JPS6031274A - トランジスタ素子 - Google Patents
トランジスタ素子Info
- Publication number
- JPS6031274A JPS6031274A JP14009083A JP14009083A JPS6031274A JP S6031274 A JPS6031274 A JP S6031274A JP 14009083 A JP14009083 A JP 14009083A JP 14009083 A JP14009083 A JP 14009083A JP S6031274 A JPS6031274 A JP S6031274A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- base
- emitter
- electrode
- collector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 235000009508 confectionery Nutrition 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 241001164374 Calyx Species 0.000 description 1
- 206010028980 Neoplasm Diseases 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
この発明は特にエミッタ接地の実装に有効なトランジス
タ素子に関する。
タ素子に関する。
ロ、従米技術
現在主流を占めているトランジスタ素子は第1図に示す
ようにコレクタ鎖域Cとなる一導電績の例えば11型基
板+11の*面側vc選択拡散によってP型のベース領
域Bを形成するとともに、ペース領域BICM型のエミ
ッタ娯城E全形威して、基板+1)の裏面にコレクタ電
極(2)を形成レー基板+11の表面の絶縁膜+31
vc設けた窓孔部にペース電極(4]とエミッタ電極(
51t−形成した構造が一般的でらる・このトランジス
タ素子+61はその裏面側を放熱板(7)上にマクント
している。従ってこの種トランジスタ菓子+61を有す
るトランジスタはコレクタ接地の実装に適する反面、エ
ミッタ(共通)接地の実装等VCは不適であった。
ようにコレクタ鎖域Cとなる一導電績の例えば11型基
板+11の*面側vc選択拡散によってP型のベース領
域Bを形成するとともに、ペース領域BICM型のエミ
ッタ娯城E全形威して、基板+1)の裏面にコレクタ電
極(2)を形成レー基板+11の表面の絶縁膜+31
vc設けた窓孔部にペース電極(4]とエミッタ電極(
51t−形成した構造が一般的でらる・このトランジス
タ素子+61はその裏面側を放熱板(7)上にマクント
している。従ってこの種トランジスタ菓子+61を有す
るトランジスタはコレクタ接地の実装に適する反面、エ
ミッタ(共通)接地の実装等VCは不適であった。
例えば高い直流電流増幅率(hFm )を得るトランジ
スタアレイ回路は複数のトランジスタのエミッタを共通
に接地して使用しているが、このような回路に上記トラ
ンジスタを使用する場合は、各トランジスタ素子を放熱
板上にコレクタ電極を絶縁した状態でマクントして外部
リード側で、各トランジスタ素子表面のエミッタ電極を
共通配線して接地化する等の工夫が要求きれることVC
なり、構造的な面はもとより、確実な接地が施せず、動
作条件が均一でなくなり、特性的に好ましくなかった。
スタアレイ回路は複数のトランジスタのエミッタを共通
に接地して使用しているが、このような回路に上記トラ
ンジスタを使用する場合は、各トランジスタ素子を放熱
板上にコレクタ電極を絶縁した状態でマクントして外部
リード側で、各トランジスタ素子表面のエミッタ電極を
共通配線して接地化する等の工夫が要求きれることVC
なり、構造的な面はもとより、確実な接地が施せず、動
作条件が均一でなくなり、特性的に好ましくなかった。
そこでトランジスタアレイ回路などエミッタ共通接地の
排水増大化に伴い長面側にエミッタ電極を配したトラン
ジスタ素子の川風が要望されているが、未だ適当なもの
が黒いの亦現状である。
排水増大化に伴い長面側にエミッタ電極を配したトラン
ジスタ素子の川風が要望されているが、未だ適当なもの
が黒いの亦現状である。
尚、第1図構造のコレクタをエミッタに、エミッタをコ
レクタとして使用することは単VC原理的i’(に可能
である。しかし、この場合はエミッタ引出にベース領域
を不純物選択拡散で形成し、ベース頭載にコレクタ電極
を不純物選択拡散で形成するため、コレクタ頭載とベー
ス唄域の不純物濃度が高くなってコレクターベース間の
C−B#圧が小さくなり(高くとも一20V程度)、1
従って特にトランジスタアレイ回路などに使用される高
耐圧が要求されるパワートランジスタVCは不適でろる
〇 ハ、発明の目的 本発明は上記要望を満すトランジスタ菓子を送供するこ
とを目的とする。
レクタとして使用することは単VC原理的i’(に可能
である。しかし、この場合はエミッタ引出にベース領域
を不純物選択拡散で形成し、ベース頭載にコレクタ電極
を不純物選択拡散で形成するため、コレクタ頭載とベー
ス唄域の不純物濃度が高くなってコレクターベース間の
C−B#圧が小さくなり(高くとも一20V程度)、1
従って特にトランジスタアレイ回路などに使用される高
耐圧が要求されるパワートランジスタVCは不適でろる
〇 ハ、発明の目的 本発明は上記要望を満すトランジスタ菓子を送供するこ
とを目的とする。
二、発明の構成
本発明は素子麦面側にコレクタ電極とベース電極を設け
、集子裏面側にエミッタ電極を設けたトランジスタ素子
でろって、コレクタ領域となる一導゛心型基板IC表裏
両面を貫通させてベース収出し鎖酸を形成してから表面
fit!IICベース頭域とエミッ頭載域を順次に形成
し、この基板の裏面上に前記ベース唄域とベース取出し
頭載を*気的接続するベース引出し電極及びこのベース
引出し電極上を含む全面的パターンでエミッタ電極を多
層4造で形成すると共VC%前記基板の表面のコレクタ
岨域上にコレクタ電極を、及びベース収出し唄域上にベ
ース電極を形成したことを特徴とする。したがって本発
明によれば素子裏面側にエミッタ電極を形成することが
容易となり、且つ特性的に間亀黒く実現が可能であり、
上記目的を難無く達成することができるホ、実施例 第2図に本発明の一実施例であるトランジスタ菓子(3
)を示す。このトランジスタ素子(8)はNPNiMの
もので、その構造を第3図乃至第2図に示′j製造工程
に基いて説明する。尚、第3図乃至第1図は半導体クエ
ーハ!91の部分的な断面図でその表裏面ば説明の都合
上第2図のトランジスタ素子(8)の表裏面と上下逆に
図示している。
、集子裏面側にエミッタ電極を設けたトランジスタ素子
でろって、コレクタ領域となる一導゛心型基板IC表裏
両面を貫通させてベース収出し鎖酸を形成してから表面
fit!IICベース頭域とエミッ頭載域を順次に形成
し、この基板の裏面上に前記ベース唄域とベース取出し
頭載を*気的接続するベース引出し電極及びこのベース
引出し電極上を含む全面的パターンでエミッタ電極を多
層4造で形成すると共VC%前記基板の表面のコレクタ
岨域上にコレクタ電極を、及びベース収出し唄域上にベ
ース電極を形成したことを特徴とする。したがって本発
明によれば素子裏面側にエミッタ電極を形成することが
容易となり、且つ特性的に間亀黒く実現が可能であり、
上記目的を難無く達成することができるホ、実施例 第2図に本発明の一実施例であるトランジスタ菓子(3
)を示す。このトランジスタ素子(8)はNPNiMの
もので、その構造を第3図乃至第2図に示′j製造工程
に基いて説明する。尚、第3図乃至第1図は半導体クエ
ーハ!91の部分的な断面図でその表裏面ば説明の都合
上第2図のトランジスタ素子(8)の表裏面と上下逆に
図示している。
先ず第3因に示すようなN−型半導体クエーハ(9]を
用意し、これの片面(図面の下面)ICN型不純物を選
択拡散してN+ 頭載101を形成する。この半導体ク
エーハ(9′Iはコレクタ唄域Cとなるものでh ”
唄域叫は後のコレクタ電極とのコンタクト性を良IIf
1Cするため形成される。
用意し、これの片面(図面の下面)ICN型不純物を選
択拡散してN+ 頭載101を形成する。この半導体ク
エーハ(9′Iはコレクタ唄域Cとなるものでh ”
唄域叫は後のコレクタ電極とのコンタクト性を良IIf
1Cするため形成される。
次1c第グ因に示すように半導体クエーハ19)の表裏
両面に前記N+頃領域を囲うパターンで対回状に高濃度
のP++拡散源(1υU匂をディボディジョンする。そ
の後長時間かけて各P 拡散源ttgai畑方へ押し込
み拡散して第5図に示すよう1/(P+型で上下双方か
ら連結し、li 唄域叫を囲うベース収出し頭載−I’
llを形成する。
両面に前記N+頃領域を囲うパターンで対回状に高濃度
のP++拡散源(1υU匂をディボディジョンする。そ
の後長時間かけて各P 拡散源ttgai畑方へ押し込
み拡散して第5図に示すよう1/(P+型で上下双方か
ら連結し、li 唄域叫を囲うベース収出し頭載−I’
llを形成する。
次に半導体クエーハ(9)のN+碩域III)の無い片
面(上面)よりP型不純物を全面拡散して第2図に示す
ようにP型のベース頭載Bを形成する。その後第2図に
示すようにベース収出し頭載戚する。
面(上面)よりP型不純物を全面拡散して第2図に示す
ようにP型のベース頭載Bを形成する。その後第2図に
示すようにベース収出し頭載戚する。
而る後第2図に示すように半導体クエーハ+91の表裏
両面に次の各電極を形成する。例えば先ず半導体クエー
ハ(9)の裏面(下面)VC裏面のN+哄唄域上にコレ
クタ電極αb)を及びベース収出し唄域霞上にベース電
極用の各々七Al 蒸着等で同時に形成する。次に牛導
体りエーハ191のペース饋域Bとベース取出し頭載崗
の両者面上に跨げてベース引出し電極端を及びエミッタ
頭載E上にエミッタ引出し電極+191をAl 蒸着等
で形成し、その後表面全域に絶縁膜間を形成してからこ
の絶縁膜間の前記エミッタ引出し電m1JQl上を部分
的VC除去して絶縁膜間と露出したエミッタ接地し電極
uQl上に7トランジスタ素子分の面積程度の大きさで
エミッタ電極eυを形成する0尚ペース引出し電極−を
設けるのは、ベース頭載Bからベース引き出し頭載(l
(至)を経て直接ベース電mU6)へ導くと、ベース須
坂Bのベース抵抗の影響でベース引き出し饋域崗との整
合が良好でないからでるる。このエミッタ電極体υは放
熱板等とのマクント性の良好な材料構成、例えばCr+
Ni−SニーAg等の多種金属の積層にて形成される
。
両面に次の各電極を形成する。例えば先ず半導体クエー
ハ(9)の裏面(下面)VC裏面のN+哄唄域上にコレ
クタ電極αb)を及びベース収出し唄域霞上にベース電
極用の各々七Al 蒸着等で同時に形成する。次に牛導
体りエーハ191のペース饋域Bとベース取出し頭載崗
の両者面上に跨げてベース引出し電極端を及びエミッタ
頭載E上にエミッタ引出し電極+191をAl 蒸着等
で形成し、その後表面全域に絶縁膜間を形成してからこ
の絶縁膜間の前記エミッタ引出し電m1JQl上を部分
的VC除去して絶縁膜間と露出したエミッタ接地し電極
uQl上に7トランジスタ素子分の面積程度の大きさで
エミッタ電極eυを形成する0尚ペース引出し電極−を
設けるのは、ベース頭載Bからベース引き出し頭載(l
(至)を経て直接ベース電mU6)へ導くと、ベース須
坂Bのベース抵抗の影響でベース引き出し饋域崗との整
合が良好でないからでるる。このエミッタ電極体υは放
熱板等とのマクント性の良好な材料構成、例えばCr+
Ni−SニーAg等の多種金属の積層にて形成される
。
後は第2図の破線YニーYよ及びY2−Y2で半導体ク
エーー(91を切断し細分化丁れば第2図のトランジス
タ素子(81が復故個一括して得られる0このトランジ
スタ素子(8)はエミッタ電極体ηのろる側が裏面とし
て放熱板f7J icマクントされる。従ってコレクク
電極霞とベース電極lJeが表面側に配されて、トラン
ジスタアレイ回路のエミッタ共通接地等の使用形J融に
有利となる。
エーー(91を切断し細分化丁れば第2図のトランジス
タ素子(81が復故個一括して得られる0このトランジ
スタ素子(8)はエミッタ電極体ηのろる側が裏面とし
て放熱板f7J icマクントされる。従ってコレクク
電極霞とベース電極lJeが表面側に配されて、トラン
ジスタアレイ回路のエミッタ共通接地等の使用形J融に
有利となる。
肉、本発明は上記実施列ic限らず、第2図のトランジ
スタ素子+81 VCおけるベース饋域Bは全面拡散で
形成するより説明したが、これはエピタキシャル区長法
にて形成するようにしてもよいO また本発明はNPN型トランジスタ素子1c限らず、P
NP型トランジスタ素子にも同、様に適用し得る。
スタ素子+81 VCおけるベース饋域Bは全面拡散で
形成するより説明したが、これはエピタキシャル区長法
にて形成するようにしてもよいO また本発明はNPN型トランジスタ素子1c限らず、P
NP型トランジスタ素子にも同、様に適用し得る。
へ1発明の詳細
な説明したように本発明によれば一般に需要が多いエミ
ッタ接地の天袋タイプに有利なトランジスタ素子の提供
がり能となり、特にトランジスタアレイ回路の構成トラ
ンジスタの適用にその効萎するところ大である。
ッタ接地の天袋タイプに有利なトランジスタ素子の提供
がり能となり、特にトランジスタアレイ回路の構成トラ
ンジスタの適用にその効萎するところ大である。
第7図は従来のトランジスタ素子の断面図。
第2図は本発明の一夾施的を示す断面図、第3因乃至第
2図は第2図のトランジスタ素子の製造工程を説明する
ための各工程での半導体クエーハ断面図、第2因は本発
明の池の夫施的と示す断面図である。 (9)・・基板(半萼体りエーハ) 、 Ill・・ベ
ース収出し饋域、C・・−コレクタ屓域、B・・ペース
頭載、E・・エミッタ頭載、 05)・・コレクタ11
霞・・ベース゛ぼ極% t181・・ペース引出し電極
%シ刀−・エミッタ電極。 第1− 第3図 m3図 !i55図 瘍6図 第7図
2図は第2図のトランジスタ素子の製造工程を説明する
ための各工程での半導体クエーハ断面図、第2因は本発
明の池の夫施的と示す断面図である。 (9)・・基板(半萼体りエーハ) 、 Ill・・ベ
ース収出し饋域、C・・−コレクタ屓域、B・・ペース
頭載、E・・エミッタ頭載、 05)・・コレクタ11
霞・・ベース゛ぼ極% t181・・ペース引出し電極
%シ刀−・エミッタ電極。 第1− 第3図 m3図 !i55図 瘍6図 第7図
Claims (1)
- (1) コレクタ領域となる一導電型基板に表裏両面を
貫通させて他導電型のベースノ取出し領域を形成し、前
記基板の裏面側にベース領域とエミッタ唄城を順次形成
して、当該基板の裏面上にベース領域とペース取出し頭
載を電気的接続するペース引出し電極とこのペース引出
し電極上を含む全面的パターンでエミッタ電極を多層構
造で形成すると共に、前記基板の表面のコレクタ鐵域上
にコノフタ電4ft及びベース収出し須域上にペース電
Mk!、を形成したことを特徴とするトランジスタ素子
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14009083A JPS6031274A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | トランジスタ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14009083A JPS6031274A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | トランジスタ素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6031274A true JPS6031274A (ja) | 1985-02-18 |
JPH0464178B2 JPH0464178B2 (ja) | 1992-10-14 |
Family
ID=15260716
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14009083A Granted JPS6031274A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | トランジスタ素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6031274A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5952694A (en) * | 1991-11-20 | 1999-09-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device made using processing from both sides of a workpiece |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5174582A (ja) * | 1974-12-24 | 1976-06-28 | Fujitsu Ltd | Handotaisochi |
-
1983
- 1983-07-29 JP JP14009083A patent/JPS6031274A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5174582A (ja) * | 1974-12-24 | 1976-06-28 | Fujitsu Ltd | Handotaisochi |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5952694A (en) * | 1991-11-20 | 1999-09-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device made using processing from both sides of a workpiece |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0464178B2 (ja) | 1992-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS5825264A (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置 | |
ES342404A1 (es) | Una disposicion de microcircuito del tipo de semiconductor monolitico. | |
JPS5669844A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPS56162864A (en) | Semiconductor device | |
US5027183A (en) | Isolated semiconductor macro circuit | |
KR960006071A (ko) | 바이폴라 트랜지스터장치 및 제조방법 | |
JPS6031274A (ja) | トランジスタ素子 | |
JPH02210860A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
US20040061133A1 (en) | Semiconductor device including bipolar junction transistor, and production method therefor | |
JPS5839030A (ja) | 半導体装置 | |
TW497232B (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
US3560814A (en) | Transistor with strip shaped emitter | |
JP2824329B2 (ja) | 可変容量ダイオード装置 | |
JPS5990957A (ja) | ラテラルpnpトランジスタとその製造方法 | |
JPS54122983A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JPS62143465A (ja) | 半導体装置 | |
JPS62269360A (ja) | 高周波半導体装置 | |
JP3158404B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
EP0395862A3 (en) | Semiconductor device comprising a lead member | |
JPS58225647A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPS6014452A (ja) | 高耐圧半導体集積装置 | |
JPS592364A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPS6042845A (ja) | 半導体集積回路装置製造方法 | |
JPH0411751A (ja) | 誘電体分離型半導体装置 | |
JPH021989A (ja) | 高耐圧スイッチングダイオード |