JPH0638401B2 - 半導体薄膜形成法 - Google Patents
半導体薄膜形成法Info
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- JPH0638401B2 JPH0638401B2 JP59169130A JP16913084A JPH0638401B2 JP H0638401 B2 JPH0638401 B2 JP H0638401B2 JP 59169130 A JP59169130 A JP 59169130A JP 16913084 A JP16913084 A JP 16913084A JP H0638401 B2 JPH0638401 B2 JP H0638401B2
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- thin film
- semiconductor
- cyclotron resonance
- electron cyclotron
- semiconductor thin
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体原料ガスを用いて、それを構成してい
る半導体のエピタキシャル成長による半導体薄膜を、半
導体基板上に形成させる半導体薄膜形成法に関する。
る半導体のエピタキシャル成長による半導体薄膜を、半
導体基板上に形成させる半導体薄膜形成法に関する。
従来の技術 半導体原料ガスを用いて、それを構成している半導体の
エピタキシャル成長による半導体薄膜を、半導体基板上
に形成させる半導体薄膜形成法として、従来、半導体薄
膜形成用室で半導体原料ガスのプラズマを生成させるこ
とによって、半導体原料ガスを構成している半導体のエ
ピタキシャル成長による半導体薄膜を、半導体基板上に
形成させるという方法が、プラズマＣＶＤ法による半導
体薄膜形成法として提案されている。
エピタキシャル成長による半導体薄膜を、半導体基板上
に形成させる半導体薄膜形成法として、従来、半導体薄
膜形成用室で半導体原料ガスのプラズマを生成させるこ
とによって、半導体原料ガスを構成している半導体のエ
ピタキシャル成長による半導体薄膜を、半導体基板上に
形成させるという方法が、プラズマＣＶＤ法による半導
体薄膜形成法として提案されている。
このようなプラズマＣＶＤ法による半導体薄膜形成法
は、半導体原料ガスをプラズマ化させずに、半導体原料
ガスを構成している半導体のエピタキシャル成長による
半導体薄膜を、半導体基板上に形成させる方法（ＣＶＤ
法による半導体薄膜形成法）や、半導体の分子線を用い
て、半導体のエピタキシャル成長による半導体薄膜を、
半導体基板上に形成させる方法（分子線成長法による半
導体薄膜形成法）などに比し、低い半導体基板の温度
で、半導体薄膜を形成させることができる、という特徴
を有する。
は、半導体原料ガスをプラズマ化させずに、半導体原料
ガスを構成している半導体のエピタキシャル成長による
半導体薄膜を、半導体基板上に形成させる方法（ＣＶＤ
法による半導体薄膜形成法）や、半導体の分子線を用い
て、半導体のエピタキシャル成長による半導体薄膜を、
半導体基板上に形成させる方法（分子線成長法による半
導体薄膜形成法）などに比し、低い半導体基板の温度
で、半導体薄膜を形成させることができる、という特徴
を有する。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上述したプラズマＣＶＤ法による半導体
薄膜形成法の場合、上述したＣＶＤ法による半導体薄膜
形成法や、分子線成長法による半導体薄膜形成法などに
比し、低い半導体基板の温度で、半導体薄膜を形成する
ことができるとは言え、その半導体基板の温度は、３０
０℃またはそれ以上であり、決して十分低い値でない。
薄膜形成法の場合、上述したＣＶＤ法による半導体薄膜
形成法や、分子線成長法による半導体薄膜形成法などに
比し、低い半導体基板の温度で、半導体薄膜を形成する
ことができるとは言え、その半導体基板の温度は、３０
０℃またはそれ以上であり、決して十分低い値でない。
このため、半導体基板としてマスクを形成した半導体基
板を用い、その半導体基板上に、選択的に半導体薄膜を
形成せんとする場合、半導体基板上に、プラズマＣＶＤ
法によって半導体薄膜を形成するときの温度に十分耐え
得る特別の材料を用いたマスクを形成する必要がある。
従って、半導体基板上にマスクを用いて選択的に半導体
薄膜を形成するのに多くの困難を伴う、という欠点を有
していた。
板を用い、その半導体基板上に、選択的に半導体薄膜を
形成せんとする場合、半導体基板上に、プラズマＣＶＤ
法によって半導体薄膜を形成するときの温度に十分耐え
得る特別の材料を用いたマスクを形成する必要がある。
従って、半導体基板上にマスクを用いて選択的に半導体
薄膜を形成するのに多くの困難を伴う、という欠点を有
していた。
また、半導体基板上に、それとは異なる格子定数を有す
る半導体薄膜を形成する場合、半導体薄膜に、それと半
導体基板との間の熱膨張係数の差に基く応力が、大きな
値で生ずる。このため、半導体薄膜を、半導体基板に十
分近い格子定数を有するものとして形成せんとしても、
その半導体薄膜を、結晶歪の少ないものとして、容易に
形成することができない、という欠点を有していた。
る半導体薄膜を形成する場合、半導体薄膜に、それと半
導体基板との間の熱膨張係数の差に基く応力が、大きな
値で生ずる。このため、半導体薄膜を、半導体基板に十
分近い格子定数を有するものとして形成せんとしても、
その半導体薄膜を、結晶歪の少ないものとして、容易に
形成することができない、という欠点を有していた。
さらに、半導体基板上に半導体薄膜を形成して後、半導
体基板の温度を室温に戻す過程で、半導体薄膜に、半導
体基板の半導体薄膜側とそれとは反対側との間の温度差
に基く応力が、大きな値で生ずる。このため、大きな面
積を有する半導体基板上に、半導体薄膜を大きな面積を
有するものとして形成せんとしても、その半導体薄膜
を、結晶歪の少ないものとして、容易に形成することが
できない、という欠点を有していた。
体基板の温度を室温に戻す過程で、半導体薄膜に、半導
体基板の半導体薄膜側とそれとは反対側との間の温度差
に基く応力が、大きな値で生ずる。このため、大きな面
積を有する半導体基板上に、半導体薄膜を大きな面積を
有するものとして形成せんとしても、その半導体薄膜
を、結晶歪の少ないものとして、容易に形成することが
できない、という欠点を有していた。
本発明の目的 よって、本発明は上述した欠点のない、新規な半導体薄
膜形成法を提案せんとするものである。
膜形成法を提案せんとするものである。
問題点を解決するための手段 本願第１番目の発明による半導体薄膜形成法によれば、
（ｉ）（ａ）電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室
内に水素ガスでなるキャリアガスを導入させることによ
って、上記電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室内
で、キャリアガスの電子サイクロトロン共鳴プラズマを
生成させ、（ｂ）そのキャリアガスの電子サイクロトロ
ン共鳴プラズマを、半導体基板に配している半導体薄膜
形成用室内に導入させ、（ｃ）よって、上記半導体薄膜
形成用室内で、上記キャリアガスの電子サイクロトロン
共鳴プラズマによって、上記半導体基板の表面を、上記
半導体基板の３００℃以下の温度で清浄化させ、（ii）
（ａ）その清浄化後、引続いて、直ちに、それまでの、
上記電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室内への上
記水素ガスでなるキャリアガスの導入、そのキャリアガ
スの電子サイクロトロン共鳴プラズマの生成、その電子
サイクロトロン共鳴プラズマの上記半導体薄膜形成用室
内への導入の状態を保って、上記半導体薄膜形成用室内
に、半導体原料ガスを導入させることによって、上記半
導体薄膜形成用室内で、上記半導体原料ガスのプラズマ
を生成させ、（ｂ）よって、上記半導体薄膜形成用室
で、上記半導体原料ガスを構成している半導体のエピタ
キシャル成長による半導体薄膜を、上記半導体基板の清
浄化された表面上に、上記半導体基板の３００℃以下の
温度で形成させる。
（ｉ）（ａ）電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室
内に水素ガスでなるキャリアガスを導入させることによ
って、上記電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室内
で、キャリアガスの電子サイクロトロン共鳴プラズマを
生成させ、（ｂ）そのキャリアガスの電子サイクロトロ
ン共鳴プラズマを、半導体基板に配している半導体薄膜
形成用室内に導入させ、（ｃ）よって、上記半導体薄膜
形成用室内で、上記キャリアガスの電子サイクロトロン
共鳴プラズマによって、上記半導体基板の表面を、上記
半導体基板の３００℃以下の温度で清浄化させ、（ii）
（ａ）その清浄化後、引続いて、直ちに、それまでの、
上記電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室内への上
記水素ガスでなるキャリアガスの導入、そのキャリアガ
スの電子サイクロトロン共鳴プラズマの生成、その電子
サイクロトロン共鳴プラズマの上記半導体薄膜形成用室
内への導入の状態を保って、上記半導体薄膜形成用室内
に、半導体原料ガスを導入させることによって、上記半
導体薄膜形成用室内で、上記半導体原料ガスのプラズマ
を生成させ、（ｂ）よって、上記半導体薄膜形成用室
で、上記半導体原料ガスを構成している半導体のエピタ
キシャル成長による半導体薄膜を、上記半導体基板の清
浄化された表面上に、上記半導体基板の３００℃以下の
温度で形成させる。
また、本願第２番目の発明による半導体薄膜形成法によ
れば、（ｉ）（ａ）電子サイクロトロン共鳴プラズマ生
成用室内に水素ガスでなるキャリアガスを導入させるこ
とによって、上記電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成
用室内で、キャリアガスの電子サイクロトロン共鳴プラ
ズマを生成させ、（ｂ）そのキャリアガスの電子サイク
ロトロン共鳴プラズマを、半導体基板を配している半導
体薄膜形成用室内に導入させ、（ｃ）よって、上記半導
体薄膜形成用室で、上記キャリアガスの電子サイクロト
ロン共鳴プラズマによって、上記半導体基板の表面を、
上記半導体基板の３００℃以下の温度で清浄化させ、
（ii）（ａ）その清浄化後、引続いて、直ちに、それま
での上記電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室内へ
の上記水素ガスでなるキャリアガスの導入、そのキャリ
アガスの電子サイクロトロン共鳴プラズマの生成、その
電子サイクロトロン共鳴プラズマの上記半導体薄膜形成
用室内への導入の状態を保って、上記電子サイクロトロ
ン共鳴プラズマ生成用室内に、半導体原料ガスを導入さ
せることによって、上記電子サイクロトロン共鳴プラズ
マ生成用室内で、上記半導体原料ガスの電子サイクロト
ロン共鳴プラズマを生成させ、（ｂ）その半導体原料ガ
スの電子サイクロトロン共鳴プラズマを、半導体薄膜形
成用室内に導入させ、（ｃ）よって、上記半導体薄膜形
成用室で、上記半導体原料ガスを構成している半導体の
エピタキシャル成長による半導体薄膜を、上記半導体基
板の清浄化された表面上に、上記半導体基板の３００℃
以下の温度で形成させる。
れば、（ｉ）（ａ）電子サイクロトロン共鳴プラズマ生
成用室内に水素ガスでなるキャリアガスを導入させるこ
とによって、上記電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成
用室内で、キャリアガスの電子サイクロトロン共鳴プラ
ズマを生成させ、（ｂ）そのキャリアガスの電子サイク
ロトロン共鳴プラズマを、半導体基板を配している半導
体薄膜形成用室内に導入させ、（ｃ）よって、上記半導
体薄膜形成用室で、上記キャリアガスの電子サイクロト
ロン共鳴プラズマによって、上記半導体基板の表面を、
上記半導体基板の３００℃以下の温度で清浄化させ、
（ii）（ａ）その清浄化後、引続いて、直ちに、それま
での上記電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室内へ
の上記水素ガスでなるキャリアガスの導入、そのキャリ
アガスの電子サイクロトロン共鳴プラズマの生成、その
電子サイクロトロン共鳴プラズマの上記半導体薄膜形成
用室内への導入の状態を保って、上記電子サイクロトロ
ン共鳴プラズマ生成用室内に、半導体原料ガスを導入さ
せることによって、上記電子サイクロトロン共鳴プラズ
マ生成用室内で、上記半導体原料ガスの電子サイクロト
ロン共鳴プラズマを生成させ、（ｂ）その半導体原料ガ
スの電子サイクロトロン共鳴プラズマを、半導体薄膜形
成用室内に導入させ、（ｃ）よって、上記半導体薄膜形
成用室で、上記半導体原料ガスを構成している半導体の
エピタキシャル成長による半導体薄膜を、上記半導体基
板の清浄化された表面上に、上記半導体基板の３００℃
以下の温度で形成させる。
作用・効果 本願第１番目及び第２番目の発明による半導体薄膜形成
法によれば、半導体基板の表面が、その上に半導体薄膜
を形成する前に、半導体基板を加熱しなくても、従って
半導体基板の３００℃以下の温度で清浄化され、そし
て、その半導体基板の清浄化された表面上に、エピタキ
シャル成長による半導体薄膜が、半導体基板を加熱しな
くても、従って半導体基板の３００℃以下の温度で形成
される。
法によれば、半導体基板の表面が、その上に半導体薄膜
を形成する前に、半導体基板を加熱しなくても、従って
半導体基板の３００℃以下の温度で清浄化され、そし
て、その半導体基板の清浄化された表面上に、エピタキ
シャル成長による半導体薄膜が、半導体基板を加熱しな
くても、従って半導体基板の３００℃以下の温度で形成
される。
また、本願第１番目及び第２番目の発明による半導体薄
膜形成法によれば、半導体基板上に、半導体薄膜を、半
導体基板を加熱しなくても、従って半導体基板の３００
℃以下の温度で、形成することができるので、半導体基
板としてマスクを形成した半導体基板を用い、その半導
体基板上に選択的に半導体薄膜を形成せんとする場合、
マスクとして、特別の材料を用いたものを、半導体基板
上に形成する必要がなく、従って、半導体基板上に、マ
スクを用いて選択的に、半導体薄膜を容易に形成するこ
とができる。
膜形成法によれば、半導体基板上に、半導体薄膜を、半
導体基板を加熱しなくても、従って半導体基板の３００
℃以下の温度で、形成することができるので、半導体基
板としてマスクを形成した半導体基板を用い、その半導
体基板上に選択的に半導体薄膜を形成せんとする場合、
マスクとして、特別の材料を用いたものを、半導体基板
上に形成する必要がなく、従って、半導体基板上に、マ
スクを用いて選択的に、半導体薄膜を容易に形成するこ
とができる。
さらに、本願第１番目及び第２番目の発明による半導体
薄膜形成法によれば、半導体基板上に、半導体薄膜を、
半導体基板を加熱しなくても、従って半導体基板の３０
０℃以下の温度で形成することができるので、半導体薄
膜を、半導体基板とは異なる格子定数を有するものとし
て形成しても、また、大きな面積を有する半導体基板上
に、半導体薄膜を、大きな面積を有するものとして形成
しても、その半導体薄膜を、結晶歪の十分少ないものと
して、容易に形成することができる。
薄膜形成法によれば、半導体基板上に、半導体薄膜を、
半導体基板を加熱しなくても、従って半導体基板の３０
０℃以下の温度で形成することができるので、半導体薄
膜を、半導体基板とは異なる格子定数を有するものとし
て形成しても、また、大きな面積を有する半導体基板上
に、半導体薄膜を、大きな面積を有するものとして形成
しても、その半導体薄膜を、結晶歪の十分少ないものと
して、容易に形成することができる。
また、本願第１番目及び第２番目の発明による半導体薄
膜形成法によれば、半導体薄膜が、半導体基板の清浄化
された表面上に形成されるので、半導体薄膜を、高品位
を有するものとして、容易に形成することができる。
膜形成法によれば、半導体薄膜が、半導体基板の清浄化
された表面上に形成されるので、半導体薄膜を、高品位
を有するものとして、容易に形成することができる。
さらに、本願第１番目及び第２番目の発明による半導体
薄膜形成法によれば、半導体基板の表面の清浄化が、水
素ガスでなるキャリアの電子サイクロトロン共鳴プラズ
マを用いて行われているので、その清浄化を、半導体基
板の表面の自然酸化膜を除去する態様で効果的に行うこ
とができる。
薄膜形成法によれば、半導体基板の表面の清浄化が、水
素ガスでなるキャリアの電子サイクロトロン共鳴プラズ
マを用いて行われているので、その清浄化を、半導体基
板の表面の自然酸化膜を除去する態様で効果的に行うこ
とができる。
また、本願第１番目及び第２番目の発明による半導体薄
膜形成法によれば、半導体薄膜の形成時、水素ガスでな
るキャリアの電子サイクロトロン共鳴プラズマが存在し
ても、半導体基板上への半導体薄膜の形成を実質的に問
題がなく行うことができ、また、水素ガスでなるキャリ
アの電子サイクロトロン共鳴プラズマによって、半導体
薄膜形成用室の内壁が不必要に腐蝕されないので、半導
体基板の表面を清浄化して後、単に半導体薄膜形成用室
内または電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室内
に、半導体原料ガスを導入させるようにしさえすれば、
いままで、半導体基板の表面を清浄化させるために電子
サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室内に水素ガスでな
るキャリアガスを導入させているう状態を、導入させて
いない状態にしなくても、半導体基板の清浄化された表
面上の半導体薄膜の形成を問題なく行うことができ、よ
って、高品質の半導体薄膜を、容易に形成することがで
きる。
膜形成法によれば、半導体薄膜の形成時、水素ガスでな
るキャリアの電子サイクロトロン共鳴プラズマが存在し
ても、半導体基板上への半導体薄膜の形成を実質的に問
題がなく行うことができ、また、水素ガスでなるキャリ
アの電子サイクロトロン共鳴プラズマによって、半導体
薄膜形成用室の内壁が不必要に腐蝕されないので、半導
体基板の表面を清浄化して後、単に半導体薄膜形成用室
内または電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室内
に、半導体原料ガスを導入させるようにしさえすれば、
いままで、半導体基板の表面を清浄化させるために電子
サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室内に水素ガスでな
るキャリアガスを導入させているう状態を、導入させて
いない状態にしなくても、半導体基板の清浄化された表
面上の半導体薄膜の形成を問題なく行うことができ、よ
って、高品質の半導体薄膜を、容易に形成することがで
きる。
本発明による半導体薄膜形成法に用い得る半導体薄膜形
成用装置の実施例 まず、本発明による半導体薄膜形成法に用い得る半導体
薄膜形成用装置の実施例を、図を伴なって述べよう。
成用装置の実施例 まず、本発明による半導体薄膜形成法に用い得る半導体
薄膜形成用装置の実施例を、図を伴なって述べよう。
図に示す半導体薄膜形成用装置は、次に述べる構成を有
する。
する。
すなわち、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１
を有する。
を有する。
この電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１は、導
電性材で製造された中空容器２によって形成され、その
中空容器２の上壁３に、ガス導入管６に連結されている
ガス導入口４と、マイクロ波導波管１３に連結されてい
る例えば石英でなるマスクロ波導入管５とを有する。
電性材で製造された中空容器２によって形成され、その
中空容器２の上壁３に、ガス導入管６に連結されている
ガス導入口４と、マイクロ波導波管１３に連結されてい
る例えば石英でなるマスクロ波導入管５とを有する。
この場合、マイクロ波導波管１３は、導電性材で製造さ
れた取付用環体１４によって、中空容器２に電気的に連
結されている態様で、その中空容器２に取付けられてい
る。
れた取付用環体１４によって、中空容器２に電気的に連
結されている態様で、その中空容器２に取付けられてい
る。
また、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１を構
成している中空容器２は、内側側壁７と、外側側壁８と
を有し、それら間に冷却用媒体路９が形成されている。
成している中空容器２は、内側側壁７と、外側側壁８と
を有し、それら間に冷却用媒体路９が形成されている。
この冷却用媒体路９には、冷却用媒体導入管１０と、冷
却用媒体導出管１１とが連結されている。
却用媒体導出管１１とが連結されている。
一方、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１の周
りには、中空容器２の周りにおいて、電磁石１２が配さ
れ、それによって電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成
用室１内に、磁場を与えるようなされ、また、次に述べ
る半導体薄膜形成用室２１内に、発散磁場を与えるよう
になされている。
りには、中空容器２の周りにおいて、電磁石１２が配さ
れ、それによって電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成
用室１内に、磁場を与えるようなされ、また、次に述べ
る半導体薄膜形成用室２１内に、発散磁場を与えるよう
になされている。
また、図に示す半導体薄膜形成用装置は、半導体薄膜形
成用室２１を有する。
成用室２１を有する。
この半導体薄膜形成用室２１は、電子サイクロトロン共
鳴プラズマ生成用室１と同様に導電性材で製造された中
空容器２２によって形成され、その中空容器２２の下壁
２３の位置に、排気用管３８に連結されている排気口３
７を有し、また、側壁２４の上方寄り位置に、ガス導入
管２６を連結しているガス導入口２５を有する。
鳴プラズマ生成用室１と同様に導電性材で製造された中
空容器２２によって形成され、その中空容器２２の下壁
２３の位置に、排気用管３８に連結されている排気口３
７を有し、また、側壁２４の上方寄り位置に、ガス導入
管２６を連結しているガス導入口２５を有する。
この場合、半導体薄膜形成用室２１を形成している中空
容器２２は、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室
１を形成している中空容器２に比して大きく、その中空
容器２２の上壁２７には窓３４を有する。
容器２２は、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室
１を形成している中空容器２に比して大きく、その中空
容器２２の上壁２７には窓３４を有する。
一方、上述した電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用
室１を形成している中空容器２の下壁２８にも、中空容
器２２の窓３４に対応している窓３５を有する。
室１を形成している中空容器２の下壁２８にも、中空容
器２２の窓３４に対応している窓３５を有する。
電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１を形成して
いる中空容器２は、その窓３５と、半導体薄膜形成用室
２１を形成している中空容器２２の窓３４とがほと一致
するように、中空容器２２上に載置されている状態で、
導電性材で製造された取付用環体３３によって、中空容
器２２と電気的に連結されている状態で、中空容器２２
上に取付けられている。
いる中空容器２は、その窓３５と、半導体薄膜形成用室
２１を形成している中空容器２２の窓３４とがほと一致
するように、中空容器２２上に載置されている状態で、
導電性材で製造された取付用環体３３によって、中空容
器２２と電気的に連結されている状態で、中空容器２２
上に取付けられている。
また、半導体薄膜形成用室２１を形成している中空使用
器２２は、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１
を形成している中空容器２２に、それら中空容器２２の
窓３４及び中空容器２の窓３５を閉塞するように、上述
した取付用環体３３を用いて配された電子サイクロトロ
ン共鳴プラズマ引出用窓３０を介して、連通している。
この電子サイクロトロン共鳴プラズマ引出用窓３０は、
多数の細孔３１を穿設している導電性板３２でなる。
器２２は、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１
を形成している中空容器２２に、それら中空容器２２の
窓３４及び中空容器２の窓３５を閉塞するように、上述
した取付用環体３３を用いて配された電子サイクロトロ
ン共鳴プラズマ引出用窓３０を介して、連通している。
この電子サイクロトロン共鳴プラズマ引出用窓３０は、
多数の細孔３１を穿設している導電性板３２でなる。
さらに、半導体薄膜形成用室２１内には、基板載置台４
１が、中空容器２２から電気的に浮かされている状態
に、適当な手段（図示せず）を用いて配されるようにな
されている。
１が、中空容器２２から電気的に浮かされている状態
に、適当な手段（図示せず）を用いて配されるようにな
されている。
また、半導体薄膜形成用室２１内には、電子サイクロト
ロン共鳴プラズマ引出用窓３０を開閉するシャッタ板４
２が、適当な手段（図示せず）を用いて配されている。
ロン共鳴プラズマ引出用窓３０を開閉するシャッタ板４
２が、適当な手段（図示せず）を用いて配されている。
以上が、本発明による半導体薄膜形成法に用い得る半導
体薄膜形成用装置の実施例の構成である。
体薄膜形成用装置の実施例の構成である。
実施例１ 次に、上述した本発明による半導体薄膜形成法に用い得
る半導体薄膜形成用装置を用いた、本発明による半導体
薄膜形成法の第１の実施例を述べよう。
る半導体薄膜形成用装置を用いた、本発明による半導体
薄膜形成法の第１の実施例を述べよう。
半導体薄膜形成用室２１を形成している中空容器２２内
に、基板載置台４１を用いて、半導体基板５１を配す
る。この場合、半導体基板５１は、加熱用板４３を介し
て、基板載置台４１上に配置させてもよい。
に、基板載置台４１を用いて、半導体基板５１を配す
る。この場合、半導体基板５１は、加熱用板４３を介し
て、基板載置台４１上に配置させてもよい。
次に、半導体薄膜形成用室２１を形成している中空容器
２２の排気口３７に連結している排気用管３８に、排気
用ポンプ（図示せず）を連結し、電子サイクロトロン共
鳴プラズマ生成用室１及び半導体薄膜形成用室２１を、
１０−７Torr程度の真空状態にする。
２２の排気口３７に連結している排気用管３８に、排気
用ポンプ（図示せず）を連結し、電子サイクロトロン共
鳴プラズマ生成用室１及び半導体薄膜形成用室２１を、
１０−７Torr程度の真空状態にする。
次に、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１を形
成している中空容器２のガス導入口４に連結しているガ
ス導入管６に、キャリアガス源（図示せず）を連結し、
そのキャリアガス源から、電子サイクロトロン共鳴プラ
ズマ生成用室１内に、水素ガスでなるキャリアガスＣを
導入させる。
成している中空容器２のガス導入口４に連結しているガ
ス導入管６に、キャリアガス源（図示せず）を連結し、
そのキャリアガス源から、電子サイクロトロン共鳴プラ
ズマ生成用室１内に、水素ガスでなるキャリアガスＣを
導入させる。
この場合、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１
または半導体薄膜形成用室２１のいずれにも半導体原料
ガスＧを導入させない。
または半導体薄膜形成用室２１のいずれにも半導体原料
ガスＧを導入させない。
また、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１及び
半導体薄膜形成用室２１内が１０−５〜１０−３程度の
圧力になるように、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生
成用室１及び半導体薄膜形成用室２１を、排気用管３８
を介して、排気しながら、上述したキャリアガスＣの電
子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１内への導入を
行う。
半導体薄膜形成用室２１内が１０−５〜１０−３程度の
圧力になるように、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生
成用室１及び半導体薄膜形成用室２１を、排気用管３８
を介して、排気しながら、上述したキャリアガスＣの電
子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１内への導入を
行う。
また、このとき、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成
用室１内に、マイクロ波導波管１３及びマスクロ波導入
窓５を介して、例えば、２．４５ＧHzの周波数を有する
マイクロ波Ｍを導入させる。
用室１内に、マイクロ波導波管１３及びマスクロ波導入
窓５を介して、例えば、２．４５ＧHzの周波数を有する
マイクロ波Ｍを導入させる。
さらに、電磁石１２を、それへの通電によって作動さ
せ、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１内に、
例えば８７５ガウス程度の強さの磁場を与えるととも
に、半導体薄膜形成用室２１内に発散磁場を与える。
せ、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１内に、
例えば８７５ガウス程度の強さの磁場を与えるととも
に、半導体薄膜形成用室２１内に発散磁場を与える。
なお、中空容器２に形成されている冷却用媒体路９に、
冷却用媒体導入管１０及び冷却用媒体導出管１１を介し
て、例えば冷却水を流し、中空容器２を冷却させて置
く。
冷却用媒体導入管１０及び冷却用媒体導出管１１を介し
て、例えば冷却水を流し、中空容器２を冷却させて置
く。
しかるときは、電磁石１２への通電量によって、電子サ
イクロトロン共鳴プラズマ生成用室１内の磁場の強さを
適当に調整すれば、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生
成用室１内に、キャリアガスＣの電子サイクロトロン共
鳴プラズマＰ１が生成する。
イクロトロン共鳴プラズマ生成用室１内の磁場の強さを
適当に調整すれば、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生
成用室１内に、キャリアガスＣの電子サイクロトロン共
鳴プラズマＰ１が生成する。
このキャリアガスＣの電子サイクロトロン共鳴プラズマ
Ｐ１は、電子サイクロトロン共鳴プラズマ引出用窓３０
下において、電磁石１２によって、半導体基板５１側に
向うに従い外側方に発散する磁場が生成されるので、電
子サイクロトロン共鳴プラズマ引出用窓３０を介して、
半導体薄膜形成用室２１内に引出（導入）され、そし
て、半導体基板５１側に向かう。
Ｐ１は、電子サイクロトロン共鳴プラズマ引出用窓３０
下において、電磁石１２によって、半導体基板５１側に
向うに従い外側方に発散する磁場が生成されるので、電
子サイクロトロン共鳴プラズマ引出用窓３０を介して、
半導体薄膜形成用室２１内に引出（導入）され、そし
て、半導体基板５１側に向かう。
このため、半導体基板５１の表面が、キャリアガスＣの
電子サイクロトロン共鳴プラズマＰ１によって、半導体
基板５１を加熱用板４３を用いて加熱しなくても、従っ
て半導体基板５１の３００℃以下の温度で、清浄化され
る。
電子サイクロトロン共鳴プラズマＰ１によって、半導体
基板５１を加熱用板４３を用いて加熱しなくても、従っ
て半導体基板５１の３００℃以下の温度で、清浄化され
る。
次に、上述したようにして電子サイクロトロン共鳴プラ
ズマ生成用室１内に生成したキャリアガスＣの電子サイ
クロトロン共鳴プラズマＰ１が、上述したように、電子
サイクロトロン共鳴プラズマ引出用窓３０を介して、半
導体薄膜形成用室２１内に引出され、そして、半導体基
板５１側に向っている状態で、中空容器２２のガス導入
口２５に連結しているガス導入管２６に、半導体原料ガ
ス源を連結し、半導体薄膜形成用室２１内に半導体原料
ガスＧを導入させる。
ズマ生成用室１内に生成したキャリアガスＣの電子サイ
クロトロン共鳴プラズマＰ１が、上述したように、電子
サイクロトロン共鳴プラズマ引出用窓３０を介して、半
導体薄膜形成用室２１内に引出され、そして、半導体基
板５１側に向っている状態で、中空容器２２のガス導入
口２５に連結しているガス導入管２６に、半導体原料ガ
ス源を連結し、半導体薄膜形成用室２１内に半導体原料
ガスＧを導入させる。
しかるときは、半導体薄膜形成用室２１内に、電子サイ
クロトロン共鳴プラズマＰ１によって、半導体原料ガス
ＧのプラズマＰ２が、大きなエネルギーを有するものと
して生成し、そして、それが半導体基板５１側に向う。
クロトロン共鳴プラズマＰ１によって、半導体原料ガス
ＧのプラズマＰ２が、大きなエネルギーを有するものと
して生成し、そして、それが半導体基板５１側に向う。
よって、半導体基板５１の上述したようにして清浄化さ
れた表面上に、半導体原料ガスＧを構成している半導体
のエピタキシャル成長による半導体薄膜５２が、加熱用
板４３を用いて加熱しなくても、従って、半導体基板５
１の３００℃以下の温度で形成される。
れた表面上に、半導体原料ガスＧを構成している半導体
のエピタキシャル成長による半導体薄膜５２が、加熱用
板４３を用いて加熱しなくても、従って、半導体基板５
１の３００℃以下の温度で形成される。
以上で、本発明による半導体薄膜形成法の第１の実施例
が明らかとなったが、こような本発明による半導体薄膜
形成法の第１の実施例によれば、詳細説明は省略する
が、作用・効果の項で述べた作用効果が得られることは
明らかである。
が明らかとなったが、こような本発明による半導体薄膜
形成法の第１の実施例によれば、詳細説明は省略する
が、作用・効果の項で述べた作用効果が得られることは
明らかである。
実施例２ 次に、上述した本発明による半導体薄膜形成法に用い得
る半導体薄膜形成用装置を用いた、本発明による半導体
薄膜形成法の第２の実施例を述べよう。
る半導体薄膜形成用装置を用いた、本発明による半導体
薄膜形成法の第２の実施例を述べよう。
半導体薄膜形成用室２１内に、本発明による半導体薄膜
形成法の第１の実施例の場合と同様に、基板載置台４１
を用いて、半導体基板５１を配する。
形成法の第１の実施例の場合と同様に、基板載置台４１
を用いて、半導体基板５１を配する。
次に、本発明による半導体薄膜形成法の第１の実施例の
場合と同様に、半導体薄膜形成用室２１を形成している
中空容器２２の排気口３７に連結している排気用管３８
に、排気用ポンプを連結し、電子サイクロトロン共鳴プ
ラズマ生成用室１及び半導体薄膜形成用室２１を、１０
−７Torr程度の真空状態にする。
場合と同様に、半導体薄膜形成用室２１を形成している
中空容器２２の排気口３７に連結している排気用管３８
に、排気用ポンプを連結し、電子サイクロトロン共鳴プ
ラズマ生成用室１及び半導体薄膜形成用室２１を、１０
−７Torr程度の真空状態にする。
次に、本発明による半導体薄膜形成法の第１の実施例の
場合と同様に、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用
室１に形成している中空容器２のガス導入口４に連結し
ているガス導入管６に、キャリアガス源を連結し、その
キャリアガス源から、電子サイクロトロン共鳴プラズマ
生成用室１内に、水素ガスでなるキャリアガスＣを導入
させる。
場合と同様に、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用
室１に形成している中空容器２のガス導入口４に連結し
ているガス導入管６に、キャリアガス源を連結し、その
キャリアガス源から、電子サイクロトロン共鳴プラズマ
生成用室１内に、水素ガスでなるキャリアガスＣを導入
させる。
この場合、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１
または半導体薄膜形成用室２１のいずれにも半導体原料
ガスＧを導入させない。
または半導体薄膜形成用室２１のいずれにも半導体原料
ガスＧを導入させない。
また、本発明による半導体薄膜形成法の第１の実施例の
場合と同様に、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用
室１及び半導体薄膜形成用室２１内が１０−５〜１０
−３程度の圧力になるように、電子サイクロトロン共鳴
プラズマ生成用室１及び半導体薄膜形成用室２１を、排
気用管３８を介して、排気しながら、上述したキャリア
ガスＣの電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１内
へ導入を行う。
場合と同様に、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用
室１及び半導体薄膜形成用室２１内が１０−５〜１０
−３程度の圧力になるように、電子サイクロトロン共鳴
プラズマ生成用室１及び半導体薄膜形成用室２１を、排
気用管３８を介して、排気しながら、上述したキャリア
ガスＣの電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１内
へ導入を行う。
また、このとき、本発明による半導体薄膜形成法の第１
の実施例の場合と同様に、電子サイクロトロン共鳴プラ
ズマ生成用室１内に、マイクロ波導波管１３及びマスク
ロ波導入窓５を介して、マイクロ波Ｍを導入させる。
の実施例の場合と同様に、電子サイクロトロン共鳴プラ
ズマ生成用室１内に、マイクロ波導波管１３及びマスク
ロ波導入窓５を介して、マイクロ波Ｍを導入させる。
さらに、本発明による半導体薄膜形成法の第１の実施例
の場合と同様に、電磁石１２を作動させ、電子サイクロ
トロン共鳴プラズマ生成用室１内に磁場を与えるととも
に、半導体薄膜形成用室２１内に発散磁場を与える。
の場合と同様に、電磁石１２を作動させ、電子サイクロ
トロン共鳴プラズマ生成用室１内に磁場を与えるととも
に、半導体薄膜形成用室２１内に発散磁場を与える。
しかるときは、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用
室１内に、本発明による半導体薄膜形成法の第１の実施
例の場合と同様に、キャリアガスＣの電子サイクロトロ
ン共鳴プラズマＰ１が生成する。
室１内に、本発明による半導体薄膜形成法の第１の実施
例の場合と同様に、キャリアガスＣの電子サイクロトロ
ン共鳴プラズマＰ１が生成する。
このキャリアガスＣの電子サイクロトロン共鳴プラズマ
Ｐ１は、本発明による半導体薄膜形成法の第１の実施例
の場合と同様に、電子サイクロトロン共鳴プラズマ引出
用窓３０を介して、半導体薄膜形成用室２１内に引出
（導入）され、そして、半導体基板５１側に向かう。
Ｐ１は、本発明による半導体薄膜形成法の第１の実施例
の場合と同様に、電子サイクロトロン共鳴プラズマ引出
用窓３０を介して、半導体薄膜形成用室２１内に引出
（導入）され、そして、半導体基板５１側に向かう。
このため、半導体基板５１の表面が、本発明による半導
体薄膜形成法の第１の実施例の場合と同様に、キャリア
ガスＣの電子サイクロトロン共鳴プラズマＰ１によっ
て、半導体基板５１を加熱用板４３を用いて加熱しなく
ても、従って半導体基板５１の３００℃以下の温度で、
清浄化される。
体薄膜形成法の第１の実施例の場合と同様に、キャリア
ガスＣの電子サイクロトロン共鳴プラズマＰ１によっ
て、半導体基板５１を加熱用板４３を用いて加熱しなく
ても、従って半導体基板５１の３００℃以下の温度で、
清浄化される。
次に、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室を形成
している中空容器２のガス導入口４に連結しているガス
導入管６に、キャリアガス源が連結されている状態で、
従って、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１内
に水素ガスでなるキャリアガスＣを導入させている状態
で、ガス導入管６に、半導体原料ガス（図示せず）を連
結し、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１内
に、半導体原料ガスＧを導入させる。
している中空容器２のガス導入口４に連結しているガス
導入管６に、キャリアガス源が連結されている状態で、
従って、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１内
に水素ガスでなるキャリアガスＣを導入させている状態
で、ガス導入管６に、半導体原料ガス（図示せず）を連
結し、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１内
に、半導体原料ガスＧを導入させる。
この場合、上述した、キャリアガスＣの電子サイクロト
ロン共鳴プラズマＰ１を生成させたときに準じて、電子
サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１及び半導体薄膜
形成用室２１を排気しながら、電子サイクロトロン共鳴
プラズマ生成用室１内に、半導体原料ガスＧを導入させ
る。
ロン共鳴プラズマＰ１を生成させたときに準じて、電子
サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１及び半導体薄膜
形成用室２１を排気しながら、電子サイクロトロン共鳴
プラズマ生成用室１内に、半導体原料ガスＧを導入させ
る。
また、このとき、上述した、キャリアガスＣの電子サイ
クロトロン共鳴プラズマＰ１を生成させたときに準じ
て、マイクロ波導波管１３及びマイクロ波導入窓５を介
して、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１内に
マイクロ波を導入させ、また、電磁石１２を作動させ、
電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１内に磁場を
与えるとともに、半導体薄膜形成用室２１内に発散磁場
を与える。
クロトロン共鳴プラズマＰ１を生成させたときに準じ
て、マイクロ波導波管１３及びマイクロ波導入窓５を介
して、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１内に
マイクロ波を導入させ、また、電磁石１２を作動させ、
電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１内に磁場を
与えるとともに、半導体薄膜形成用室２１内に発散磁場
を与える。
しかるときは、上述した、キャリアガスＣの電子サイク
ロトロン共鳴プラズマＰ１を生成させたときに準じて、
電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１で、半導体
原料ガスＧの電子サイクロトロン共鳴プラズマＰ３が得
られ、そして、その電子サイクロトロン共鳴プラズマＰ
３が、電子サイクロトロン共鳴プラズマ引出用窓３０を
介して、半導体薄膜形成用室２１内に引出（導入）さ
れ、半導体基板５１側に向かう。
ロトロン共鳴プラズマＰ１を生成させたときに準じて、
電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１で、半導体
原料ガスＧの電子サイクロトロン共鳴プラズマＰ３が得
られ、そして、その電子サイクロトロン共鳴プラズマＰ
３が、電子サイクロトロン共鳴プラズマ引出用窓３０を
介して、半導体薄膜形成用室２１内に引出（導入）さ
れ、半導体基板５１側に向かう。
このため、半導体基板５１の、上述した電子サイクロト
ロン共鳴プラズマＰ１によって清浄化された表面上に、
半導体原料ガスを構成している半導体のエピタキシャル
成長による半導体薄膜５２が、半導体基板５１を加熱用
板４３を用いて加熱しなくても、従って半導体基板５１
の３００℃以下の温度で形成される。
ロン共鳴プラズマＰ１によって清浄化された表面上に、
半導体原料ガスを構成している半導体のエピタキシャル
成長による半導体薄膜５２が、半導体基板５１を加熱用
板４３を用いて加熱しなくても、従って半導体基板５１
の３００℃以下の温度で形成される。
以上で、本発明による半導体薄膜形成法の第２の実施例
が明らかとなったが、このような本発明による半導体薄
膜形成法によれば、詳細説明は省略するが、作用・効果
の項で述べた作用効果が得られることは明らかである。
が明らかとなったが、このような本発明による半導体薄
膜形成法によれば、詳細説明は省略するが、作用・効果
の項で述べた作用効果が得られることは明らかである。
なお、上述においては、本発明の２つの実施例を示した
に留まり、本発明の精神を脱することなしに種々の変
形、変更をなし得るであろう。
に留まり、本発明の精神を脱することなしに種々の変
形、変更をなし得るであろう。
例えば、本発明による半導体薄膜形成法を、それに用い
得る半導体薄膜形成用装置として、電磁石１２を直流磁
石にしたことを除いて図を伴って上述した半導体薄膜形
成用装置と同様のものを用いて実施することもできる。
得る半導体薄膜形成用装置として、電磁石１２を直流磁
石にしたことを除いて図を伴って上述した半導体薄膜形
成用装置と同様のものを用いて実施することもできる。
また、本発明による半導体薄膜形成法を、それに用い得
る半導体薄膜形成用装置として、上述においては、電磁
石１２が、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１
内に電子サイクロトロン共鳴プラズマを生成させるため
の磁場を与える磁場付与手段と、電子サイクロトロン共
鳴プラズマ生成用室１内に生成される電子サイクロトロ
ン共鳴プラズマを、半導体薄膜形成用室２１内に引出し
て、それを半導体薄膜形成用室２１内に配された半導体
基板５１側に向かわせる電子サイクロトロン共鳴プラズ
マ引出用手段とを兼ねているものを用いて実施した場合
につき述べた。しかしながら、半導体薄膜形成用装置と
して、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１に電
子サイクロトロン共鳴プラズマを生成させるための磁場
を与える磁場付与手段と、電子サイクロトロン共鳴プラ
ズマ生成用室内に生成される電子サイクロトロン共鳴プ
ラズマを、半導体薄膜形成用室２１内に引出して、それ
を半導体薄膜形成用室２１内に配された半導体基板５１
側に向かわせる電子サイクロトロン共鳴プラズマ引出用
手段とを、各別の手段として設けているものを用いて実
施することもできる。
る半導体薄膜形成用装置として、上述においては、電磁
石１２が、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１
内に電子サイクロトロン共鳴プラズマを生成させるため
の磁場を与える磁場付与手段と、電子サイクロトロン共
鳴プラズマ生成用室１内に生成される電子サイクロトロ
ン共鳴プラズマを、半導体薄膜形成用室２１内に引出し
て、それを半導体薄膜形成用室２１内に配された半導体
基板５１側に向かわせる電子サイクロトロン共鳴プラズ
マ引出用手段とを兼ねているものを用いて実施した場合
につき述べた。しかしながら、半導体薄膜形成用装置と
して、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１に電
子サイクロトロン共鳴プラズマを生成させるための磁場
を与える磁場付与手段と、電子サイクロトロン共鳴プラ
ズマ生成用室内に生成される電子サイクロトロン共鳴プ
ラズマを、半導体薄膜形成用室２１内に引出して、それ
を半導体薄膜形成用室２１内に配された半導体基板５１
側に向かわせる電子サイクロトロン共鳴プラズマ引出用
手段とを、各別の手段として設けているものを用いて実
施することもできる。
図は、本発明による半導体薄膜形成法の実施例に用い得
る、半導体薄膜形成用装置の実施例を示す略線的断面図
である。 １……電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室 ２……電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１を形
成している中空容器 ４……ガス導入口 ５……マイクロ波導入窓 ６……ガス導入管 １２……電磁石 １３……マイクロ波導波管 ２１……半導体薄膜形成用室 ２２……半導体薄膜形成用室２１を形成している中空容
器 ２５……ガス導入口 ２６……ガス導入口 ３０……電子サイクロトロン共鳴プラズマ引出用窓 ３７……排気口 ３８……排気用管 ４１……基板載置台 ４２……シャッタ板 ５１……半導体基板 ５２……半導体薄膜
る、半導体薄膜形成用装置の実施例を示す略線的断面図
である。 １……電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室 ２……電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１を形
成している中空容器 ４……ガス導入口 ５……マイクロ波導入窓 ６……ガス導入管 １２……電磁石 １３……マイクロ波導波管 ２１……半導体薄膜形成用室 ２２……半導体薄膜形成用室２１を形成している中空容
器 ２５……ガス導入口 ２６……ガス導入口 ３０……電子サイクロトロン共鳴プラズマ引出用窓 ３７……排気口 ３８……排気用管 ４１……基板載置台 ４２……シャッタ板 ５１……半導体基板 ５２……半導体薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鳥居 康弘 神奈川県厚木市小野1839番地 日本電信電 話公社厚木電気通信研究所内 (56)参考文献 特開 昭56−155535（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−133636（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室
内に水素ガスでなるキャリアガスを導入させることによ
って、上記電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室内
で、キャリアガスの電子サイクロトロン共鳴プラズマを
生成させ、 そのキャリアガスの電子サイクロトロン共鳴プラズマ
を、半導体基板を配している半導体薄膜形成用室内に導
入させ、 よって、上記半導体薄膜形成用室内で、上記キャリアガ
スの電子サイクロトロン共鳴プラズマによって、上記半
導体基板の表面を、上記半導体基板の３００℃以下の温
度で清浄化させ、 その清浄化後、引続いて、直ちに、それまでの、上記電
子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室内への上記水素
ガスでなるキャリアガスの導入、そのキャリアガスの電
子サイクロトロン共鳴プラズマの生成、その電子サイク
ロトロン共鳴プラズマの上記半導体薄膜形成用室内への
導入の状態を保って、上記半導体薄膜形成用室内に、半
導体原料ガスを導入させることによって、上記半導体薄
膜形成用室内で、上記半導体原料ガスのプラズマを生成
させ、 よって、上記半導体薄膜形成用室で、上記半導体原料ガ
スを構成している半導体のエピタキシャル成長による半
導体薄膜を、上記半導体基板の清浄化された表面上に、
上記半導体基板の３００℃以下の温度で形成させること
を特徴とする半導体薄膜形成法。 - 【請求項２】電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室
内に水素ガスでなるキャリアガスを導入させることによ
って、上記電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室内
で、キャリアガスの電子サイクロトロン共鳴プラズマを
生成させ、 そのキャリアガスの電子サイクロトロン共鳴プラズマ
を、半導体基板を配している半導体薄膜形成用室内に導
入させ、 よって、上記半導体薄膜形成用室で、上記キャリアガス
の電子サイクロトロン共鳴プラズマによって、上記半導
体基板の表面を、上記半導体基板の３００℃以下の温度
で清浄化させ、 その清浄化後、引続いて、直ちに、それまでの上記電子
サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室内への上記水素ガ
スでなるキャリアガスの導入、そのキャリアガスの電子
サイクロトロン共鳴プラズマの生成、その電子サイクロ
トロン共鳴プラズマの上記半導体薄膜形成用室内への導
入の状態を保って、上記電子サイクロトロン共鳴プラズ
マ生成用室内に、半導体原料ガスを導入させることによ
って、上記電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室内
で、上記半導体原料ガスの電子サイクロトロン共鳴プラ
ズマを生成させ、 その半導体原料ガスの電子サイクロトロン共鳴プラズマ
を、半導体薄膜形成用室内に導入させ、 よって、上記半導体薄膜形成用室で、上記半導体原料ガ
スを構成している半導体のエピタキシャル成長による半
導体薄膜を、上記半導体基板の清浄化された表面上に、
上記半導体基板の３００℃以下の温度で形成させること
を特徴とする半導体薄膜形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59169130A JPH0638401B2 (ja) | 1984-08-13 | 1984-08-13 | 半導体薄膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59169130A JPH0638401B2 (ja) | 1984-08-13 | 1984-08-13 | 半導体薄膜形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6147628A JPS6147628A (ja) | 1986-03-08 |
| JPH0638401B2 true JPH0638401B2 (ja) | 1994-05-18 |
Family
ID=15880833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59169130A Expired - Lifetime JPH0638401B2 (ja) | 1984-08-13 | 1984-08-13 | 半導体薄膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0638401B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0672306B2 (ja) * | 1987-04-27 | 1994-09-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP2625756B2 (ja) * | 1987-09-08 | 1997-07-02 | 住友金属工業株式会社 | プラズマプロセス装置 |
| JPH0252422A (ja) * | 1988-08-17 | 1990-02-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜製造方法及び装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56155535A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Film forming device utilizing plasma |
| JPS57133636A (en) * | 1981-02-13 | 1982-08-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Film forming device utilizing plasma at low temperature |
-
1984
- 1984-08-13 JP JP59169130A patent/JPH0638401B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6147628A (ja) | 1986-03-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |