
れている。
基板上に表面電極(透明電極),アモルファス膜及び裏
面電極を順次積層して構成され、現在、その製造には、
プラズマCVD法や光CVD法等の種々の方法が試みら
れている。
【0004】ところで、アモルファス膜の成膜に際して
は、いずれも、真空に保持した反応室内に反応ガスを導
入し、電極間に供給した高周波電力等で反応ガスを分解
して基板上にアモルファス膜を堆積させる方法をとるた
め、成膜を長時間続けていくうちに電極にもアモルファ
ス膜が堆積してしまう。
は、いずれも、真空に保持した反応室内に反応ガスを導
入し、電極間に供給した高周波電力等で反応ガスを分解
して基板上にアモルファス膜を堆積させる方法をとるた
め、成膜を長時間続けていくうちに電極にもアモルファ
ス膜が堆積してしまう。
【0005】特に、デポダウン方式の場合は、反応室内
の上側に電極,下側に基板をそれぞれ配設して上を向い
た基板の膜形成面上にアモルファス膜を堆積させるた
め、電極に堆積した膜が剥離すると、これが基板上に落
下し、基板上のアモルファス膜にピンホールをつくり、
太陽電池の表面電極と裏面電極とがショートして特性の
低下を招く結果となる。
の上側に電極,下側に基板をそれぞれ配設して上を向い
た基板の膜形成面上にアモルファス膜を堆積させるた
め、電極に堆積した膜が剥離すると、これが基板上に落
下し、基板上のアモルファス膜にピンホールをつくり、
太陽電池の表面電極と裏面電極とがショートして特性の
低下を招く結果となる。
【0006】このため、電極に付着したアモルファス膜
のフレークやチップを除去する必要がある。
のフレークやチップを除去する必要がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のこの
種太陽電池製造装置にあっては、単一の反応室内に電極
を常設する構造であるため、電極に付着したフレークや
チップを除去するためにはこの反応室の真空を破って電
極を取り出さねばならず、反応室の真空を破ると、その
内壁面に窒素,酸素等の空気中の不純物が付着し、これ
がその後に形成するアモルファス膜中に取り込まれ、太
陽電池の特性を低下させる要因となる。
種太陽電池製造装置にあっては、単一の反応室内に電極
を常設する構造であるため、電極に付着したフレークや
チップを除去するためにはこの反応室の真空を破って電
極を取り出さねばならず、反応室の真空を破ると、その
内壁面に窒素,酸素等の空気中の不純物が付着し、これ
がその後に形成するアモルファス膜中に取り込まれ、太
陽電池の特性を低下させる要因となる。
【0008】本発明は、従来の技術の有するこのような
問題点に留意してなされたものであり、その目的とする
ところは、反応室に配置された電極を、反応室を開放す
ることなく真空に保ちながら、専用の治具等を用いるこ
となく、反応室から取り出してその後元に戻すことが可
能な太陽電池製造装置を提供することにある。
問題点に留意してなされたものであり、その目的とする
ところは、反応室に配置された電極を、反応室を開放す
ることなく真空に保ちながら、専用の治具等を用いるこ
となく、反応室から取り出してその後元に戻すことが可
能な太陽電池製造装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の太陽電池製造装置は、反応室内に、電極を
上側に,基板を下側にそれぞれ配置し、反応室内に反応
ガスを導入し、基板上にアモルファスシリコン膜を形成
して太陽電池を製造する太陽電池製造装置において、反
応室の上方に、連通口を介して該反応室と連通し、且つ
独自の排気口が形成された電極収納室を形成すると共
に、該電極収納室の上壁に前記連通口と対応する開口を
形成し、該開口を閉塞する蓋体に気密にかつ摺動自在に
貫通した反応ガス導入用パイプの下端に前記電極を一体
に設けると共に、前記電極の前記電極収納室への移動時
に前記両室間を気密に閉塞するシャッタを設ける。
に、本発明の太陽電池製造装置は、反応室内に、電極を
上側に,基板を下側にそれぞれ配置し、反応室内に反応
ガスを導入し、基板上にアモルファスシリコン膜を形成
して太陽電池を製造する太陽電池製造装置において、反
応室の上方に、連通口を介して該反応室と連通し、且つ
独自の排気口が形成された電極収納室を形成すると共
に、該電極収納室の上壁に前記連通口と対応する開口を
形成し、該開口を閉塞する蓋体に気密にかつ摺動自在に
貫通した反応ガス導入用パイプの下端に前記電極を一体
に設けると共に、前記電極の前記電極収納室への移動時
に前記両室間を気密に閉塞するシャッタを設ける。
【0010】
【作用】前記した構成の本発明の太陽電池製造装置の場
合、反応ガス導入用パイプの下端に電極が一体に設けら
れていることから、反応ガス導入用パイプを上下させる
だけで、専用の治具等を用いることなく、電極を反応室
から電極収納室,その逆に自在に移動させることができ
る。 そして、反応室内の上側に配置された電極の反応室
からの取り出しは、反応ガス導入用パイプを上動し、電
極を上方へ移動して反応室から電極収納室へ移動した
後、シャッタにより両室間の連通口を気密に閉塞して両
室を分離し、その後、電極収納室のみを開放し、その開
口より電極を取り出して行われる。
合、反応ガス導入用パイプの下端に電極が一体に設けら
れていることから、反応ガス導入用パイプを上下させる
だけで、専用の治具等を用いることなく、電極を反応室
から電極収納室,その逆に自在に移動させることができ
る。 そして、反応室内の上側に配置された電極の反応室
からの取り出しは、反応ガス導入用パイプを上動し、電
極を上方へ移動して反応室から電極収納室へ移動した
後、シャッタにより両室間の連通口を気密に閉塞して両
室を分離し、その後、電極収納室のみを開放し、その開
口より電極を取り出して行われる。
【0011】また、取り出して交換等が施された電極の
反応室内への再配置は、電極を電極収納室内に収納した
状態でその開口を蓋体により気密に閉塞して電極収納室
内をその排気口より真空排気し、その後、シャッタを開
放して前記連通口を開き、反応ガス導入用パイプを下動
し、電極を下方へ移動し、反応室内に戻して行われる。
したがって、反応室を真空に保ちながら、専用の治具等
を用いることなく、反応室に配置された電極を反応室か
ら取り出してその後元に戻すことができる。 このとき、
反応ガス導入用パイプの上下動により、その下端の電極
が上下方向に移動して反応室内から室外,その逆に移動
する構成であるため、電極がステンレス等の重い材料で
形成されていても、その重量によるパイプのたわみ等が
発生することもなく、取り出した電極が再現性良く、元
の位置に戻される。
反応室内への再配置は、電極を電極収納室内に収納した
状態でその開口を蓋体により気密に閉塞して電極収納室
内をその排気口より真空排気し、その後、シャッタを開
放して前記連通口を開き、反応ガス導入用パイプを下動
し、電極を下方へ移動し、反応室内に戻して行われる。
したがって、反応室を真空に保ちながら、専用の治具等
を用いることなく、反応室に配置された電極を反応室か
ら取り出してその後元に戻すことができる。 このとき、
反応ガス導入用パイプの上下動により、その下端の電極
が上下方向に移動して反応室内から室外,その逆に移動
する構成であるため、電極がステンレス等の重い材料で
形成されていても、その重量によるパイプのたわみ等が
発生することもなく、取り出した電極が再現性良く、元
の位置に戻される。
【0012】
【実施例】実施例につき、図面を用いて説明する。図面
に示すものは、プラズマCVD法を用いた連続形成可能
なデポダウン方式の太陽電池製造装置であり、真空容器
1内の下部に反応室2,上部に電極収納室3がそれぞれ
形成され、両室2,3間を連通する連通口4がシャッタ
5により開閉自在かつ気密に閉塞されると共に、両室
2,3にそれぞれその内部を独自に真空排気する排気口
6,7が形成されている。
に示すものは、プラズマCVD法を用いた連続形成可能
なデポダウン方式の太陽電池製造装置であり、真空容器
1内の下部に反応室2,上部に電極収納室3がそれぞれ
形成され、両室2,3間を連通する連通口4がシャッタ
5により開閉自在かつ気密に閉塞されると共に、両室
2,3にそれぞれその内部を独自に真空排気する排気口
6,7が形成されている。
【0013】このような真空容器1は、図3に示すよう
に、必要数だけ左右方向に隣接して並設され、それぞれ
の側壁に透設されたスリット状の基板案内口8を介して
各真空容器1のそれぞれの反応室2間が連通し、シャッ
タ9により隣合う反応室2間を気密に閉塞するようにな
っている。
に、必要数だけ左右方向に隣接して並設され、それぞれ
の側壁に透設されたスリット状の基板案内口8を介して
各真空容器1のそれぞれの反応室2間が連通し、シャッ
タ9により隣合う反応室2間を気密に閉塞するようにな
っている。
【0014】各反応室2内の下側には、1対の搬送ロー
ラ10間に巻装された左右方向の基板搬送ベルト11が
配設され、基板12をこの基板搬送ベルト11上に配置
して各反応室2に順次基板12を搬送できるようになっ
ており、成膜時には基板12を反応室2の中央に位置さ
せて停止し、この基板12の下方に基板加熱ヒータ13
が配設されている。
ラ10間に巻装された左右方向の基板搬送ベルト11が
配設され、基板12をこの基板搬送ベルト11上に配置
して各反応室2に順次基板12を搬送できるようになっ
ており、成膜時には基板12を反応室2の中央に位置さ
せて停止し、この基板12の下方に基板加熱ヒータ13
が配設されている。
【0015】一方、電極収納室3においては、その上壁
に連通口4に対応させて開口14が形成され、これが蓋
体15により開閉自在かつ気密に閉塞されており、この
蓋体15に気密かつ摺動自在に貫通した反応ガス導入用
パイプ16の下端に電極17が一体に設けられ、パイプ
16を介して電極17が連通口4を通り両室2,3に上
下に移動自在とされている。
に連通口4に対応させて開口14が形成され、これが蓋
体15により開閉自在かつ気密に閉塞されており、この
蓋体15に気密かつ摺動自在に貫通した反応ガス導入用
パイプ16の下端に電極17が一体に設けられ、パイプ
16を介して電極17が連通口4を通り両室2,3に上
下に移動自在とされている。
【0016】この電極17は、下面が開口された箱状の
カバー18とこの下面開口に配置され多数の透孔を有す
る電極天板19とにより構成され、パイプ16より導入
された反応ガスはカバー18内に供給され、電極天板1
9の透孔よりプラズマ中に吹き出すようになっており、
電極天板19が例えば高周波電源に接続されている。
カバー18とこの下面開口に配置され多数の透孔を有す
る電極天板19とにより構成され、パイプ16より導入
された反応ガスはカバー18内に供給され、電極天板1
9の透孔よりプラズマ中に吹き出すようになっており、
電極天板19が例えば高周波電源に接続されている。
【0017】このような構成の太陽電池製造装置にあっ
ては、図1に示すように、電極17を反応室2の上側に
配置した状態で成膜が行われ、パイプ16を通して電極
17から反応ガスを吹き出し、電極天板19に高周波電
力を供給することにより反応ガスを分解し、搬送ベルト
11上の基板12にアモルファス膜を堆積する。
ては、図1に示すように、電極17を反応室2の上側に
配置した状態で成膜が行われ、パイプ16を通して電極
17から反応ガスを吹き出し、電極天板19に高周波電
力を供給することにより反応ガスを分解し、搬送ベルト
11上の基板12にアモルファス膜を堆積する。
【0018】この成膜を長時間続けていくと、電極天板
19に堆積した膜が剥離して基板12上に落下し、ピン
ホールを発生する原因となるため、ピンホールが発生す
る前に電極天板19の交換を行う。
19に堆積した膜が剥離して基板12上に落下し、ピン
ホールを発生する原因となるため、ピンホールが発生す
る前に電極天板19の交換を行う。
【0019】すなわち、パイプ16を上動して電極17
を反応室2から電極収納室3に移動し、シャッタ5によ
り連通口4を気密に閉塞して両室2,3を分離した後、
電極収納室3を常圧に戻して、図2に示すように、蓋体
15を開け、開口14より電極17を取り出す。
を反応室2から電極収納室3に移動し、シャッタ5によ
り連通口4を気密に閉塞して両室2,3を分離した後、
電極収納室3を常圧に戻して、図2に示すように、蓋体
15を開け、開口14より電極17を取り出す。
【0020】電極天板19の交換後は、前述とは反対
に、開口14より電極収納室3内に電極17を収納し、
蓋体15を閉じて電極収納室3の気密を保持した状態で
排気口7より真空排気し、その後、シャッタ5を開いて
電極17を反応室2内に移動して戻す。この場合、反応
室2を開放することなく真空に保ちながら、専用の治具
等を用いることなく電極17を上下方向に移動し、電極
17を反応室2から取り出してその後元に戻すことがで
きる。 しかも、パイプ16の上下動により、その下端の
電極17が上下方向に移動して反応室2内から室外,そ
の逆に移動する構成であるため、電極17がステンレス
等の重い材料で形成されていても、その重量によるパイ
プ16のたわみ等が発生することもなく、取り出した電
極17を再現性良く、反応室2内の元の位置に戻して再
配置することができる。
に、開口14より電極収納室3内に電極17を収納し、
蓋体15を閉じて電極収納室3の気密を保持した状態で
排気口7より真空排気し、その後、シャッタ5を開いて
電極17を反応室2内に移動して戻す。この場合、反応
室2を開放することなく真空に保ちながら、専用の治具
等を用いることなく電極17を上下方向に移動し、電極
17を反応室2から取り出してその後元に戻すことがで
きる。 しかも、パイプ16の上下動により、その下端の
電極17が上下方向に移動して反応室2内から室外,そ
の逆に移動する構成であるため、電極17がステンレス
等の重い材料で形成されていても、その重量によるパイ
プ16のたわみ等が発生することもなく、取り出した電
極17を再現性良く、反応室2内の元の位置に戻して再
配置することができる。
【0021】この結果、電極17の交換に際し、反応室
2の真空を破る必要がなくなるため、反応室2の壁面に
不純物が付着しなく、電極17の交換後すぐに高品質な
膜を得ることが可能となり、したがって、常に高効率な
太陽電池を製造することができることになる。
2の真空を破る必要がなくなるため、反応室2の壁面に
不純物が付着しなく、電極17の交換後すぐに高品質な
膜を得ることが可能となり、したがって、常に高効率な
太陽電池を製造することができることになる。
【0022】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているため、つぎに記載する効果を奏する。反応ガス導
入用パイプの下端に電極を一体に設けたため、反応ガス
導入用パイプを上下させるだけで、専用の移動用治具等
を用いることなく、電極を反応室から電極収納室,その
逆に自在に移動させることができる。 そして、反応室内
の上側に配置された電極の反応室からの取り出しは、反
応ガス導入用パイプを上動し、電極を上方へ移動して反
応室から電極収納室へ移動した後、シャッタにより両室
間の連通口を気密に閉塞し両室を分離し、その後、電極
収納室のみを開放し、その開口より電極を取り出して行
うことができ、取り出して交換等が施された電極の反応
室内への再配置は、電極を電極収納室内に収納した状態
でその開口を蓋体により気密に閉塞して電極収納室内を
独自の排気口より真空排気し、その後、シャッタを開放
して前記連通口を開き、反応ガス導入用パイプを下動
し、電極を下方へ移動し、反応室内に戻して行うことが
できる。 したがって、反応室を真空に保ちながら、専用
の治具等を用いることなく、反応室に配置された電極を
反応室から取り出してその後元に戻すことができる。 こ
のとき、反応ガス導入用パイプの上下動により、その下
端の電極が上下方向に移動して反応室内から室外その逆
に移動する構成であるため、電極がステンレス等の重い
材料で形成されていても、その重量によるパイプのたわ
み等が発生することもなく、取り出した電極が再現性良
く、元の位置に戻される利点もある。 そして、電極収納
室のみの真空を破って電極の交換等が行えるようにした
ので、反応室を空気にさらす必要がなくなり、短時間で
不純物の少ないアモルファス膜を形成することが可能と
なり、高効率に太陽電池を製造することができるもので
ある。
ているため、つぎに記載する効果を奏する。反応ガス導
入用パイプの下端に電極を一体に設けたため、反応ガス
導入用パイプを上下させるだけで、専用の移動用治具等
を用いることなく、電極を反応室から電極収納室,その
逆に自在に移動させることができる。 そして、反応室内
の上側に配置された電極の反応室からの取り出しは、反
応ガス導入用パイプを上動し、電極を上方へ移動して反
応室から電極収納室へ移動した後、シャッタにより両室
間の連通口を気密に閉塞し両室を分離し、その後、電極
収納室のみを開放し、その開口より電極を取り出して行
うことができ、取り出して交換等が施された電極の反応
室内への再配置は、電極を電極収納室内に収納した状態
でその開口を蓋体により気密に閉塞して電極収納室内を
独自の排気口より真空排気し、その後、シャッタを開放
して前記連通口を開き、反応ガス導入用パイプを下動
し、電極を下方へ移動し、反応室内に戻して行うことが
できる。 したがって、反応室を真空に保ちながら、専用
の治具等を用いることなく、反応室に配置された電極を
反応室から取り出してその後元に戻すことができる。 こ
のとき、反応ガス導入用パイプの上下動により、その下
端の電極が上下方向に移動して反応室内から室外その逆
に移動する構成であるため、電極がステンレス等の重い
材料で形成されていても、その重量によるパイプのたわ
み等が発生することもなく、取り出した電極が再現性良
く、元の位置に戻される利点もある。 そして、電極収納
室のみの真空を破って電極の交換等が行えるようにした
ので、反応室を空気にさらす必要がなくなり、短時間で
不純物の少ないアモルファス膜を形成することが可能と
なり、高効率に太陽電池を製造することができるもので
ある。
【図1】本発明による太陽電池製造装置の1実施例を示
す成膜時の切断側面図である。
す成膜時の切断側面図である。
【図2】図1の電極交換時の切断側面図である。
【図3】図1の切断正面図である。
2 反応室 3 電極収納室 5 シャッタ 7 排気口 12 基板 14 開口 15 蓋体 17 電極 19 電極天板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西脇 秀則 大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 大西 三千年 大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (56)参考文献 特開 平1−169919(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/205 H01L 31/04
Claims (1)
- 【請求項1】 反応室内に、電極を上側に,基板を下側
にそれぞれ配置し、前記反応室内に反応ガスを導入し、
前記基板上にアモルファス膜を形成して太陽電池を製造
する太陽電池製造装置において、 前記反応室の上方に、連通口を介して該反応室と連通
し、且つ独自の排気口が形成された電極収納室を形成す
ると共に、該電極収納室の上壁に前記連通口と対応する
開口を形成し、該開口を閉塞する蓋体に気密にかつ摺動
自在に貫通した反応ガス導入用パイプの下端に前記電極
を一体に設けると共に、前記電極の前記電極収納室への
移動時に前記両室間を気密に閉塞するシャッタを設けた
ことを特徴とする太陽電池製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3059698A JP2775529B2 (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 太陽電池製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3059698A JP2775529B2 (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 太陽電池製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04274318A JPH04274318A (ja) | 1992-09-30 |
JP2775529B2 true JP2775529B2 (ja) | 1998-07-16 |
Family
ID=13120690
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3059698A Expired - Fee Related JP2775529B2 (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 太陽電池製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2775529B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01169919A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-05 | Hitachi Ltd | 成膜装置 |
-
1991
- 1991-02-28 JP JP3059698A patent/JP2775529B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04274318A (ja) | 1992-09-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6175721B2 (ja) | オゾン発生装置、及び、オゾン発生方法 | |
JPS6015918A (ja) | 外部隔離モジユ−ル | |
US20110300694A1 (en) | Electrode circuit, film formation device, electrode unit, and film formation method | |
JPH05196150A (ja) | ゲートバルブ | |
JP2775529B2 (ja) | 太陽電池製造装置 | |
JP4435541B2 (ja) | Cvd装置及びcvd方法 | |
JPH11288890A (ja) | 薄膜製造装置 | |
JP2010018888A (ja) | Cvd装置及びcvd方法 | |
CN211376582U (zh) | 可容置晶舟盒的下沉式感应耦合电浆洁净机 | |
JPS58196063A (ja) | 光起電力素子の製造方法 | |
JP3610808B2 (ja) | 薄膜製造装置 | |
JPH0885872A (ja) | 成膜装置 | |
JPH0426760A (ja) | スパッタリング装置 | |
JP3395180B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2017141159A (ja) | オゾン発生装置、及び、オゾン発生方法 | |
CN219991730U (zh) | 一种叠层钙钛矿太阳能电池用原子层沉积装置 | |
JPS61174726A (ja) | 薄膜形成方法 | |
JPS59219927A (ja) | プラズマcvd装置 | |
KR101221954B1 (ko) | 박막 태양전지 제조 장치 | |
JP2554039Y2 (ja) | 半導体薄膜形成装置 | |
JPS5825474A (ja) | スパツタ・酸化・蒸着装置 | |
JPS6269511A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN116005110A (zh) | 基材保护膜成形装置 | |
JPH0638401B2 (ja) | 半導体薄膜形成法 | |
JPS58216475A (ja) | シリコン太陽電池の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |