JPS62143465A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、縦型バイポーラトランジスタのレイアウト構
造に関する。

従来の技術 通常のＣＭＯ８型半導体集積回路のプロセスにおいて形
成されるウェル拡散層は、縦型バイポーラトランジスタ
のベース領域の形成技術としても利用される。この技術
を利用した従来の縦形バイポーラトランジスタは、第３
図に示すように、基板１６をコレクタとして、基板と同
電型のソース・ドレイン拡散によりコレクタ端子１４と
基板の接続をし、ウェル拡散層１８をベースとして、ウ
ェル拡散層１８と同電型のソース・ドレイン拡散により
ベース端子１３とウェルの接続をし、ウェル内に形成し
た、ウェルと逆導電型のソース・ドレイン領域をエミソ
、Ｊ２０として形成される。

発明が解決しようとする問題点 前述のようなＣＭＯ３製造技’＜Ｉｈを利用して形成さ
れた縦型バイポーラトランジスタの電流増幅率はエミッ
タ、コレクタ、ベースの不純物濃度と幅で決まるが、こ
れらの値は、通常の０ＭＯ８）ランジスタに要求される
特性によって決められるため、ＣＭＯ８型Ｏ８回路の製
造プロセスを変更せずに、高い電流増幅率を有するバイ
ポーラトランジスタを得ることは困難である。本発明で
は、縦型バイポーラトランジスタのレイアウト構造を改
良することにより、高い電流増幅率を得ようとするもの
である。　　　゛ 問題点を解決するための手段 本発明はベース領域を複数に分割して配設し、この各ベ
ース領域内にエミッタ領域を設け、それら複数の各ベー
ス領域、各エミッタ領域は、それぞれ、導電体配線層で
接続されたものである。

作用 本発明によると、ベース輸送効率、コレクタ抵抗が改善
され、電流増幅率の高い縦型バイポーラトランジスタが
得られる。

実施例 第１図は本発明による縦型ＮＰＮ　）う／ジスタのレイ
アウトを示す平面図、第２図（ａ）　、　（ｂ）はそれ
ぞれの一部のレイアウト平面図と断面構造図である。了
はＮ２ｆｌＳｉ半導体基板でありコレクタとして使用す
る。１はコレクタ端子のコンタクトをとるだめの高濃度
不純物領域、８はＰ−ウェル拡散層であり、ベース領域
として使用し、Ｐ型窩濃度不純物領域２を有する。３は
エミッタとしてのＮ型高濃度不純物領域であり、ベース
領域にかこまれ、対称的に並んだエミッタ領域が複数個
存在する。４はコレクタ端子としてのアルミニウム電極
配線、６はベース端子としてのアルミニウム電極配線で
ある。第１図のようなレイアウトによると、エミッタの
周辺にベースとベース端子とのコンタクト領域があり、
ベースの周辺にコレクタとコレクタ端子とのコンタクト
領域があるため、ベースの輸送効率が高くなり、コレク
タ抵抗が低くなり、その結果、電流増幅率が高くなる。

発明の効果 本発明は、ＣＭＯ８型半導体集積回路のプロセスでウェ
ル拡散層を形成する技術を利用して縦型バイポーラトラ
ンジスタを形成する際、レイアウト構造の改良により、
高い電流増幅率のバイポー第１図は本発明の縦型バイポ
ーラトランジスダ　のレイアウト構造平面図、第２図は
、本発明の縦型バイポーラトランジスタの一部のレイア
ウト平面図とその断面図、第３図は従来例装置の断面図
である。

１．１０・・・・・・コレクタと電極接続のための高濃
度領域、７・・・・・コレクタ（基板）、２，１１・・
・・・・ベースと電極接続のための高濃度領域、８・・
・・・・ベース（ウェル）、３．９・・・・・・エミッ
タ領域、４・・・°°°コレクタ電極、５・・・・・・
ベース電極、６・・・・・・エミッタ電極、１２・・・
・・・エミッタ電極、１３・・川・ベース電型、１４・
・・・・・コレクタ電極、１６・・・・・・酸化膜、１
６・・・・・基板、１７，１９．２０・・・・・・ソー
ス・ドレイン拡散、１８・・・・・・ウェル。

代理人の氏名弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名ＮｃＱ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. バイポーラトランジスタのコレクタ領域を基板に有し、
   このコレクタ領域内に、基板と逆導電型の不純物により
   形成した方形状のベース領域を複数個有し、さらに前記
   各ベース領域内に上記半導体基板と同導電型の不純物を
   注入して形成したエミッタ領域を複数個有し、導電体配
   線層により、前記各ベース及び前記各エミッタが電気的
   に１つのベース及びエミッタとなるよう接続されている
   ことを特徴とする半導体装置。