KR960071388A - X-선 리소그래피 공정에서 사용하는 박막 마스크 및 그 제조방법(a thin film mask for use in anx-ray lithographic process and its method of manufacture) - Google Patents
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Abstract
본 원에서 X-선 리소그래피 공정에서 사용하는 박막 마스크가 X-선 투과의 다이어몬드가 아닌 물질, 예컨대 실리콘의 한 표면상에 지지되어 있는 다이어몬드 박막층으로 구성되어 있는 마스크를 제조하는 방법과 함께 개시되어 있다. X-선 불투과 물질 예컨대 금, 텅스텐 또는 세슘과 같은 중원자 번호 물질의 이온의 미리 결정된 패턴은 상부에 데포지트되는 것과는 반대로 다이어몬드 박막층내로 도입된다. 본원에 개시된 한 실시예에서 이는 이온주입에 의해 달성되고 타 실시예에서는 이온 비임 직접 서입 디바이스에 의해 달성된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 유전체 기판상에서 X-선 리소그래피 공정을 이행하며 본 발명에 따라 설계 및 제조된 박막 마스크를 포함하는 조립체를 개략적으로 예시한 도면이다.
Claims (13)
- X-선 리소그래피 공정에서 사용하는 박막 마스크에 있어서,(a)X-선을 투과시키는 다이어몬드가 아닌 기판,(b)상기 기판에 의해 한 표면상에 지지되어 있는 다이어몬드 박막층, 및 (c)상기 다이어몬드 박막층내에 도입되는 X-선을 투과시키지 않는 물질의 이온의 미리 결정된 패턴을 포함하는 박막 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 이온은 이온 주입에 의해 도입되는 박막 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 이온은 이농 비임 직접 서입 디바이스에 의해 도입되는 박막 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 물질은 금, 텅스텐 및 세슘으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 박막 디스크.
- 제1항에 있서, 상기 물질은 실리콘인 박막 디스크.
- X-선 리소그래피 공정에서 사용하는 박막 마스크를 제조하는 방법에 있어서, (a)X-선을 투과시키는 다이어몬드가 아닌 물질의 한 표면상에 다이어몬드 박막층을 형성하는 단계, 및 (b)X-선을 불투과하는 물질의 이온의 미리 결정된 패턴을 상기 다이어몬드 박막층내에 도입시키는 단계를 포함하는 박막 마스크 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 이온은 이온 주입에 의해 상기 다이어몬드 박막층내로 도입되는 박막 마스크 제조 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 이온은 이온 비임 직접 서입 디바이스에 의해 상기 다이어몬드 박막층내로 도입되는 박막 마스크 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 물질은 금, 텅스텐 및 세슘으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 박막 마스크 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 물질은 실리콘인 박막 마스크 제조방법.
- X-선 리소그래피 공정에서 사용하는 박막마스크에 있어서,(a)X-선을 투과시키는 다어어몬드가 아닌 물질, 및 (b)상기 기관에 의해 한 표면상에 지지되어 있으며, X-선을 불투과시키는 제1물질이 미리 결정된 세그먼트 및 다이어몬드 박막인 제2물질의 미리 결정된 세그먼트를 포함하는 복합층을 포함하는 박막 마스크.
- 제ll항에 있어서, 상기 X-선 불투과 물질은 금, 텅스텐 및 세슘으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 박막 마스크.
- X-선 리소그래피 공정에서 사용하는 박막 마스크를 제조하는 방법에 있어서 (a)X-선을 투과하는 다이어몬드가 아닌 물질의 표면상에 X-선 불투과 물질의 박막층을 형성하는 단계,(b)미리 결정된 패턴을 형성하도록 상기 X-선 불투과 물질층의 미리 결정된 세그먼트를 에칭하여 제거하는 단계, 및 (c)상기 에칭되어 제거된 세그먼트내에 다이어몬드 박막 세그먼트를 데포지트하여, 다이어몬드 박막 세그먼트 및 에칭되지 않은 광 불투과 물질이 함게 상기%-선 투과 기판상에 2개의 물질의 복합층을 형성하는 단계를 포함하는 박막 디스크 제조방법.14. 제13항에 있어서, 상기 X-선 불투과 물질은 금, 텅스텐 및 세슘으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 박막 마스크 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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