JPS629235B2 - - Google Patents
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- JPS629235B2 JPS629235B2 JP57000628A JP62882A JPS629235B2 JP S629235 B2 JPS629235 B2 JP S629235B2 JP 57000628 A JP57000628 A JP 57000628A JP 62882 A JP62882 A JP 62882A JP S629235 B2 JPS629235 B2 JP S629235B2
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- Japan
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- cdte
- sintered film
- cds
- film
- powder
- Prior art date
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- Expired
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
本発明はｎ形CdSとｐ形CdTeとのpn接合を用
いた光起電力素子の製造方法に関するものであ
る。 従来、この種の素子の製造方法として、支持基
板上に形成された低抵抗で光透過率の良好なｎ形
CdS焼結膜上に、CdTe化合物の粉末に粘結剤を
混合して泥状にしたものとか、Cd粉末とTe粉末
に粘結剤を加えて混合し、泥状にしたものをスク
リーン印刷し、乾燥した後、窒素雰囲気中で焼成
してCdTe焼結膜を形成するものがあつた。しか
しながら、この方法においては、CdS焼結膜と
CdTe焼結膜の付着力が不足し、時によると形成
されたCdTe焼結物の一部が微粉としてもしくは
小さな薄片としてCdS膜から剥離することがあ
り、この未付着物は次工程に好ましくない影響を
与えていた。この欠点を改善するためにCdTe泥
状物もしくはCd粉末とTe粉末の泥状物にあらか
じめ融剤を添加する試みが成されているが、それ
でも未付着物が生じるのが現状である。 本発明はこのような欠点を解消した製造方法を
提供するものであり、CdS焼結膜表面にCdCl2を
付着させる工程を含むことを特徴としている。本
発明において、CdCl2を付着させる方法として
は、CdCl2蒸気を含む雰囲気中を通過させると
か、希薄なCdCl2水溶液を塗布する等の各種の方
法がある。この工程を入れることによつて、
CdTeの未付着量が減少し、次の工程へ移行した
際のトラブルが少くなる。 以下、本発明の製造方法について、実施例をあ
げて具体的に説明する。 （実施例） CdS粉末に融剤としてCdCl2を10重量％加え、
それに粘結剤としてプロピレングリコールも加え
て泥状にしたものを、図面に示すようにガラス基
板１上にスクリーン印刷した後、N2雰囲気中に
おいて690℃で20分間焼成することにより、化学
量論比よりCd過剰のｎ形CdS焼結膜２を形成し
た。このようにして得られたｎ形CdS焼結膜の抵
抗率は100〜10-1Ω・cm程度である。このｎ形
CdS焼結膜２上に次表に示す濃度のCdCl2水溶液
を塗布し、乾燥し、CdS焼結膜２上に微量の
CdCl2を付着させた。次に、Cd粉末とTe粉末を
１：１のモル比で配合し、粘結剤としてプロピレ
ングリコールを適量加えて混合し、泥状にしたも
のを、スクリーン印刷し乾燥させた後、N2雰囲
気中において650℃で30分間焼成することによつ
てCdTe焼結膜３を形成した。こうしてCdTe焼
結膜３を形成した後、CdTeのCdS焼結膜２への
付着力ないし付着量を知る目的でCdTe焼結膜３
の表面をガーゼでガラス基板１が割れない程度の
力を加えて未付着CdTeをこすり落とした。次表
には未付着CdTeの重量を示す。次に、CdTe焼
結膜３上に微量のアクセプタ不純物を添加した泥
状カーボンをスクリーン印刷して、カーボン膜４
を形成させた後、N2雰囲気中において350℃で30
分間熱処理することにより、カーボン中に含まれ
ているアクセプタ不純物がCdTe焼結膜３内にド
ープした。こうしてｎ形CdS焼結膜２とｐ形
CdTe焼結膜３との間に光起電力効果をもつヘテ
ロ接合を形成した。次にCdS焼結膜２上およびカ
ーボン膜４上にそれぞれオーミツク電極５，６を
付けた後、各々の電極５，６からリード線７を引
き出した。入射光８はCdS焼結膜２側から照射す
る。 このようにして得られた素子の80mW／cm2のタ
ングステンハロゲン灯光下での真性変換効率を次
表に示す。
いた光起電力素子の製造方法に関するものであ
る。 従来、この種の素子の製造方法として、支持基
板上に形成された低抵抗で光透過率の良好なｎ形
CdS焼結膜上に、CdTe化合物の粉末に粘結剤を
混合して泥状にしたものとか、Cd粉末とTe粉末
に粘結剤を加えて混合し、泥状にしたものをスク
リーン印刷し、乾燥した後、窒素雰囲気中で焼成
してCdTe焼結膜を形成するものがあつた。しか
しながら、この方法においては、CdS焼結膜と
CdTe焼結膜の付着力が不足し、時によると形成
されたCdTe焼結物の一部が微粉としてもしくは
小さな薄片としてCdS膜から剥離することがあ
り、この未付着物は次工程に好ましくない影響を
与えていた。この欠点を改善するためにCdTe泥
状物もしくはCd粉末とTe粉末の泥状物にあらか
じめ融剤を添加する試みが成されているが、それ
でも未付着物が生じるのが現状である。 本発明はこのような欠点を解消した製造方法を
提供するものであり、CdS焼結膜表面にCdCl2を
付着させる工程を含むことを特徴としている。本
発明において、CdCl2を付着させる方法として
は、CdCl2蒸気を含む雰囲気中を通過させると
か、希薄なCdCl2水溶液を塗布する等の各種の方
法がある。この工程を入れることによつて、
CdTeの未付着量が減少し、次の工程へ移行した
際のトラブルが少くなる。 以下、本発明の製造方法について、実施例をあ
げて具体的に説明する。 （実施例） CdS粉末に融剤としてCdCl2を10重量％加え、
それに粘結剤としてプロピレングリコールも加え
て泥状にしたものを、図面に示すようにガラス基
板１上にスクリーン印刷した後、N2雰囲気中に
おいて690℃で20分間焼成することにより、化学
量論比よりCd過剰のｎ形CdS焼結膜２を形成し
た。このようにして得られたｎ形CdS焼結膜の抵
抗率は100〜10-1Ω・cm程度である。このｎ形
CdS焼結膜２上に次表に示す濃度のCdCl2水溶液
を塗布し、乾燥し、CdS焼結膜２上に微量の
CdCl2を付着させた。次に、Cd粉末とTe粉末を
１：１のモル比で配合し、粘結剤としてプロピレ
ングリコールを適量加えて混合し、泥状にしたも
のを、スクリーン印刷し乾燥させた後、N2雰囲
気中において650℃で30分間焼成することによつ
てCdTe焼結膜３を形成した。こうしてCdTe焼
結膜３を形成した後、CdTeのCdS焼結膜２への
付着力ないし付着量を知る目的でCdTe焼結膜３
の表面をガーゼでガラス基板１が割れない程度の
力を加えて未付着CdTeをこすり落とした。次表
には未付着CdTeの重量を示す。次に、CdTe焼
結膜３上に微量のアクセプタ不純物を添加した泥
状カーボンをスクリーン印刷して、カーボン膜４
を形成させた後、N2雰囲気中において350℃で30
分間熱処理することにより、カーボン中に含まれ
ているアクセプタ不純物がCdTe焼結膜３内にド
ープした。こうしてｎ形CdS焼結膜２とｐ形
CdTe焼結膜３との間に光起電力効果をもつヘテ
ロ接合を形成した。次にCdS焼結膜２上およびカ
ーボン膜４上にそれぞれオーミツク電極５，６を
付けた後、各々の電極５，６からリード線７を引
き出した。入射光８はCdS焼結膜２側から照射す
る。 このようにして得られた素子の80mW／cm2のタ
ングステンハロゲン灯光下での真性変換効率を次
表に示す。
【表】
【表】
上記表によれば、CdS焼結膜表面にCdCl2を付
着させる工程を入れることによ、CdTe焼結膜の
付着力が改善されることがわかる。本発明の製造
方法によつてもなお、CdTe粉が未付着物として
剥離するが、これは強制的にこすり落としたこと
によるものであり、CdS焼結膜２へのCdTe焼結
膜３の結合は改善されている。 改善されたCdTe焼結膜３はカーボン膜を形成
する工程に十分耐え、次工程へ悪影響を及ぼさな
い。また変換効率に対しても、CdCl2の濃度２％
以下であれば影響は誤差の範囲内であり、ほとん
ど悪影響は認められない。 以上の説明から明らかなように、本発明の製造
方法によれば、CdS焼結膜とCdTe焼結膜の結合
を改善できるため、高変換効率の光起電力素子を
製造する上で極めて有効な手段となるものであ
る。
着させる工程を入れることによ、CdTe焼結膜の
付着力が改善されることがわかる。本発明の製造
方法によつてもなお、CdTe粉が未付着物として
剥離するが、これは強制的にこすり落としたこと
によるものであり、CdS焼結膜２へのCdTe焼結
膜３の結合は改善されている。 改善されたCdTe焼結膜３はカーボン膜を形成
する工程に十分耐え、次工程へ悪影響を及ぼさな
い。また変換効率に対しても、CdCl2の濃度２％
以下であれば影響は誤差の範囲内であり、ほとん
ど悪影響は認められない。 以上の説明から明らかなように、本発明の製造
方法によれば、CdS焼結膜とCdTe焼結膜の結合
を改善できるため、高変換効率の光起電力素子を
製造する上で極めて有効な手段となるものであ
る。
図面は本発明の製造方法により得られる光起電
力素子の一例を示す断面図である。 １……ガラス基板、２……CdS焼結膜、３……
CdTe焼結膜、４……カーボン膜、５……オーミ
ツク電極、６……オーミツク電極、７……リード
線。
力素子の一例を示す断面図である。 １……ガラス基板、２……CdS焼結膜、３……
CdTe焼結膜、４……カーボン膜、５……オーミ
ツク電極、６……オーミツク電極、７……リード
線。
Claims (1)
- １ 支持基板上にCdSもしくはそれを含む化合物
半導体の焼結膜を形成し、さらにその上にCdTe
化合物と粘結剤、もしくはCd粉末とTe粉末と粘
結剤より成る泥状物をスクリーン印刷し、これを
不活性雰囲気中において焼成してCdTe焼結膜を
形成し、しかる後、前記２つの焼結膜上に電極を
形成して光起電力素子を製造するに際し、あらか
じめ前記CdS焼結膜の表面にCdCl2を付着させる
ことを特徴とする光起電力素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57000628A JPS58118169A (ja) | 1982-01-07 | 1982-01-07 | 光起電力素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57000628A JPS58118169A (ja) | 1982-01-07 | 1982-01-07 | 光起電力素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58118169A JPS58118169A (ja) | 1983-07-14 |
| JPS629235B2 true JPS629235B2 (ja) | 1987-02-27 |
Family
ID=11478987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57000628A Granted JPS58118169A (ja) | 1982-01-07 | 1982-01-07 | 光起電力素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58118169A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6319636A (ja) * | 1986-07-14 | 1988-01-27 | Canon Electronics Inc | 光量絞り装置 |
| JPS63177825U (ja) * | 1987-05-07 | 1988-11-17 | ||
| JPS63178816U (ja) * | 1987-05-09 | 1988-11-18 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2532727B2 (ja) * | 1990-07-16 | 1996-09-11 | 松下電器産業株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| US5916375A (en) * | 1995-12-07 | 1999-06-29 | Japan Energy Corporation | Method of producing photoelectric conversion device |
-
1982
- 1982-01-07 JP JP57000628A patent/JPS58118169A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6319636A (ja) * | 1986-07-14 | 1988-01-27 | Canon Electronics Inc | 光量絞り装置 |
| JPS63177825U (ja) * | 1987-05-07 | 1988-11-17 | ||
| JPS63178816U (ja) * | 1987-05-09 | 1988-11-18 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58118169A (ja) | 1983-07-14 |
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