KR960071388A - X-선 리소그래피 공정에서 사용하는 박막 마스크 및 그 제조방법(a thin film mask for use in anx-ray lithographic process and its method of manufacture) - Google Patents
X-선 리소그래피 공정에서 사용하는 박막 마스크 및 그 제조방법(a thin film mask for use in anx-ray lithographic process and its method of manufacture) Download PDFInfo
- Publication number
- KR960071388A KR960071388A KR1019950703986A KR19950703986A KR960071388A KR 960071388 A KR960071388 A KR 960071388A KR 1019950703986 A KR1019950703986 A KR 1019950703986A KR 19950703986 A KR19950703986 A KR 19950703986A KR 960071388 A KR960071388 A KR 960071388A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- diamond
- ray
- film mask
- ions
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 4
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 19
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract 16
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract 16
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract 7
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 claims 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
본 원에서 X-선 리소그래피 공정에서 사용하는 박막 마스크가 X-선 투과의 다이어몬드가 아닌 물질, 예컨대 실리콘의 한 표면상에 지지되어 있는 다이어몬드 박막층으로 구성되어 있는 마스크를 제조하는 방법과 함께 개시되어 있다. X-선 불투과 물질 예컨대 금, 텅스텐 또는 세슘과 같은 중원자 번호 물질의 이온의 미리 결정된 패턴은 상부에 데포지트되는 것과는 반대로 다이어몬드 박막층내로 도입된다. 본원에 개시된 한 실시예에서 이는 이온주입에 의해 달성되고 타 실시예에서는 이온 비임 직접 서입 디바이스에 의해 달성된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 유전체 기판상에서 X-선 리소그래피 공정을 이행하며 본 발명에 따라 설계 및 제조된 박막 마스크를 포함하는 조립체를 개략적으로 예시한 도면이다.
Claims (13)
- X-선 리소그래피 공정에서 사용하는 박막 마스크에 있어서,(a)X-선을 투과시키는 다이어몬드가 아닌 기판,(b)상기 기판에 의해 한 표면상에 지지되어 있는 다이어몬드 박막층, 및 (c)상기 다이어몬드 박막층내에 도입되는 X-선을 투과시키지 않는 물질의 이온의 미리 결정된 패턴을 포함하는 박막 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 이온은 이온 주입에 의해 도입되는 박막 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 이온은 이농 비임 직접 서입 디바이스에 의해 도입되는 박막 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 물질은 금, 텅스텐 및 세슘으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 박막 디스크.
- 제1항에 있서, 상기 물질은 실리콘인 박막 디스크.
- X-선 리소그래피 공정에서 사용하는 박막 마스크를 제조하는 방법에 있어서, (a)X-선을 투과시키는 다이어몬드가 아닌 물질의 한 표면상에 다이어몬드 박막층을 형성하는 단계, 및 (b)X-선을 불투과하는 물질의 이온의 미리 결정된 패턴을 상기 다이어몬드 박막층내에 도입시키는 단계를 포함하는 박막 마스크 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 이온은 이온 주입에 의해 상기 다이어몬드 박막층내로 도입되는 박막 마스크 제조 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 이온은 이온 비임 직접 서입 디바이스에 의해 상기 다이어몬드 박막층내로 도입되는 박막 마스크 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 물질은 금, 텅스텐 및 세슘으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 박막 마스크 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 물질은 실리콘인 박막 마스크 제조방법.
- X-선 리소그래피 공정에서 사용하는 박막마스크에 있어서,(a)X-선을 투과시키는 다어어몬드가 아닌 물질, 및 (b)상기 기관에 의해 한 표면상에 지지되어 있으며, X-선을 불투과시키는 제1물질이 미리 결정된 세그먼트 및 다이어몬드 박막인 제2물질의 미리 결정된 세그먼트를 포함하는 복합층을 포함하는 박막 마스크.
- 제ll항에 있어서, 상기 X-선 불투과 물질은 금, 텅스텐 및 세슘으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 박막 마스크.
- X-선 리소그래피 공정에서 사용하는 박막 마스크를 제조하는 방법에 있어서 (a)X-선을 투과하는 다이어몬드가 아닌 물질의 표면상에 X-선 불투과 물질의 박막층을 형성하는 단계,(b)미리 결정된 패턴을 형성하도록 상기 X-선 불투과 물질층의 미리 결정된 세그먼트를 에칭하여 제거하는 단계, 및 (c)상기 에칭되어 제거된 세그먼트내에 다이어몬드 박막 세그먼트를 데포지트하여, 다이어몬드 박막 세그먼트 및 에칭되지 않은 광 불투과 물질이 함게 상기%-선 투과 기판상에 2개의 물질의 복합층을 형성하는 단계를 포함하는 박막 디스크 제조방법.14. 제13항에 있어서, 상기 X-선 불투과 물질은 금, 텅스텐 및 세슘으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 박막 마스크 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/034,554 US5314768A (en) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | Thin film mask for use in an x-ray lithographic process and its method of manufacture by forming opaque pattern of ions in a diamond layer |
| US08/034554 | 1993-03-19 | ||
| US08/034,554 | 1993-03-19 | ||
| PCT/US1994/002734 WO1994022056A1 (en) | 1993-03-19 | 1994-03-14 | A thin film mask for use in an x-ray lithographic process and its method of manufacture |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960071388A true KR960071388A (ko) | 1996-02-24 |
| KR100289818B1 KR100289818B1 (ko) | 2001-09-17 |
Family
ID=21877152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950703986A KR100289818B1 (ko) | 1993-03-19 | 1994-03-14 | X-선리소그래피공정에서사용하는박막마스크및그제조방법 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5314768A (ko) |
| EP (1) | EP0689686B1 (ko) |
| JP (1) | JP3306067B2 (ko) |
| KR (1) | KR100289818B1 (ko) |
| DE (1) | DE69403462T2 (ko) |
| WO (1) | WO1994022056A1 (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2298556A (en) * | 1995-03-01 | 1996-09-04 | St George's Healthcare Nhs Trust | X-ray beam attenuator |
| US5778042A (en) * | 1996-07-18 | 1998-07-07 | University Of Hawaii | Method of soft x-ray imaging |
| US7666579B1 (en) * | 2001-09-17 | 2010-02-23 | Serenity Technologies, Inc. | Method and apparatus for high density storage of analog data in a durable medium |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT382040B (de) * | 1983-03-01 | 1986-12-29 | Guenther Stangl | Verfahren zur herstellung von optisch strukturierten filtern fuer elektromagnetische strahlung und optisch strukturierter filter |
| JP2823276B2 (ja) * | 1989-03-18 | 1998-11-11 | 株式会社東芝 | Ｘ線マスクの製造方法および薄膜の内部応力制御装置 |
| JPH03273611A (ja) * | 1990-03-23 | 1991-12-04 | Nec Corp | Ｘ線リソグラフィ用マスクおよびその製造方法 |
| JP3171590B2 (ja) * | 1990-08-28 | 2001-05-28 | 住友電気工業株式会社 | Ｘ線マスクとその製造方法 |
| US5221411A (en) * | 1991-04-08 | 1993-06-22 | North Carolina State University | Method for synthesis and processing of continuous monocrystalline diamond thin films |
| US5146481A (en) * | 1991-06-25 | 1992-09-08 | Diwakar Garg | Diamond membranes for X-ray lithography |
-
1993
- 1993-03-19 US US08/034,554 patent/US5314768A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-03-14 DE DE69403462T patent/DE69403462T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-03-14 KR KR1019950703986A patent/KR100289818B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-03-14 JP JP52115494A patent/JP3306067B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-03-14 WO PCT/US1994/002734 patent/WO1994022056A1/en active IP Right Grant
- 1994-03-14 EP EP94910936A patent/EP0689686B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69403462T2 (de) | 1997-11-06 |
| EP0689686A1 (en) | 1996-01-03 |
| JP3306067B2 (ja) | 2002-07-24 |
| EP0689686B1 (en) | 1997-05-28 |
| KR100289818B1 (ko) | 2001-09-17 |
| JPH08507907A (ja) | 1996-08-20 |
| DE69403462D1 (de) | 1997-07-03 |
| US5314768A (en) | 1994-05-24 |
| WO1994022056A1 (en) | 1994-09-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0020776A4 (en) | METHOD OF FORMING PATTERNS. | |
| WO1998052101B1 (en) | Gray scale mask and depth pattern transfer technique using inorganic chalcogenide glass | |
| FR2375338A1 (fr) | Diamant a motif de molybdene lie a celui-ci | |
| JP2001189271A (ja) | 投影電子ビーム・リソグラフィ・マスク | |
| US6077633A (en) | Mask and method of forming a mask for avoiding side lobe problems in forming contact holes | |
| KR960071388A (ko) | X-선 리소그래피 공정에서 사용하는 박막 마스크 및 그 제조방법(a thin film mask for use in anx-ray lithographic process and its method of manufacture) | |
| DE69510902D1 (de) | Eingebettete Phasenverschiebungsmasken sowie Verfahren zu dessen Herstellung | |
| KR970077254A (ko) | 플라즈마 에칭 방법 및 플라즈마 에칭 장치 | |
| KR890004392A (ko) | 미세패턴의 형성방법 | |
| JP3297996B2 (ja) | Ｘ線マスク及びその製造方法 | |
| CA2056308A1 (en) | Method for manufacturing a photomask for an optical memory | |
| KR920015428A (ko) | 마스크 제조방법 | |
| JPS5429573A (en) | Fine machining method of semiconductor | |
| JPH1092741A (ja) | Ｘ線マスク及びその製造方法 | |
| JPS5317075A (en) | Production of silicon mask for x-ray exposure | |
| JPH05251312A (ja) | Ｘ線露光マスク及びその製造方法 | |
| GB2115949A (en) | Silicon X-ray mask | |
| WO2004073379A2 (en) | Optical lithography using both photomask surfaces | |
| JPS5317076A (en) | Silicon mask for x-ray exposure and its production | |
| JPS5834920A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| KR960002507A (ko) | 마스크 및 그 제조방법 | |
| JPS5929420A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| TW352419B (en) | Composition of X-ray mask | |
| JPS6084818A (ja) | Ｓｏｒ光露光用マスク | |
| JPS55113047A (en) | Transfer mask for photoexposure |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| A107 | Divisional application of patent | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080221 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |