JPS58119694A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
配線基板の製造方法Info
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- JPS58119694A JPS58119694A JP220282A JP220282A JPS58119694A JP S58119694 A JPS58119694 A JP S58119694A JP 220282 A JP220282 A JP 220282A JP 220282 A JP220282 A JP 220282A JP S58119694 A JPS58119694 A JP S58119694A
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- JP
- Japan
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- pattern
- conductor
- plating
- layer
- wiring board
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は配線基板の製造方法に関する。
高密度実装を要求されるコンピュータ等の回路モジュー
ルに使用する配線基板には、ガラス繊維にエポキシｌＩ
！鹿を含浸させ、その両ＥｆｌＫ金属層を有する基板を
用い友いわゆるプリント配線基板と、アルミナセラミッ
ク及びガラス等の無機絶縁基材の面上に印刷方式にて金
属パターン層を形成した厚膜配線基板、史には樹脂基材
及び無機絶縁基材の面上に、めっき及び蒸着にて金属層
を形成する薄膜配線基板が用いられている。これらの配
線基板は、絶縁基材の両面及びその内層部に回路網を形
成するための金属層パターンを有し、これらの各層パタ
ーンをスルーホール導通体で接続している。従来スルー
ホール導通体を形成するには、絶縁基材部に穴を設け、
この穴内に導磁性材料を埋め込む方法がとられており、
必ず穴明は工程が含まれていた。この穴明けにはプリン
ト配線基板及び厚膜配線基板では微小径ドリルを用いた
トリＩＪング及び微少径ピンを用い友パンチングにより
、又薄膜配線基板では上ｍｌ方法にさらに樹ＢＦＩエツ
チング法を組込ん疋方法が採られていた。高＠度配線で
は、これらスルーホール導通穴の６肩するエリアを極力
小さくする必要があるが、これらの方法による穴明けで
は、′ドリリング及びノ（ンチングで最小０．１■直径
が限度でめり、エツチング方法では、樹脂を約９０度の
先端角を有する摺鉢状に溶解除去するため樹脂の厚さに
依存する点が大きいが、膜厚０．０２■に対し小径を０
．０２５ｍ１ｌ保するには大径は０．０６■にな９、高
密度実装の疎外要因になってい友。
ルに使用する配線基板には、ガラス繊維にエポキシｌＩ
！鹿を含浸させ、その両ＥｆｌＫ金属層を有する基板を
用い友いわゆるプリント配線基板と、アルミナセラミッ
ク及びガラス等の無機絶縁基材の面上に印刷方式にて金
属パターン層を形成した厚膜配線基板、史には樹脂基材
及び無機絶縁基材の面上に、めっき及び蒸着にて金属層
を形成する薄膜配線基板が用いられている。これらの配
線基板は、絶縁基材の両面及びその内層部に回路網を形
成するための金属層パターンを有し、これらの各層パタ
ーンをスルーホール導通体で接続している。従来スルー
ホール導通体を形成するには、絶縁基材部に穴を設け、
この穴内に導磁性材料を埋め込む方法がとられており、
必ず穴明は工程が含まれていた。この穴明けにはプリン
ト配線基板及び厚膜配線基板では微小径ドリルを用いた
トリＩＪング及び微少径ピンを用い友パンチングにより
、又薄膜配線基板では上ｍｌ方法にさらに樹ＢＦＩエツ
チング法を組込ん疋方法が採られていた。高＠度配線で
は、これらスルーホール導通穴の６肩するエリアを極力
小さくする必要があるが、これらの方法による穴明けで
は、′ドリリング及びノ（ンチングで最小０．１■直径
が限度でめり、エツチング方法では、樹脂を約９０度の
先端角を有する摺鉢状に溶解除去するため樹脂の厚さに
依存する点が大きいが、膜厚０．０２■に対し小径を０
．０２５ｍ１ｌ保するには大径は０．０６■にな９、高
密度実装の疎外要因になってい友。
本発明は上記の欠点を除き、穴明は工程を要せずして、
極めて倣小径の導通体を精度よく効率的に形成すること
を可能にし、高密度実装に適した配＠基板の製造方法を
提供することを目的とする。
極めて倣小径の導通体を精度よく効率的に形成すること
を可能にし、高密度実装に適した配＠基板の製造方法を
提供することを目的とする。
即ち、本発明は、ガラス製保持板等よシ成る基材の片面
に下部パターンを形成した後、咳パターンと後述する前
記基材の他面に形成する上部パターンとを接続する導通
体を前記下部パターンに接続して形成し、その後に当該
下部パターン上に、硬化した絶縁性樹脂層を設け、次い
で画線樹脂層上に前記導通体に接続した上部パターンを
形成することを特徴とする配線基板の製造方法に存する
。
に下部パターンを形成した後、咳パターンと後述する前
記基材の他面に形成する上部パターンとを接続する導通
体を前記下部パターンに接続して形成し、その後に当該
下部パターン上に、硬化した絶縁性樹脂層を設け、次い
で画線樹脂層上に前記導通体に接続した上部パターンを
形成することを特徴とする配線基板の製造方法に存する
。
以下に本発明を第１図及び第２図に示す実施例に基づい
て説明する。ａｇ１図（ａ）〜（転）は配線基板の製造
工程順に示した基板の断面図、第２図は本発明になる方
法で製造した多層配縁基板の断面図である。
て説明する。ａｇ１図（ａ）〜（転）は配線基板の製造
工程順に示した基板の断面図、第２図は本発明になる方
法で製造した多層配縁基板の断面図である。
第１図（＆）において、表面を平坦化したガラス製の保
持板１の上向に、ガラスとのｍ着力が小さいワックス等
の離型剤２を回転塗布機で厚さが均一になるよう塗布す
る。この後、離型剤２上面を塩化パラジウムを含む活性
化液で活性化し、無電解めっき処理によって錫層で形成
されるめっき用導通層３を全面に被着させる。この場合
、離型剤２以外の保持板１のＩ／に面及びＩＩＩＩに被
着した導通層は、離型剤２上に被着しためつき用導通層
３上に工・ツチングレジスト処理を施こし友後エツチン
グにて除去しておく。また、このめっき用導通１−３は
、以降の工程で行なわれる電解めっき処理用の導電層と
するためのもので、次工程で説明する下部パターンのエ
ツチング処理時に同時にエツチング除去されない材質の
ものであれば、錫以外の金属を用いてもよい。さらに無
電解めっき性の点から下地の鋼層を厖こし、その上に錫
層を施こす方法も有効である。次に（ｂ）図に示す如く
、ガラス製保持材１と離型剤２とめっき用導通層３とよ
シ成る基材中のめっき用導通層３上に下部導体用パター
ンになるべく銅層４をめっき処理にて被着させる。尚基
材は上記で例示したものに限らず、又本発明に於ける配
線基板とはこれらを含めたものも含めないものも両者を
指称する。導体用パターンは、回路の低抵抗化の要求か
ら極力厚くすることが必要であり、処理速度の速い電解
めっき法を用いた。なお、めっき用導通体３及び銅層４
の形成に魚屑法及びスパッタリング法を用いて、それぞ
れの金属を板層することも有効である。次に、銅層４の
上面にエツチングレジスト液を塗布し、乾燥させた後、
露光、現像処理を行なって、（６）図に示す如くエツチ
ングレジスト膜５を形成する。次に、当該エツチングレ
ジスト膜５をレジストにして鋼層４をエツチングし、エ
ツチングレジスト膜５を除去することにより、（ｄ）図
に示す如く所望パターンを有する下部導体パターン６
、６’、 ６’、 ６’が形成される。次に、めっきレ
ジスト液を塗布し、乾燥して、露光、’＊像することに
より、（・）図に示す如く下部パターン６０所費位置に
、穴８が貫通されためつきレジスト膜７が形成される。
持板１の上向に、ガラスとのｍ着力が小さいワックス等
の離型剤２を回転塗布機で厚さが均一になるよう塗布す
る。この後、離型剤２上面を塩化パラジウムを含む活性
化液で活性化し、無電解めっき処理によって錫層で形成
されるめっき用導通層３を全面に被着させる。この場合
、離型剤２以外の保持板１のＩ／に面及びＩＩＩＩに被
着した導通層は、離型剤２上に被着しためつき用導通層
３上に工・ツチングレジスト処理を施こし友後エツチン
グにて除去しておく。また、このめっき用導通１−３は
、以降の工程で行なわれる電解めっき処理用の導電層と
するためのもので、次工程で説明する下部パターンのエ
ツチング処理時に同時にエツチング除去されない材質の
ものであれば、錫以外の金属を用いてもよい。さらに無
電解めっき性の点から下地の鋼層を厖こし、その上に錫
層を施こす方法も有効である。次に（ｂ）図に示す如く
、ガラス製保持材１と離型剤２とめっき用導通層３とよ
シ成る基材中のめっき用導通層３上に下部導体用パター
ンになるべく銅層４をめっき処理にて被着させる。尚基
材は上記で例示したものに限らず、又本発明に於ける配
線基板とはこれらを含めたものも含めないものも両者を
指称する。導体用パターンは、回路の低抵抗化の要求か
ら極力厚くすることが必要であり、処理速度の速い電解
めっき法を用いた。なお、めっき用導通体３及び銅層４
の形成に魚屑法及びスパッタリング法を用いて、それぞ
れの金属を板層することも有効である。次に、銅層４の
上面にエツチングレジスト液を塗布し、乾燥させた後、
露光、現像処理を行なって、（６）図に示す如くエツチ
ングレジスト膜５を形成する。次に、当該エツチングレ
ジスト膜５をレジストにして鋼層４をエツチングし、エ
ツチングレジスト膜５を除去することにより、（ｄ）図
に示す如く所望パターンを有する下部導体パターン６
、６’、 ６’、 ６’が形成される。次に、めっきレ
ジスト液を塗布し、乾燥して、露光、’＊像することに
より、（・）図に示す如く下部パターン６０所費位置に
、穴８が貫通されためつきレジスト膜７が形成される。
めっきレジスト膜７はフォト処理にて形成されるため、
穴８の壁面はほぼ垂直に近い形状に仕上けることがで右
、さらに微細穴の形成が可能である。また、穴深さを１
０〜２０μｍと深く形成することが容易であること−か
ら、後工楊で述べる、上下導体間の絶縁に必要な間隔を
十分確保できる。次に、めっきレジスト膜７ｔ−レジス
トにし、めっき用導通層３を電極にして穴８にめっきを
施す。（ｆ）図は所望厚さにめっき処理された後、めっ
きレジストｍ７を除去した状態で、下部パターン６の必
要１１ａ１所に、当該パターンと後述する上部パターン
とを接続する導通体９．９’、９”、ｆが形成される。
穴８の壁面はほぼ垂直に近い形状に仕上けることがで右
、さらに微細穴の形成が可能である。また、穴深さを１
０〜２０μｍと深く形成することが容易であること−か
ら、後工楊で述べる、上下導体間の絶縁に必要な間隔を
十分確保できる。次に、めっきレジスト膜７ｔ−レジス
トにし、めっき用導通層３を電極にして穴８にめっきを
施す。（ｆ）図は所望厚さにめっき処理された後、めっ
きレジストｍ７を除去した状態で、下部パターン６の必
要１１ａ１所に、当該パターンと後述する上部パターン
とを接続する導通体９．９’、９”、ｆが形成される。
上配下郁パターン６と当該導通体９には、電気伝導度及
び耐食性ですぐれているｍを用いているが、銅はポリイ
ミド系樹脂との接着力が弱い。このため下部パターン６
と導通体９がポリイミド系樹脂と接触する面に接着力が
良好なりロームを被着させた。
び耐食性ですぐれているｍを用いているが、銅はポリイ
ミド系樹脂との接着力が弱い。このため下部パターン６
と導通体９がポリイミド系樹脂と接触する面に接着力が
良好なりロームを被着させた。
クロームは、めっき法及び蒸着法どちらでも被着させる
ことが可能でるるか、本実施例では電気めっき法を用い
て被層させた。次に、回転塗布機に保持板１下面を吸着
保持させて、回転させながらポリイミド系樹脂〔日立化
成工業（抹）製のＰＩＱ （ｆ縁曲標）〕を塗布する。
ことが可能でるるか、本実施例では電気めっき法を用い
て被層させた。次に、回転塗布機に保持板１下面を吸着
保持させて、回転させながらポリイミド系樹脂〔日立化
成工業（抹）製のＰＩＱ （ｆ縁曲標）〕を塗布する。
尚本実施例では絶縁性樹脂としてボリイｉド系ｗ脂を使
用したが、エポキシ樹脂等信の樹脂を使用しても差支え
ない。もつともＰＩＱ 樹脂は、回転塗布愼の回転数に
よって膜厚ｔ−楕によ〈コントロールできることから、
必値な膜厚を容易に得ることが可能である。当該樹脂を
一布した後、仮硬化を２００℃で行ない、その後３５０
℃で本硬化処理を行なう。硬化後の樹脂は導通体上面に
若干付着し、その部分は他部より盛り上がる。これを平
面度の良好な研摩盤を用いて、導通体の上面が露出する
まで研屋することにより、−図に示すｕｐぐ、導通体９
の上面と樹脂１０の上面が同−嶋さに成形できる。この
際導通体９上に付層したポリイミド系樹脂を灰化処理に
よって除去して同−誦さにすることもできる。
用したが、エポキシ樹脂等信の樹脂を使用しても差支え
ない。もつともＰＩＱ 樹脂は、回転塗布愼の回転数に
よって膜厚ｔ−楕によ〈コントロールできることから、
必値な膜厚を容易に得ることが可能である。当該樹脂を
一布した後、仮硬化を２００℃で行ない、その後３５０
℃で本硬化処理を行なう。硬化後の樹脂は導通体上面に
若干付着し、その部分は他部より盛り上がる。これを平
面度の良好な研摩盤を用いて、導通体の上面が露出する
まで研屋することにより、−図に示すｕｐぐ、導通体９
の上面と樹脂１０の上面が同−嶋さに成形できる。この
際導通体９上に付層したポリイミド系樹脂を灰化処理に
よって除去して同−誦さにすることもできる。
斯くて、この様に予め導通体を形成した後に、絶縁性樹
脂を供給することにより基板の穴明は工程を不要にする
ことができる。次に（ｈ）図に示す如く前記同一高さに
成形された平面上に無電解と電解めっき法にて銅層１１
を形成し、さらにこの上面にエツチングレジスト膜１２
ｔ−形成する。この後、エツチングレジスト膜１２１エ
ツチングレジストとして、銅層１１をエツチングするこ
とにより、０）図に示す如く上部パターン１３ 、１３
、１３が形成される。
脂を供給することにより基板の穴明は工程を不要にする
ことができる。次に（ｈ）図に示す如く前記同一高さに
成形された平面上に無電解と電解めっき法にて銅層１１
を形成し、さらにこの上面にエツチングレジスト膜１２
ｔ−形成する。この後、エツチングレジスト膜１２１エ
ツチングレジストとして、銅層１１をエツチングするこ
とにより、０）図に示す如く上部パターン１３ 、１３
、１３が形成される。
（０図に示す工程まで、上及び下部のパターンと両者ｔ
−接続する導通体の形成が完了する。この恢、保持板１
を取り外し、雌型剤２とめっき用導通層３及びその下部
に存在するクロム層（図示なし）をエツチングで除去す
ることにより、両面鋼パターン配線板が出来上る。
−接続する導通体の形成が完了する。この恢、保持板１
を取り外し、雌型剤２とめっき用導通層３及びその下部
に存在するクロム層（図示なし）をエツチングで除去す
ることにより、両面鋼パターン配線板が出来上る。
本発明の配線基板の製造方法によれば、多層化が非常に
高能率で実現できる。次に多層化の方法について説明す
る。
高能率で実現できる。次に多層化の方法について説明す
る。
多層基板を作成するには、（１）図に示す状態から再び
（・）図の処理工程を織返光して銅・パターンと導通体
を積み上けていく方法と、他の方法として、（ｊ）図に
示す如く、絶縁性樹脂１４を薄く塗布した後、誉絖端子
ｌｓｓ分を絶縁性樹脂の直接エツチング法にて開口し、
めっき用導通層３を電極として接続端子１５をめつきに
て形成する。その後（ｋ）図に示す如く、下部導体側の
めっき用導通層及びその下面のクロム層を除去した後、
接続端子１５を有する両面パターンの基板を形成しこれ
らを重ね合わせる方法かめる。第２図に前日己の両面パ
ターン基板を多層化する方法を示すもので、ＣＩ）、（
Ｉｔ）、［ｍ）は、各両面パ１ターン基板であり、それ
ぞれの基板下部には下ｆｌｓ導体パターン１６ 、１７
、１８がおり、上部には相対向する基板の下部導体パ
ターンと対向する位置にはんだで形成された接続用端子
１９ 、２０ 、２１が設けである。本図において、基
板（Ｉ）の上にさらに他の基板を１ねることも出来、ま
た基板ＣＩ［Ｉ）の下に別の基板を重ねることもできる
。このような状態で位置合せを行なった後、基板ＣＩ）
の上方と基板［１ｌｌ）の下方から加熱及び〃０圧する
ことにより、接続端子１９ 、２０ 、２１は、対向す
る下部Ｉくり一ン１６ 、１７ 、１８等とｆｔ属的に
元金に結付され、ｉ体化される。この加圧、ＩＪＯＳ処
理によって、例えば基板（ＩＩＩ）の接続用端子１９は
、基板［ＩＩ）の下部ノくターン１７と加圧微触し、そ
の後の加熱にて、接続用端子１９の上面にはんだが施さ
れている場合、このはんだが溶離して、下部パターン１
７と金属的に接合する。この場合、絶縁性樹脂層２２
、２３ 、 ｕｌム谷基板間の配線パターンが会費個所
以外で接触しないように保−する役目をしている。
（・）図の処理工程を織返光して銅・パターンと導通体
を積み上けていく方法と、他の方法として、（ｊ）図に
示す如く、絶縁性樹脂１４を薄く塗布した後、誉絖端子
ｌｓｓ分を絶縁性樹脂の直接エツチング法にて開口し、
めっき用導通層３を電極として接続端子１５をめつきに
て形成する。その後（ｋ）図に示す如く、下部導体側の
めっき用導通層及びその下面のクロム層を除去した後、
接続端子１５を有する両面パターンの基板を形成しこれ
らを重ね合わせる方法かめる。第２図に前日己の両面パ
ターン基板を多層化する方法を示すもので、ＣＩ）、（
Ｉｔ）、［ｍ）は、各両面パ１ターン基板であり、それ
ぞれの基板下部には下ｆｌｓ導体パターン１６ 、１７
、１８がおり、上部には相対向する基板の下部導体パ
ターンと対向する位置にはんだで形成された接続用端子
１９ 、２０ 、２１が設けである。本図において、基
板（Ｉ）の上にさらに他の基板を１ねることも出来、ま
た基板ＣＩ［Ｉ）の下に別の基板を重ねることもできる
。このような状態で位置合せを行なった後、基板ＣＩ）
の上方と基板［１ｌｌ）の下方から加熱及び〃０圧する
ことにより、接続端子１９ 、２０ 、２１は、対向す
る下部Ｉくり一ン１６ 、１７ 、１８等とｆｔ属的に
元金に結付され、ｉ体化される。この加圧、ＩＪＯＳ処
理によって、例えば基板（ＩＩＩ）の接続用端子１９は
、基板［ＩＩ）の下部ノくターン１７と加圧微触し、そ
の後の加熱にて、接続用端子１９の上面にはんだが施さ
れている場合、このはんだが溶離して、下部パターン１
７と金属的に接合する。この場合、絶縁性樹脂層２２
、２３ 、 ｕｌム谷基板間の配線パターンが会費個所
以外で接触しないように保−する役目をしている。
以上説明した如く、本発明の製造方法によれば、予め導
通体を形成した彼に絶縁社樹ＢＦＩｔ−供給するので、
基板の穴明は工程が不安になり、しかも上部導電性パタ
ーンと下部導電性パターンを接続するための導通体の形
成をフォトプロセスとめつき工程で行っているため、非
常に微小な導通体を精度よく効率的に形成することが可
能になり、従来問題となっていた配線エリアの不足を大
巾に抜書し、高＠度実装に通した配線基板を得ることが
可能となった。父本発明の上記方法の味返しで多層基板
が容易に形成でき、史に当該方法で形成した基板を複数
枚重ね合せて接続用パッドとそれに対向する基板の導電
性パターンを加圧、加熱して金員的に接合することによ
って、多層化が非常に高能率に実現できる。
通体を形成した彼に絶縁社樹ＢＦＩｔ−供給するので、
基板の穴明は工程が不安になり、しかも上部導電性パタ
ーンと下部導電性パターンを接続するための導通体の形
成をフォトプロセスとめつき工程で行っているため、非
常に微小な導通体を精度よく効率的に形成することが可
能になり、従来問題となっていた配線エリアの不足を大
巾に抜書し、高＠度実装に通した配線基板を得ることが
可能となった。父本発明の上記方法の味返しで多層基板
が容易に形成でき、史に当該方法で形成した基板を複数
枚重ね合せて接続用パッドとそれに対向する基板の導電
性パターンを加圧、加熱して金員的に接合することによ
って、多層化が非常に高能率に実現できる。
第１図（＆）〜（ｋ）は本発明の製造方法の実施例を工
＠順に示す基板の断面図、第２図は多層配線基板の実施
例を示す１９′ｒ面図である。 ３・・・めっき用尋ｆｉｎ、６−・・下部パターン、９
・・・導通体、ｌＯ・・・絶縁性樹脂、１３・・・上部
パターン、１５・・・接続端子 代理人弁理士 秋 本 正 実 ］ ３ １１ □（ 一； 第２図 ｉ １５ 〕
＠順に示す基板の断面図、第２図は多層配線基板の実施
例を示す１９′ｒ面図である。 ３・・・めっき用尋ｆｉｎ、６−・・下部パターン、９
・・・導通体、ｌＯ・・・絶縁性樹脂、１３・・・上部
パターン、１５・・・接続端子 代理人弁理士 秋 本 正 実 ］ ３ １１ □（ 一； 第２図 ｉ １５ 〕
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ガラス製保持板等より成る基材の片面に導電性パ
ターン（以下、下部パターンという）を形成した後、該
パターンと後述する前記基材の他面に形成する導電性パ
ターン（以下、上部パターンという）とを接続する導通
体を前記下部パターンに接続して形成し、その後に幽該
下部パターン上に、硬化した絶縁性樹脂層を設け、次い
で＃Ａ鋏素樹脂層上前記導通体に接続した上部パターン
を形成すること全特徴とする配線基板の製造方法。 ２、 更に、上部パターンの上面に嵌続用端子を設けて
成る、特許請求の範囲第１項記載の配線基板のｇ遣方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP220282A JPS58119694A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | 配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP220282A JPS58119694A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | 配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58119694A true JPS58119694A (ja) | 1983-07-16 |
| JPH0451998B2 JPH0451998B2 (ja) | 1992-08-20 |
Family
ID=11522763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP220282A Granted JPS58119694A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58119694A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0265198A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | リジッドフレキシブルプリント配線板の製造方法 |
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| JPS5662398A (en) * | 1979-10-26 | 1981-05-28 | Nippon Electric Co | Method of manufacturing high density multilayer board |
| JPS56116697A (en) * | 1980-02-19 | 1981-09-12 | Nippon Electric Co | Method of forming conductor layer on multilayer circuit board |
-
1982
- 1982-01-12 JP JP220282A patent/JPS58119694A/ja active Granted
Patent Citations (5)
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| JPS497758A (ja) * | 1972-05-15 | 1974-01-23 | ||
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0265198A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | リジッドフレキシブルプリント配線板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0451998B2 (ja) | 1992-08-20 |
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