JPS58118169A - 光起電力素子の製造方法 - Google Patents
光起電力素子の製造方法Info
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- JPS58118169A JPS58118169A JP57000628A JP62882A JPS58118169A JP S58118169 A JPS58118169 A JP S58118169A JP 57000628 A JP57000628 A JP 57000628A JP 62882 A JP62882 A JP 62882A JP S58118169 A JPS58118169 A JP S58118169A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はｎ形ＣｄＳとｐ形ＣｄＴ６とのｐｎ接合を用い
九′＃、起電力素子の製造方法に関するものである。
九′＃、起電力素子の製造方法に関するものである。
従来、この種の素子の製造方法として、支持基板上に形
成された低抵抗で光透過率の良好なｎ形ＣｄＳ焼結膜上
に、ｃｄ’ｒｅ 化合物の粉末に粘結剤を混合して泥
状にしたものとか、Ｃｄ粉末と’ｒｅ粉末に粘結剤を加
えて混合し、泥状にしたものをスクリーン印刷し、乾燥
した後、窒素雰囲気中で焼成してＣｄ Ｔｅ焼結膜を形
成するものかあ−）だ。
成された低抵抗で光透過率の良好なｎ形ＣｄＳ焼結膜上
に、ｃｄ’ｒｅ 化合物の粉末に粘結剤を混合して泥
状にしたものとか、Ｃｄ粉末と’ｒｅ粉末に粘結剤を加
えて混合し、泥状にしたものをスクリーン印刷し、乾燥
した後、窒素雰囲気中で焼成してＣｄ Ｔｅ焼結膜を形
成するものかあ−）だ。
しかしながら、この方法においては、ＣｄＳ焼結膜とＣ
ｄＴｅ焼結膜の付着力が不１メし、時によると形成され
たＣｄ ’ｒｅ焼結焼結一部が微粉としてもしくは小さ
な薄片としてＣ（ｉ Ｓ膜から剥離することがあり、こ
の未付着物は次工程に好ましくない影響を与えていた。
ｄＴｅ焼結膜の付着力が不１メし、時によると形成され
たＣｄ ’ｒｅ焼結焼結一部が微粉としてもしくは小さ
な薄片としてＣ（ｉ Ｓ膜から剥離することがあり、こ
の未付着物は次工程に好ましくない影響を与えていた。
この欠点を改善するためにｃａ Ｔｅ泥状物もしくはＣ
ｄ粉末と’ｒｅ粉末の泥状物にあらかじめ融剤を添加す
る試みが成されているが、それでも未付着物が生じるの
が現状である。
ｄ粉末と’ｒｅ粉末の泥状物にあらかじめ融剤を添加す
る試みが成されているが、それでも未付着物が生じるの
が現状である。
本発明はこのような欠点を解消した１波造）Ｊ′法を提
供するものであり、ｃ６ｓ焼結膜表面にＣｄＣｅ２を付
着させる１程を含むことを特徴としている。
供するものであり、ｃ６ｓ焼結膜表面にＣｄＣｅ２を付
着させる１程を含むことを特徴としている。
本発明に゛おいて、Ｃｄ（１２を付着させる方法として
は、ＧｄＣ；１２蒸気を含む雰囲気中をｊｍ過させると
か、希薄なＣｄＣｌ。水溶液を塗布する等の各種の方法
がある。この工程を入れることによって、ＣｄＴｅの未
付着量が減少し、次の工程へ移行した際のトラブルが少
くなる。
は、ＧｄＣ；１２蒸気を含む雰囲気中をｊｍ過させると
か、希薄なＣｄＣｌ。水溶液を塗布する等の各種の方法
がある。この工程を入れることによって、ＣｄＴｅの未
付着量が減少し、次の工程へ移行した際のトラブルが少
くなる。
以下、本発明の製造方法について、実施例をあげて具体
的に説明する。
的に説明する。
（７Ｘ施例）
ＣｄＳ粉末に融剤としてＣｄＣｌ２を１０重量％加工、
ソれに粘結剤としてプロピレングリコールモ加えて泥状
にしたものを、図面に示すようにガラス基板１上にスク
リーン印刷した後、Ｎ２雰囲気中において６９００Ｃで
２０分間焼成することにより、化学量論比よりＣｄ過剰
のｎ形ＣｄＳ焼結膜２を形成した。このようにして得ら
れたｎ形ＣｄＳ焼結膜の抵抗率は１０°〜１０−１Ω・
ｍ程度である。このｎ形ＣｄＳ焼結膜２上に次表に示す
濃度のＣｄＣ１２水溶液を塗布し、乾燥し、ＣｄＳ焼結
膜２上に微量のＣｄ（／！２を付着させた。次に、Ｃｄ
粉禾と’ｒｅ粉末を１：１のモル比で配合し、粘結剤と
してプロピレングリコールを適量加えて混合し、泥状に
したものを、スクリーン印刷し乾燥させた後、ことによ
ってｃｄ’ｒｅ焼結膜３を形成した。こうして（ｄｇｅ
焼結膜３を形成した後、Ｃｄ ’ｒｅのｃ６ｓ焼結膜２
への付着力ないし付着量を知る目的でｃ６’ｒ６焼結膜
３の表面をガーゼでガラス基板１が割れない程度の力を
加えて未付着ＣｄＴｅをこすり落とした。次表には未付
着ＣｄＴｅの重量を示す。ρ（に、Ｃ（ＩＴｅ焼結膜３
上に微量のアクセプタ不純物をｌ、！５加した泥状カー
ボンをスクリーン印刷して、カーボン膜４を形成させた
後、Ｎ２雰囲気中において３５０００で３０分間熱処理
することにより、カーボン中に含まれているアクセプタ
不純物がＣｄＴ ｅ焼結膜３内にドープした。こうして
ｎ形ＣｄＳ焼結膜２とｐ形Ｃｄ ’ｒｅ焼結膜３との間
に光起電力効果をもつペテロ接合を形成した。次にＣｄ
Ｓ焼結膜２上およびカーボン膜４上にそれぞれオーミッ
ク電極５，６を付けた後、各々の電極５，６からリード
線７を引き出した。入射光８はＣｄＳ 焼結膜２側から
照射する。
ソれに粘結剤としてプロピレングリコールモ加えて泥状
にしたものを、図面に示すようにガラス基板１上にスク
リーン印刷した後、Ｎ２雰囲気中において６９００Ｃで
２０分間焼成することにより、化学量論比よりＣｄ過剰
のｎ形ＣｄＳ焼結膜２を形成した。このようにして得ら
れたｎ形ＣｄＳ焼結膜の抵抗率は１０°〜１０−１Ω・
ｍ程度である。このｎ形ＣｄＳ焼結膜２上に次表に示す
濃度のＣｄＣ１２水溶液を塗布し、乾燥し、ＣｄＳ焼結
膜２上に微量のＣｄ（／！２を付着させた。次に、Ｃｄ
粉禾と’ｒｅ粉末を１：１のモル比で配合し、粘結剤と
してプロピレングリコールを適量加えて混合し、泥状に
したものを、スクリーン印刷し乾燥させた後、ことによ
ってｃｄ’ｒｅ焼結膜３を形成した。こうして（ｄｇｅ
焼結膜３を形成した後、Ｃｄ ’ｒｅのｃ６ｓ焼結膜２
への付着力ないし付着量を知る目的でｃ６’ｒ６焼結膜
３の表面をガーゼでガラス基板１が割れない程度の力を
加えて未付着ＣｄＴｅをこすり落とした。次表には未付
着ＣｄＴｅの重量を示す。ρ（に、Ｃ（ＩＴｅ焼結膜３
上に微量のアクセプタ不純物をｌ、！５加した泥状カー
ボンをスクリーン印刷して、カーボン膜４を形成させた
後、Ｎ２雰囲気中において３５０００で３０分間熱処理
することにより、カーボン中に含まれているアクセプタ
不純物がＣｄＴ ｅ焼結膜３内にドープした。こうして
ｎ形ＣｄＳ焼結膜２とｐ形Ｃｄ ’ｒｅ焼結膜３との間
に光起電力効果をもつペテロ接合を形成した。次にＣｄ
Ｓ焼結膜２上およびカーボン膜４上にそれぞれオーミッ
ク電極５，６を付けた後、各々の電極５，６からリード
線７を引き出した。入射光８はＣｄＳ 焼結膜２側から
照射する。
このようにして得られた素子の８０ＦＷ／ｃａのタンク
ステジハロゲン灯光下での負性変換効率を次表に示す。
ステジハロゲン灯光下での負性変換効率を次表に示す。
上記表によれば、ＣｄＳ焼結膜表面にＣｄＣ７！２を付
着させる工程を入れることにより、ｃｄ’ｒｅ焼結膜の
付着力が改善されることがわかる。本発明の製造か法に
よってもなお、Ｃｄ ’ｒｅ粉が未付着物として剥離す
るが、これは強制的にこすり落としたことによるもので
あり、ＣｄＳ焼結膜２へのＣｄＴ。
着させる工程を入れることにより、ｃｄ’ｒｅ焼結膜の
付着力が改善されることがわかる。本発明の製造か法に
よってもなお、Ｃｄ ’ｒｅ粉が未付着物として剥離す
るが、これは強制的にこすり落としたことによるもので
あり、ＣｄＳ焼結膜２へのＣｄＴ。
焼結膜３の結合は改善されている。
改善された０ｄＴｅ焼結膜３はカーボン膜を形成する■
程に十分耐え、次工程へ悪影響を及ぼさない。また変換
効率に対しても、ＣｄＣｌ２の濃度２Φ以下であれば影
響は誤差の範囲内であり、はとんど悪影響は認められな
い。
程に十分耐え、次工程へ悪影響を及ぼさない。また変換
効率に対しても、ＣｄＣｌ２の濃度２Φ以下であれば影
響は誤差の範囲内であり、はとんど悪影響は認められな
い。
以上の説明から明らかなように、本発明の製造方法によ
れば、ＣｄＳ焼結膜とｃｄ’ｒｅ焼結膜の結合を改善で
きるだめ、高変換効率の′＃：、起電力素子を製造する
上で極めて有効な手段となるものである。
れば、ＣｄＳ焼結膜とｃｄ’ｒｅ焼結膜の結合を改善で
きるだめ、高変換効率の′＃：、起電力素子を製造する
上で極めて有効な手段となるものである。
図面は本発明の製造方法により得られる″に、１起電力
素子の一例を示す断面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・ＣｄＳ焼結膜
、３ ・・・Ｇｔ３Ｔｅ焼結膜、４・・・・・・カーボ
ン膜、６・・・・・・オーミック電極、６・・・・・・
オーミック電極、７・・・・・・リート線。
素子の一例を示す断面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・ＣｄＳ焼結膜
、３ ・・・Ｇｔ３Ｔｅ焼結膜、４・・・・・・カーボ
ン膜、６・・・・・・オーミック電極、６・・・・・・
オーミック電極、７・・・・・・リート線。
Claims (1)
- 支持基板上にＣｄＳもしくはそれを含む化合物半導体の
焼結膜を形成し、さらにその上にＣｄＴｅ化合物と粘結
剤、もしくはｃ６粉本と’ｒｅ粉末と粘結剤より成る泥
状物をスクリーン印刷し、これを不活性雰囲気中におい
て焼成してｃ６’ｒ６焼結膜を形成し、しかる後、前記
２つの焼結膜上に電極を形成して光起電力素子を製造す
るに際し、あらかじめ前記ｃ６ｓ焼結膜の表面にＣｄＣ
７！２を付着させることを特徴とする光起電力素子の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57000628A JPS58118169A (ja) | 1982-01-07 | 1982-01-07 | 光起電力素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57000628A JPS58118169A (ja) | 1982-01-07 | 1982-01-07 | 光起電力素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58118169A true JPS58118169A (ja) | 1983-07-14 |
| JPS629235B2 JPS629235B2 (ja) | 1987-02-27 |
Family
ID=11478987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57000628A Granted JPS58118169A (ja) | 1982-01-07 | 1982-01-07 | 光起電力素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58118169A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0474482A (ja) * | 1990-07-16 | 1992-03-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| WO1997021252A1 (fr) * | 1995-12-07 | 1997-06-12 | Japan Energy Corporation | Procede de fabrication d'un dispositif photoelectrique de conversion |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6319636A (ja) * | 1986-07-14 | 1988-01-27 | Canon Electronics Inc | 光量絞り装置 |
| JPS63177825U (ja) * | 1987-05-07 | 1988-11-17 | ||
| JPS63178816U (ja) * | 1987-05-09 | 1988-11-18 |
-
1982
- 1982-01-07 JP JP57000628A patent/JPS58118169A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0474482A (ja) * | 1990-07-16 | 1992-03-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| WO1997021252A1 (fr) * | 1995-12-07 | 1997-06-12 | Japan Energy Corporation | Procede de fabrication d'un dispositif photoelectrique de conversion |
| US5916375A (en) * | 1995-12-07 | 1999-06-29 | Japan Energy Corporation | Method of producing photoelectric conversion device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS629235B2 (ja) | 1987-02-27 |
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