JPS6242598A - セラミツク多層配線板およびその製造方法 - Google Patents
セラミツク多層配線板およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS6242598A JPS6242598A JP18109085A JP18109085A JPS6242598A JP S6242598 A JPS6242598 A JP S6242598A JP 18109085 A JP18109085 A JP 18109085A JP 18109085 A JP18109085 A JP 18109085A JP S6242598 A JPS6242598 A JP S6242598A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- holes
- ceramic
- multilayer wiring
- wiring board
- ceramic substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 122
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 62
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 39
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims description 31
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 19
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 claims description 17
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 17
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 12
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 10
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 239000011222 crystalline ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910002106 crystalline ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- -1 etc. Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、セラミック多層配線板およびその製造方法に
関するものであり、%K /%イブリツ)ICおよびり
、SIを実装するのに適したセラミック多層配線板とそ
の製造方法に関するものである。
関するものであり、%K /%イブリツ)ICおよびり
、SIを実装するのに適したセラミック多層配線板とそ
の製造方法に関するものである。
近年、電子技術の進歩にともない電子機器に対する高密
度化あるいは演算機能の高速化が進められている。その
結果、配線板においても高密度化を目的として、配線回
路が多層に形成されたセラミック多層配線板が使用され
ている。
度化あるいは演算機能の高速化が進められている。その
結果、配線板においても高密度化を目的として、配線回
路が多層に形成されたセラミック多層配線板が使用され
ている。
・ 前記セラミック多層配線板としては、厚膜多層法に
よるもの一グリーンシート積層法によって製作されるも
のおよび特開昭55−133597号公報に記載されて
いる如く「セラミック基板上に導体回路パターンを形成
して得た回路板の複数枚を、電気絶縁性かつ熱伝導性接
着剤層を介して積層し接着してなる多層配線回路板jな
どが知られズいる。
よるもの一グリーンシート積層法によって製作されるも
のおよび特開昭55−133597号公報に記載されて
いる如く「セラミック基板上に導体回路パターンを形成
して得た回路板の複数枚を、電気絶縁性かつ熱伝導性接
着剤層を介して積層し接着してなる多層配線回路板jな
どが知られズいる。
しかしながら、前記厚膜多層法によ?て製造される多層
配線板は印刷される配線回路の厚みに基因する凹凸が生
ずるため、積層数が余り多くなると厚膜を印刷すること
が困難になシ、通常3〜4wItでか限界で高密度化に
は適さない。また、前記グリーンシート積層法によって
製造されるセラミック多層配線板は焼成収縮の制御など
が困難であシ、寸法が悪く、かつ歩留りが低いという問
題がある。前記特開昭55−133597号公報に記載
のセラミック多層配線板は、各基板毎にグリーンシート
を打抜くための金型を製作するか、セラミック基板に炭
酸ガスレーザを用いて孔をあける必要があるため、コス
トが極めて高くなる欠点があるばかりでなく、貫通スル
ーホール部を塞いでいる接着剤層をレーザによって穴を
あけることが記載されているが、このような方法ではス
ルーホール部の接着剤を確実に除失することは困難であ
シ、多層配線板で最も重要なスルーホール内の導体と各
基板上の内層回路との接続が不良となり易く信頼性に欠
けるという問題点があった。
配線板は印刷される配線回路の厚みに基因する凹凸が生
ずるため、積層数が余り多くなると厚膜を印刷すること
が困難になシ、通常3〜4wItでか限界で高密度化に
は適さない。また、前記グリーンシート積層法によって
製造されるセラミック多層配線板は焼成収縮の制御など
が困難であシ、寸法が悪く、かつ歩留りが低いという問
題がある。前記特開昭55−133597号公報に記載
のセラミック多層配線板は、各基板毎にグリーンシート
を打抜くための金型を製作するか、セラミック基板に炭
酸ガスレーザを用いて孔をあける必要があるため、コス
トが極めて高くなる欠点があるばかりでなく、貫通スル
ーホール部を塞いでいる接着剤層をレーザによって穴を
あけることが記載されているが、このような方法ではス
ルーホール部の接着剤を確実に除失することは困難であ
シ、多層配線板で最も重要なスルーホール内の導体と各
基板上の内層回路との接続が不良となり易く信頼性に欠
けるという問題点があった。
C問題点を解決するための手段〕
本発明は、前記従来のセラミック多層配線板およびその
製造方法が有する問題点を解決したセラミック多層配線
板とその製造方法を提供することを目的とするものであ
って、特許請求の範囲に記載のセラミック多層配線板と
その製造方法を提供することによって前記目的を達成す
ることができる0 本発明者は、前記の如き諸問題点を解決すべく椎々研究
した結果、所定のピッチ間隔の規則性により配設された
複数個の孔を有し、かつ前記複数個の孔のうちから選ば
れるいずれか少なくとも1部の孔には電気絶縁材料が充
填されているセラミック基板が、それぞれ配設された孔
の位置が対応するように接着剤により複数枚積層された
多層板であって、前記多層板の前記′!IL気絶縁材料
が充填された孔のうちから選ばれるいずれか少なくとも
1部の孔を貫通するように開孔されてなるスルーホール
ならびにそれぞれのセラミック基板上に導体回路が形成
されてなるセラミック多層配線板とその製造方法によっ
て、前記諸問題点を一挙に解決することができることに
想到して本発明を完成したものである。
製造方法が有する問題点を解決したセラミック多層配線
板とその製造方法を提供することを目的とするものであ
って、特許請求の範囲に記載のセラミック多層配線板と
その製造方法を提供することによって前記目的を達成す
ることができる0 本発明者は、前記の如き諸問題点を解決すべく椎々研究
した結果、所定のピッチ間隔の規則性により配設された
複数個の孔を有し、かつ前記複数個の孔のうちから選ば
れるいずれか少なくとも1部の孔には電気絶縁材料が充
填されているセラミック基板が、それぞれ配設された孔
の位置が対応するように接着剤により複数枚積層された
多層板であって、前記多層板の前記′!IL気絶縁材料
が充填された孔のうちから選ばれるいずれか少なくとも
1部の孔を貫通するように開孔されてなるスルーホール
ならびにそれぞれのセラミック基板上に導体回路が形成
されてなるセラミック多層配線板とその製造方法によっ
て、前記諸問題点を一挙に解決することができることに
想到して本発明を完成したものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の多層配線板を構成する個々のセラミック基板と
して、所定のピッチ間隔の規則性により配設された複数
個の孔を有し、かつ前記複数個の孔のうちから選ばれる
いずれか少なくとも1部の孔には電気絶縁材料が充填さ
れているセラミック基板を用いる。
して、所定のピッチ間隔の規則性により配設された複数
個の孔を有し、かつ前記複数個の孔のうちから選ばれる
いずれか少なくとも1部の孔には電気絶縁材料が充填さ
れているセラミック基板を用いる。
一方、従来のスルーホールを有するセラミック基板は、
グリーンシートの段階で目的とする箇所にだけ専用の金
型を用いて孔を打抜いた後、焼成することにより製造さ
れるので、配線回路の異なる基板毎に専用の金型を製作
して、この金型を用いて孔の打抜き加工をする必要があ
るばかりでなく、グリーンシートの焼成収縮状態によっ
て金型の寸法や孔の配置を適宜設計変更する必要が生じ
る場合があった。
グリーンシートの段階で目的とする箇所にだけ専用の金
型を用いて孔を打抜いた後、焼成することにより製造さ
れるので、配線回路の異なる基板毎に専用の金型を製作
して、この金型を用いて孔の打抜き加工をする必要があ
るばかりでなく、グリーンシートの焼成収縮状態によっ
て金型の寸法や孔の配置を適宜設計変更する必要が生じ
る場合があった。
ところで、最近このような配線板においてはコンピュー
ターを使って配線回路が設計されろこ七が多くなり、そ
のためスルーホールの位置および配線パターンは一定の
規則性をもって設計される傾向が強くなっている。した
がって、この規則性のある配線設計に対応して、あらか
じめ所定のピッチ間隔で規則的に配設された複数個の孔
を有するセラミック基板の孔のうち、配線回路のスルー
ホールとして使用されない孔が電気絶縁材料で充填され
ている本発明のセラミック基板を使用することによって
、配線回路の異なる基板毎に専用の金型を製作する必要
がなくなり、規格化された汎用の金型を使用することが
でき、しかも本発明のセラミック基板は所定のピッチ間
隔の複数個の孔が規則的に配設されているので焼成した
状態で在庫品として保有することができるため、スルー
ホールが配設されたセラミック多層配線板を極めて短い
納期で、かつ低コストで製造でき、金型や焼成された基
板の在庫管理も大幅に改善され゛、さらに本発明のセラ
ミック基板は所定のピッチ間隔で規則的に複数個の孔が
配設されているため、焼成収縮が均一となり高い寸法精
廖が得られるという多くの特徴を有する。
ターを使って配線回路が設計されろこ七が多くなり、そ
のためスルーホールの位置および配線パターンは一定の
規則性をもって設計される傾向が強くなっている。した
がって、この規則性のある配線設計に対応して、あらか
じめ所定のピッチ間隔で規則的に配設された複数個の孔
を有するセラミック基板の孔のうち、配線回路のスルー
ホールとして使用されない孔が電気絶縁材料で充填され
ている本発明のセラミック基板を使用することによって
、配線回路の異なる基板毎に専用の金型を製作する必要
がなくなり、規格化された汎用の金型を使用することが
でき、しかも本発明のセラミック基板は所定のピッチ間
隔の複数個の孔が規則的に配設されているので焼成した
状態で在庫品として保有することができるため、スルー
ホールが配設されたセラミック多層配線板を極めて短い
納期で、かつ低コストで製造でき、金型や焼成された基
板の在庫管理も大幅に改善され゛、さらに本発明のセラ
ミック基板は所定のピッチ間隔で規則的に複数個の孔が
配設されているため、焼成収縮が均一となり高い寸法精
廖が得られるという多くの特徴を有する。
本発明のセラミック基板は、108Ω−Cm以上の電気
抵抗(体積抵抗率)を有することが好ましい。
抵抗(体積抵抗率)を有することが好ましい。
その理由は、前記電気抵抗が10 Ω−cmよりも低
いとスルーホールの電気絶縁性を確保するための絶縁化
処理が必要となるので、工程が繁雑になるとともに高密
度化が困難になるからである。
いとスルーホールの電気絶縁性を確保するための絶縁化
処理が必要となるので、工程が繁雑になるとともに高密
度化が困難になるからである。
本発明のセラミック基板の材質は、アルミナ。
ベリリア、ムライト!低温焼成セラミック(アルミナな
どをペースに低融点成分を添加したり、結晶化ガラスや
結晶性セラミックがらなり、低温で焼結させることので
きるセラミック)pチタン酸バリウムなどの誘電体セラ
ミック、窒化アルミニウムを炭化ケイ素などから選ばれ
る少なくとも1種を使用することが好ましく、なかでも
アルミナ。
どをペースに低融点成分を添加したり、結晶化ガラスや
結晶性セラミックがらなり、低温で焼結させることので
きるセラミック)pチタン酸バリウムなどの誘電体セラ
ミック、窒化アルミニウムを炭化ケイ素などから選ばれ
る少なくとも1種を使用することが好ましく、なかでも
アルミナ。
低温焼成セラミックおよび窒化アルミニウムは諸唱性の
バランスがよく、グリーンシートで焼成させることがで
き加工性と量産性に優れているため有利に使用すること
ができる。
バランスがよく、グリーンシートで焼成させることがで
き加工性と量産性に優れているため有利に使用すること
ができる。
本発明のセラミック基板に配設された複数個の孔はスル
ーホールを形成するために所定のピッチ間隔の戻則性を
有していることが必要であり、より具体的には少なくと
も何れかの方向に平行で所定のピッチ間隔を有する線上
に配設されていることが好ましく、例えば第1図の(4
)〜σ)に示した如き配置およびそれらの複合された配
置とすることができ、孔の大きさを適宜変えることもで
きる。
ーホールを形成するために所定のピッチ間隔の戻則性を
有していることが必要であり、より具体的には少なくと
も何れかの方向に平行で所定のピッチ間隔を有する線上
に配設されていることが好ましく、例えば第1図の(4
)〜σ)に示した如き配置およびそれらの複合された配
置とすることができ、孔の大きさを適宜変えることもで
きる。
特に複数個の孔のうちの大部分が第1図(4)のような
正方格子状あるいは同PI (C)のような千鳥格子状
に配設されていると配線設計が容易で汎用性に優れてい
る。前記正方格子状のピッチ間隔としては電子部品のリ
ードのピッチ間隔である2、541118(loo m
j、1 )あるいは1.27 Kfi (50mil
)にすることが好ましい。
正方格子状あるいは同PI (C)のような千鳥格子状
に配設されていると配線設計が容易で汎用性に優れてい
る。前記正方格子状のピッチ間隔としては電子部品のリ
ードのピッチ間隔である2、541118(loo m
j、1 )あるいは1.27 Kfi (50mil
)にすることが好ましい。
本発明の多層配線板を構成する複数枚のセラミック基板
にあっては、それぞれ配設された孔のうち多層板を貫通
するように開孔される孔の配置は同一である必要があり
、かつその他の孔の配fitKついても同一であること
が好ましい。
にあっては、それぞれ配設された孔のうち多層板を貫通
するように開孔される孔の配置は同一である必要があり
、かつその他の孔の配fitKついても同一であること
が好ましい。
本発明の多層配線板を構成する個々のセラミック基板に
あっては、前記複数個の孔のうちから選ばれるいずれか
少なくとも1部の孔には電気絶縁材料が充填されている
。前記セラミック基板に配設された複数個の孔のうち、
インナーバイアホールやブラインドスルーホールが形成
される孔については電気絶縁材料が充填されない場合が
あるが、少なくとも積層された多層板を貫通するように
開孔される孔については電気絶縁材料が充填されている
。
あっては、前記複数個の孔のうちから選ばれるいずれか
少なくとも1部の孔には電気絶縁材料が充填されている
。前記セラミック基板に配設された複数個の孔のうち、
インナーバイアホールやブラインドスルーホールが形成
される孔については電気絶縁材料が充填されない場合が
あるが、少なくとも積層された多層板を貫通するように
開孔される孔については電気絶縁材料が充填されている
。
前記電気絶縁材料は、電気絶縁性、熱的特性お、よびス
ルーホール内への充填性などに優れた材料であれば好適
に使用でき、特に耐熱性樹脂、耐熱性樹脂とフィラーの
混合物!ガラスのなかから選ばれるいずれか1種を使用
することが好ましく、前記耐熱性樹脂としては、例えば
エポキシ樹脂。
ルーホール内への充填性などに優れた材料であれば好適
に使用でき、特に耐熱性樹脂、耐熱性樹脂とフィラーの
混合物!ガラスのなかから選ばれるいずれか1種を使用
することが好ましく、前記耐熱性樹脂としては、例えば
エポキシ樹脂。
耐熱エポキシ樹脂、エポキシ変性ポリイミド樹脂。
ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、トリアジン樹脂など
、またフィラーとしては例えばアルミナ。
、またフィラーとしては例えばアルミナ。
ベリリア、シリカ、ガラス、シリコンナイトライド−ボ
ロンナイトライド、窒化アルミニウム、炭化ケイ素など
の粉末を有利に用いることができ、ガラスとしては市販
されている誘電ペーストを使用することが有利である。
ロンナイトライド、窒化アルミニウム、炭化ケイ素など
の粉末を有利に用いることができ、ガラスとしては市販
されている誘電ペーストを使用することが有利である。
本発明のセラミック多層配線板に用いる多層板は、前記
セラミック基板がそれぞれ配設された孔の位置が対応す
るように接着剤により複数枚積層された多層板である。
セラミック基板がそれぞれ配設された孔の位置が対応す
るように接着剤により複数枚積層された多層板である。
前記セラミック基板のそれぞれ配設された孔の位置が対
応するように複数枚積層されている理由は、多層板を貫
通するスルーホールを例えばNO多軸ドリル加工機など
を用いて容易に削孔して開孔できるからである。
応するように複数枚積層されている理由は、多層板を貫
通するスルーホールを例えばNO多軸ドリル加工機など
を用いて容易に削孔して開孔できるからである。
前記接着剤は、電気絶縁性、熱的特性および接着性など
に優れた材料であれば好適に使用でき、特に耐熱性樹脂
を主体として使用することが好ましい。耐熱性樹脂とし
ては、例えばエポキシ樹脂!耐熱エポキシ樹脂、エポキ
シ変成ポリイミド樹脂。
に優れた材料であれば好適に使用でき、特に耐熱性樹脂
を主体として使用することが好ましい。耐熱性樹脂とし
ては、例えばエポキシ樹脂!耐熱エポキシ樹脂、エポキ
シ変成ポリイミド樹脂。
ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、トリアジン樹脂など
を有利に使用することができ、シリカ、アルミナ、ガラ
スなどの粉末からなる無機フィラーあるいはガラス繊維
を耐熱性樹脂中に含有させることができる。
を有利に使用することができ、シリカ、アルミナ、ガラ
スなどの粉末からなる無機フィラーあるいはガラス繊維
を耐熱性樹脂中に含有させることができる。
本発明のセラミック多層配線板は、前記多層板の前記電
気絶縁材料が充填された孔のうちから選ばれるいずれか
少なくとも1部の孔を貫通するように開孔されてなるス
ルーホールならびにそれぞれのセラミック基板上に導体
回路が形成されたものである。その理由は、前記電気絶
縁材料が充填された孔を貫通するように開孔することに
よって、スルーホールの内壁面に内層の導体回路を確実
に露出させることができるため、例えばスルーホールメ
ッキによる各基板上の導体回路との接続の信頼性が著し
く高い多層配線板が得られるからである。
気絶縁材料が充填された孔のうちから選ばれるいずれか
少なくとも1部の孔を貫通するように開孔されてなるス
ルーホールならびにそれぞれのセラミック基板上に導体
回路が形成されたものである。その理由は、前記電気絶
縁材料が充填された孔を貫通するように開孔することに
よって、スルーホールの内壁面に内層の導体回路を確実
に露出させることができるため、例えばスルーホールメ
ッキによる各基板上の導体回路との接続の信頼性が著し
く高い多層配線板が得られるからである。
前記セラミック基板上に導体回路を形成する方法として
は、プリント配線板あるいはハイブリットエC配線板で
一般的に行なわれている各種の方法を採用することがで
き、例えばメッキ法、金属箔接着法、レジン系導体ペー
スト法、蒸着法、厚膜導体ペースト法およびそれらの複
合された方法を利用することができる。従来のセラミッ
ク配線板に通常使用されている厚膜導体はシート抵抗が
高く、高周波伝送損失が大きく、ファインライン性が低
いため高密度化が難しく、さらにマイグレーションに対
する注意を要するなどの問題があるのに対して主として
メッキ法によれば前肥厚膜導体が有する諸問題を解決す
ることができるため特に有利に使用することができる。
は、プリント配線板あるいはハイブリットエC配線板で
一般的に行なわれている各種の方法を採用することがで
き、例えばメッキ法、金属箔接着法、レジン系導体ペー
スト法、蒸着法、厚膜導体ペースト法およびそれらの複
合された方法を利用することができる。従来のセラミッ
ク配線板に通常使用されている厚膜導体はシート抵抗が
高く、高周波伝送損失が大きく、ファインライン性が低
いため高密度化が難しく、さらにマイグレーションに対
する注意を要するなどの問題があるのに対して主として
メッキ法によれば前肥厚膜導体が有する諸問題を解決す
ることができるため特に有利に使用することができる。
なおこのメッキ法としてはテンティング法?パネルパタ
ーン混合法。
ーン混合法。
フルアディティブ法、セミアディティブ法を用い、その
他に導体回路を形成する方法としてはマルチワイヤ法な
どを用いることもできる。
他に導体回路を形成する方法としてはマルチワイヤ法な
どを用いることもできる。
次に本発明のセラミック多層配IM板の製造方法を第2
図および第3図によって説明する。
図および第3図によって説明する。
第2図(4)〜■は、複数個の孔が所定のピッチ間隔の
規則性をもって配設されたセラミック基板を製作する工
程;前記複数個の孔のうちから選ばれるいずれか少なく
とも1部の孔を電気絶縁材料を用いて充填する工程;前
記セラミック基板に導体回路を形成する工程;前記導体
回路を形成したセラミック基板の1枚もしくは複数枚を
内層板とし、前記電気絶縁材料が充填されたセラミック
基板を両外層板として、それぞれ配設された孔の位置が
対応するように接着剤を用いて積層する工程;前記積層
された多層板の前記電気絶縁材料が充填された孔のうち
から選ばれるいずれか少なくとも1部の孔を貫通するよ
うに開孔する工程;および前記貫通された孔ならびに両
外層基板上に導体回路を形成する工程を経て製作される
セラミック多層配線板の製造方法に係る工程説明図であ
る。
規則性をもって配設されたセラミック基板を製作する工
程;前記複数個の孔のうちから選ばれるいずれか少なく
とも1部の孔を電気絶縁材料を用いて充填する工程;前
記セラミック基板に導体回路を形成する工程;前記導体
回路を形成したセラミック基板の1枚もしくは複数枚を
内層板とし、前記電気絶縁材料が充填されたセラミック
基板を両外層板として、それぞれ配設された孔の位置が
対応するように接着剤を用いて積層する工程;前記積層
された多層板の前記電気絶縁材料が充填された孔のうち
から選ばれるいずれか少なくとも1部の孔を貫通するよ
うに開孔する工程;および前記貫通された孔ならびに両
外層基板上に導体回路を形成する工程を経て製作される
セラミック多層配線板の製造方法に係る工程説明図であ
る。
第2図(4)は複数個の孔2,2が所定のピッチ間隔の
規則性をもたせて配設されたセラミック基板1の断面図
であり、このセラミック基板の製作方法としては種々の
方法があり、例えばグリーンシートに金型で孔を打抜き
加工した後に焼成する方法、孔を形成するための機構を
有した金型を用いて粉末プレスして焼成する方法、粉末
プレス体をドリルで孔あけ加工した後に焼成する方法あ
るいはあらかじめ焼成されたセラミック板をC02レー
ザを超音波加工、ダイヤモンドドリルなどを用いて孔あ
け加工する方法などが適用できる。こねらのうち、グリ
ーンシートに金型で孔を打抜き加工した後に焼成する方
法は量産性に優れているので最も実用的である。
規則性をもたせて配設されたセラミック基板1の断面図
であり、このセラミック基板の製作方法としては種々の
方法があり、例えばグリーンシートに金型で孔を打抜き
加工した後に焼成する方法、孔を形成するための機構を
有した金型を用いて粉末プレスして焼成する方法、粉末
プレス体をドリルで孔あけ加工した後に焼成する方法あ
るいはあらかじめ焼成されたセラミック板をC02レー
ザを超音波加工、ダイヤモンドドリルなどを用いて孔あ
け加工する方法などが適用できる。こねらのうち、グリ
ーンシートに金型で孔を打抜き加工した後に焼成する方
法は量産性に優れているので最も実用的である。
第2図G)は前記複数個の孔2のうちから選ばれるいず
れか少なくとも1部の孔を電気絶縁材料3で充填したセ
ラミック基板の断面図である。この電気絶縁材料を所定
の孔に充填する方法としては、例えばスクリーンかメタ
ルマスクあるいは感光性ドライフィルムなどのマスクを
用いて所定の孔にのみ電気絶縁材料をスキージなどによ
り圧入充填したり、ビンを用いた自動孔埋め機あるいは
厚膜用直接描画装置を使用して所定の孔にのみ電気絶縁
材料を充填する方法が6D、また全ての孔に!気絶縁材
料を充填する場合には、前述した方法のほかに例えばマ
スクを使用せずに直接スキージで圧入充填したり、ロー
ラ式の孔埋め機を使用することもできる。なお、電気絶
縁材料を充填しない孔ハ、例えばインナーバイアホール
やブラインドスルーホールを形成したり、あるいは位置
合せ用ガイドビンを挿入する孔などとして利用すること
ができ、電気絶縁材料を充填した後に充填された孔のう
ちから選ばれる少なくとも1部の孔を例えばドリルで削
孔する方法などにより開孔してこれらの開孔された孔を
前記目的のために利用することもできる。
れか少なくとも1部の孔を電気絶縁材料3で充填したセ
ラミック基板の断面図である。この電気絶縁材料を所定
の孔に充填する方法としては、例えばスクリーンかメタ
ルマスクあるいは感光性ドライフィルムなどのマスクを
用いて所定の孔にのみ電気絶縁材料をスキージなどによ
り圧入充填したり、ビンを用いた自動孔埋め機あるいは
厚膜用直接描画装置を使用して所定の孔にのみ電気絶縁
材料を充填する方法が6D、また全ての孔に!気絶縁材
料を充填する場合には、前述した方法のほかに例えばマ
スクを使用せずに直接スキージで圧入充填したり、ロー
ラ式の孔埋め機を使用することもできる。なお、電気絶
縁材料を充填しない孔ハ、例えばインナーバイアホール
やブラインドスルーホールを形成したり、あるいは位置
合せ用ガイドビンを挿入する孔などとして利用すること
ができ、電気絶縁材料を充填した後に充填された孔のう
ちから選ばれる少なくとも1部の孔を例えばドリルで削
孔する方法などにより開孔してこれらの開孔された孔を
前記目的のために利用することもできる。
前記孔2に充填された電気絶縁材料が、耐熱性樹脂ある
いは耐熱性樹脂とフィラーの混合物の場合には約100
〜300℃の温度で加熱硬化され、ガラスの場合にはs
oo ℃以上忙加熱して溶融同化される。セラミック基
板lの孔からはみ出した余分な電気絶縁材料は研摩除去
してセラミック基板の表面を平滑にしておくことが好ま
しい。
いは耐熱性樹脂とフィラーの混合物の場合には約100
〜300℃の温度で加熱硬化され、ガラスの場合にはs
oo ℃以上忙加熱して溶融同化される。セラミック基
板lの孔からはみ出した余分な電気絶縁材料は研摩除去
してセラミック基板の表面を平滑にしておくことが好ま
しい。
第2図(C)は導体回路4を形成したセラミック基板の
断面図である。前に述べたセラミック基板へ導体回路を
形成する方法のうち、無電解メッキしてからエツチング
する方法、銅箔を接着してからエツチングする方法、あ
るいは無電解メッキで直接導体回路を形成する方法は、
シート抵抗が低くかつファインパターンが得られやすい
ため、本発明のセラミック多層配線板の導体回路の形成
方法としては特に有利である。前記無電解メッキとして
は、無電解銅メツキル無電解ニッケルメッキ。
断面図である。前に述べたセラミック基板へ導体回路を
形成する方法のうち、無電解メッキしてからエツチング
する方法、銅箔を接着してからエツチングする方法、あ
るいは無電解メッキで直接導体回路を形成する方法は、
シート抵抗が低くかつファインパターンが得られやすい
ため、本発明のセラミック多層配線板の導体回路の形成
方法としては特に有利である。前記無電解メッキとして
は、無電解銅メツキル無電解ニッケルメッキ。
無電解スズメッキ、無電解金メッキなどを挙げることが
でき、それらを組合せたシあるいは無電解メッキしてか
ら電気メッキを行なうこともできる。
でき、それらを組合せたシあるいは無電解メッキしてか
ら電気メッキを行なうこともできる。
無電解メッキを施す場合には、無電解メッキとセラミッ
ク基板との密着性を向上させるために、例えばセラミッ
ク基板の表面を直接に物理的あるいは化学的に粗化させ
るか、あるいは無電解メッキ用接着層を設けてその表面
を粗化する方法を行なうことが好ましい。特に本発明に
よれば耐熱性樹脂とシリカ微粉の混合物を基板に塗布し
た後にシリカ微粉を露出させてフン化水素酸で溶解除去
して接着層の表面を粗化するか、耐熱性樹脂と予め硬化
処理された耐熱性樹脂微粉末からなる接着層を形成し微
粉末をクロム酸で溶解除去して接着層の表面を粗化する
方法を施すことは無電解メッキとの密着性と密着の信頼
性を向上させることができるので好適である。なおセラ
ミック基板と無電解メッキ用接着層との密着性を向上さ
せるために、基板表面を化学的あるいは物理的に粗化し
たり、カップリング剤を用いて処理することもできる。
ク基板との密着性を向上させるために、例えばセラミッ
ク基板の表面を直接に物理的あるいは化学的に粗化させ
るか、あるいは無電解メッキ用接着層を設けてその表面
を粗化する方法を行なうことが好ましい。特に本発明に
よれば耐熱性樹脂とシリカ微粉の混合物を基板に塗布し
た後にシリカ微粉を露出させてフン化水素酸で溶解除去
して接着層の表面を粗化するか、耐熱性樹脂と予め硬化
処理された耐熱性樹脂微粉末からなる接着層を形成し微
粉末をクロム酸で溶解除去して接着層の表面を粗化する
方法を施すことは無電解メッキとの密着性と密着の信頼
性を向上させることができるので好適である。なおセラ
ミック基板と無電解メッキ用接着層との密着性を向上さ
せるために、基板表面を化学的あるいは物理的に粗化し
たり、カップリング剤を用いて処理することもできる。
なお、本発明において、このように導体回路が形成され
たセラミック基板に、例えば印刷抵抗休業メッキ抵抗体
あるいは厚膜コンデンサを形成したりすることも可能で
ある。
たセラミック基板に、例えば印刷抵抗休業メッキ抵抗体
あるいは厚膜コンデンサを形成したりすることも可能で
ある。
第2図(D)は、前記導体回路の形成されたセラミック
基板を内層板として、第2図(ト))に示したセラミッ
ク基板を両外層板として、それぞれ配設された孔の位置
が対応するように接着剤5を用いて積層せしめた多層板
の断面図である。セラミック基板のそれぞれ配設された
孔の位置を対応させる方法としては、セラミック基板の
端面を利用する方法あるいはガイドビンを用いる方法な
どを挙げることができる。
基板を内層板として、第2図(ト))に示したセラミッ
ク基板を両外層板として、それぞれ配設された孔の位置
が対応するように接着剤5を用いて積層せしめた多層板
の断面図である。セラミック基板のそれぞれ配設された
孔の位置を対応させる方法としては、セラミック基板の
端面を利用する方法あるいはガイドビンを用いる方法な
どを挙げることができる。
前記接着剤5としては、耐熱性樹脂を半硬化させた接着
シート、耐熱性樹脂をガラスクロスに含浸したプリプレ
グなどを使用したり、液状の接着剤を用いて前記セラミ
ック基板の接合させる側のいずれかの面に塗布すること
ができる。このように主として耐熱性樹脂からなる接着
剤を使用し、積層プレスを用いて加熱圧着して多層板と
することが好ましい。なお、前記導体回路の形成された
セラミック基板は、積層するに際して予め導体回路の表
面を例えば黒化処理などにより粗化して接着性を向上さ
せておくことが有利である。
シート、耐熱性樹脂をガラスクロスに含浸したプリプレ
グなどを使用したり、液状の接着剤を用いて前記セラミ
ック基板の接合させる側のいずれかの面に塗布すること
ができる。このように主として耐熱性樹脂からなる接着
剤を使用し、積層プレスを用いて加熱圧着して多層板と
することが好ましい。なお、前記導体回路の形成された
セラミック基板は、積層するに際して予め導体回路の表
面を例えば黒化処理などにより粗化して接着性を向上さ
せておくことが有利である。
第2図(励は、前記積層された多層板の前記電気絶縁材
料が充填された孔のうちから選ばれるいずれか少なくと
も1部の孔を貫通するように開孔してから、前記貫通さ
れた孔6ならびに両外層基板上に導体回路7を形成した
セラミック多層配線板の断面図である。前記電気絶縁材
料が充填された孔を貫通するスルーホールを開孔する方
法としては、NG多軸ドリル加工機を用いて削孔する方
法は孔の形状と位置精度がよく、生産性にも優れている
ので有利である。また、前記貫通された孔ならびに両外
層基板上に導体回路を形成する方法としては、前述した
如くの方法を利用することができるが、なかでもメッキ
法によれば内層回路ならびに外層回路との高い接続の信
頼性が得られるので特に有利に使用することができる。
料が充填された孔のうちから選ばれるいずれか少なくと
も1部の孔を貫通するように開孔してから、前記貫通さ
れた孔6ならびに両外層基板上に導体回路7を形成した
セラミック多層配線板の断面図である。前記電気絶縁材
料が充填された孔を貫通するスルーホールを開孔する方
法としては、NG多軸ドリル加工機を用いて削孔する方
法は孔の形状と位置精度がよく、生産性にも優れている
ので有利である。また、前記貫通された孔ならびに両外
層基板上に導体回路を形成する方法としては、前述した
如くの方法を利用することができるが、なかでもメッキ
法によれば内層回路ならびに外層回路との高い接続の信
頼性が得られるので特に有利に使用することができる。
第3図(2)〜■は、複数個の孔が所定のピッチ間隔の
規則性をもって配設されたセラミック基板を製作する工
程;前記複数個の孔のうちから選ばれるいずれか少なく
とも1部の孔を電気絶縁材料を用いて充填する工程;前
記セラミック基板に導体回路を形成する工程;前記導体
回路が形成された複数枚のセラミック基板を、それぞれ
配設された孔の位置が対応するように接着剤を用いて積
層する工程;前記積層された多層板の前記電気絶縁材料
が充填された孔のうちから選ばれる少なくとも1部の孔
を貫通するように開孔する工程;および前記貫通された
孔に導体回路を形成する工程;を経て製作、されるセラ
ミック多層配線板の製造方法に係る工程説明図である。
規則性をもって配設されたセラミック基板を製作する工
程;前記複数個の孔のうちから選ばれるいずれか少なく
とも1部の孔を電気絶縁材料を用いて充填する工程;前
記セラミック基板に導体回路を形成する工程;前記導体
回路が形成された複数枚のセラミック基板を、それぞれ
配設された孔の位置が対応するように接着剤を用いて積
層する工程;前記積層された多層板の前記電気絶縁材料
が充填された孔のうちから選ばれる少なくとも1部の孔
を貫通するように開孔する工程;および前記貫通された
孔に導体回路を形成する工程;を経て製作、されるセラ
ミック多層配線板の製造方法に係る工程説明図である。
第3図(4)は第2図(4)と同様の複数個の孔2,2
が所定のピッチ間隔の規則性をもって配設されたセラミ
ック基板1の断面図である。
が所定のピッチ間隔の規則性をもって配設されたセラミ
ック基板1の断面図である。
第3図CB)は第2図ω)と同様に前記複数個の孔のう
ちから選ばれるいずれか少なくとも1部の孔2を電気絶
縁材料3で充填し固化させてから基板10表面を研摩除
去して平滑にしたセラミック基板lの断面図である。
ちから選ばれるいずれか少なくとも1部の孔2を電気絶
縁材料3で充填し固化させてから基板10表面を研摩除
去して平滑にしたセラミック基板lの断面図である。
第3図(C)は、第2図(C)と同様に前記セラミック
基板に導体回路4を形成したセラミック基板1の断面図
である。通常内層板とする基板には両面あるいは片面に
導体回路4が形成され、外層板とする基板には片面に導
体回路4が形成される。
基板に導体回路4を形成したセラミック基板1の断面図
である。通常内層板とする基板には両面あるいは片面に
導体回路4が形成され、外層板とする基板には片面に導
体回路4が形成される。
第3図の)は、前記導体回路が形成された複数枚のセラ
ミック基板を、それぞれ配設された孔の位置が対応する
ように接着剤5を用いて積層した多層板の断面図である
。
ミック基板を、それぞれ配設された孔の位置が対応する
ように接着剤5を用いて積層した多層板の断面図である
。
第3図■は、前記積層された多層板の前記電気絶縁材料
が充填された孔のうちから選ばれる少なくとも1部の孔
を貫通するように開孔してから、前記貫通された孔6に
導体回路を形成したセラミック多層配線板の断面図であ
る。
が充填された孔のうちから選ばれる少なくとも1部の孔
を貫通するように開孔してから、前記貫通された孔6に
導体回路を形成したセラミック多層配線板の断面図であ
る。
なお、第2図■と第3図(E) K示したセラミック多
層配線板は4層の導体回路を有するセラミック多層配線
板であるが、内層板を形成する基板を複数枚とすること
によって更に多層に導体回路を形成させたセラミック多
層配線板を製造することができる。
層配線板は4層の導体回路を有するセラミック多層配線
板であるが、内層板を形成する基板を複数枚とすること
によって更に多層に導体回路を形成させたセラミック多
層配線板を製造することができる。
次に本発明を実施例によって説明する。
実施例1゜
下記(1)〜(6)の工程によってセラミック多層配線
板を製作した。
板を製作した。
(1) α−アルミナ微粉を主原料とするグリーンシ
ートを、規格された汎用金型を用いて孔の打抜き加工し
てから焼成して、第1図(至)に示すような2.54m
ピッチ間隔の格子状に1,211111φの孔を配設し
た96%アルミナ・セラミック基板(外形寸法50.8
X 50.8熊、厚さ0.635朋)を製作した。
ートを、規格された汎用金型を用いて孔の打抜き加工し
てから焼成して、第1図(至)に示すような2.54m
ピッチ間隔の格子状に1,211111φの孔を配設し
た96%アルミナ・セラミック基板(外形寸法50.8
X 50.8熊、厚さ0.635朋)を製作した。
(2) 耐熱エポキシ樹脂(三井石油化学工業製、T
A−1850)固形分1001量部に、シランカップリ
ング処理した粒径1〜5μmのα−アルミナ微粉300
重量部を均一に分散した電気絶縁材料を、メタルマスク
を用いてスクリーン印刷機でセラミック基板の全ての孔
に充填し、180℃で20分間熱硬化させてから、孔か
らはみ出した余分な電気絶縁材料を研摩除去して第2図
(B)に示すようにセラミック基板の表面を平滑にした
。
A−1850)固形分1001量部に、シランカップリ
ング処理した粒径1〜5μmのα−アルミナ微粉300
重量部を均一に分散した電気絶縁材料を、メタルマスク
を用いてスクリーン印刷機でセラミック基板の全ての孔
に充填し、180℃で20分間熱硬化させてから、孔か
らはみ出した余分な電気絶縁材料を研摩除去して第2図
(B)に示すようにセラミック基板の表面を平滑にした
。
(3) 前記耐熱エポキシ樹脂固形分100重量部に
対して、シランカップリング処理した粒径l〜3μmの
シリカ微粉80M1f1部を均一に混合した無電解メッ
キ用接着剤を、ロールコータ−を使用してシランカップ
リング処理したセラミック基板の表面に塗布した後、1
80℃で1時間加熱硬化させて厚さ約8μmの無電解メ
ッキ用接着層を形成し、前記接着層の表面を軽く研摩し
てから濃度25%フッ化水素酸水溶液に2分間浸漬して
前記接NMの表面を粗化した。このセラミック基板の表
面にパラジウム触媒(5HIPLEY社製、キャタポジ
ット44)を付与して活性化させ、厚付は用無電解銅メ
ッキ液に浸漬してメッキ厚さ18μmのパネルメッキを
行い、次いで感光性ドライフィルム(E・工・DupO
nt製、リストン1015)をエツチングレジストとし
て用いて塩化第2銅エツチング液で銅メッキ膜の一部を
エツチングして内層の導体回路を形成した。
対して、シランカップリング処理した粒径l〜3μmの
シリカ微粉80M1f1部を均一に混合した無電解メッ
キ用接着剤を、ロールコータ−を使用してシランカップ
リング処理したセラミック基板の表面に塗布した後、1
80℃で1時間加熱硬化させて厚さ約8μmの無電解メ
ッキ用接着層を形成し、前記接着層の表面を軽く研摩し
てから濃度25%フッ化水素酸水溶液に2分間浸漬して
前記接NMの表面を粗化した。このセラミック基板の表
面にパラジウム触媒(5HIPLEY社製、キャタポジ
ット44)を付与して活性化させ、厚付は用無電解銅メ
ッキ液に浸漬してメッキ厚さ18μmのパネルメッキを
行い、次いで感光性ドライフィルム(E・工・DupO
nt製、リストン1015)をエツチングレジストとし
て用いて塩化第2銅エツチング液で銅メッキ膜の一部を
エツチングして内層の導体回路を形成した。
(4) 工程(3)を経て作られかつ銅メツキ表面を
黒化処理したセラミック基板を内層板とし、耐熱エポキ
シ樹脂をガラスクロスに含浸したプリプレグ(利晶工業
製、厚さ80μm)を介して、工程(2)を経て作られ
たセラミック基板を両外層板として重ね合せ、各基板の
端面を基準とすることによりそれぞれ配設させた孔の位
置を対応させながら、積層ブレスによって温度170℃
、圧力20 ’14/cm2の条件で60分間加熱圧着
して第2図■)に示すような多層板とした。
黒化処理したセラミック基板を内層板とし、耐熱エポキ
シ樹脂をガラスクロスに含浸したプリプレグ(利晶工業
製、厚さ80μm)を介して、工程(2)を経て作られ
たセラミック基板を両外層板として重ね合せ、各基板の
端面を基準とすることによりそれぞれ配設させた孔の位
置を対応させながら、積層ブレスによって温度170℃
、圧力20 ’14/cm2の条件で60分間加熱圧着
して第2図■)に示すような多層板とした。
(5) 前記多層板の両表面に、工程(2)と同様に
して無電解メッキ用接着層を形成してから、多層板の前
記電気絶縁材料が充填された孔のうちの所定の孔を、N
O多軸ドリル加工機(ExcellonAutomat
ion社製+ Mark V Driller )を用
いて0.8酩φのドリルで多層板を貫通するように開孔
してスルーホールを形成した。
して無電解メッキ用接着層を形成してから、多層板の前
記電気絶縁材料が充填された孔のうちの所定の孔を、N
O多軸ドリル加工機(ExcellonAutomat
ion社製+ Mark V Driller )を用
いて0.8酩φのドリルで多層板を貫通するように開孔
してスルーホールを形成した。
(6) 前記スルーホールを形成した多層板に、工程
(3)と同様の方法で無電解銅メッキにより厚さ18μ
mのパネルメッキしてから感光性ドライフィルムを用い
てテンティング法でエツチングして、貫通された孔なら
びに両外層基板上に導体回路を形成し、第2図(Qのよ
うなセラミック多層配線板を得た。
(3)と同様の方法で無電解銅メッキにより厚さ18μ
mのパネルメッキしてから感光性ドライフィルムを用い
てテンティング法でエツチングして、貫通された孔なら
びに両外層基板上に導体回路を形成し、第2図(Qのよ
うなセラミック多層配線板を得た。
以上のようにして製作されたセラミック多層配線板は、
温度サイクルテスト(NIL −STD −202E1
o7I) Cond B )で多層回路の接続信頼性を
調べた結果、200サイクル後においても故障の発生は
認められず、高い信頼性を示した。
温度サイクルテスト(NIL −STD −202E1
o7I) Cond B )で多層回路の接続信頼性を
調べた結果、200サイクル後においても故障の発生は
認められず、高い信頼性を示した。
実施例2゜
本実施例(1)〜(3)の工程は実施例1の(1)〜(
3)の工程と同様ではあるが、以下に示す(4)〜(6
)工程を経てセラミック多層配線板を製作した。
3)の工程と同様ではあるが、以下に示す(4)〜(6
)工程を経てセラミック多層配線板を製作した。
(4) 実施例1の工程(3)を経て作られた3枚の
セラミック基板を用い、両面に導体回路を形成し銅メツ
キ表面を黒化処理したセラミック基板を内層板とし、前
記プリプレグを介して、片面に導体回路を形成したセラ
ミック基板を両性層板として重ね合せ、それぞれ配設さ
れた孔の位1nを対応させながら積層プレスによって前
記条件で加熱圧着して、第3図(ひに示すような多層板
とした。
セラミック基板を用い、両面に導体回路を形成し銅メツ
キ表面を黒化処理したセラミック基板を内層板とし、前
記プリプレグを介して、片面に導体回路を形成したセラ
ミック基板を両性層板として重ね合せ、それぞれ配設さ
れた孔の位1nを対応させながら積層プレスによって前
記条件で加熱圧着して、第3図(ひに示すような多層板
とした。
(5) この多層板の前記電気絶縁材料が充填された
孔のうちの所定の孔を、前記多軸ドリル加工機を用いて
0.8 Mφのドリルで多層板を貫通するように開孔し
ズスルーホールを形成した。
孔のうちの所定の孔を、前記多軸ドリル加工機を用いて
0.8 Mφのドリルで多層板を貫通するように開孔し
ズスルーホールを形成した。
(6)前記貫通された孔を形成した多層板に、アディテ
ィブ用感光性ドライフィルム(E、1. Dupont
社製!リストンT −168)をメツキレシストとして
用いて、無電解鋼メッキで貫通された孔に厚さ約18μ
mのスルーホールメッキを行なって、第3図(D)のよ
うなセラミック多層配線板を製作した。
ィブ用感光性ドライフィルム(E、1. Dupont
社製!リストンT −168)をメツキレシストとして
用いて、無電解鋼メッキで貫通された孔に厚さ約18μ
mのスルーホールメッキを行なって、第3図(D)のよ
うなセラミック多層配線板を製作した。
以上のように製作されたセラミック多層配線板は実施例
1によシ製作された多層配線板と同様に高い接続の信頼
性が得られた。
1によシ製作された多層配線板と同様に高い接続の信頼
性が得られた。
以上述べた如く、本発明のセラミック多層配線板は、従
来のセラミック多層配線板の如く配線回路の異なる基板
毎に専用の金型を製作する必要がなくなり、規格化され
た汎用金型を使用することができ、しかも本発明のセラ
ミック多層基板は所定のピッチ間隔の複数個の孔が規則
的に配設されているので焼成された状態で在庫品として
保有できるため、スルーホールが配設されたセラミック
多層配線板を極めて短い納期で、かつ低コストで製造す
ることができ、金型や焼成された基板の在庫管理も大幅
に改善される。
来のセラミック多層配線板の如く配線回路の異なる基板
毎に専用の金型を製作する必要がなくなり、規格化され
た汎用金型を使用することができ、しかも本発明のセラ
ミック多層基板は所定のピッチ間隔の複数個の孔が規則
的に配設されているので焼成された状態で在庫品として
保有できるため、スルーホールが配設されたセラミック
多層配線板を極めて短い納期で、かつ低コストで製造す
ることができ、金型や焼成された基板の在庫管理も大幅
に改善される。
さらに本発明のセラミック多層配線板には上述の如く多
層配線板として最も重要である接続信頼性の高い多層回
路を形成させることができ、また本発明によればパター
ン精度とファインライン性に優れた導体回路を有する高
密度な多層配線板を高収率で製作することができる。
層配線板として最も重要である接続信頼性の高い多層回
路を形成させることができ、また本発明によればパター
ン精度とファインライン性に優れた導体回路を有する高
密度な多層配線板を高収率で製作することができる。
このような利点から、本発明のセラミック多層配線板は
高密度なハイブリツ)IC配線板、LSIやセラミック
パッケージを表面実装する配線板。
高密度なハイブリツ)IC配線板、LSIやセラミック
パッケージを表面実装する配線板。
大型コンピューター用配線板!納期の短いノ・イブリツ
)ICの開発試作用配線板などの用途に適しており、産
業上極めて有用である。
)ICの開発試作用配線板などの用途に適しており、産
業上極めて有用である。
第1図(4)〜■は本発明のセラミック基板に設けられ
る孔の配役状態の数例を示す平面図り第2図(4)〜(
E)および3図(4)〜(ト))はそれぞれ本発明のセ
ラミック多層配線板の製造工程を説明する断面図である
。 1・・・セラミック基板+2・・・孔、3・・・電気絶
縁材料、4,7・・・導体回路、5・・・接着剤、6・
・・スルーホール。
る孔の配役状態の数例を示す平面図り第2図(4)〜(
E)および3図(4)〜(ト))はそれぞれ本発明のセ
ラミック多層配線板の製造工程を説明する断面図である
。 1・・・セラミック基板+2・・・孔、3・・・電気絶
縁材料、4,7・・・導体回路、5・・・接着剤、6・
・・スルーホール。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、所定のピッチ間隔の規則性により配設された複数個
の孔を有し、かつ前記複数個の孔のうちから選ばれるい
ずれか少なくとも1部の孔には電気絶縁材料が充填され
ているセラミック基板が、それぞれ配設された孔の位置
が対応するように接着剤により複数枚積層された多層板
であつて、前記多層板の前記電気絶縁材料が充填された
孔のうちから選ばれるいずれか少なくとも1部の孔を貫
通するように開孔されてなるスルーホールならびにそれ
ぞれのセラミック基板上に導体回路が形成されてなるセ
ラミック多層配線板。 2、前記セラミック基板の電気抵抗が10^8Ω−cm
以上である特許請求の範囲第1項記載の多層配線板。 3、前記セラミック基板の材質はアルミナ、べリリア、
ムライト、低温焼成セラミック、窒化アルミニウム、炭
化ケイ素のなかから選ばれる少なくとも1種である特許
請求の範囲第1あるいは第2項記載の多層配線板。 4、前記複数個の孔のうち大部分の孔は格子状に配置さ
れている特許請求の範囲第1〜3項のいずれか、に記載
の多層配線板。 5、前記電気絶縁材料は耐熱性樹脂、耐熱性樹脂とフィ
ラーの混合物、ガラスのなかから選ばれる何れか1種の
材料である特許請求の範囲第1〜4項のいずれかに記載
の多層配線板。 6、前記接着剤は主として耐熱性樹脂からなる特許請求
の範囲1〜5項のいずれかに記載の多層配線板。 7、前記導体回路は主としてメッキ法によつて形成され
てなる回路である特許請求の範囲第1〜6項のいずれか
に記載の多層配線板。 8、下記(イ)〜(ヘ)の工程を経て製作されるセラミ
ック多層配線板の製造方法。 (イ)複数個の孔が所定のピッチ間隔の規則性をもつて
配設されたセラミック基板を製作する工程; (ロ)前記複数個の孔のうちから選ばれるいずれか少な
くとも1部の孔を電気絶縁材料を用いて充填する工程; (ハ)前記セラミック基板に導体回路を形成する工程; (ニ)前記(ハ)工程を経て作られたセラミック基板の
1枚もしくは複数枚を内層板とし、前記(ロ)工程を経
て作られたセラミック基板を両外層板として、それぞれ
配設されている孔の位置が対応するように接着剤を用い
て積層する工程; (ホ)前記積層された多層板の前記電気絶縁材料が充填
された孔のうちから選ばれるいずれか少なくとも1部の
孔を貫通するように開孔する工程; (ヘ)前記貫通された孔ならびに両外層基板上に導体回
路を形成する工程。 9、下記(イ)〜(ヘ)の工程を経て製作されるセラミ
ック多層配線板の製造方法。 (イ)複数個の孔が所定のピッチ間隔の規則性をもつて
配設されたセラミック基板を製作する工程; (ロ)前記複数個の孔のうちから選ばれるいずれか少な
くとも1部の孔を電気絶縁材料を用いて充填する工程; (ハ)前記セラミック基板に導体回路を形成する工程; (ニ)前記導体回路が形成された複数枚のセラミック基
板を、それぞれ配設されている孔の位置が対応するよう
に接着剤を用いて積層する工程; (ホ)前記積層された多層板の前記電気絶縁材料が充填
された孔のうちから選ばれる少なくとも1部の孔を貫通
するように開孔する工程; (ヘ)前記貫通された孔に導体回路を形成する工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18109085A JPS6242598A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | セラミツク多層配線板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18109085A JPS6242598A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | セラミツク多層配線板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6242598A true JPS6242598A (ja) | 1987-02-24 |
| JPH0416040B2 JPH0416040B2 (ja) | 1992-03-19 |
Family
ID=16094647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18109085A Granted JPS6242598A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | セラミツク多層配線板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6242598A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02142198A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-31 | Matsushita Electric Works Ltd | セラミック多層配線板の製造方法 |
| WO2007010705A1 (ja) * | 2005-07-21 | 2007-01-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | コンデンサ、コンデンサの製造方法、コンデンサ内蔵基板、およびコンデンサ内蔵基板の製造方法 |
| JP2011252887A (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-15 | Afc Co Ltd | 採血管ストッカー及び採血管準備装置 |
| JP2015159205A (ja) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | 株式会社村田製作所 | 多層基板の製造方法 |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP18109085A patent/JPS6242598A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02142198A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-31 | Matsushita Electric Works Ltd | セラミック多層配線板の製造方法 |
| WO2007010705A1 (ja) * | 2005-07-21 | 2007-01-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | コンデンサ、コンデンサの製造方法、コンデンサ内蔵基板、およびコンデンサ内蔵基板の製造方法 |
| JP2011252887A (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-15 | Afc Co Ltd | 採血管ストッカー及び採血管準備装置 |
| JP2015159205A (ja) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | 株式会社村田製作所 | 多層基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0416040B2 (ja) | 1992-03-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4715117A (en) | Ceramic wiring board and its production | |
| US5638598A (en) | Process for producing a printed wiring board | |
| US20040126547A1 (en) | Methods for performing substrate imprinting using thermoset resin varnishes and products formed therefrom | |
| JPH11126978A (ja) | 多層配線基板 | |
| JP2019036607A (ja) | 回路付きガラス基板含有多層配線板及びその製造方法 | |
| JP2000101248A (ja) | 多数個取り多層プリント配線板 | |
| US5444189A (en) | Printed wiring board and production thereof | |
| JP3940617B2 (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JPS6242598A (ja) | セラミツク多層配線板およびその製造方法 | |
| JP2000133916A (ja) | 転写用配線パターン形成材、転写用配線パターン形成材の製造方法、転写用配線パターン形成材を用いた配線基板およびその製造方法 | |
| JP3071764B2 (ja) | 金属箔付きフィルム及びそれを用いた配線基板の製造方法 | |
| JPH11163525A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JPH11135946A (ja) | 多層配線基板とその製造方法 | |
| JPH11317578A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JPH10107445A (ja) | 多層配線基板およびその製造方法 | |
| JPH08264939A (ja) | 印刷配線板の製造方法 | |
| JP3694708B2 (ja) | 印刷配線板の製造方法および印刷配線板 | |
| JPH09148738A (ja) | 多層プリント配線基板とその製造方法 | |
| JPS63182886A (ja) | プリント配線板およびその製法 | |
| JP2002185099A (ja) | プリント回路板及びその製造方法 | |
| KR100722604B1 (ko) | 인쇄회로기판의 제조방법 | |
| JPH1174641A (ja) | 多層配線基板 | |
| JP4591181B2 (ja) | プリント配線板 | |
| JP2003008222A (ja) | 高密度多層ビルドアップ配線板及びその製造方法 | |
| JPH0434838B2 (ja) |