JPS62269360A - 高周波半導体装置 - Google Patents
高周波半導体装置Info
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- JPS62269360A JPS62269360A JP11181086A JP11181086A JPS62269360A JP S62269360 A JPS62269360 A JP S62269360A JP 11181086 A JP11181086 A JP 11181086A JP 11181086 A JP11181086 A JP 11181086A JP S62269360 A JPS62269360 A JP S62269360A
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明はエミッタが分割されたバイポーラ１−ランジス
タ等の半導体装置に関するもので、特に高周波電気的特
性の電流依存性を所望により選択できる構造の高周波半
導体装置に係る。
タ等の半導体装置に関するもので、特に高周波電気的特
性の電流依存性を所望により選択できる構造の高周波半
導体装置に係る。
（従来の技術）
従来の高周波半導体装置において、そのｍ見向特性が素
子の電流に依存して変化する性質を利用したものがある
。 例えば高周波増幅用のバイポーラトランジスタで、
素子に流れる］レクタ電流を制御して高周波伏目の自動
利１９１ｉ１１ Ｉｌｌ （Δｕｔｏｍａ−ｔｉｃ Ｑ
ａｉｎ Ｑｏｎｔｒｏｌ、以下ＡＧＣと略記する）を行
う方式があり、一般にフォワードＡＧＣ回路として利用
されている。 この従来のフォワードＡ Ｇ Ｃ用高周
波トランジスタの構造を第３図及び第４図に基づいて説
明する。 第３図はこの１〜ノンジスタの平面図で便宜
−１二絶縁物層を省略している。 又第４図ｉ、１４１
３図に小Ｊ１１１３’線で切断した素子の断面構造図で
ある。 まず比１１（抗約５ΩｃｍのＮ型シリ−１ン４
ｉｔ仮１をｆｌ’（ｌｉ６Ｌ／、これに比抵抗的１００
００ｃＩｌｌの１）型ベース領域２を不純物どして硼素
（Ｂ）導入に、１、り設（）、次にイの表向部分から内
部にかけて燐（［〕）もしくは砒素（Ａｓ ）を導入し
て、比抵抗的！＋ＯＣｍの島状の複数個（この例では４
個）のＮ ’ｌ！Ｉエミッタ領域３を選択的に形成する
。 このＮ ｊＳｌｊ Ｊ−ミッタ領域３の間にイ装置
り−るＰ型ベース領域には、比抵抗的５ΩｃｍのＰ＋型
領域２ａを硼素（１３）導入により設番ノてＰ型ベース
領域のコンタクト領域とする。 このＰ’型ベースコン
タク１〜領Ｉｔ ２ ａは、図示するＪ：うに所望によ
りＰ型ベース領域２の厚さ方向を貫通しく設【ノでも良
い。 この結果［〕１１７％１７ベースニ１ンタク１〜
領域２とＮ型」−ミッタ領域３どは交ｎに配置される形
状となり、この内領域以外の半導体シリ−１ン基板１の
表面に（、を絶縁物層１を被覆し、史に内領域には導電
ｆ１金属Ａ１を積層して、Ｊミッタ電１４ｉ５及びベー
ス′ｉ１ｆ極６を形成する。 この各電極に接着され、
絶縁物層４−にに積層される二［ミッタ導電配線路７及
びベース導電配線路８は、それぞれ延長して一箇所に集
め一体化され、いわゆるパッド部７ａ及びパッド部８ａ
を形成し、リード線等その他部品との接続を容易にして
いる。 このＰ型ベース領域２の表面では互いに平行な
帯状電極が配置される。
子の電流に依存して変化する性質を利用したものがある
。 例えば高周波増幅用のバイポーラトランジスタで、
素子に流れる］レクタ電流を制御して高周波伏目の自動
利１９１ｉ１１ Ｉｌｌ （Δｕｔｏｍａ−ｔｉｃ Ｑ
ａｉｎ Ｑｏｎｔｒｏｌ、以下ＡＧＣと略記する）を行
う方式があり、一般にフォワードＡＧＣ回路として利用
されている。 この従来のフォワードＡ Ｇ Ｃ用高周
波トランジスタの構造を第３図及び第４図に基づいて説
明する。 第３図はこの１〜ノンジスタの平面図で便宜
−１二絶縁物層を省略している。 又第４図ｉ、１４１
３図に小Ｊ１１１３’線で切断した素子の断面構造図で
ある。 まず比１１（抗約５ΩｃｍのＮ型シリ−１ン４
ｉｔ仮１をｆｌ’（ｌｉ６Ｌ／、これに比抵抗的１００
００ｃＩｌｌの１）型ベース領域２を不純物どして硼素
（Ｂ）導入に、１、り設（）、次にイの表向部分から内
部にかけて燐（［〕）もしくは砒素（Ａｓ ）を導入し
て、比抵抗的！＋ＯＣｍの島状の複数個（この例では４
個）のＮ ’ｌ！Ｉエミッタ領域３を選択的に形成する
。 このＮ ｊＳｌｊ Ｊ−ミッタ領域３の間にイ装置
り−るＰ型ベース領域には、比抵抗的５ΩｃｍのＰ＋型
領域２ａを硼素（１３）導入により設番ノてＰ型ベース
領域のコンタクト領域とする。 このＰ’型ベースコン
タク１〜領Ｉｔ ２ ａは、図示するＪ：うに所望によ
りＰ型ベース領域２の厚さ方向を貫通しく設【ノでも良
い。 この結果［〕１１７％１７ベースニ１ンタク１〜
領域２とＮ型」−ミッタ領域３どは交ｎに配置される形
状となり、この内領域以外の半導体シリ−１ン基板１の
表面に（、を絶縁物層１を被覆し、史に内領域には導電
ｆ１金属Ａ１を積層して、Ｊミッタ電１４ｉ５及びベー
ス′ｉ１ｆ極６を形成する。 この各電極に接着され、
絶縁物層４−にに積層される二［ミッタ導電配線路７及
びベース導電配線路８は、それぞれ延長して一箇所に集
め一体化され、いわゆるパッド部７ａ及びパッド部８ａ
を形成し、リード線等その他部品との接続を容易にして
いる。 このＰ型ベース領域２の表面では互いに平行な
帯状電極が配置される。
このような構造のフォワードＡ Ｇ Ｃ用トランジスタ
は、例えばＴＶ受像機の高周波増幅段或いは映像１Ｆ回
路等に使用される。 ）Ａ１ノードＡＧＣというのは、
信号入力が大きくなったとぎに１ヘランジスタのコレク
タ電流（１ｏ）を増加させて電力利得（Ｇｐ ）を下げ
、逆に４８号入力が小さくなったときにはＩ。を減少さ
けてＧｐを上げ、信号入力レベルが変動しても常にほぼ
一定の信号出力となるよう自動的に利得制御を行う働ぎ
をいう３゜従ってフォワードＡＧＣ用トランジスタは第
５図に示１−Ｇｐｌｃ特性を持っている。 動作時には
最大利得の」レクタ電流１ ｃ＋以、Ｊ二のバイアス電
流で使用される。 フォワードＡＧＣ用トランジスタは
、前記の八〇 〇特性と共に、増幅及び混変調等の高周
波電気的特性を持つことを要求されている。
は、例えばＴＶ受像機の高周波増幅段或いは映像１Ｆ回
路等に使用される。 ）Ａ１ノードＡＧＣというのは、
信号入力が大きくなったとぎに１ヘランジスタのコレク
タ電流（１ｏ）を増加させて電力利得（Ｇｐ ）を下げ
、逆に４８号入力が小さくなったときにはＩ。を減少さ
けてＧｐを上げ、信号入力レベルが変動しても常にほぼ
一定の信号出力となるよう自動的に利得制御を行う働ぎ
をいう３゜従ってフォワードＡＧＣ用トランジスタは第
５図に示１−Ｇｐｌｃ特性を持っている。 動作時には
最大利得の」レクタ電流１ ｃ＋以、Ｊ二のバイアス電
流で使用される。 フォワードＡＧＣ用トランジスタは
、前記の八〇 〇特性と共に、増幅及び混変調等の高周
波電気的特性を持つことを要求されている。
（発明が解決しようとする問題点）
前記の構造を持つ半導体素子を高周波ＡＧＣ回路に適用
すると、素ｆパラメータで決定されたＡＧＣ特性しか得
ることができず、回路膜Ｒ１の余裕がない。 又索ｆパ
ラメータのバラツキによりΔＧＧ特性が変動し、１１−
リ路動作に不都合な結果を生起する場合がある１゜ 本発明の目的は、前記問題熱を解決し、高周波電気的特
性の電流依（ｊ性の改善を所望により選択段ｈ１できる
と共に、ΔＧＧ特性やこのへＧＣ特ｆ’１に関連する混
変調特性を改訊でさる新規なへ周波用半導体装置を提供
り′ることである１゜［発明の構成］ （問題点を解決するｌζめの手段） 本発明は、一導電型半導体基板（以下便宜トー導電型を
Ｎ型、反対導電型をＰ型として説明する）の−主面側に
形成（きれる１〕型ベース領域と、Ｐ型ベース領域の一
部分に選択的に形成される複数の島状のＮ型ベース領域
と、Ｐ型ベース領域の他の一部分に形成されるより高濃
度のＰ゛型型ベースコンタクト領領域、前記基板の一重
部を覆う絶縁物層と、この絶縁物層を間口し前記エミッ
タ領域に接触形成される複数のエミッタ電極と、複数の
エミッタ電極をこの電極数を越えない複数の組に分け、
１つ同じ組に属するすべてのエミッタ電極に接着して前
記絶縁物層上に各組ごとに１つ設【ノられるエミッタ導
電配線路と、各組のエミッタ導電配線路のそれぞれの一
部分に形成されるパッド部（金属導線等との接続を容易
にするための導電膜）と、これらのパッド部と導電部材
を介して結ばれ且つパッド部の数と等しい複数のエミッ
タ電極取り出し端子板とを有することを特徴とする高周
波半導体装置である。
すると、素ｆパラメータで決定されたＡＧＣ特性しか得
ることができず、回路膜Ｒ１の余裕がない。 又索ｆパ
ラメータのバラツキによりΔＧＧ特性が変動し、１１−
リ路動作に不都合な結果を生起する場合がある１゜ 本発明の目的は、前記問題熱を解決し、高周波電気的特
性の電流依（ｊ性の改善を所望により選択段ｈ１できる
と共に、ΔＧＧ特性やこのへＧＣ特ｆ’１に関連する混
変調特性を改訊でさる新規なへ周波用半導体装置を提供
り′ることである１゜［発明の構成］ （問題点を解決するｌζめの手段） 本発明は、一導電型半導体基板（以下便宜トー導電型を
Ｎ型、反対導電型をＰ型として説明する）の−主面側に
形成（きれる１〕型ベース領域と、Ｐ型ベース領域の一
部分に選択的に形成される複数の島状のＮ型ベース領域
と、Ｐ型ベース領域の他の一部分に形成されるより高濃
度のＰ゛型型ベースコンタクト領領域、前記基板の一重
部を覆う絶縁物層と、この絶縁物層を間口し前記エミッ
タ領域に接触形成される複数のエミッタ電極と、複数の
エミッタ電極をこの電極数を越えない複数の組に分け、
１つ同じ組に属するすべてのエミッタ電極に接着して前
記絶縁物層上に各組ごとに１つ設【ノられるエミッタ導
電配線路と、各組のエミッタ導電配線路のそれぞれの一
部分に形成されるパッド部（金属導線等との接続を容易
にするための導電膜）と、これらのパッド部と導電部材
を介して結ばれ且つパッド部の数と等しい複数のエミッ
タ電極取り出し端子板とを有することを特徴とする高周
波半導体装置である。
（作用）
前記の本発明に係る半導体装置では、その外囲器に複数
のエミッタ端子板を有し、各エミッタ端子板は、それぞ
れの前記導電配線路のパッド部を経由して、そのパッド
部の属する絹の１つ又は複数のエミッタ電極、従−）（
１つ又は複数の島状のエミッタ領域に接続、され（いる
３、 本１Ｆ麿体装置Ｎを回路基板の所定の回路パター
ンに実装する場合、複数のエミッタ端子板のうＩ）所望
数の端子板を選択し、一体として回路パターンに半田付
【ノ１れば、所望のエミッタ電流ど高周波電気特性の電
流依存性とを選択することができる。
のエミッタ端子板を有し、各エミッタ端子板は、それぞ
れの前記導電配線路のパッド部を経由して、そのパッド
部の属する絹の１つ又は複数のエミッタ電極、従−）（
１つ又は複数の島状のエミッタ領域に接続、され（いる
３、 本１Ｆ麿体装置Ｎを回路基板の所定の回路パター
ンに実装する場合、複数のエミッタ端子板のうＩ）所望
数の端子板を選択し、一体として回路パターンに半田付
【ノ１れば、所望のエミッタ電流ど高周波電気特性の電
流依存性とを選択することができる。
（実施例）
本発明の半導体装置の実施例について図面に基づいて以
下説明りる。 第１図は本発明に係る高周波半導体装尚
の申面図（便宜上絶縁物層を省略しである）であり、第
２図は、第１図に示？１− Ａ −Δ′線で切断した断
面図である。 まず比抵抗５ΩｃｍＰｉ！度のＮ導電Ｑ
ｌｊシリコン基板（以下Ｎ型基板という）１をＱ−備し
、このＮ型基板の一主面側に比抵抗１００００ＣＩ１１
をもつＰ導電型ベース領［（Ｐ型ベース領域）２を不純
物どして硼素（Ｂ ）を導入して設【ブる。 この形成
に当ってはＮ型基板１の表面に酸化物層４を被覆後、こ
こに開口穴を設け、ここから［３元素を拡散導入する手
法も採用可能である。 この１）型ベース領域２にはＮ
導電ＪＩｌｊ ］−ミッタ領域（Ｎ型［ミッタ領＋１り
３及びＰ型ベース領域に比べより高温度のＰ導電型ベー
スコンタクト領域（Ｉ〕１型ベースコンタクト領域＞２
ａを文句、に形成するが、前者は不純物含有酸化物、後
者はイオン注入法を利用して形成する。 即ち珪素酸化
物層の所定位昭を食刻法によって開口後、砒素＜ＡＳ
）もしくは燐（Ｆ−’ ）を含有したＣＶＣ膜を墳積し
、この開口から砒素もしくは燐をＰ型ベース領域の一部
分に拡散導入して、比抵抗５Ωｃｍ稈度のＮ型エミッタ
領域３を形成する。 このエミッタ領域の間に位置づる
１〕型ベース領域の部分にはレジストをマスクとして、
硼素をイオン注入して、比抵抗的５ΩｃｍをもつＰ＋型
ベースコンタクト領域２ａを設置する。 このイオン注
入によって得られる１〕１型ベース］ンタクｌ〜領域２
ａｌよ、Ｐ型ベース領域２の深さ方向を貫通して形成し
てｂ差し支えない。 次にＮ型■ミッタ領１ｉｉ１ｉ３
形成時の不純物含有ＣＶＤ膜を除去すると共にＰ＋型ベ
ースコンタクト領１４２ ａ形成Ｉ＋、）のレジストン
スクも除去し、両領域形成時に絶縁物層に設置ｊｌ、：
聞口穴を復元したの６．１！電１／Ｉ金属△１を１．Ｌ
板面に被着し、前記開口穴を即めＮ型エミッタ領域３に
接触するエミッタ電極５及びＰ４型ベースニコンタクト
領域２ａに接触づるベース電極６を形成り＝るど共に、
エミッタ電極５及びベース電極６のそれぞれに接着して
絶縁物層」−にエミッタ導電配線路７及びベース導電配
線路８を積層覆る。 なお前記のＮ型エミッタ領域及び
Ｐ＋型ベースコンタクト領域形成後、イの表面に被着さ
れた絶縁物層等をすべて剥離して清浄な絶縁物層を新設
して、周知の方法により開１」電極形成を施しても良い
ことは勿論である。
下説明りる。 第１図は本発明に係る高周波半導体装尚
の申面図（便宜上絶縁物層を省略しである）であり、第
２図は、第１図に示？１− Ａ −Δ′線で切断した断
面図である。 まず比抵抗５ΩｃｍＰｉ！度のＮ導電Ｑ
ｌｊシリコン基板（以下Ｎ型基板という）１をＱ−備し
、このＮ型基板の一主面側に比抵抗１００００ＣＩ１１
をもつＰ導電型ベース領［（Ｐ型ベース領域）２を不純
物どして硼素（Ｂ ）を導入して設【ブる。 この形成
に当ってはＮ型基板１の表面に酸化物層４を被覆後、こ
こに開口穴を設け、ここから［３元素を拡散導入する手
法も採用可能である。 この１）型ベース領域２にはＮ
導電ＪＩｌｊ ］−ミッタ領域（Ｎ型［ミッタ領＋１り
３及びＰ型ベース領域に比べより高温度のＰ導電型ベー
スコンタクト領域（Ｉ〕１型ベースコンタクト領域＞２
ａを文句、に形成するが、前者は不純物含有酸化物、後
者はイオン注入法を利用して形成する。 即ち珪素酸化
物層の所定位昭を食刻法によって開口後、砒素＜ＡＳ
）もしくは燐（Ｆ−’ ）を含有したＣＶＣ膜を墳積し
、この開口から砒素もしくは燐をＰ型ベース領域の一部
分に拡散導入して、比抵抗５Ωｃｍ稈度のＮ型エミッタ
領域３を形成する。 このエミッタ領域の間に位置づる
１〕型ベース領域の部分にはレジストをマスクとして、
硼素をイオン注入して、比抵抗的５ΩｃｍをもつＰ＋型
ベースコンタクト領域２ａを設置する。 このイオン注
入によって得られる１〕１型ベース］ンタクｌ〜領域２
ａｌよ、Ｐ型ベース領域２の深さ方向を貫通して形成し
てｂ差し支えない。 次にＮ型■ミッタ領１ｉｉ１ｉ３
形成時の不純物含有ＣＶＤ膜を除去すると共にＰ＋型ベ
ースコンタクト領１４２ ａ形成Ｉ＋、）のレジストン
スクも除去し、両領域形成時に絶縁物層に設置ｊｌ、：
聞口穴を復元したの６．１！電１／Ｉ金属△１を１．Ｌ
板面に被着し、前記開口穴を即めＮ型エミッタ領域３に
接触するエミッタ電極５及びＰ４型ベースニコンタクト
領域２ａに接触づるベース電極６を形成り＝るど共に、
エミッタ電極５及びベース電極６のそれぞれに接着して
絶縁物層」−にエミッタ導電配線路７及びベース導電配
線路８を積層覆る。 なお前記のＮ型エミッタ領域及び
Ｐ＋型ベースコンタクト領域形成後、イの表面に被着さ
れた絶縁物層等をすべて剥離して清浄な絶縁物層を新設
して、周知の方法により開１」電極形成を施しても良い
ことは勿論である。
本実施例ではＮ ３リエミツタ領域３は周囲をＰ型ベー
ス領域に囲まれｌこ６つの帯形の島状領域に分かれてい
る。 Ｐ４型ベース］ンタクト領域２ａはＮ型エミッタ
領域の間に交Ｔ７に配置され７つに分割されている。
］ミッタｔ［４５及びベース電極６はそれぞれエミッタ
領域及びベースコンタクト 上領域に接触して積層されたＡＵ膜の部分であり、導電
配線路は絶縁物層上に形成されるＡ１膜の部分とするの
で、エミッタ電極は６つ、ベース電極１、、ｔ ７つ形
成される。 ６つのエミッタ電極は中央から２紺に分
割され、同じ組に属する３つのエミッタ電極のすべてに
接着するエミッタ導電配線路７が各組ごとに １つ即ち
合計 ２つ設けられる。
ス領域に囲まれｌこ６つの帯形の島状領域に分かれてい
る。 Ｐ４型ベース］ンタクト領域２ａはＮ型エミッタ
領域の間に交Ｔ７に配置され７つに分割されている。
］ミッタｔ［４５及びベース電極６はそれぞれエミッタ
領域及びベースコンタクト 上領域に接触して積層されたＡＵ膜の部分であり、導電
配線路は絶縁物層上に形成されるＡ１膜の部分とするの
で、エミッタ電極は６つ、ベース電極１、、ｔ ７つ形
成される。 ６つのエミッタ電極は中央から２紺に分
割され、同じ組に属する３つのエミッタ電極のすべてに
接着するエミッタ導電配線路７が各組ごとに １つ即ち
合計 ２つ設けられる。
７つのベース電極６はすべてベース導電配線路８に接着
される。 ２つのエミッタ導電配線路７は第１図に示
すように半導体基板端まで伸びエミッタパッド部７ａ、
７ｂを形成する。 又同様にベース導電配線路８にもベ
ースパッド部８ａが設【づられる。 ■ミッタバッド部
７ａ、７ｂ及びベースパッド部８ａは外囲器に設【プた
エミッタ電極取り出し端子板９ａ、９ｂ及びベース電極
取り出し端子板１０にそれぞれＡＵ等の導電性ワイヤ１
１で接続される。
される。 ２つのエミッタ導電配線路７は第１図に示
すように半導体基板端まで伸びエミッタパッド部７ａ、
７ｂを形成する。 又同様にベース導電配線路８にもベ
ースパッド部８ａが設【づられる。 ■ミッタバッド部
７ａ、７ｂ及びベースパッド部８ａは外囲器に設【プた
エミッタ電極取り出し端子板９ａ、９ｂ及びベース電極
取り出し端子板１０にそれぞれＡＵ等の導電性ワイヤ１
１で接続される。
本実施例では６つの島状のエミッタ領域を２組に等分し
たが、例えば３つ、２つ、１つの３組に分け、３箇所の
パッド部、３本のエミッタ電極取り出し端子板を設ＧＪ
’ｒ：もよい。 又島状のエミッタ領域の大きさもｈ
いに相違しても差し支えない。
たが、例えば３つ、２つ、１つの３組に分け、３箇所の
パッド部、３本のエミッタ電極取り出し端子板を設ＧＪ
’ｒ：もよい。 又島状のエミッタ領域の大きさもｈ
いに相違しても差し支えない。
［発明の効果］
本発明に係る高周波半導体装置においては、バイポーラ
１〜ランジスタの複数の島状のエミッタ領域が紺分けさ
れ、組ごとにエミッタ導電配線路を紅白して外囲器のエ
ミッタ電極取り出し端子板に接続されている。 従って
本装置を回路基板に実装するとき、回路パターンに接続
するエミッタ電極取り出し端子板の数ど種類を選択する
ことにより、素子パラメータの責なる高周波電気的特性
が得られ、設計の自由１ｖｉを増りことが（゛さる。
又素子パラメータのバラツキによりＡＧＣ特竹等が変動
しても回路パターンに接続づ−る端子様の選択により調
整することも可能である。 その結果、高周波電気的特
性の電流依存性を改善し、高周波ΔＧＣ特性が名しく向
トし、混変調特性の改善もみられた。
１〜ランジスタの複数の島状のエミッタ領域が紺分けさ
れ、組ごとにエミッタ導電配線路を紅白して外囲器のエ
ミッタ電極取り出し端子板に接続されている。 従って
本装置を回路基板に実装するとき、回路パターンに接続
するエミッタ電極取り出し端子板の数ど種類を選択する
ことにより、素子パラメータの責なる高周波電気的特性
が得られ、設計の自由１ｖｉを増りことが（゛さる。
又素子パラメータのバラツキによりＡＧＣ特竹等が変動
しても回路パターンに接続づ−る端子様の選択により調
整することも可能である。 その結果、高周波電気的特
性の電流依存性を改善し、高周波ΔＧＣ特性が名しく向
トし、混変調特性の改善もみられた。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の高周波半導体装置の模式的な平面図、
第２図はその断面図、第３図は従来の高周波半導体装置
の模式的な平面図、第４図はその断面図、第５図はフォ
ワードＡＧＣ用高周波半導体装置の利得とコレクタ電流
の関係を示で特性図である。 １・・・一導電型半導体基板（Ｎ型基板）、 ２・・・
反対導電型ベース領域（Ｐ型ベース領域）、２ａ・・・
より高８Ｍ邸の反対ＩＪｆｆｉ型ベースコンタクト領域
（Ｐ＋型ベースコンタクト領域〉、 ３・・・一導電型
エミッタ領域（Ｎ型エミッタ領域）、 ４・・・絶縁物
層、 ５・・・エミッタ電極、 ７・・・エミッタ導電
配線路、 ７ａ、７ｂ・・・エミッタパッド部、９ａ
、９ｂ・・・エミッタ電極取り出し端子板。 Ｄ ト 卜
第２図はその断面図、第３図は従来の高周波半導体装置
の模式的な平面図、第４図はその断面図、第５図はフォ
ワードＡＧＣ用高周波半導体装置の利得とコレクタ電流
の関係を示で特性図である。 １・・・一導電型半導体基板（Ｎ型基板）、 ２・・・
反対導電型ベース領域（Ｐ型ベース領域）、２ａ・・・
より高８Ｍ邸の反対ＩＪｆｆｉ型ベースコンタクト領域
（Ｐ＋型ベースコンタクト領域〉、 ３・・・一導電型
エミッタ領域（Ｎ型エミッタ領域）、 ４・・・絶縁物
層、 ５・・・エミッタ電極、 ７・・・エミッタ導電
配線路、 ７ａ、７ｂ・・・エミッタパッド部、９ａ
、９ｂ・・・エミッタ電極取り出し端子板。 Ｄ ト 卜
Claims (1)
- １ 一導電型半導体基板と、この基板の一主面側に形成
される反対導電型ベース領域と、このベース領域の一部
分に選択的に形成される複数の島状の一導電型エミッタ
領域と、前記反対導電型ベース領域の他の一部分に形成
されるより高濃度の反対導電型ベースコンタクト領域と
、前記基板の一主面を覆う絶縁物層と、この絶縁物層を
開口し前記エミッタ領域に接触形成される複数のエミッ
タ電極と、複数のエミッタ電極をこの電極数を越えない
複数の組に分け、且つ同じ組に属するすべてのエミッタ
電極に接着して前記絶縁物層上に各組ごとに１つ設けら
れるエミッタ導電配線路と、各組のエミッタ導電配線路
のそれぞれの一部分に形成されるパッド部と、これらの
パッド部と導電部材を介して結ばれ且つパッド部の数と
等しい複数のエミッタ電極取り出し端子板とを有するこ
とを特徴とする高周波半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11181086A JPS62269360A (ja) | 1986-05-17 | 1986-05-17 | 高周波半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11181086A JPS62269360A (ja) | 1986-05-17 | 1986-05-17 | 高周波半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62269360A true JPS62269360A (ja) | 1987-11-21 |
Family
ID=14570726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11181086A Pending JPS62269360A (ja) | 1986-05-17 | 1986-05-17 | 高周波半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62269360A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5204735A (en) * | 1988-04-21 | 1993-04-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High-frequency semiconductor device having emitter stabilizing resistor and method of manufacturing the same |
| JPH0669214A (ja) * | 1991-03-01 | 1994-03-11 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US6046493A (en) * | 1996-07-03 | 2000-04-04 | U.S. Philips Corporation | Semiconductor device with special emitter connection |
| JP2008235891A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Dongbu Hitek Co Ltd | バイポーラトランジスタ及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-05-17 JP JP11181086A patent/JPS62269360A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5204735A (en) * | 1988-04-21 | 1993-04-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High-frequency semiconductor device having emitter stabilizing resistor and method of manufacturing the same |
| JPH0669214A (ja) * | 1991-03-01 | 1994-03-11 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US6046493A (en) * | 1996-07-03 | 2000-04-04 | U.S. Philips Corporation | Semiconductor device with special emitter connection |
| JP2008235891A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Dongbu Hitek Co Ltd | バイポーラトランジスタ及びその製造方法 |
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