JPS5812234B2 - 表示入りダイヤモンドの製造方法 - Google Patents
表示入りダイヤモンドの製造方法Info
- Publication number
- JPS5812234B2 JPS5812234B2 JP51156000A JP15600076A JPS5812234B2 JP S5812234 B2 JPS5812234 B2 JP S5812234B2 JP 51156000 A JP51156000 A JP 51156000A JP 15600076 A JP15600076 A JP 15600076A JP S5812234 B2 JPS5812234 B2 JP S5812234B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molybdenum
- diamond
- layer
- manufacturing
- photoresist film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A44—HABERDASHERY; JEWELLERY
- A44C—PERSONAL ADORNMENTS, e.g. JEWELLERY; COINS
- A44C17/00—Gems or the like
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Adornments (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は表面にモリブデンをスパッタリングにより付着
表示せしめたダイヤモンドを製造する製造方法を提供す
るどとを目的とする。
表示せしめたダイヤモンドを製造する製造方法を提供す
るどとを目的とする。
一般に、研磨を終えたダイヤモンドには該ダイヤモンド
の偽造防止または品質証明をするため、該ダイヤモンド
のキャラット数、カラーグレードおよびキズ(フロー)
の有無等を記載した鑑定書を付ける。
の偽造防止または品質証明をするため、該ダイヤモンド
のキャラット数、カラーグレードおよびキズ(フロー)
の有無等を記載した鑑定書を付ける。
しかしながら、この鑑定書は紛失する恐れがあり、保存
等に注意を要し、又鑑定書を紛失した際には面倒な鑑定
を再度行なったり、或いは偽造防止に細心の注意を払っ
たりしなければならない面倒がある等の問題点があった
。
等に注意を要し、又鑑定書を紛失した際には面倒な鑑定
を再度行なったり、或いは偽造防止に細心の注意を払っ
たりしなければならない面倒がある等の問題点があった
。
上記問題点を解決するため、本出願人は先に特許第81
4640号「刻印入りダイヤモンド」及び特願昭51−
5887号「刻印入りダイヤモンド」により、ダイヤモ
ンド表面の所定位置に鑑定結果を蒸着金属層により一体
形成表示するものを提案した。
4640号「刻印入りダイヤモンド」及び特願昭51−
5887号「刻印入りダイヤモンド」により、ダイヤモ
ンド表面の所定位置に鑑定結果を蒸着金属層により一体
形成表示するものを提案した。
しかしながら、かかる蒸着金属層はダイヤモンドに対す
る結合力が十分に完全とは言えず、強く多数回摩擦され
ることにより剥離、消滅したりして上記表示が読取り難
くなることもあるという問題点を有していた。
る結合力が十分に完全とは言えず、強く多数回摩擦され
ることにより剥離、消滅したりして上記表示が読取り難
くなることもあるという問題点を有していた。
本発明は上記問題点を除去したものであり、以下図面と
共にその各実施例につき説明する。
共にその各実施例につき説明する。
第1図は本発明になる製造方法により製造したモリブデ
ン表示入りダイヤモンドの1実施例の正面図、第2図は
その平面図、第3図は第2図中X部の拡大図を示す。
ン表示入りダイヤモンドの1実施例の正面図、第2図は
その平面図、第3図は第2図中X部の拡大図を示す。
各図に示す如く、プリリアン形状に研磨さiたダイヤモ
ンド1ば、周稜(ガードル)2の上部のクラウン3にテ
ーブル3aを含む研磨面と、下部のパビリオン4に下端
のキューレツ}4aを含む研磨面とを有している。
ンド1ば、周稜(ガードル)2の上部のクラウン3にテ
ーブル3aを含む研磨面と、下部のパビリオン4に下端
のキューレツ}4aを含む研磨面とを有している。
上記ダイヤモン白のテーブル3a上の上記パターン5は
肉眼では見ることのできないほど極微小であるため、テ
ーブル3a上にパターン5を設けても、ダイヤモンド1
の美観及び光学的性質を損うことなく従ってその品質を
低下することはない。
肉眼では見ることのできないほど極微小であるため、テ
ーブル3a上にパターン5を設けても、ダイヤモンド1
の美観及び光学的性質を損うことなく従ってその品質を
低下することはない。
上記パターン5としては、従来の鑑定書の記載事項と同
様に、第3図に示す如く例えば上記ダイヤモンド1のキ
ャラット数、カラーグレードおよびキズ(フロー)の有
無゛廊を記号及び数字等により形成し得る。
様に、第3図に示す如く例えば上記ダイヤモンド1のキ
ャラット数、カラーグレードおよびキズ(フロー)の有
無゛廊を記号及び数字等により形成し得る。
次に上記ダイヤモンド1のテーブル3aに上記パターン
5を形成する方法について説明する。
5を形成する方法について説明する。
予め上記表示すべきパターン5を例えば2000倍に拡
大した大きさを有するホトマスク(図示せず)を通常の
写真技術(あるいはホトエッチング技術)により形成し
てお《。
大した大きさを有するホトマスク(図示せず)を通常の
写真技術(あるいはホトエッチング技術)により形成し
てお《。
このホトマスクは次のホトレジスト処理工程において露
光に対する遮光マスクとして使用するものである。
光に対する遮光マスクとして使用するものである。
まず、ダイヤモンドを例えばガードル2を把持部材によ
シ把持してテーブル3a面を研磨しクリーンにした後、
第4図Aに示す如く該テーブル3a面からクラウン3に
かけてAZ−1350(商品名)等のホトレジストを塗
布してホトレジスト膜10を形成する。
シ把持してテーブル3a面を研磨しクリーンにした後、
第4図Aに示す如く該テーブル3a面からクラウン3に
かけてAZ−1350(商品名)等のホトレジストを塗
布してホトレジスト膜10を形成する。
次にこのホトレジスト膜10上に途中に上記ホトマスク
を配置した光学系によりそのパターンを例えば1/2。
を配置した光学系によりそのパターンを例えば1/2。
ooに縮小して露光を行ない、その後第4図Bに示す如
《現像して上記焼付パターンに対応するホトレジスト膜
10を除去してこの部分にテーブル3a面を露出させる
。
《現像して上記焼付パターンに対応するホトレジスト膜
10を除去してこの部分にテーブル3a面を露出させる
。
次にこのダイヤモンド1を第5図に示す如く、槽11の
上部に、そのテーブル3aを該槽11の底部に配設され
たモリブデン板12と対向させて取付ける。
上部に、そのテーブル3aを該槽11の底部に配設され
たモリブデン板12と対向させて取付ける。
次いで真空ポンプ(図示せず)を動作して槽11内を所
定真空度に到らしめ、槽11内に例えばアルゴンガスを
導入する。
定真空度に到らしめ、槽11内に例えばアルゴンガスを
導入する。
先ず、ダイヤモンド1をターゲットとして所定の電界を
かけると、アルゴンガスは、上記露出したダイヤモンド
1のテーブル3a面を叩き、これを活性化させる,次に
モリブデン板12をターゲットとして電界をかけると、
アルゴンガスはモリブデン板12上面を叩き、モリブデ
ン12は原子状態となって飛散し同図中波矢印で示す如
《、テーブル3a面上に逐次薄膜上に結合付着する。
かけると、アルゴンガスは、上記露出したダイヤモンド
1のテーブル3a面を叩き、これを活性化させる,次に
モリブデン板12をターゲットとして電界をかけると、
アルゴンガスはモリブデン板12上面を叩き、モリブデ
ン12は原子状態となって飛散し同図中波矢印で示す如
《、テーブル3a面上に逐次薄膜上に結合付着する。
この場合モリブデン12の付着厚さ形成速度は1分間に
約10OAである。
約10OAである。
なお、通常のスパッタリング現象の如くアルゴンガスが
モリブデン12のみを叩いてダイヤモンド1に付着させ
るものではモリブデン12の付着力が弱く使用に耐えな
い。
モリブデン12のみを叩いてダイヤモンド1に付着させ
るものではモリブデン12の付着力が弱く使用に耐えな
い。
又モリブデン12に代えて他の種々の金属を使用する場
合も、同様に付着力が比較にならない程弱く使用に耐え
ない。
合も、同様に付着力が比較にならない程弱く使用に耐え
ない。
4かくして、第4図Cに示す如く、露出テーブル3a面
上にモリブデン層12′が形成される。
上にモリブデン層12′が形成される。
続いてホトレジスト膜10を除去すれば、同図Dに示す
如《、上記パターン5に応じて残ったモリプデン層12
′による表示13を有するダイヤモンド1が得られる。
如《、上記パターン5に応じて残ったモリプデン層12
′による表示13を有するダイヤモンド1が得られる。
必要に応じて上記モリブデン層12′を過酸化水素(H
202)水で洗浄してモリブデン層12を大略除去する
と、同図Eに示す如く、上記パターン5に応じた超極薄
(10〜50λ程度)のモリブデン結合体(モリブデン
とダイヤモンドの炭素との化合体)層12〃が残る。
202)水で洗浄してモリブデン層12を大略除去する
と、同図Eに示す如く、上記パターン5に応じた超極薄
(10〜50λ程度)のモリブデン結合体(モリブデン
とダイヤモンドの炭素との化合体)層12〃が残る。
公知の如くモリブデンは過酸化水素により容易に酸化モ
リブデンとなつて融解するが、上煕モリブデン結合体層
12〃は全《融解されることなく残留する。
リブデンとなつて融解するが、上煕モリブデン結合体層
12〃は全《融解されることなく残留する。
このモリブデン結合体層12〃は極めて強くダイヤモン
ドの表面に付着しており、強く多数回摩擦しても容易に
は剥離、消滅することがない。
ドの表面に付着しており、強く多数回摩擦しても容易に
は剥離、消滅することがない。
尚上記表示箇所はテーブル3a面に限ることはない。
又ホトマスクは上記実施例に限ることなく、パターン5
と同一形状、同一寸法に製作したものを、第4図A中ホ
トレジスト膜10に密着させて露光するようにしてもよ
く、この場合は露光時のホトマスク位置調整作業が容易
である。
と同一形状、同一寸法に製作したものを、第4図A中ホ
トレジスト膜10に密着させて露光するようにしてもよ
く、この場合は露光時のホトマスク位置調整作業が容易
である。
上記ダイヤモンド1の表示13を判読する場合は、直接
顕微鏡等によシ拡大して判読すればよい。
顕微鏡等によシ拡大して判読すればよい。
なお、上記表示13の表示内容としてはダイヤモンドの
鑑定結果そのものでもよく、また鑑定書との一致をとる
ための符号、記号等のみでもよく、更にその他の必要に
応じた符号、記号等のみでもよい。
鑑定結果そのものでもよく、また鑑定書との一致をとる
ための符号、記号等のみでもよく、更にその他の必要に
応じた符号、記号等のみでもよい。
上述の如く、本興明になる表示人りダイヤモンドの製造
方法によれば、上記の如く、ダイヤモンド表面にダイヤ
モンドの鑑定結果である表示を単なる金属(モリブデン
を含む)蒸着によることなく、上記の如くモリブデン上
層を除去した後に残留する強い付着性を有するモリブデ
ン結合体層のみとして形成しているため、表示は強く多
数回摩擦されても上層が欠けたり剥離したシして不鮮明
或いは消滅したりすることな《、ダイヤモンド品質証明
を長期間に障って信頼度高く確実に行ないうる等の特長
を有するものである。
方法によれば、上記の如く、ダイヤモンド表面にダイヤ
モンドの鑑定結果である表示を単なる金属(モリブデン
を含む)蒸着によることなく、上記の如くモリブデン上
層を除去した後に残留する強い付着性を有するモリブデ
ン結合体層のみとして形成しているため、表示は強く多
数回摩擦されても上層が欠けたり剥離したシして不鮮明
或いは消滅したりすることな《、ダイヤモンド品質証明
を長期間に障って信頼度高く確実に行ないうる等の特長
を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明になる製造方法により製造したモリブデ
ン界示入りダイヤモンドの1実施例の正面図、第2図は
その平面図、第3図は第2図中X部の拡大図、第4図A
−Eは夫々上記ダイヤモンドのモリブデン刻印を形成す
る工程を説明する部分図、第5図は上記ダイヤモンドに
モリブデンを付着する装置の縦断面図である。 1…ダイヤモンド、2…周稜(ガードル)、3…クラウ
ン、3a…テーブル、4…パビリオン、4a…キューレ
ット、5…パターン(表示)、10…ホトレジスト膜、
11…槽、12…モリブデン板、12′…モリブデン層
、12〃…モリブデン結合体層、13…モリブデン表示
。
ン界示入りダイヤモンドの1実施例の正面図、第2図は
その平面図、第3図は第2図中X部の拡大図、第4図A
−Eは夫々上記ダイヤモンドのモリブデン刻印を形成す
る工程を説明する部分図、第5図は上記ダイヤモンドに
モリブデンを付着する装置の縦断面図である。 1…ダイヤモンド、2…周稜(ガードル)、3…クラウ
ン、3a…テーブル、4…パビリオン、4a…キューレ
ット、5…パターン(表示)、10…ホトレジスト膜、
11…槽、12…モリブデン板、12′…モリブデン層
、12〃…モリブデン結合体層、13…モリブデン表示
。
Claims (1)
- 1 表示相当部以外の個所をホトレジスト膜により被覆
されたダイヤモンドの該表示相当部のみをターゲットと
してスパッタリングし、且つモリブデンをターゲットと
してスパッタリングして、該ダイヤモンドの該表示相当
部表面にモリブデン結合体層を有するモリブデンを付着
形成した樋、該ホトレジスト膜及びモリブデン上層を除
去して該モリブデン結合体層を該表示形状に露出残留さ
せてなることを特徴とする表示入りダイヤモンドの製造
方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP51156000A JPS5812234B2 (ja) | 1976-12-24 | 1976-12-24 | 表示入りダイヤモンドの製造方法 |
NL7712012A NL7712012A (nl) | 1976-12-24 | 1977-11-01 | Diamant met daaraan gehecht molybdeen. |
GB45619/77A GB1591992A (en) | 1976-12-24 | 1977-11-02 | Diamond with molybdenum inscription |
US05/847,941 US4219199A (en) | 1976-12-24 | 1977-11-02 | Diamond with molybdenum bonded thereto |
FR7733034A FR2375338A1 (fr) | 1976-12-24 | 1977-11-03 | Diamant a motif de molybdene lie a celui-ci |
DE2749429A DE2749429C3 (de) | 1976-12-24 | 1977-11-04 | Diamant mit daran gebundenem Molybdän |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP51156000A JPS5812234B2 (ja) | 1976-12-24 | 1976-12-24 | 表示入りダイヤモンドの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5379788A JPS5379788A (en) | 1978-07-14 |
JPS5812234B2 true JPS5812234B2 (ja) | 1983-03-07 |
Family
ID=15618135
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP51156000A Expired JPS5812234B2 (ja) | 1976-12-24 | 1976-12-24 | 表示入りダイヤモンドの製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4219199A (ja) |
JP (1) | JPS5812234B2 (ja) |
DE (1) | DE2749429C3 (ja) |
FR (1) | FR2375338A1 (ja) |
GB (1) | GB1591992A (ja) |
NL (1) | NL7712012A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US10855074B2 (en) | 2016-08-01 | 2020-12-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Filter component having ESD protection function |
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-
1976
- 1976-12-24 JP JP51156000A patent/JPS5812234B2/ja not_active Expired
-
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- 1977-11-02 US US05/847,941 patent/US4219199A/en not_active Expired - Lifetime
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- 1977-11-04 DE DE2749429A patent/DE2749429C3/de not_active Expired
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