JP2774220B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2774220B2 JP2774220B2 JP4257024A JP25702492A JP2774220B2 JP 2774220 B2 JP2774220 B2 JP 2774220B2 JP 4257024 A JP4257024 A JP 4257024A JP 25702492 A JP25702492 A JP 25702492A JP 2774220 B2 JP2774220 B2 JP 2774220B2
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- Japan
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- semiconductor layer
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- concentration semiconductor
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- rectangle
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体分離基板を用い
た高耐圧ＩＣに好適な素子構造を有する半導体装置に関
するものである。
た高耐圧ＩＣに好適な素子構造を有する半導体装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の半導体装置の断面図であ
り、図５は図４のＣ−Ｃ’線についての断面図である。
この半導体装置では、シリコン酸化膜のような誘電体分
離膜１に囲まれた一導電型（例えばＮ型）のシリコンよ
りなる第１の半導体層２が、ポリシリコンのような支持
体８に支持されており、この第１の半導体層２の表面に
異なる導電型（例えばＰ型）の第２の半導体層４が形成
されている。第１及び第２の半導体層２，４の電極３
ａ，３ｂが表面酸化膜６上に配線され、表面酸化膜６の
一部に設けたコンタクト用の穴を介して接続されてい
る。また、第１の半導体層２の電極３ｂとの接続部に
は、同じ導電型で、より濃度の高い半導体層５が形成さ
れている。第１の半導体層２の周囲及び底部にも第１の
半導体層２と同じ導電型で、より濃度の高い半導体層７
が形成され、前述の電極３ｂとの接続部の半導体層５と
つながっている。
り、図５は図４のＣ−Ｃ’線についての断面図である。
この半導体装置では、シリコン酸化膜のような誘電体分
離膜１に囲まれた一導電型（例えばＮ型）のシリコンよ
りなる第１の半導体層２が、ポリシリコンのような支持
体８に支持されており、この第１の半導体層２の表面に
異なる導電型（例えばＰ型）の第２の半導体層４が形成
されている。第１及び第２の半導体層２，４の電極３
ａ，３ｂが表面酸化膜６上に配線され、表面酸化膜６の
一部に設けたコンタクト用の穴を介して接続されてい
る。また、第１の半導体層２の電極３ｂとの接続部に
は、同じ導電型で、より濃度の高い半導体層５が形成さ
れている。第１の半導体層２の周囲及び底部にも第１の
半導体層２と同じ導電型で、より濃度の高い半導体層７
が形成され、前述の電極３ｂとの接続部の半導体層５と
つながっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来例において、高耐
圧の素子を形成する場合、高耐圧を印加される異なる導
電型の接合界面から誘電体分離膜までの距離を十分に長
くとれば、形成する素子本来の耐圧が得られるが、この
距離が短ければ電界集中が発生し、耐圧が素子本来の耐
圧よりも低下するため、ある距離以上にしなければなら
ない。しかしながら、必要以上に距離を長くすると、素
子の占有面積が大きくなってしまう。そのため、素子の
占有面積を小さく抑えながら耐圧を得るためには、接合
界面から誘電体分離膜までの距離は、耐圧を得られる最
短の距離となるのであるが、第１の半導体層２の電極３
ｂを接続するために、電極コンタクト用の高濃度の半導
体層５が必要であり、この高濃度の半導体層５において
は、低濃度の半導体層２に比較して電界集中が強く、低
濃度の半導体層２のみの場合よりも誘電体分離膜１まで
の距離が長く必要となる。したがって、第２の半導体層
４がたとえ正方形であっても、誘電体分離島はコンタク
トを行うために長方形となり、誘電体分離島の面積が大
きくなっていた。このコンタクトによる誘電体分離島の
面積増加を抑えることが本発明の目的である。
圧の素子を形成する場合、高耐圧を印加される異なる導
電型の接合界面から誘電体分離膜までの距離を十分に長
くとれば、形成する素子本来の耐圧が得られるが、この
距離が短ければ電界集中が発生し、耐圧が素子本来の耐
圧よりも低下するため、ある距離以上にしなければなら
ない。しかしながら、必要以上に距離を長くすると、素
子の占有面積が大きくなってしまう。そのため、素子の
占有面積を小さく抑えながら耐圧を得るためには、接合
界面から誘電体分離膜までの距離は、耐圧を得られる最
短の距離となるのであるが、第１の半導体層２の電極３
ｂを接続するために、電極コンタクト用の高濃度の半導
体層５が必要であり、この高濃度の半導体層５において
は、低濃度の半導体層２に比較して電界集中が強く、低
濃度の半導体層２のみの場合よりも誘電体分離膜１まで
の距離が長く必要となる。したがって、第２の半導体層
４がたとえ正方形であっても、誘電体分離島はコンタク
トを行うために長方形となり、誘電体分離島の面積が大
きくなっていた。このコンタクトによる誘電体分離島の
面積増加を抑えることが本発明の目的である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置にあ
っては、前記の課題を解決するために、図１〜図３に示
すように、第１導電型（Ｎ型）の低濃度半導体層２が誘
電体分離膜１を介して支持体８に支持され、前記低濃度
半導体層２の誘電体分離膜１と接する底面及び周面に沿
って第１導電型の第１高濃度半導体層７を有し、前記低
濃度半導体層２の表面に前記第１高濃度半導体層７とつ
ながるように第１導電型の第２高濃度半導体層５を有
し、前記低濃度半導体層２の表面に第１及び第２の高濃
度半導体層５，７から所定の耐圧を得るための距離以上
を隔てて第２導電型（Ｐ型）の半導体層４を形成し、前
記第２導電型の半導体層４及び第２高濃度半導体層５の
表面にそれぞれ電極３ａ，３ｂを接続して成る誘電体分
離基板において、前記低濃度半導体層２は、第１の方形
の一辺に各辺が第１の方形よりも小さい第２の方形の一
辺が一頂点を共有して接する略６角形の表面形状を有し
ており、前記第２高濃度半導体層５は小さい方の第２の
方形に、前記第２導電型の半導体層４は大きい方の第１
の方形にそれぞれ配置されていることを特徴とするもの
である。
っては、前記の課題を解決するために、図１〜図３に示
すように、第１導電型（Ｎ型）の低濃度半導体層２が誘
電体分離膜１を介して支持体８に支持され、前記低濃度
半導体層２の誘電体分離膜１と接する底面及び周面に沿
って第１導電型の第１高濃度半導体層７を有し、前記低
濃度半導体層２の表面に前記第１高濃度半導体層７とつ
ながるように第１導電型の第２高濃度半導体層５を有
し、前記低濃度半導体層２の表面に第１及び第２の高濃
度半導体層５，７から所定の耐圧を得るための距離以上
を隔てて第２導電型（Ｐ型）の半導体層４を形成し、前
記第２導電型の半導体層４及び第２高濃度半導体層５の
表面にそれぞれ電極３ａ，３ｂを接続して成る誘電体分
離基板において、前記低濃度半導体層２は、第１の方形
の一辺に各辺が第１の方形よりも小さい第２の方形の一
辺が一頂点を共有して接する略６角形の表面形状を有し
ており、前記第２高濃度半導体層５は小さい方の第２の
方形に、前記第２導電型の半導体層４は大きい方の第１
の方形にそれぞれ配置されていることを特徴とするもの
である。
【０００５】
【作用】本発明では、誘電体分離膜１を介して支持体８
により支持され誘電体分離膜１と接する底面及び周面に
沿って第１導電型の第１高濃度半導体層７を有する第１
導電型の低濃度半導体層２の表面形状が、第１の方形の
一辺に各辺が第１の方形よりも小さい第２の方形の一辺
が一頂点を共有して接する略６角形の表面形状となって
おり、第１高濃度半導体層７とつながる第１導電型の第
２高濃度半導体層５は小さい方の第２の方形に、第２導
電型の半導体層４は大きい方の第１の方形にそれぞれ配
置されているので、第２導電型の半導体層４を第１及び
第２の高濃度半導体層５，７から所定の耐圧を得るため
の距離以上を隔てて低濃度半導体層２の表面に形成した
場合に、従来と同様の耐圧を有しながらも、従来よりも
占有面積を小さくできる。
により支持され誘電体分離膜１と接する底面及び周面に
沿って第１導電型の第１高濃度半導体層７を有する第１
導電型の低濃度半導体層２の表面形状が、第１の方形の
一辺に各辺が第１の方形よりも小さい第２の方形の一辺
が一頂点を共有して接する略６角形の表面形状となって
おり、第１高濃度半導体層７とつながる第１導電型の第
２高濃度半導体層５は小さい方の第２の方形に、第２導
電型の半導体層４は大きい方の第１の方形にそれぞれ配
置されているので、第２導電型の半導体層４を第１及び
第２の高濃度半導体層５，７から所定の耐圧を得るため
の距離以上を隔てて低濃度半導体層２の表面に形成した
場合に、従来と同様の耐圧を有しながらも、従来よりも
占有面積を小さくできる。
【０００６】
【実施例】図１は本発明の一実施例の平面図であり、図
２と図３はその断面図である。本実施例では、誘電体分
離島の形状を従来の方形ではなく、方形からより小さな
方形が突き出した形状としている。そして、その突出し
た方形の部分より第１の半導体層２からの電極３ｂが接
続されている。その他の構成は従来例と同様であり、シ
リコン酸化膜のような誘電体分離膜１に囲まれた一導電
型（例えばＮ型）のシリコンよりなる第１の半導体層２
が、ポリシリコンのような支持体８に支持されており、
この第１の半導体層２の表面に異なる導電型（例えばＰ
型）の第２の半導体層４が形成されている。第１及び第
２の半導体層２，４の電極３ａ，３ｂが表面酸化膜６上
に配線され、表面酸化膜６の一部に設けたコンタクト用
の穴を介して接続されている。また、第１の半導体層２
の電極３ｂとの接続部には、同じ導電型で、より濃度の
高い半導体層５が形成されている。第１の半導体層２の
周囲及び底部にも第１の半導体層２と同じ導電型で、よ
り濃度の高い半導体層７が形成され、前述の電極３ｂと
の接続部の半導体層５とつながっている。
２と図３はその断面図である。本実施例では、誘電体分
離島の形状を従来の方形ではなく、方形からより小さな
方形が突き出した形状としている。そして、その突出し
た方形の部分より第１の半導体層２からの電極３ｂが接
続されている。その他の構成は従来例と同様であり、シ
リコン酸化膜のような誘電体分離膜１に囲まれた一導電
型（例えばＮ型）のシリコンよりなる第１の半導体層２
が、ポリシリコンのような支持体８に支持されており、
この第１の半導体層２の表面に異なる導電型（例えばＰ
型）の第２の半導体層４が形成されている。第１及び第
２の半導体層２，４の電極３ａ，３ｂが表面酸化膜６上
に配線され、表面酸化膜６の一部に設けたコンタクト用
の穴を介して接続されている。また、第１の半導体層２
の電極３ｂとの接続部には、同じ導電型で、より濃度の
高い半導体層５が形成されている。第１の半導体層２の
周囲及び底部にも第１の半導体層２と同じ導電型で、よ
り濃度の高い半導体層７が形成され、前述の電極３ｂと
の接続部の半導体層５とつながっている。
【０００７】図２及び図３は、図１のＡ−Ａ’線及びＢ
−Ｂ’線についての断面図である。図２及び図３の断面
形状を図５の断面形状と比較すると、図３の断面形状は
図５の断面形状と同等であるが、図２の断面形状はコン
タクト部を含まないため、図５の断面形状に比べて小さ
くなっている。したがって、実質的に誘電体分離島の面
積の増大を抑制することができるものである。
−Ｂ’線についての断面図である。図２及び図３の断面
形状を図５の断面形状と比較すると、図３の断面形状は
図５の断面形状と同等であるが、図２の断面形状はコン
タクト部を含まないため、図５の断面形状に比べて小さ
くなっている。したがって、実質的に誘電体分離島の面
積の増大を抑制することができるものである。
【０００８】なお、実施例では、第１の半導体層２と高
濃度の半導体層５及び７がＮ型、第２の半導体層４がＰ
型である場合について説明したが、第１の半導体層２と
高濃度の半導体層５及び７がＰ型、第２の半導体層４が
Ｎ型であっても良い。
濃度の半導体層５及び７がＮ型、第２の半導体層４がＰ
型である場合について説明したが、第１の半導体層２と
高濃度の半導体層５及び７がＰ型、第２の半導体層４が
Ｎ型であっても良い。
【０００９】
【発明の効果】本発明によれば、第１導電型の低濃度半
導体層が誘電体分離膜を介して支持体に支持され、前記
低濃度半導体層の誘電体分離膜と接する底面及び周面に
沿って第１導電型の第１高濃度半導体層を有し、前記低
濃度半導体層の表面に前記第１高濃度半導体層とつなが
るように第１導電型の第２高濃度半導体層を有し、前記
低濃度半導体層の表面に第１及び第２の高濃度半導体層
から所定の耐圧を得るための距離以上を隔てて第２導電
型の半導体層を形成し、前記第２導電型の半導体層及び
第２高濃度半導体層の表面にそれぞれ電極を接続して成
る誘電体分離基板において、前記低濃度半導体層は、第
１の方形の一辺に各辺が第１の方形よりも小さい第２の
方形の一辺が一頂点を共有して接する略６角形の表面形
状を有しており、前記第２高濃度半導体層は小さい方の
第２の方形に、前記第２導電型の半導体層は大きい方の
第１の方形にそれぞれ配置されているものであるから、
誘電体分離基板に形成する高耐圧素子の耐圧を確保しな
がら従来よりも占有面積を小さくすることができるとい
う効果がある。
導体層が誘電体分離膜を介して支持体に支持され、前記
低濃度半導体層の誘電体分離膜と接する底面及び周面に
沿って第１導電型の第１高濃度半導体層を有し、前記低
濃度半導体層の表面に前記第１高濃度半導体層とつなが
るように第１導電型の第２高濃度半導体層を有し、前記
低濃度半導体層の表面に第１及び第２の高濃度半導体層
から所定の耐圧を得るための距離以上を隔てて第２導電
型の半導体層を形成し、前記第２導電型の半導体層及び
第２高濃度半導体層の表面にそれぞれ電極を接続して成
る誘電体分離基板において、前記低濃度半導体層は、第
１の方形の一辺に各辺が第１の方形よりも小さい第２の
方形の一辺が一頂点を共有して接する略６角形の表面形
状を有しており、前記第２高濃度半導体層は小さい方の
第２の方形に、前記第２導電型の半導体層は大きい方の
第１の方形にそれぞれ配置されているものであるから、
誘電体分離基板に形成する高耐圧素子の耐圧を確保しな
がら従来よりも占有面積を小さくすることができるとい
う効果がある。
【図１】本発明の一実施例の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線についての断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ’線についての断面図である。
【図４】従来例の平面図である。
【図５】図４のＣ−Ｃ’線についての断面図である。
１ 誘電体分離膜 ２ 第１の半導体層 ３ａ 電極 ３ｂ 電極 ４ 第２の半導体層 ５ 高濃度の半導体層 ６ 表面酸化膜 ７ 高濃度の半導体層
フロントページの続き (72)発明者 杉浦 義幸 大阪府門真市大字門真1048番地 松下電 工株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−165454（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/76 - 21/765 H01L 21/82
Claims (1)
- 【請求項１】 第１導電型の低濃度半導体層が誘電体分
離膜を介して支持体に支持され、前記低濃度半導体層の
誘電体分離膜と接する底面及び周面に沿って第１導電型
の第１高濃度半導体層を有し、前記低濃度半導体層の表
面に前記第１高濃度半導体層とつながるように第１導電
型の第２高濃度半導体層を有し、前記低濃度半導体層の
表面に第１及び第２の高濃度半導体層から所定の耐圧を
得るための距離以上を隔てて第２導電型の半導体層を形
成し、前記第２導電型の半導体層及び第２高濃度半導体
層の表面にそれぞれ電極を接続して成る誘電体分離基板
において、前記低濃度半導体層は、第１の方形の一辺に
各辺が第１の方形よりも小さい第２の方形の一辺が一頂
点を共有して接する略６角形の表面形状を有しており、
前記第２高濃度半導体層は小さい方の第２の方形に、前
記第２導電型の半導体層は大きい方の第１の方形にそれ
ぞれ配置されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4257024A JP2774220B2 (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4257024A JP2774220B2 (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112306A JPH06112306A (ja) | 1994-04-22 |
| JP2774220B2 true JP2774220B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=17300682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4257024A Expired - Lifetime JP2774220B2 (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2774220B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59165454A (ja) * | 1983-03-11 | 1984-09-18 | Hitachi Ltd | ラテラル型半導体装置 |
-
1992
- 1992-09-25 JP JP4257024A patent/JP2774220B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06112306A (ja) | 1994-04-22 |
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