JPS58122777A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、高周波トランジスタからなる半導体装置に関
する。

発明の技術的背景とその問題点 一般に、高周波トランジスタからなる半導体装置は、電
流が素子の周辺部にのみ集中する所謂周辺効果が特に顕
著に現われる。このため。

エミッタ周辺長をＬ・、エミッタ面積をＡｅ。

ｅ コレクタ面積をムＣ１とすると　／ム。”／Ａｃを太き
（する必要がある。このような要求を満すためにストラ
イプ状（細条）エミッタ、オーバレイ構造、格子状エミ
ッタやこれらを変形した種々の構造が採用されている。

また、電極構造は、互に歯の部分を入り込ませた形のイ
ンタディジタル構造を採用している。更１′−２大出力
用の素子では、エミッタ領域と取出電極の間に多数の安
定化抵抗を挿入している。この場合には、罵出力時の破
壊耐量を大きくするには、１個の抵抗Ｃ二接続されるエ
ミッタの面積ムの及びこれに対応するコレクタの面積ム
Ｃを小さくする瞥必要がある。

しかしながら、ストライプ状構造を採用したものでは、
最終電極の加工上の限界のためにＬ・／Ａ（ｌを大きく
できない、また、オーバレイ構造を採用したものでは、
１個の抵抗あたりのコレクタ面積ムＣ％エミッタ面積ム
・が大きくなる。また、格子状エミッタ構造を採用した
ものでは、エミッタ電極の取出しのために少なくとも幅
４μｍ以上の取出領域が必要であり、エミッタ面積Ａ・
が大きくなりＬ・／ム。を大きくできないと共に、絶縁
膜中のピンホールの影響エミッタベースショートを生じ
易く製造が困難になる。

その結果、半導体装置の破壊耐量及び利得を高めること
ができなかった。

発明の目的 本発明は、破壊耐量が高く高利得の高周波Ｆランジスタ
からなる半導体装置を提供することをその目的とするも
のである。

発明の実施例 第１図に）乃至同図０を参照して本発明の詳細な説明す
る。第１図に）は１本発明の一実施例の平面図、同図（
至）は、同実施例のＢ−Ｂ線に沿う断面図、同図（ｑは
、同実施例のＣ−ｃ線に沿う断面図である６図中１は、
ｍ度が約１０”／ｃ１！のＮ＋半半導体板板上エピタキ
シャル成長によって形成された抵抗率が約１Ω・１のコ
レクタ領域である。コレクタ領域１０所定領域には、表
面抵抗が約４０００んのＰ導電型のペース領域１が形成
されている。ペース領域２は、その周囲及び中央部を縦
断するように形成された表面抵抗が約１０Ｑ１０のＰ＋
領域Ｊによって２つのペース領域ｘａ、ｚｂに仕切られ
ている。各々のペース領域ｚ＊、ｘｂには、表面濃度が
約２　Ｘ　１　ｏ％のＮ＋導導電梨型エミッタ領域４が
所定の拡散深さで略背骨形状に形成されている。ここで
、略背骨形のエミッタ領域４とは、平面が長方形のＮ　
不純物領域を複数個所定間隔で並設し、かつ、その各々
の中央部をこれと直交するＮ　不純物領域で一体に連結
したものである。

エミッタ領域４は、その周囲長をできるだけ長くしてエ
ミッタＷ４ＩＩ長／エミッタ面積の比を大きくするもの
であれば夷く、略背骨形のものの他にも、＊２図に示す
如く、単に平面が長方形のＮ　不純物領域４ａを所定間
隔を設けてペース領域２内Ｃ：形成し、このＮ＋不純細
物域４＆間からエミッタ取出電極５を引き出すようにし
たものでも良い、また、同図（ト）に示す如く、所定間
隔を設けて並設したＮ　不純物領域４１ｋを２つづつこ
れと直交するＮ＋＋純物領域４　ａ／で連結し、このＮ
　不純物領域ａ　ａ／を挾むようにしてエミッタ取出電
極５を引き出すようＣニジても良い、また、同図（Ｏ）
に示す如く、エミッタ領域４の形状は前述の同図（至）
のものと同じ配置とし、垂直方向のＮ＋＋純物領域４ａ
′で連結されていないＮ＋＋純物領域４１間からエミッ
タ取出型＃ｉ５を引き出すようにしたものでも良い、ま
た。

エミッタ領域４を構成する並設されたＣ不純物領域４ａ
の間隔は、この領域に抵抗体等を形成できる程度の大き
さに設定してお（のが望ましい。

エミッタ領域４、ペース端域ｊ、　？　　領域１及びコ
レクタ領域１の露出表面には、二酸化ケイ素からなる第
１絶縁層Ｃが形成宴れている。第１絶縁層６には、エミ
ッーｒ３域４に通じるエミッタ電極取出用コンタクトホ
ール６ａ、ｐ′［ｊ域３：；通じるコレクタ、電極取出
用コンタクトホール６ｂが開口されている。＄１絶縁層
ε上には、エミッタ電極取出用コンタクトホールＣ８を
介してエミッタ領域４に接続する導体層ｒが形成されて
いる。導体層１は１例えば厚さが約３ｏｏｏ１で５×１
０１／−のリンを注入した多結晶シリコンで形成されて
いる。第１絶縁ＦＩＩＪｉ上には、コレクタ電極取出用
コンタクトホールｇｂに通じるコンタクシホール８ｂを
有し、がっ、導体層７に通じるコンタクトホール８＆を
有する第２絶縁層８が、導体層ｒ及び＄ｌ絶縁層６を覆
うようにして形成されている。第２絶縁層１は、リンを
注入した二酸化ケイ素で形成されている。第２絶縁層ｒ
上には、コンタクトホール１１．導体層１を介してエミ
ッタ傾城４に接続するエミッタ取出電極ｐ・・・９が、
ｐ＋饋域で仕切られたペース領域１ｍ、ｌｂの各々の上
方に２本づつ形成されている。この工えツタ収出電極り
・・・りの他端部署；は、安定化抵抗体１０・・・１０
が夫々接続されている。また、第２絶縁層ｒ上には、コ
ンタクトホール＃ｂ、コレクタ電極取出用コンタクトホ
ール＃ｂを介してＣ領域３に接続するペース取出電極１
１が形成されている。

而して、このように構成された半導体装置ＬＬは、エミ
ッタ領域４を平面が長方形のＮ＋不純物領域を所定間隔
で並設して構成し、エミッタ取出電極−・・・−が複数
本取出せるようにしたので、各々のエミッタ取出電極り
・・・ｔに安定化抵抗体１０・・・１０を夫々接続せし
めて一つの安定化抵抗体１８−ＩＩＩあたりのコレクタ
面積を１しく小さくすることができる。その結果。

破壊耐量を大巾に向上させることができる。

また、前述のように周長が長くなるようにエミッタ領域
４を形成したので、エミッタ周長Ｌ・／エミッタ面積ム
・の比を大きくすることができる。その結果、高周波利
得の高い素子を得ることができる。また％−ス取出電極
１１・・・１１をエミッタ領域４　に２重ならないよう
に形成できるので、−ンホールに起因するエミッターペ
ース間ショートの発生を肪止し、素子の歩留を高めるこ
とができる。

尚、実施例１の半導体装置１１を多数個接続して大出力
用の集積回路装置を構成しても良く。

この鳩舎、安定化抵抗体１＃に接続されるエミッタ取出
電極９・・・ｔの数は、その仕様に応じて適宜設定する
のが望ましい。

発明の詳細 な説明した如く１本発明に係る半導体装置は、安価で破
壊耐量が高（、シかも高利得の高周波トランジスタで構
成することがでとるものである。

【図面の簡単な説明】

第１ｗＪ（Ａ）は１本発明の実施例の平面図、同図（至
）は、同実施例のＢ−Ｂ線に沿う断面図囲同因０は、同
実施例のＣ−０纏Ｃ：沿う断面図、第２図淘乃至同図０
は、エミッタ領域及びエミッタ電極取出部の他例を示す
脱ＩＩＡ図である。 １・・・コレクタ領域、ｚ、ｚ＊、ｘｂ−・・ペース領
域、３・−戸領域、４・−エミッタ領域、４ａ。 ａ　ａ／・・・不純物領域、５．ｔ・・・エミッタ取出
電極、６・−第１絶縁層、１・−導体層、８・・・第２
絶縁層、１０・・・安定化抵抗体、１１・−ペース取出
電極。 去１・・・半導体装置。 出願人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦第２図 （Ａ）　　　　　　　　（Ｂ）　　　　　　　　（Ｃ）
１、事件の表示 特願昭５７−４７２０号 ２、発明の名称 半導体装置 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 （３０７）東京芝浦電気株式会社 ４、代理人 Ｕりを°刀口人ｌる。 特許庁員官　島田春樹殿 １．事件の表示 特−昭５７−４７２０号 ２　発明の名称 半導体装置 ３、補ＩＥをする者 事件との関係　特許出願人 （３０７）　　東京芝浦電気株式金社 ６、補＋ｌ：、の対象 明細書 ７、補正の内容 （１）明細書、ｓ６頁３行目、１０行目、及び第７員３
行目−二「コレクタ」とあるのを「ペース」と訂正する
。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 一導電型の半導体基板の所定領域に形成された反対導電
   型のペース領域と、該ペース領域内に反対導電型の不純
   物領域を所定間隔を設けて複数個並設してなるエミッタ
   領域と、該エミッタ領域に接続され、かつ前記ペース領
   域上に絶縁層を介して積層された導体層と、該導体層に
   一端部を接続した複数本のエミッタ電極と、該エミッタ
   電極の各々の他端部に接続された抵抗体と、前記絶縁層
   に形成されたコンタクトホールを介して前記ペース領域
   に接続されたペース電橋とを具備することを特徴とする
   半導体装置。