JPS58123541A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS58123541A JPS58123541A JP660582A JP660582A JPS58123541A JP S58123541 A JPS58123541 A JP S58123541A JP 660582 A JP660582 A JP 660582A JP 660582 A JP660582 A JP 660582A JP S58123541 A JPS58123541 A JP S58123541A
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- JP
- Japan
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- group
- substituted
- bisazo compound
- ring
- alkyl group
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ね1、新規なビスアゾ化合物、このビスアゾ化合
物を含有する事r%徴とする光導電性組成物、およびこ
のジスアゾ化合物r含有する電子写真感光層r有するこ
とr特徴とする電子写真感光体に関するものである。
物を含有する事r%徴とする光導電性組成物、およびこ
のジスアゾ化合物r含有する電子写真感光層r有するこ
とr特徴とする電子写真感光体に関するものである。
電子写真感光体の光導電過程は
(11@光に工す電荷?発生する過程、(2)電荷を輸
送する過程、 から成る。
送する過程、 から成る。
(liと(21會同−物質で行う例としてセレン感光板
が挙げられる。一方(1)と(2)を別々の物質で行う
例として無足形セレンとボ+) N−ビニニルカルバ
ゾールの組合せが良く知られている。f、11と(2)
を別々の物質で行なう方法は電子写真感光体に用いる材
料の選択範囲ケ拡げ、それに伴い、電子写真感光体の感
度、受容電位等の電子写真特性が向上し、また電子4真
感光体塗膜作製上好都合な物質r広い範囲η島ら選び得
るという長所含有している。
が挙げられる。一方(1)と(2)を別々の物質で行う
例として無足形セレンとボ+) N−ビニニルカルバ
ゾールの組合せが良く知られている。f、11と(2)
を別々の物質で行なう方法は電子写真感光体に用いる材
料の選択範囲ケ拡げ、それに伴い、電子写真感光体の感
度、受容電位等の電子写真特性が向上し、また電子4真
感光体塗膜作製上好都合な物質r広い範囲η島ら選び得
るという長所含有している。
従来、重子写真方式において使用される電子写真感光体
の光導電性素材として用いられているものに、セレン、
硫化カドミウム、酸化亜鉛などの無機物質がある。
の光導電性素材として用いられているものに、セレン、
硫化カドミウム、酸化亜鉛などの無機物質がある。
電子写真法はすでにカールソンが米国特許第コ2り76
り1号に明らかにしたように、画像露光の間に受けた照
射量に応じその電気抵抗が変化する暗所で絶縁性の物質
?コーティングした支持体エリなる光導電性拐料會用い
る。この光導電性材料は一般に適当な間の暗順応の後、
暗所で、1ず一様な表面1:荷が与えられる。次に、こ
の材料は照射、eターンの種々の部分に含1れる相対エ
ネルギーに応じて表面電荷r減らす効果含有する照射の
パターンにより画掌廊光される。このようにして光導電
性物質層(電子写真感光体)表面に残った表面電荷又は
静電潜像は次にその表面が適当な検電表示物質、すなわ
ちトナーで接触されて可視イ象となる。
り1号に明らかにしたように、画像露光の間に受けた照
射量に応じその電気抵抗が変化する暗所で絶縁性の物質
?コーティングした支持体エリなる光導電性拐料會用い
る。この光導電性材料は一般に適当な間の暗順応の後、
暗所で、1ず一様な表面1:荷が与えられる。次に、こ
の材料は照射、eターンの種々の部分に含1れる相対エ
ネルギーに応じて表面電荷r減らす効果含有する照射の
パターンにより画掌廊光される。このようにして光導電
性物質層(電子写真感光体)表面に残った表面電荷又は
静電潜像は次にその表面が適当な検電表示物質、すなわ
ちトナーで接触されて可視イ象となる。
トナーは絶sg中に含まれようと乾燥担体中に含1れ工
うと、電荷パターンに応じて電子写真感光層表面上に付
着させることができる。付着した表示物質は、熱、圧力
、溶媒蒸気の工つな公知の手段に工す定着することがで
きる。又静電潜像は第2の支持体(例えば紙、フィルム
など)に転写することができる。同様に静電潜僑ン第2
の支持体に転写し、そこで現像することも可能である。
うと、電荷パターンに応じて電子写真感光層表面上に付
着させることができる。付着した表示物質は、熱、圧力
、溶媒蒸気の工つな公知の手段に工す定着することがで
きる。又静電潜像は第2の支持体(例えば紙、フィルム
など)に転写することができる。同様に静電潜僑ン第2
の支持体に転写し、そこで現像することも可能である。
電子写真法はこの様にして画像音形成する工うにした画
像形成法の一つである。
像形成法の一つである。
この↓うな電子写真法において電子写真感光体に要求さ
れる基本的な特性としては、(1)暗所で適当な電位に
帯電てきること、(2)暗所において電荷の逸散が少な
いこと、(3)光照射によって速や〃為に電荷r逸散せ
しめうることなどがあけられる。
れる基本的な特性としては、(1)暗所で適当な電位に
帯電てきること、(2)暗所において電荷の逸散が少な
いこと、(3)光照射によって速や〃為に電荷r逸散せ
しめうることなどがあけられる。
従来用いられている前記無機物質は、多くの長所r持っ
ていると同時にさ1ざ1な欠点含有していることは事実
である。例えば、現在広く用いられているセレンは前記
fil〜(3)の条件は十分に満足−ター するが、製造する条件がむす〃)シく、製造コストが高
くなり、可撓性がなく、ベルト状に加工することがむづ
v−L (、熱や機械的の衝撃に鋭敏なため取扱いに注
意r喪するなどの欠点もある。硫化カドミウムや酸化亜
鉛は、結合剤としての樹脂に分散させて電子写真感光体
として用いられているが、平滑性、硬度、引張り強度、
耐摩擦性などの機械的な欠点があるためにその11では
反復して使用することができない。
ていると同時にさ1ざ1な欠点含有していることは事実
である。例えば、現在広く用いられているセレンは前記
fil〜(3)の条件は十分に満足−ター するが、製造する条件がむす〃)シく、製造コストが高
くなり、可撓性がなく、ベルト状に加工することがむづ
v−L (、熱や機械的の衝撃に鋭敏なため取扱いに注
意r喪するなどの欠点もある。硫化カドミウムや酸化亜
鉛は、結合剤としての樹脂に分散させて電子写真感光体
として用いられているが、平滑性、硬度、引張り強度、
耐摩擦性などの機械的な欠点があるためにその11では
反復して使用することができない。
近年、これら無機物質の欠点r排除するためにいろいろ
の有機物音r用いた電子写真感光体が提案され、夾用に
供されているものもある。例えば、ポ+) N−ビニ
ルカルバゾールとJ、#、7−1・IJ = トロフル
オレン−ターオンと〃・らなる電子写真感光体(米国特
許3.μlグ、コ37)、ポリーN−ビニルカルバゾー
ルrビリリウム塙系色素で増感したもの(%公昭’AI
2!611)、有機顔料音生成分とする電子写真感
光体(特開昭≠7−37タグ3)、染料と樹脂と刀島ら
なる共晶錯体デ生成分とする電子写真感光体(%1昭4
t7− io− 107314などである。
の有機物音r用いた電子写真感光体が提案され、夾用に
供されているものもある。例えば、ポ+) N−ビニ
ルカルバゾールとJ、#、7−1・IJ = トロフル
オレン−ターオンと〃・らなる電子写真感光体(米国特
許3.μlグ、コ37)、ポリーN−ビニルカルバゾー
ルrビリリウム塙系色素で増感したもの(%公昭’AI
2!611)、有機顔料音生成分とする電子写真感
光体(特開昭≠7−37タグ3)、染料と樹脂と刀島ら
なる共晶錯体デ生成分とする電子写真感光体(%1昭4
t7− io− 107314などである。
これらの有機電子写X感光体は、前記無機電子写真感光
体の機械的特性及び可撓性もある程度1で、改善したも
のの概して光感度が低く1だ繰り返し便用に適さず電、
子写真感光体としての要求を充分に満足するものではな
〃・つた。
体の機械的特性及び可撓性もある程度1で、改善したも
のの概して光感度が低く1だ繰り返し便用に適さず電、
子写真感光体としての要求を充分に満足するものではな
〃・つた。
本発明者らは、前記従来の電子写真感光体のもつ欠点?
改良すべく鋭意研究の結果、新規なビスアゾ化合物會含
有する寛子写X1ffl光体が十分に実用に供しうる程
の尚感度・高耐久性を有する事r見出し、本発明に到達
したものである。
改良すべく鋭意研究の結果、新規なビスアゾ化合物會含
有する寛子写X1ffl光体が十分に実用に供しうる程
の尚感度・高耐久性を有する事r見出し、本発明に到達
したものである。
本発明は、下記一般式r/)で表わされる新規なビスア
ゾ化合物(ビスアゾ顔料J1それr廿有する事を%徴と
する光導電性組成物、お↓びそれケ含有する電子写真感
光層に有することを特徴とする電子写真感光体である。
ゾ化合物(ビスアゾ顔料J1それr廿有する事を%徴と
する光導電性組成物、お↓びそれケ含有する電子写真感
光層に有することを特徴とする電子写真感光体である。
一般式
で表わされるビスアゾ化合物
[/)式において、Aは
Xはベンゼン嬢と縮合してナフタレン環、アントラセン
環、カルバゾール環、ベンゾカルバゾール環またけジベ
ンゾフラン環(いずれも置換または無置換いずれでもよ
い。)會形成するのに必要ヶヮ+、ゆゎい、パ:□・ 表わし、 Rは買換または非置換のアルキル基、フェニル基、ナフ
チル基、ジベンゾフラニル基またはカルバゾリル基葡表
わし、 1(1−L水素原子、置換または非置換のアルキル基1
7(はフェニル基會表わし、 Rは置換または非置換のアルキル基またはフェニル基を
表わし、 Rは水素原子、置換または非置換のアミン基、低級アル
キル基、刀ルパモイル基、カルボキシル基、アルコキシ
カルボニル基またはアリールオキシカルボニル基wHわ
す。
環、カルバゾール環、ベンゾカルバゾール環またけジベ
ンゾフラン環(いずれも置換または無置換いずれでもよ
い。)會形成するのに必要ヶヮ+、ゆゎい、パ:□・ 表わし、 Rは買換または非置換のアルキル基、フェニル基、ナフ
チル基、ジベンゾフラニル基またはカルバゾリル基葡表
わし、 1(1−L水素原子、置換または非置換のアルキル基1
7(はフェニル基會表わし、 Rは置換または非置換のアルキル基またはフェニル基を
表わし、 Rは水素原子、置換または非置換のアミン基、低級アル
キル基、刀ルパモイル基、カルボキシル基、アルコキシ
カルボニル基またはアリールオキシカルボニル基wHわ
す。
一般式〔l〕で表わされるビスアゾ化合物についてさら
に詳しく説明する。
に詳しく説明する。
Xが置換基1−[する環系の場合、置換基としてハロゲ
ン原子(例、弗素原子、塩素原子、臭素原子]、低級ア
ルキル基(例、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、イソプロピル基、イソ、ブチル基]があけられ、
置換基の数は7個1次はコ個であり、置換基が4個の場
合にはそれらは同じ 73− でも異なってもよい。
ン原子(例、弗素原子、塩素原子、臭素原子]、低級ア
ルキル基(例、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、イソプロピル基、イソ、ブチル基]があけられ、
置換基の数は7個1次はコ個であり、置換基が4個の場
合にはそれらは同じ 73− でも異なってもよい。
R1が非置換のアルキル基の場合、その例としてメチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘ
キシル基、イソプロピル基、インブチル基、イソアミル
基、イソヘキシル基、ネオペンチル基、tert−ブチ
ル基をあげることができる。
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘ
キシル基、イソプロピル基、インブチル基、イソアミル
基、イソヘキシル基、ネオペンチル基、tert−ブチ
ル基をあげることができる。
R1が置換アルキル基の場合、その例として、ヒドロキ
シアルキル基(例、ヒドロキシメチル基、λ−ヒドロキ
シエチル基、3−ヒドロキシプロピル基、コーヒドロキ
シプロビル基)、アルコキシアルキル基(例、メトキシ
メチル基、−一メトキシエチル基、3−メトキシプロピ
ル基、エトキシメチル基、コーエトキシエチル基)、シ
アノアルキル基(例、シアンメチル基、コーシアノエチ
ル基)、アミノアルキル基(例、アミノメチル基、コー
アミノエチル基、3−アミノプロピル基)、(アルキル
アミノ)アルキル基(例、(メチルアミン)メチル基、
λ−(メチルアミン)エチル基、(エチルアミノ)メチ
ル基)、(ジアルキルアミ−/44− ノ)アルキル基(例、(ジメチルアミノ)メチル基、λ
−(ジメチルアミノンエチル基]、ハロゲノアルキル基
(例、フルオロメチル基、クロロメチル基、ブロモメチ
ル基)、アラルキル基(例、ベンジル基、フェネチル基
)t−あげることができる R1が置換フェニル基の場合、その例として、ヒドロキ
シフェニル基、アルコキシフェニル基(flJ、メトキ
シフェニル基、エトキシフェニル基)、シアノフェニル
基、アミノフェニル基、(アルキルアミノ)フェニル基
(例、(メチルアミン)フェニル基、(エチル7ミ/)
フェニル基)、(ジアルキルアミノ)フェニル基(例、
(ジメチルアミノ)フェニル基)、ハロゲノフェニル基
(例、フルオロフェニル基、クロロフェニル基、ブロモ
フェニル基)、アルキルフェニル基(例、)IJル基、
エチルフェニル基、クメニル基、キシリル基、メシチル
基)、ニトロフェニル基、およびこれらの置換基(互い
に同じでも異なってもよい。)を2個またに3個ケ有す
る置換基(置換基の位置まyctx複数個の置換基相互
の位置関係に任意である)全あげることができる。
シアルキル基(例、ヒドロキシメチル基、λ−ヒドロキ
シエチル基、3−ヒドロキシプロピル基、コーヒドロキ
シプロビル基)、アルコキシアルキル基(例、メトキシ
メチル基、−一メトキシエチル基、3−メトキシプロピ
ル基、エトキシメチル基、コーエトキシエチル基)、シ
アノアルキル基(例、シアンメチル基、コーシアノエチ
ル基)、アミノアルキル基(例、アミノメチル基、コー
アミノエチル基、3−アミノプロピル基)、(アルキル
アミノ)アルキル基(例、(メチルアミン)メチル基、
λ−(メチルアミン)エチル基、(エチルアミノ)メチ
ル基)、(ジアルキルアミ−/44− ノ)アルキル基(例、(ジメチルアミノ)メチル基、λ
−(ジメチルアミノンエチル基]、ハロゲノアルキル基
(例、フルオロメチル基、クロロメチル基、ブロモメチ
ル基)、アラルキル基(例、ベンジル基、フェネチル基
)t−あげることができる R1が置換フェニル基の場合、その例として、ヒドロキ
シフェニル基、アルコキシフェニル基(flJ、メトキ
シフェニル基、エトキシフェニル基)、シアノフェニル
基、アミノフェニル基、(アルキルアミノ)フェニル基
(例、(メチルアミン)フェニル基、(エチル7ミ/)
フェニル基)、(ジアルキルアミノ)フェニル基(例、
(ジメチルアミノ)フェニル基)、ハロゲノフェニル基
(例、フルオロフェニル基、クロロフェニル基、ブロモ
フェニル基)、アルキルフェニル基(例、)IJル基、
エチルフェニル基、クメニル基、キシリル基、メシチル
基)、ニトロフェニル基、およびこれらの置換基(互い
に同じでも異なってもよい。)を2個またに3個ケ有す
る置換基(置換基の位置まyctx複数個の置換基相互
の位置関係に任意である)全あげることができる。
R2が置換アミノ基の場合、その例としてメチルアミノ
基、エチルアミノ基、プロピルアミン基、フェニルアミ
ノ基、トリルアミノ基、ベンジルアミノ基、フェネチル
アミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフ
ェニルアミノ基thげ;bことができる。
基、エチルアミノ基、プロピルアミン基、フェニルアミ
ノ基、トリルアミノ基、ベンジルアミノ基、フェネチル
アミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフ
ェニルアミノ基thげ;bことができる。
R2が低級アルキル基の場合、その例としてメチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イ
ソブチル基があげられる。
エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イ
ソブチル基があげられる。
R2がアルコキシカルボニル基の場合、その例としてメ
トキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキ
シカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソプロポキ
シカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基があげら
れる。
トキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキ
シカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソプロポキ
シカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基があげら
れる。
R2がアリ−、、カヤ1シカヤボ=ヤ基。場合、その例
として、フェノ−(ジカルボニル基、ドルオキシカルボ
ニル基があげられる。
として、フェノ−(ジカルボニル基、ドルオキシカルボ
ニル基があげられる。
R3またにRが置換またに非置換アルキル基の場合、そ
の例にそれぞれ前述のRvcおける置換または非置換ア
ルキル基の具体例と同じ基をあげることができる。
の例にそれぞれ前述のRvcおける置換または非置換ア
ルキル基の具体例と同じ基をあげることができる。
R3またD R4が置換フェニル基の場合、またにRs
が置換ナフチル基、置換ジベンゾ7ラニル基またに置換
カルバゾリル基の場合、置換基の例としてヒドロキシル
基、シアノ基、ニトロ基、)為ロゲン原子(例、弗素原
子、塩素原子、臭素原子)、アルキル基(例、メチル基
、エチル基、プロピル基、イソプロピル基)、アルコキ
シル基(例、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、
ブトキシ基、はンチルオキシ基、インプロポキシ基、イ
ソ7’)キシ基、インアミルオキシ基、tert−ブト
キシ基、ネオインチルオキシ基)、アミノ基、アル中ル
アミノ基(例、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロ
ピルアミノ基)、ジアルキルアミノ基(例、ジメチルア
ミノ基、ジエチルアミン基、N−メチル−N−エチルア
ミノ基)、アリールアミノ基(例、フェニルアミノ基、
トリルアミノ基)、ジアリールアミノ基(例、ジフェニ
ルアミノ基)、−/ 7− カルボキシル基、アルカリ金属カルボキシラド基(アル
カリ金属(隅イオノ)の例、Na■、K■、Li■)、
アルカリ金槙スルホナト基(アルカリ金属(陽イオン)
の例、Na■、K■、Li(す)、アルキルカルボニル
基(例、アセチル基、プロピオニル基、ペンジルブフル
ボニル基)、アリールカルボニル基(例、ベンゾイル基
、トルオイル基、70イル基)、アルキルチオ基(例、
メチルチオ基、エチルチオ基)、iたσアリールチオ基
(例、フェニルチオ基、トリルチオ基)をあげることが
でき、置換基の個数If−J/個ないし3個であり、複
数の置換基が結合している場合πけそれらに互いに同じ
でも異なってもよく任意の組合せケとって工く、ま九置
換基の結合位置は任意である。
が置換ナフチル基、置換ジベンゾ7ラニル基またに置換
カルバゾリル基の場合、置換基の例としてヒドロキシル
基、シアノ基、ニトロ基、)為ロゲン原子(例、弗素原
子、塩素原子、臭素原子)、アルキル基(例、メチル基
、エチル基、プロピル基、イソプロピル基)、アルコキ
シル基(例、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、
ブトキシ基、はンチルオキシ基、インプロポキシ基、イ
ソ7’)キシ基、インアミルオキシ基、tert−ブト
キシ基、ネオインチルオキシ基)、アミノ基、アル中ル
アミノ基(例、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロ
ピルアミノ基)、ジアルキルアミノ基(例、ジメチルア
ミノ基、ジエチルアミン基、N−メチル−N−エチルア
ミノ基)、アリールアミノ基(例、フェニルアミノ基、
トリルアミノ基)、ジアリールアミノ基(例、ジフェニ
ルアミノ基)、−/ 7− カルボキシル基、アルカリ金属カルボキシラド基(アル
カリ金属(隅イオノ)の例、Na■、K■、Li■)、
アルカリ金槙スルホナト基(アルカリ金属(陽イオン)
の例、Na■、K■、Li(す)、アルキルカルボニル
基(例、アセチル基、プロピオニル基、ペンジルブフル
ボニル基)、アリールカルボニル基(例、ベンゾイル基
、トルオイル基、70イル基)、アルキルチオ基(例、
メチルチオ基、エチルチオ基)、iたσアリールチオ基
(例、フェニルチオ基、トリルチオ基)をあげることが
でき、置換基の個数If−J/個ないし3個であり、複
数の置換基が結合している場合πけそれらに互いに同じ
でも異なってもよく任意の組合せケとって工く、ま九置
換基の結合位置は任意である。
カプラーに由来するAとじてに、光感度が高い光導電性
組成物iたに電子写真感光層を与え、かつ製造原料化合
物を容易に人手することができるので低コストでビスア
ゾ化合物會製造す小ことができるという観点から −/ t− 以下Vt本発明の化合物の具体例をあげる。
組成物iたに電子写真感光層を与え、かつ製造原料化合
物を容易に人手することができるので低コストでビスア
ゾ化合物會製造す小ことができるという観点から −/ t− 以下Vt本発明の化合物の具体例をあげる。
0H
CH30(CH2)2
−50−
H
(CH2→−20CH3
H
H
−j/ −
本発明の新規なビスアゾ化合物は公知の方法によって製
造する事ができる。すなわち、l、≠−ビス(≠−アミ
ノスチリル)ナフタレンをジアゾ化してテトラゾニウム
塩として単離した後、これを適当な有機溶媒、例えばN
、N−ジメチルホルムアミド甲で前述の各顔料に対応す
るカプラーとアルカリの存在下にカプリング反応させる
ことにより容易に製造することができる。本発明のビス
アゾ化合物はビスアゾ顔料として用いることができる。
造する事ができる。すなわち、l、≠−ビス(≠−アミ
ノスチリル)ナフタレンをジアゾ化してテトラゾニウム
塩として単離した後、これを適当な有機溶媒、例えばN
、N−ジメチルホルムアミド甲で前述の各顔料に対応す
るカプラーとアルカリの存在下にカプリング反応させる
ことにより容易に製造することができる。本発明のビス
アゾ化合物はビスアゾ顔料として用いることができる。
例えば前記ビスアゾ化合物(1)は合成例1に従って製
造することができる。
造することができる。
合成例1
/、4C−ビス(4L−アミノスチリル)す7タレン1
.りryを、濃塩酸2ml及び水jmlから調製した希
塩酸に刃口えて約30分間よく攪拌した。次にこの混合
物をOoCに冷却し、それに亜硝酸ナトリウム7t01
q/を水31に溶解した溶液を0℃で約30分間かけて
滴下した。その後同温度で約30分間攪拌し、少量の未
反応物を戸別し、戸液中に≠2チ硼弗化水素酸3 ml
を加え折用した結晶を戸数した。この結晶を少量の冷水
で洗った後乾燥してテトラゾニウムフルオロボレートの
暗赤色結晶λ、r311(収率r3%)を得た。
.りryを、濃塩酸2ml及び水jmlから調製した希
塩酸に刃口えて約30分間よく攪拌した。次にこの混合
物をOoCに冷却し、それに亜硝酸ナトリウム7t01
q/を水31に溶解した溶液を0℃で約30分間かけて
滴下した。その後同温度で約30分間攪拌し、少量の未
反応物を戸別し、戸液中に≠2チ硼弗化水素酸3 ml
を加え折用した結晶を戸数した。この結晶を少量の冷水
で洗った後乾燥してテトラゾニウムフルオロボレートの
暗赤色結晶λ、r311(収率r3%)を得た。
次にこうして得られたテトラゾニウム塩3jり岬及びカ
プラーとして一一ヒドロキシー3−ナフトエ酸アニリド
337TIJ9を/、2震tのN、N−ジメチルホルム
アミドに溶解し、これに酢酸ナトリウムj001q及び
水λtglからなる溶液をo Ocの温度で約20分か
けて滴ドした後室温で約1時間攪拌した。その後沈澱を
p取い2.001g1の水で洗浄後、これをlθOml
のN、N−ジメチルホルムアミドで攪拌しつつ処理した
。沈澱物を再びP取しエタノールで洗浄して乾燥し、化
合物(1)のビスアゾ顔料夕12■(収率gr係)を得
た。分解温度λ13 °C 1゜ 元素分析 C60’4204N6として計算値 C;7
り、lチ H,弘、Aj−N;り、JJ%実測値 C1
72,2% H; 44.44% Ni9.60%IR
吸収スペクトル([Br錠剤) アミド /77θ1−1 可視吸収スペクトル 吸収極大波長 tpθnm(ジクロロメタン溶液中) 合成例2〜7 合成例1において、カプリング成分を変える他は、合成
例1と同じ方法でビスアゾ化合物(3)、(7)、(8
)、(至)、(2)、(ホ)をそれぞれ合成した。それ
ぞれのビスアゾ化合物の分解温度、元素分析値、IR吸
収スペクトル、可視吸収スはクトルを第1表に示ビスア
ゾ化合物(8)の赤外線吸収スペクトル(KBr法ンは
第1図に示した。
プラーとして一一ヒドロキシー3−ナフトエ酸アニリド
337TIJ9を/、2震tのN、N−ジメチルホルム
アミドに溶解し、これに酢酸ナトリウムj001q及び
水λtglからなる溶液をo Ocの温度で約20分か
けて滴ドした後室温で約1時間攪拌した。その後沈澱を
p取い2.001g1の水で洗浄後、これをlθOml
のN、N−ジメチルホルムアミドで攪拌しつつ処理した
。沈澱物を再びP取しエタノールで洗浄して乾燥し、化
合物(1)のビスアゾ顔料夕12■(収率gr係)を得
た。分解温度λ13 °C 1゜ 元素分析 C60’4204N6として計算値 C;7
り、lチ H,弘、Aj−N;り、JJ%実測値 C1
72,2% H; 44.44% Ni9.60%IR
吸収スペクトル([Br錠剤) アミド /77θ1−1 可視吸収スペクトル 吸収極大波長 tpθnm(ジクロロメタン溶液中) 合成例2〜7 合成例1において、カプリング成分を変える他は、合成
例1と同じ方法でビスアゾ化合物(3)、(7)、(8
)、(至)、(2)、(ホ)をそれぞれ合成した。それ
ぞれのビスアゾ化合物の分解温度、元素分析値、IR吸
収スペクトル、可視吸収スはクトルを第1表に示ビスア
ゾ化合物(8)の赤外線吸収スペクトル(KBr法ンは
第1図に示した。
他のビスアゾ化合物もカブ2−を変える他は、上記合成
例に従がって合成する事ができる。
例に従がって合成する事ができる。
本発明の電子写真感光体は前記一般式で表わされるビス
アゾ化合物t1種又は2種以上含有する電子写真感光層
r有する。各種の形態の電子写真感光体が知られている
が、本発明の電子写真感光体はそのいずれのタイプの感
光体であってもよいが通常下に例示したタイプの電子写
真感光体構造娑もつ。
アゾ化合物t1種又は2種以上含有する電子写真感光層
r有する。各種の形態の電子写真感光体が知られている
が、本発明の電子写真感光体はそのいずれのタイプの感
光体であってもよいが通常下に例示したタイプの電子写
真感光体構造娑もつ。
(1) 導電性支持体上にビスアゾ化合物tバインダ
ーあるいは電荷担体輸送媒体中に分散させて成る電子写
真感光層?設けたもの。
ーあるいは電荷担体輸送媒体中に分散させて成る電子写
真感光層?設けたもの。
(2)導電性支持体上にビスアゾ化合物孕生成分とする
電荷担体発生層?設け、その上に電荷担体輸送化合物を
設けたもの。
電荷担体発生層?設け、その上に電荷担体輸送化合物を
設けたもの。
本発明のビスアゾ化合物は光導電性物質として作用し、
光を吸収すると極めて高い効兆で電荷担体音発生し、発
生した電荷担体はビスアゾ化合物?媒体と一乙 !− して輸送することもできるが、電荷担体輸送化合物を媒
体として輸送させた方が更に効果的である。
光を吸収すると極めて高い効兆で電荷担体音発生し、発
生した電荷担体はビスアゾ化合物?媒体と一乙 !− して輸送することもできるが、電荷担体輸送化合物を媒
体として輸送させた方が更に効果的である。
タイプ(1)の電子写真感光体を作成するにはビスアゾ
化合物の微粒子をバインダー溶液もしくは電荷担体輸送
化合物と7(インダーを溶解した溶液中に分散せしめ、
これを導電性支持体上に塗布乾燥すればよい。この時の
電子写真感光層の厚さは3〜30μ、好ましくはj〜2
0μがよい。
化合物の微粒子をバインダー溶液もしくは電荷担体輸送
化合物と7(インダーを溶解した溶液中に分散せしめ、
これを導電性支持体上に塗布乾燥すればよい。この時の
電子写真感光層の厚さは3〜30μ、好ましくはj〜2
0μがよい。
タイプ(2)の電子写真感光体を作成するには導電性支
持体上にビスアゾ化合物を真空蒸着するか、アミン等の
溶媒に溶解せしめて塗布するか、あるいはビスアゾ化合
物の微粒子を適当な溶剤もしくは必要があればバインダ
ーを溶解せしめた溶剤中に分散して塗布乾燥した後、そ
の上に電荷担体輸送化合物及びバインダーを含む溶液を
塗布乾燥して得られる。この時の電荷担体発生層となる
ビスアゾ化合物ノーの厚みはlμ以下、好ましくはλμ
以下がよく、喧荷也体輸送媒体層の厚みは3〜30μ、
好ましくは!−20μがよい。
持体上にビスアゾ化合物を真空蒸着するか、アミン等の
溶媒に溶解せしめて塗布するか、あるいはビスアゾ化合
物の微粒子を適当な溶剤もしくは必要があればバインダ
ーを溶解せしめた溶剤中に分散して塗布乾燥した後、そ
の上に電荷担体輸送化合物及びバインダーを含む溶液を
塗布乾燥して得られる。この時の電荷担体発生層となる
ビスアゾ化合物ノーの厚みはlμ以下、好ましくはλμ
以下がよく、喧荷也体輸送媒体層の厚みは3〜30μ、
好ましくは!−20μがよい。
(1)及び(2)のタイプの感光体で用いられるビスア
ロ 4− ゾ化合物はボールミル、す/ドミル、振動ミル等の分散
機により粒径jμ以下、好ましくは2μ以下に粉砕して
用いられる。
ロ 4− ゾ化合物はボールミル、す/ドミル、振動ミル等の分散
機により粒径jμ以下、好ましくは2μ以下に粉砕して
用いられる。
タイプ(1)の電子写真感光体において使用されるビス
アゾ化合物の看は少な過ぎると感度が悪く、多すぎると
帯電性が悪くなったり、電子写真感光層の強度が弱くな
ったりし、電子写真感光層中のビスアゾ化合物の占める
割合はバインダーに対しθ、ot〜コ重1″倍、好まし
くは0.01−/重量倍がよく、必装に応じて添加する
電荷担体輸送化合物の割合はバインダーに対し0./〜
2重量倍、好ましくは0.3〜/、3重葉倍の範囲がよ
い。
アゾ化合物の看は少な過ぎると感度が悪く、多すぎると
帯電性が悪くなったり、電子写真感光層の強度が弱くな
ったりし、電子写真感光層中のビスアゾ化合物の占める
割合はバインダーに対しθ、ot〜コ重1″倍、好まし
くは0.01−/重量倍がよく、必装に応じて添加する
電荷担体輸送化合物の割合はバインダーに対し0./〜
2重量倍、好ましくは0.3〜/、3重葉倍の範囲がよ
い。
またそれ自身バインダーとして使用できる電荷担体輸送
化合物の場合には、ビスアゾ化合物の添加量はバインダ
ーに対し0.0/−0,3重量倍使用するのが好ましい
。
化合物の場合には、ビスアゾ化合物の添加量はバインダ
ーに対し0.0/−0,3重量倍使用するのが好ましい
。
またタイプ(2)の電子写真感光体に・おいて電荷担体
発生層となるビスアゾ化合物含有層を塗布形成する場合
、バインダー樹脂に対するビスアゾ化合物の使用量は1
重量倍以上が好ましくそれ以下だと十分な感光性が得ら
れない。電荷担体輸送媒体中の電荷担体輸送化合物の割
合はバインダーに対しO0λ〜2重針倍、好ましくは0
.3〜13重量倍が好ましい。それ自身バインダーとし
て使用できる高分子電荷担体輸送化合物を使用する場合
は、他のバインダーは無くとも使用できる。
発生層となるビスアゾ化合物含有層を塗布形成する場合
、バインダー樹脂に対するビスアゾ化合物の使用量は1
重量倍以上が好ましくそれ以下だと十分な感光性が得ら
れない。電荷担体輸送媒体中の電荷担体輸送化合物の割
合はバインダーに対しO0λ〜2重針倍、好ましくは0
.3〜13重量倍が好ましい。それ自身バインダーとし
て使用できる高分子電荷担体輸送化合物を使用する場合
は、他のバインダーは無くとも使用できる。
本発明の電子写真感光体を作成する場合、バインダーと
共に可塑剤あるいは増感剤などの添加剤を使用してもよ
い。
共に可塑剤あるいは増感剤などの添加剤を使用してもよ
い。
本発明の電子写真感光体において使用される導電性支持
体としては、アルミニウム、銅、亜鉛等ノ金属板、ポリ
エステル等のプラスチックシートまたはプラスチックフ
ィルムにアルミニウム、8 n 02等の導電材料を蒸
着、もしくけ分散塗布したもの、あるいは導電処理した
紙等が使用される。
体としては、アルミニウム、銅、亜鉛等ノ金属板、ポリ
エステル等のプラスチックシートまたはプラスチックフ
ィルムにアルミニウム、8 n 02等の導電材料を蒸
着、もしくけ分散塗布したもの、あるいは導電処理した
紙等が使用される。
1′)。
結合剤としては、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエス
テル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネートな
どの縮合系樹脂やポリビニルケトン、ポリスチレン、ポ
リ−N−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミドなど
のビニル重合体などが挙げられるが、絶縁性で且つ接着
性のある樹脂は全て使用できる。
テル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネートな
どの縮合系樹脂やポリビニルケトン、ポリスチレン、ポ
リ−N−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミドなど
のビニル重合体などが挙げられるが、絶縁性で且つ接着
性のある樹脂は全て使用できる。
可塑剤としてはビフェニル、塩化ビフェニル、0− f
ルフェニル、p−テルフェニル、シフチルフタレート、
ジメチルグリコールフタレート、ジオクチルフタレート
、トリフェニル燐酸、メチルナフタリン、ベンゾフェノ
ン、塩素化/ンラフイン、ポリプロピレン、ポリスチレ
ン、ジラウリルチオジプロビオネー)、3.−t−ジニ
トロサリチル酸、各種フルオロ炭化水素類等が挙げられ
る。
ルフェニル、p−テルフェニル、シフチルフタレート、
ジメチルグリコールフタレート、ジオクチルフタレート
、トリフェニル燐酸、メチルナフタリン、ベンゾフェノ
ン、塩素化/ンラフイン、ポリプロピレン、ポリスチレ
ン、ジラウリルチオジプロビオネー)、3.−t−ジニ
トロサリチル酸、各種フルオロ炭化水素類等が挙げられ
る。
その他、電子写真感光体の表面性をよくするために、シ
リコンオイル等を加えてもよい。
リコンオイル等を加えてもよい。
増感剤としては、クロラニル、テトラシアノエチレン、
メチルバイオレット、ローダミ7B、シアニン染料、メ
ロシアニン染料、ピリリウム塩、チアピリリウム塩等が
挙げられる。
メチルバイオレット、ローダミ7B、シアニン染料、メ
ロシアニン染料、ピリリウム塩、チアピリリウム塩等が
挙げられる。
電荷担体を輸送する化合物として一般に電子を輸送する
化合物と正孔を輸送する化合物との二種類に分類される
が、本発明の電子写真感光体には−tワタ −者とも使用することができ名。電子を輸送する化合物
としては電子吸引性基を有する化合物、例えばコ、4C
,7−)リニトロー?−フルオレノン、λ、4A、j、
7−チトラニトローターフルオレノン、タージシアノメ
チレンーコ+ <’ + 7) リニトロフルオレノン
、タージシアノメチレンーコ。
化合物と正孔を輸送する化合物との二種類に分類される
が、本発明の電子写真感光体には−tワタ −者とも使用することができ名。電子を輸送する化合物
としては電子吸引性基を有する化合物、例えばコ、4C
,7−)リニトロー?−フルオレノン、λ、4A、j、
7−チトラニトローターフルオレノン、タージシアノメ
チレンーコ+ <’ + 7) リニトロフルオレノン
、タージシアノメチレンーコ。
’I、j、7−チトラニトロフルオレノン、テトラニト
ロカルバゾールクロラニル、−2* J−” クロA/
−j’、l、−ジシアノベンゾキノン、2.’1.7−
) 9ニトロ−9,10−フェナントレンキノン、テト
ラクロロ無水フタール酸、テトラシアノエチレン、テト
ラシアノキノジメタン等をあげることができる。
ロカルバゾールクロラニル、−2* J−” クロA/
−j’、l、−ジシアノベンゾキノン、2.’1.7−
) 9ニトロ−9,10−フェナントレンキノン、テト
ラクロロ無水フタール酸、テトラシアノエチレン、テト
ラシアノキノジメタン等をあげることができる。
正孔を輸送する化合物としては、眠子供与基を有する化
合物、例えば米国特許Jj&711−10゜特公昭≠タ
ー31702、西独国特許(DAS)tttostrな
どに開示されているトリフェニルアミン誘導体、米国特
許J j ! 、2 J−Fg、特公昭≠j−j1.t
、特開昭zi−タ3コ2弘などに開示されているポリア
リールアルカン誘導体、特開−70− 昭j、2−7223/X特開昭弘ター103337、特
公昭j2−≠lryなどに開示されているピラゾリン誘
導体、米国特許3717≠tコ、特開昭!’l−491
173(米国特許11/j05#7に対応)、特開昭1
1−12043、特開昭11−tλθt≠、特開昭sr
−≠A 7 A O,特開昭rs−trs≠りj、特願
昭5s−rsψりj1特願昭16−33132などに開
示されているヒドラゾン誘導体などがある。これらの電
荷輸送材料は場合により、2種類以上を併用することも
可能である。
合物、例えば米国特許Jj&711−10゜特公昭≠タ
ー31702、西独国特許(DAS)tttostrな
どに開示されているトリフェニルアミン誘導体、米国特
許J j ! 、2 J−Fg、特公昭≠j−j1.t
、特開昭zi−タ3コ2弘などに開示されているポリア
リールアルカン誘導体、特開−70− 昭j、2−7223/X特開昭弘ター103337、特
公昭j2−≠lryなどに開示されているピラゾリン誘
導体、米国特許3717≠tコ、特開昭!’l−491
173(米国特許11/j05#7に対応)、特開昭1
1−12043、特開昭11−tλθt≠、特開昭sr
−≠A 7 A O,特開昭rs−trs≠りj、特願
昭5s−rsψりj1特願昭16−33132などに開
示されているヒドラゾン誘導体などがある。これらの電
荷輸送材料は場合により、2種類以上を併用することも
可能である。
なお、以上のようにして得られる感光体には、導電性支
持体と感光層の間に、必要に応じて接着層またはバリヤ
層を設けることができる。これらの層に用いられる材料
としては、ポリアミド、ニトロセルロース、酸化アルミ
ニウムなどであり、これらの層の厚さは7μm以下が好
ましい。
持体と感光層の間に、必要に応じて接着層またはバリヤ
層を設けることができる。これらの層に用いられる材料
としては、ポリアミド、ニトロセルロース、酸化アルミ
ニウムなどであり、これらの層の厚さは7μm以下が好
ましい。
以上本発明の電子写真用感光体について詳細に説明した
が、本発明の電子写真感光体は一般に感度が高く耐久性
が優れているというような特徴を有している。
が、本発明の電子写真感光体は一般に感度が高く耐久性
が優れているというような特徴を有している。
本発明の電子写真感光体は電子写真複写機のほかレーザ
ー、ブラウン管を光源とするプリンターの感光体などの
分野に広く応用する事ができる。
ー、ブラウン管を光源とするプリンターの感光体などの
分野に広く応用する事ができる。
本発明の電子写真感光体の他の用途としては、特願昭j
A−33r7りに開示されている様に、画像露光してト
ナー画像形成後、エツチングにより高解像力、高耐久性
、高感度の印刷板が得られる等の工業上の利点がある。
A−33r7りに開示されている様に、画像露光してト
ナー画像形成後、エツチングにより高解像力、高耐久性
、高感度の印刷板が得られる等の工業上の利点がある。
次に本発明を実施例により具体的に説明するが、これに
より本発明が実施例に限定されるものではない。なお実
施例中「部」とあるのは「重量部」を示す。
より本発明が実施例に限定されるものではない。なお実
施例中「部」とあるのは「重量部」を示す。
実施例1
ビスアゾ化合物(1)1部と4! 、tI/−ビス(ジ
エチルアミノ)−2,λl−ジメチルトリフェニルメタ
ン5部とビスフェノールAのポリカルボネート1部とを
ジク・計メタ・り5部に加え、これをボールミル中で粉
砕、混合して調液し、この塗布液をワイヤーラウンドロ
ッドを用いて導電性透明支持体(100μmのポリエチ
レンテレフタレートフィルムの表面に酸化インジウムの
蒸着膜を設けたもの。表面抵抗lθ3Ω)上に塗布、乾
燥して、厚さ約2μmの単層型電子写真感光層を有する
電子写真感光体をpA製した。
エチルアミノ)−2,λl−ジメチルトリフェニルメタ
ン5部とビスフェノールAのポリカルボネート1部とを
ジク・計メタ・り5部に加え、これをボールミル中で粉
砕、混合して調液し、この塗布液をワイヤーラウンドロ
ッドを用いて導電性透明支持体(100μmのポリエチ
レンテレフタレートフィルムの表面に酸化インジウムの
蒸着膜を設けたもの。表面抵抗lθ3Ω)上に塗布、乾
燥して、厚さ約2μmの単層型電子写真感光層を有する
電子写真感光体をpA製した。
この電子写真感光体について、静電複写紙試験装置(川
口電機■製、SP−≠2r型)を用いて+rKVのコロ
ナ放電により十弘jO■に帯電させ、ついで色温度30
00 °にのタングステンランプによってその表面弘、
jルックスになる様にして光を照射し、その表向電位が
初期表面電位の半分に減衰するのに要する時間を求め半
減露光量E5o (Lux、5ec)を測定したところ
r。
口電機■製、SP−≠2r型)を用いて+rKVのコロ
ナ放電により十弘jO■に帯電させ、ついで色温度30
00 °にのタングステンランプによってその表面弘、
jルックスになる様にして光を照射し、その表向電位が
初期表面電位の半分に減衰するのに要する時間を求め半
減露光量E5o (Lux、5ec)を測定したところ
r。
≠(Lux、5ee)であった。帯電と露光の2工程を
3000回繰返した後のE5o値もほとんど変化しなか
った。
3000回繰返した後のE5o値もほとんど変化しなか
った。
実施例2〜10
ビスアゾ化合物(1)の代わりにそれぞれビスアゾ化合
物(3)、(7)、(8)、(2)、(ハ)、(4)、
(41)、(47)、(52)を用い九ほかは実施例/
と同様にして、単層構成の電子写真感光体を作成し、実
施例と同様に= 73− して、正帯電による半減庫光量を測定し、第2表の値を
得た。
物(3)、(7)、(8)、(2)、(ハ)、(4)、
(41)、(47)、(52)を用い九ほかは実施例/
と同様にして、単層構成の電子写真感光体を作成し、実
施例と同様に= 73− して、正帯電による半減庫光量を測定し、第2表の値を
得た。
第2表
実施例11
ビスアゾ化合物(1)41とポリビニルブチラール樹脂
(ブチラール化度t3モル11をエタノール10θ−に
溶かした液と共にボールミルで、20時間分散した後、
ワイヤーラウンドロッドを74L − 用いて、導電性透明支持体(100μmのポリエチレン
テレフタレートフィルムの表面に酸化インジウムの蒸着
膜を設けたもの。表面電気抵抗103Ω)上に塗布、乾
燥して、厚さ78mの電荷発生Ii#を作成した。
(ブチラール化度t3モル11をエタノール10θ−に
溶かした液と共にボールミルで、20時間分散した後、
ワイヤーラウンドロッドを74L − 用いて、導電性透明支持体(100μmのポリエチレン
テレフタレートフィルムの表面に酸化インジウムの蒸着
膜を設けたもの。表面電気抵抗103Ω)上に塗布、乾
燥して、厚さ78mの電荷発生Ii#を作成した。
次に′電荷発生層の上にp−(ジフェニルアミノ)ベン
ズアルデヒドN/−メチル−N/−フェニルヒドラゾン コ部とビスフェノールAのポリカルボネート1部とをジ
クロロメタン4o部に溶解した溶液をワイヤーラウンド
ロッドを用いて塗布乾燥し、厚さrμmの電荷輸送層を
形成させて2層からなる電子写真感光層を有する電子写
真感光体を作成した。
ズアルデヒドN/−メチル−N/−フェニルヒドラゾン コ部とビスフェノールAのポリカルボネート1部とをジ
クロロメタン4o部に溶解した溶液をワイヤーラウンド
ロッドを用いて塗布乾燥し、厚さrμmの電荷輸送層を
形成させて2層からなる電子写真感光層を有する電子写
真感光体を作成した。
この感光体を−jKVのコロナ放電により一≠00 V
/コ帯電させた後半減露光童を測定した所、E5oは
ざ、り(l u x e s e c )であった。
/コ帯電させた後半減露光童を測定した所、E5oは
ざ、り(l u x e s e c )であった。
実施例12〜21
ビスアゾ化合物(1)のかわりにそれぞれビスアゾ化合
物(4)、(5)、(9)、(11)、(18)、(4
0)、(44)、(47)、(56)、(57)を用い
た他は実施例1/と同様にして、二層構成の電子写真感
光体を作成し、E50 を測定した。
物(4)、(5)、(9)、(11)、(18)、(4
0)、(44)、(47)、(56)、(57)を用い
た他は実施例1/と同様にして、二層構成の電子写真感
光体を作成し、E50 を測定した。
結果を第3表に示す。
第3表
実施例22
電荷輸送層として、p−(ジフェニルアミノ)ベンズア
ルデヒドN′−メチル−N′−フェニルヒドラゾンの代
わりに、’ l ” 17 F”)ニドローターフル
オレノンμ部を用いた他は、実施例/lと同様にして1
μmの電荷発生層の上に、厚さ7.2μmの電荷輸送層
を形成させた。
ルデヒドN′−メチル−N′−フェニルヒドラゾンの代
わりに、’ l ” 17 F”)ニドローターフル
オレノンμ部を用いた他は、実施例/lと同様にして1
μmの電荷発生層の上に、厚さ7.2μmの電荷輸送層
を形成させた。
この電子写真感光体を+jKVのコロナ放電により+4
oo■に帯電させて、E5oを測定した所、り、F(l
uxesec)であった。
oo■に帯電させて、E5oを測定した所、り、F(l
uxesec)であった。
実施例23〜26
ビスアゾ化合物(1)の代わりに、それぞれビスアゾ化
合物(37)、(44)、(49)、(58)を用いた
他は実施例2.2と同様にして二層構成の電子写真感光
体を作成し、E5oを測定した。
合物(37)、(44)、(49)、(58)を用いた
他は実施例2.2と同様にして二層構成の電子写真感光
体を作成し、E5oを測定した。
結果を第弘表に示す。
−77−
第グ表
実施例27
ビスアゾ化合物(1)1部と、ビスフェノールAのポリ
カルボネート1部とをジクロロメタ715部に加え、こ
れをボールミル中で粉砕、混合して調液し、この塗布液
をワイヤーラウンドロッドを用いて導電性透明支持体(
700μmのポリエチレンテレフタレートフィルムの表
向に酸化インジウムの蒸着膜を設けたもの。表面抵抗1
0 Ω)上に塗布、乾燥して、厚さ約りμmの単層型
電子写真感光層を有する′成子−q真感光体を得た。
カルボネート1部とをジクロロメタ715部に加え、こ
れをボールミル中で粉砕、混合して調液し、この塗布液
をワイヤーラウンドロッドを用いて導電性透明支持体(
700μmのポリエチレンテレフタレートフィルムの表
向に酸化インジウムの蒸着膜を設けたもの。表面抵抗1
0 Ω)上に塗布、乾燥して、厚さ約りμmの単層型
電子写真感光層を有する′成子−q真感光体を得た。
との電子写真感光体を+j−KVのコロナ放電により+
+1θ■に帯電させた後、E5oを測定した所、y、y
(lux−see)であった。
+1θ■に帯電させた後、E5oを測定した所、y、y
(lux−see)であった。
−7r −
実施例28〜31
ビスアゾ化合物(1)のかわりにそれぞれビスアゾ化合
物(2)、(9)、(40)、(56)を用いた他は、
実施例コアと同様にして二層構成の電子写真感光体を作
成し、E5o′tl−測定した。結果を第5表に示す。
物(2)、(9)、(40)、(56)を用いた他は、
実施例コアと同様にして二層構成の電子写真感光体を作
成し、E5o′tl−測定した。結果を第5表に示す。
哨を表
第1図は本発明のビスアゾ化合物(8)の赤外線吸収ス
ペクトル(KBr法)である。 特許出願人 富士写真フィルム株式会社手続補正書 特許庁長官 殿 骨 1、事件の表示 昭和17年 特願第 ttor
号事件との関係 特許出願人任 所
神奈川県南足柄市中沼210番地4、補正の対象
明細書の「発明の詳細な説明」の欄 5、補正の内容 (1)明細番第72頁g行目の「利点がある。」の後に
下記の説明ケ挿入する0、 「 より具体的IC打+本発明のビスアゾ化合物を、特
公昭37−17162号、特開昭35−/90t3号、
特開昭3j−/A/2jO号各公報及び特願昭1t−3
3579号明細書に開示さねているように、オキサジア
ゾール誘導体、ヒドラゾン誘導体などの前述の電荷11
4体輸送性化合物とともにフェノール樹脂などのアルカ
リ可溶性樹脂液中に分散し、アルミニウムなど莞電性支
持体上に塗布、乾燥後、画像露光、トナー現像、アルカ
リ水溶液によるエラー1ングにより、高解像力、高耐久
性、高感度の印刷版が得らnる他、ブリット回路を作成
することもできる。」手続補正書 特許庁長官島田春樹 殿 1、事件の表示 昭和j7年特願第 44Qj号
2、発明の名称 ビスアゾ化合物並びにそれを含む光
導電性事件との関係 特許出願人 任 所 神奈川県南足柄市中沼210番地t 補正の
対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄1図面の簡
単な説明」の 欄 5、補正の内容 (1)明細書第22負から第23頁の化合物(6)の構
造式を次のとおりに訂正する。 一/ − − λ− (2) 明細書第43頁から第t4!頁の第1表にお
いて、 (2−/) 最右欄最上行の[λrnax:m1nJ
を「λma x : nm Jに訂正する。 (コー2)左からコ番めの横笛λ行(合成例2)の自3
)」をr(6)Jに訂正する。 (,2−J) 左からコ番めの横笛3行(合成例3)
の自7月を自5月に訂正する。 (,2−≠)左からコ番めの横笛μ行(合成例≠)のr
(81Jをr(2)Jに訂正する。 (3)明細書簡7.2頁第を行と第り行の間に次の文章
からなる一節を挿入する。 [本発明のビスアゾ化合物を含む光導電性組成物はビデ
オカメラの撮悸管の光導電1−として、また公知の信号
転送や走査を行う一次元または二次元配列された半導体
回路の上の全面に設けられた受光1−(光導電層)を有
する固体撮像累子の光導を層として用いることができる
。」 (4)明細書第7弘頁の第2表において、(≠−7)中
央欄第λ行(実施例2)の[31JJ− を自6)」 に訂正する。 (≠−,2)中央横笛3行(実施例3)のr(7)Jを
r[51J K訂正する。 (≠−3)中央横笛を行(実施例4Z)の1(8月をr
(214K訂正する。 (5)明細書簡7り頁第参行のに層構成」を「単1m型
」に訂正する。 (6)明細書第72頁下から第3行の「化合物(8)」
を「化合物(2)」に訂正する。 以上 −≠−
ペクトル(KBr法)である。 特許出願人 富士写真フィルム株式会社手続補正書 特許庁長官 殿 骨 1、事件の表示 昭和17年 特願第 ttor
号事件との関係 特許出願人任 所
神奈川県南足柄市中沼210番地4、補正の対象
明細書の「発明の詳細な説明」の欄 5、補正の内容 (1)明細番第72頁g行目の「利点がある。」の後に
下記の説明ケ挿入する0、 「 より具体的IC打+本発明のビスアゾ化合物を、特
公昭37−17162号、特開昭35−/90t3号、
特開昭3j−/A/2jO号各公報及び特願昭1t−3
3579号明細書に開示さねているように、オキサジア
ゾール誘導体、ヒドラゾン誘導体などの前述の電荷11
4体輸送性化合物とともにフェノール樹脂などのアルカ
リ可溶性樹脂液中に分散し、アルミニウムなど莞電性支
持体上に塗布、乾燥後、画像露光、トナー現像、アルカ
リ水溶液によるエラー1ングにより、高解像力、高耐久
性、高感度の印刷版が得らnる他、ブリット回路を作成
することもできる。」手続補正書 特許庁長官島田春樹 殿 1、事件の表示 昭和j7年特願第 44Qj号
2、発明の名称 ビスアゾ化合物並びにそれを含む光
導電性事件との関係 特許出願人 任 所 神奈川県南足柄市中沼210番地t 補正の
対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄1図面の簡
単な説明」の 欄 5、補正の内容 (1)明細書第22負から第23頁の化合物(6)の構
造式を次のとおりに訂正する。 一/ − − λ− (2) 明細書第43頁から第t4!頁の第1表にお
いて、 (2−/) 最右欄最上行の[λrnax:m1nJ
を「λma x : nm Jに訂正する。 (コー2)左からコ番めの横笛λ行(合成例2)の自3
)」をr(6)Jに訂正する。 (,2−J) 左からコ番めの横笛3行(合成例3)
の自7月を自5月に訂正する。 (,2−≠)左からコ番めの横笛μ行(合成例≠)のr
(81Jをr(2)Jに訂正する。 (3)明細書簡7.2頁第を行と第り行の間に次の文章
からなる一節を挿入する。 [本発明のビスアゾ化合物を含む光導電性組成物はビデ
オカメラの撮悸管の光導電1−として、また公知の信号
転送や走査を行う一次元または二次元配列された半導体
回路の上の全面に設けられた受光1−(光導電層)を有
する固体撮像累子の光導を層として用いることができる
。」 (4)明細書第7弘頁の第2表において、(≠−7)中
央欄第λ行(実施例2)の[31JJ− を自6)」 に訂正する。 (≠−,2)中央横笛3行(実施例3)のr(7)Jを
r[51J K訂正する。 (≠−3)中央横笛を行(実施例4Z)の1(8月をr
(214K訂正する。 (5)明細書簡7り頁第参行のに層構成」を「単1m型
」に訂正する。 (6)明細書第72頁下から第3行の「化合物(8)」
を「化合物(2)」に訂正する。 以上 −≠−
Claims (3)
- (1) 一般式 で表わされるビスアゾ化合物。 〔73式において、Aは Xはベンゼン環と縮合してナフタレン環、アントラセン
環、カルバゾール環、ベンゾカルバゾール環1次はジベ
ンゾフラン環(いずれも置換または無置換いずれでも工
い。)k形成するのに必要な原子団r表わし、 表わし、 R3は置換または非置換のアルキル基、フェニル基、ナ
フチル基、ジベンノフラニル基またはカルバゾリル基r
表わし、 Rは水素原子、置換筒たは非置換のアルキル基1fcは
フェニル基に表わし、 Rは置換または非置換のアルキル基またはフェニル基7
表わし、 2 Rは水X原子、置換筒たは非置換のアミノ基、低級アル
キル基、カルバモイル基、カルボキシル基、アルコキシ
カルボニル基’Efc、はアリールオキシカルボニル基
會表わす。 - (2) 一般式 で表わされるビスアゾ化合物娑含有することを特徴とす
る光導電性組成物。 〔73式において、Aは 3 Xはベンゼン環と縮合し−Cナフタレン猿、アントラセ
ン環、カルバゾール環、ベンゾカルバゾール環またはジ
ベンゾフラン環(いずれも置換または無置換いずれでも
よい。)音形成するのに必要な原子団を表わし、 表わし、 Rは置換または非置換のアルキル基、フェニル基、ナフ
チル基、ジベンゾフラニル基またはカルバゾリル基奮表
わし、 Rは水素原子Jft換または非置換のアルキル基または
フェニル基2表わし、 Rは置換または非置換のアルキル基またはフェニル基2
表わし、 R2は水素原子、置換または非置換のアミン基、低級ア
ルキル基、カルバモイル基、カルボキシル基、アルコキ
シカルボニル基1fCはアリールオキシカルボニル基w
Hわす。 - (3)一般式 で表わされるビスアゾ化合物を含有する電子写真感光層
に!することr特徴と″する電子写真感光体。 〔71式において、Aは 一!− xは−<ンゼン猿と縮合してナフタレン環、アントラ七
ン環、カルバソール環、ベンゾカルバゾール環またはジ
ベンゾフラン環(いずれも置換または無置換いずれでも
よい。)r形成するのに必要な原子団奮表わし、 表わし、 Rは置換または非置換のアルキル基、フェニル基、ナフ
チル基、ジベンゾフラニル基またはカルバゾリル基會表
わし、 Rは水素原子、置換または非置換のアルキル基またはフ
ェニル基會表わし、 Rは置換’t′fc、は非置換のアルキル基またはフェ
ニル基2表わし、 6一 2 )t は水素原子、置換または非置換のアミノ基、低級
アルキル基、カルバモイル基、カルボキシル基、アルコ
キシカルボニル基またはアリールオキシカルボニル基γ
表わす。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP660582A JPS58123541A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 電子写真感光体 |
DE19833301453 DE3301453A1 (de) | 1982-01-18 | 1983-01-18 | Disazoverbindungen, photoleitfaehige zusammensetzungen und elektrophotographische aufzeichnungsmaterialien |
GB08301237A GB2117391B (en) | 1982-01-18 | 1983-01-18 | Disazo naphthylene compounds, and photoconductive compositions and electrophotographic materials containing them |
US06/755,504 US4622280A (en) | 1982-01-18 | 1985-07-16 | Disazo compound, and photoconductive composition and electrophotographic photoreceptor containing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP660582A JPS58123541A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58123541A true JPS58123541A (ja) | 1983-07-22 |
JPH0441340B2 JPH0441340B2 (ja) | 1992-07-08 |
Family
ID=11642969
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP660582A Granted JPS58123541A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58123541A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53133445A (en) * | 1977-04-27 | 1978-11-21 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic photoreceptor |
JPS542738A (en) * | 1977-06-09 | 1979-01-10 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic photoreceptor |
-
1982
- 1982-01-18 JP JP660582A patent/JPS58123541A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53133445A (en) * | 1977-04-27 | 1978-11-21 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic photoreceptor |
JPS542738A (en) * | 1977-06-09 | 1979-01-10 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic photoreceptor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0441340B2 (ja) | 1992-07-08 |
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