JPS58118171A - 光起電力素子の製造方法 - Google Patents
光起電力素子の製造方法Info
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- JPS58118171A JPS58118171A JP57000630A JP63082A JPS58118171A JP S58118171 A JPS58118171 A JP S58118171A JP 57000630 A JP57000630 A JP 57000630A JP 63082 A JP63082 A JP 63082A JP S58118171 A JPS58118171 A JP S58118171A
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- sintered film
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- cdte
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はｎ形ＣｄＳとｐ形ＣｄＴｅとのｐｎ接合を用い
た光起電力素子の製造方法に関するものである。
た光起電力素子の製造方法に関するものである。
従来、この種の素子の製造方法として、支持基板上に形
成させた低抵抗で光透過率の良好なｎ形ＣｄＳ焼結膜上
に、Ｃｄ粉末とＴｅ粉末に焼結剤を加えて混合し、泥状
にしたものをスクリーン印判し、乾燥した後、窒素雰囲
気中で焼成してＣｄＴｅ焼結膜を形成するものがあった
。そしてその方法においては、Ｃｄ粉末と’ｒｅＴｅ粉
末モル比よシわずかにＣｄ過剰の割合で配合し、これを
７００〜６５ｏ０で３ｏ分程度焼結させるのが普通であ
った。また、Ｃｄ粉末とＴｅ粉末を等モル比よりわずか
にＴｅ過剰の割合で配合し、５ｏＯ℃もしくはそれ以下
の温度で３０分程度焼結し、焼結に要する熱エネルギー
を節約することも試みられている。
成させた低抵抗で光透過率の良好なｎ形ＣｄＳ焼結膜上
に、Ｃｄ粉末とＴｅ粉末に焼結剤を加えて混合し、泥状
にしたものをスクリーン印判し、乾燥した後、窒素雰囲
気中で焼成してＣｄＴｅ焼結膜を形成するものがあった
。そしてその方法においては、Ｃｄ粉末と’ｒｅＴｅ粉
末モル比よシわずかにＣｄ過剰の割合で配合し、これを
７００〜６５ｏ０で３ｏ分程度焼結させるのが普通であ
った。また、Ｃｄ粉末とＴｅ粉末を等モル比よりわずか
にＴｅ過剰の割合で配合し、５ｏＯ℃もしくはそれ以下
の温度で３０分程度焼結し、焼結に要する熱エネルギー
を節約することも試みられている。
本発明は、Ｃｄ粉末とＴｅ粉末に粘結剤を加えて混合し
泥状にしたものをスクリーン印刷し焼成する方法を採用
しながらも、焼成する温度と時間を広範囲に変化させて
、いかなる温度で何分間焼成した場合に高変換効率が得
られるのか、また劣化が少いのかを調べる中で発見した
結果に基〈もので、ＣｄＴｅ焼結膜を６１０〜６４５℃
の温度、３０〜１２０分の焼成時間で形成することを特
徴としている。
泥状にしたものをスクリーン印刷し焼成する方法を採用
しながらも、焼成する温度と時間を広範囲に変化させて
、いかなる温度で何分間焼成した場合に高変換効率が得
られるのか、また劣化が少いのかを調べる中で発見した
結果に基〈もので、ＣｄＴｅ焼結膜を６１０〜６４５℃
の温度、３０〜１２０分の焼成時間で形成することを特
徴としている。
本発明による光起電力素子の製造方法によれば従来通り
、ＣｄＴｅ焼結膜を比較的安価に得られるという利点等
はそのまま維持されるのは勿論、従来より高い変換効率
で、かつ劣化、り少ない優れた素子が得られるという利
点がある。
、ＣｄＴｅ焼結膜を比較的安価に得られるという利点等
はそのまま維持されるのは勿論、従来より高い変換効率
で、かつ劣化、り少ない優れた素子が得られるという利
点がある。
以下、本発明の製造方法について、実施例をあげて具体
的に説明する。
的に説明する。
（実施例）
ＣｄＳ粉末に融剤として０６０１１２１０重量％加え、
それに粘結剤としてプロピレングリコールを加えて泥状
にしたものを図面に示すように、ガラス基板１上にスク
リーン印刷した後、Ｎ２雰囲気中において６９０℃で２
０分間焼成することにより、化学量論比よりＣｄ過剰の
ｎ形ＣｄＳ焼結膜２を形成した。このようにして得られ
たｎ形ＣｄＳ焼結膜の抵抗率は１０〜１０ Ω・ｍ程度
である。このｎ形ＣｄＳ焼結膜２上にＣｄ粉末とＴｅ粉
末を１．０６対１，００のモル比で配合し、それに融剤
としてＣａＯ幻を、粘結剤としてプロピレングリコール
の適量を加えて混合し、泥状にしたものをスクＩＪ−次
表に示す条件で焼成することによってＣｄＴｅ焼結膜３
を形成した。次に、ＣｄＴｅ焼結模焼結模倣上のアクセ
プタ不純物を添加した泥状カーボンをスクリーン印刷し
て、カーボン膜４を形成させた後、ＮＺ雰囲気中におい
て３６０℃で３０分間熱処理することにより、カーボン
中に含まれているアクセプタ不純物がＣｄＴｅ焼結膜３
内にドープした。こうしてｎ形ＣｄＳ焼結膜２とｐ形Ｃ
ｄＴｅ焼結膜３との間に光起電力効果をもつペテロ接合
を形成した。次にＣｄＳ焼結膜２上およびカーボン膜４
上にそれぞれオーミック電極６，６を付けた後、各々の
電極６，６からリード線７を引き出した。
それに粘結剤としてプロピレングリコールを加えて泥状
にしたものを図面に示すように、ガラス基板１上にスク
リーン印刷した後、Ｎ２雰囲気中において６９０℃で２
０分間焼成することにより、化学量論比よりＣｄ過剰の
ｎ形ＣｄＳ焼結膜２を形成した。このようにして得られ
たｎ形ＣｄＳ焼結膜の抵抗率は１０〜１０ Ω・ｍ程度
である。このｎ形ＣｄＳ焼結膜２上にＣｄ粉末とＴｅ粉
末を１．０６対１，００のモル比で配合し、それに融剤
としてＣａＯ幻を、粘結剤としてプロピレングリコール
の適量を加えて混合し、泥状にしたものをスクＩＪ−次
表に示す条件で焼成することによってＣｄＴｅ焼結膜３
を形成した。次に、ＣｄＴｅ焼結模焼結模倣上のアクセ
プタ不純物を添加した泥状カーボンをスクリーン印刷し
て、カーボン膜４を形成させた後、ＮＺ雰囲気中におい
て３６０℃で３０分間熱処理することにより、カーボン
中に含まれているアクセプタ不純物がＣｄＴｅ焼結膜３
内にドープした。こうしてｎ形ＣｄＳ焼結膜２とｐ形Ｃ
ｄＴｅ焼結膜３との間に光起電力効果をもつペテロ接合
を形成した。次にＣｄＳ焼結膜２上およびカーボン膜４
上にそれぞれオーミック電極６，６を付けた後、各々の
電極６，６からリード線７を引き出した。
入射光８はＣｄＳ焼結膜２側から照射する。
このようにして得られた素子の８０ｍ Ｗ ／ ｃｔｊ
のタングステンハロゲン灯光下での真性変換効率と３ケ
月後の劣化率を次表に示す。
のタングステンハロゲン灯光下での真性変換効率と３ケ
月後の劣化率を次表に示す。
表によれば、６１０〜６４５℃の温度、３０〜１２０分
の焼成時間でＣｄＴｅ焼結膜を形成した素子は高い変換
効率を示し、かつ劣化率も小さい。
の焼成時間でＣｄＴｅ焼結膜を形成した素子は高い変換
効率を示し、かつ劣化率も小さい。
従来、この種の焼成は管状炉に素子を入れて急熱、急冷
する例が多かったが、管状炉での焼成は生産規模、生産
性、温度の均一性の点から好ましくないので、ここでは
マツフル全長４６６０Ｍ、均熱帯長約２０００１８のベ
ルト炉に各種ベルト速度で素子を導入して焼成し、素子
を形成した。焼成時間は均熱帯長を分速で表したベルト
速度で除した商で示しである。ベルト速度を上げて焼成
時間を３０分未満にするとＣｄＴｅの焼成が不充分にな
り、変換効率が著しく低下するし、ベルト速度を下げて
焼成時間が１２０分を越えると、同じく変換効率が低下
しかつ劣化も太きくなる。ベルト速度を１げると、ベル
ト炉の場合、被焼成物が均熱帯に導入される以前の低い
温度で部分的に焼成が始まり、かつ融剤の気化が起り、
結果的に焼成が未完のうちに融剤が散逸してしまうと考
えられる。それに、ベルト速度をこれ以下に下げるのは
生産性の点からも好ましくない。
する例が多かったが、管状炉での焼成は生産規模、生産
性、温度の均一性の点から好ましくないので、ここでは
マツフル全長４６６０Ｍ、均熱帯長約２０００１８のベ
ルト炉に各種ベルト速度で素子を導入して焼成し、素子
を形成した。焼成時間は均熱帯長を分速で表したベルト
速度で除した商で示しである。ベルト速度を上げて焼成
時間を３０分未満にするとＣｄＴｅの焼成が不充分にな
り、変換効率が著しく低下するし、ベルト速度を下げて
焼成時間が１２０分を越えると、同じく変換効率が低下
しかつ劣化も太きくなる。ベルト速度を１げると、ベル
ト炉の場合、被焼成物が均熱帯に導入される以前の低い
温度で部分的に焼成が始まり、かつ融剤の気化が起り、
結果的に焼成が未完のうちに融剤が散逸してしまうと考
えられる。それに、ベルト速度をこれ以下に下げるのは
生産性の点からも好ましくない。
以上の説明から明らかなように１本発明の方法によれば
、高変換効率で劣化の少ない光起電力素子を得ることが
できるため、その実用上の価値は大なるものがある。
、高変換効率で劣化の少ない光起電力素子を得ることが
できるため、その実用上の価値は大なるものがある。
力木子の一例を示す断面図である。
１・・・・・ガラス基板、２・・・・・ＧｄＳ焼結膜、
３・・・・・・ＣｄＴｅ焼結膜、４・・・・カーボン膜
、６・・・・・オーミック電極、６・・・・・・オーミ
、り電極、７・・・・・−リード線。
３・・・・・・ＣｄＴｅ焼結膜、４・・・・カーボン膜
、６・・・・・オーミック電極、６・・・・・・オーミ
、り電極、７・・・・・−リード線。
Claims (1)
- 支持基板上にＣｄＳもしくはそれを含む化合■半導体の
焼結膜を形成し、さらにその上Ｋ Ｃｄ粉末とＴｅ粉末
に融剤および粘結剤を加えて混合してなる泥状物をスク
リーン印刷し、これを不活性雰囲気中において焼成して
ＣｄＴｅ焼結膜を形成し、しかる後、前記２つの焼結膜
に電極を形成して光起電力素子を製造するに際し、前記
ｌＣｄＴｅ焼結膜を６１０〜６４５℃の温度、３０〜１
２０分の焼成時間で形成することを特徴とする光起電力
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57000630A JPS58118171A (ja) | 1982-01-07 | 1982-01-07 | 光起電力素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57000630A JPS58118171A (ja) | 1982-01-07 | 1982-01-07 | 光起電力素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58118171A true JPS58118171A (ja) | 1983-07-14 |
| JPS629236B2 JPS629236B2 (ja) | 1987-02-27 |
Family
ID=11479042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57000630A Granted JPS58118171A (ja) | 1982-01-07 | 1982-01-07 | 光起電力素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58118171A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0654831A2 (en) * | 1993-11-18 | 1995-05-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing solar cell |
-
1982
- 1982-01-07 JP JP57000630A patent/JPS58118171A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0654831A2 (en) * | 1993-11-18 | 1995-05-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing solar cell |
| EP0654831A3 (en) * | 1993-11-18 | 1998-01-14 | Matsushita Battery Industrial Co Ltd | Method of manufacturing solar cell |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS629236B2 (ja) | 1987-02-27 |
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