JPH0212973A - 光起電力素子の製造方法 - Google Patents
光起電力素子の製造方法Info
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- JPH0212973A JPH0212973A JP63163314A JP16331488A JPH0212973A JP H0212973 A JPH0212973 A JP H0212973A JP 63163314 A JP63163314 A JP 63163314A JP 16331488 A JP16331488 A JP 16331488A JP H0212973 A JPH0212973 A JP H0212973A
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- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電源用もしくは、民生用の太陽電池などに使
用可能なＣｄＳ／ＣｄＴｅ系の光起電力素子の製造方法
に関するものである。
用可能なＣｄＳ／ＣｄＴｅ系の光起電力素子の製造方法
に関するものである。
従来の技術
セラミック基板、またはガラス基板上に形成したＣｄＳ
／ＣｄＴｅ印刷方式光起電力素子においては、ＣｄＴｅ
膜をｐ形化するためとＣｄＴｅ膜の電極の働きをするた
めに、ＣｄＴｅ焼成膜上に微量のＣｕＯを添加したカー
ボンペーストを印刷、乾燥し不活性ガス雰囲気中でベル
ト式マツフル炉によって焼成していた。
／ＣｄＴｅ印刷方式光起電力素子においては、ＣｄＴｅ
膜をｐ形化するためとＣｄＴｅ膜の電極の働きをするた
めに、ＣｄＴｅ焼成膜上に微量のＣｕＯを添加したカー
ボンペーストを印刷、乾燥し不活性ガス雰囲気中でベル
ト式マツフル炉によって焼成していた。
発明が解決しようとする課題
しかしこの方法では光起電力素子の性能の向上を簡単に
図ることはできなかった。
図ることはできなかった。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、光起電力
素子の性能を上昇安定させ、量産性にすぐれた再現性の
あるカーボン膜を備えた光起電力素子の製造方法を提供
するものである。
素子の性能を上昇安定させ、量産性にすぐれた再現性の
あるカーボン膜を備えた光起電力素子の製造方法を提供
するものである。
課題を解決するための手段
本発明は、上記課題を解決するため、カーボンペースト
中にＣｄＴｅ焼成膜をｐ形化するＣｕＯとＴｅとを微量
添加し、ＣｄＴｅ膜とカーボンペースト膜との接触抵抗
も・同時に低下するようにしたものである。
中にＣｄＴｅ焼成膜をｐ形化するＣｕＯとＴｅとを微量
添加し、ＣｄＴｅ膜とカーボンペースト膜との接触抵抗
も・同時に低下するようにしたものである。
作 用
本発明による光起電力素子の製造方法によれば、カーボ
ンペースト中に、ＣｕＯとＴｅが入ったことによりＣｄ
Ｔｅ膜をｐ形化し、またＣｄＴｅ膜とカーボンペースト
膜との接触抵抗を小さくし、太陽電池の特性を向上させ
て、特性バラツキを少なくし、かつ特性を安定させるこ
とができる。
ンペースト中に、ＣｕＯとＴｅが入ったことによりＣｄ
Ｔｅ膜をｐ形化し、またＣｄＴｅ膜とカーボンペースト
膜との接触抵抗を小さくし、太陽電池の特性を向上させ
て、特性バラツキを少なくし、かつ特性を安定させるこ
とができる。
実施例
以下、本発明の実施例について図面をもとに説明する。
ＣｄＳ 粉末に融剤としてＣｄＣｆ１２を１０重量％、
プロピレングリコールを２０〜３０重量％加えてＣｄＳ
ペーストを作り、これを第１図に示すガラス基板１上
に印刷、乾燥した後焼成し、ＣｄＳ 焼成膜２を形成す
る。次にＣｄＴｅ粉末にＣｄＣＩｔ、を１重量％、プロ
ピレングリコール全２０〜３０重量％加えてＣｄＴｅペ
ーストを作り、これを上記ＣｄＳ 焼成膜上にスクリー
ン印刷する。印刷膜の乾燥後不活性ガス雰囲気中で焼成
し、ＣｄＴｅ焼成膜３を得た。このようにして得られた
ＣｄＴｅ焼成膜上にカーボンペーストの印刷スクリーン
を通過する粒径である平均粒径５０μｍ以下のＴｅ粉末
０．３〜１ 、０ｗｔ％と、５０〜２ｏＯｐｐｍのＣｕ
Ｏを含んだ高純度カーボンペーストをスクリーン印刷し
、乾燥後、不活性雰囲気中でＴｅの融点近傍の４５０ｔ
ｌ：で焼成を行なう。
プロピレングリコールを２０〜３０重量％加えてＣｄＳ
ペーストを作り、これを第１図に示すガラス基板１上
に印刷、乾燥した後焼成し、ＣｄＳ 焼成膜２を形成す
る。次にＣｄＴｅ粉末にＣｄＣＩｔ、を１重量％、プロ
ピレングリコール全２０〜３０重量％加えてＣｄＴｅペ
ーストを作り、これを上記ＣｄＳ 焼成膜上にスクリー
ン印刷する。印刷膜の乾燥後不活性ガス雰囲気中で焼成
し、ＣｄＴｅ焼成膜３を得た。このようにして得られた
ＣｄＴｅ焼成膜上にカーボンペーストの印刷スクリーン
を通過する粒径である平均粒径５０μｍ以下のＴｅ粉末
０．３〜１ 、０ｗｔ％と、５０〜２ｏＯｐｐｍのＣｕ
Ｏを含んだ高純度カーボンペーストをスクリーン印刷し
、乾燥後、不活性雰囲気中でＴｅの融点近傍の４５０ｔ
ｌ：で焼成を行なう。
この焼成でＣｄＴｅ膜をｐ形化するとともに、ＣｄＴｅ
膜とオーミック接合を作るカーボンペースト膜４が形成
できる。最後にＣｄＳ 膜２とカーボンペースト膜４上
にＡｇＩｎペーストをスクリーン印刷して、ＡｇＩｎ電
極６を形成する。このようにして太陽電池素子を完成し
た。
膜とオーミック接合を作るカーボンペースト膜４が形成
できる。最後にＣｄＳ 膜２とカーボンペースト膜４上
にＡｇＩｎペーストをスクリーン印刷して、ＡｇＩｎ電
極６を形成する。このようにして太陽電池素子を完成し
た。
この様にして得られた光起電力素子の特性を、第２図に
示している。カーボンペースト中ニＴｅを加えていくこ
とにより、従来に比べて接触抵抗が低くなり、Ｆ、Ｆ、
が特に改善して光起電力素子の特性も改善している。た
だし、Ｔｅを６重量％以上加えていくと、特性が低下す
る傾向があるので避けるべきであり、好ましいＴｅ添加
量は０．３〜１．０ｗｔチである。
示している。カーボンペースト中ニＴｅを加えていくこ
とにより、従来に比べて接触抵抗が低くなり、Ｆ、Ｆ、
が特に改善して光起電力素子の特性も改善している。た
だし、Ｔｅを６重量％以上加えていくと、特性が低下す
る傾向があるので避けるべきであり、好ましいＴｅ添加
量は０．３〜１．０ｗｔチである。
発明の効果
このように本発明は、カーボンペースト中に、ＣｕＯと
Ｔｅを同時に添加し、かつ塗布したカーボンペーストを
Ｔｅの融点近傍温度で焼成することにより、ＣｄＴｅ膜
をｐ形化すると同時に、ＣｄＴｅ膜とカーボンペースト
膜との接触抵抗を低下させ、光起電力素子の特性を向上
、安定させる効果が得られた。
Ｔｅを同時に添加し、かつ塗布したカーボンペーストを
Ｔｅの融点近傍温度で焼成することにより、ＣｄＴｅ膜
をｐ形化すると同時に、ＣｄＴｅ膜とカーボンペースト
膜との接触抵抗を低下させ、光起電力素子の特性を向上
、安定させる効果が得られた。
第１図はＣｄＳ／ＣｄＴｅ系光起電力素子の断面図、第
２図はカーボンペースト中にＴｅとＣｕＯの両方を添加
した際の特性結果を示す図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・ＣｄＳ膜、
３・・・・・・ＣｄＴｅ膜、４・・・・・・カーボンペ
ースト膜、６・・・・・・ＡｑＩｎ膜。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１基筒 図
２図はカーボンペースト中にＴｅとＣｕＯの両方を添加
した際の特性結果を示す図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・ＣｄＳ膜、
３・・・・・・ＣｄＴｅ膜、４・・・・・・カーボンペ
ースト膜、６・・・・・・ＡｑＩｎ膜。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１基筒 図
Claims (2)
- （１）ガラス基板上に形成したｎ形半導体であるＣｄＳ
もしくはＣｄＺｎＳ焼成膜上にＣｄＴｅ焼成膜を形成し
、このＣｄＴｅ膜上に平均粒径５０μｍ以下のＴｅ粉末
と平均粒径５００ÅのＣｕＯを添加して混練したカーボ
ンペーストを塗布した後、４００℃以上の温度で焼成す
ることを特徴とする光起電力素子の製造方法。 - （２）カーボンペースト中に添加するＴｅ粉末は０．３
〜１．０ｗｔ％の範囲であり、ＣｕＯ粉末は５０〜２０
０ｐｐｍの範囲である請求項１記載の光起電力素子の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63163314A JPH0212973A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 光起電力素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63163314A JPH0212973A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 光起電力素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0212973A true JPH0212973A (ja) | 1990-01-17 |
| JPH0529311B2 JPH0529311B2 (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=15771480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63163314A Granted JPH0212973A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 光起電力素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0212973A (ja) |
-
1988
- 1988-06-30 JP JP63163314A patent/JPH0212973A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0529311B2 (ja) | 1993-04-30 |
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Legal Events
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