JPH1196521A - 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録再生装置Info
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- JPH1196521A JPH1196521A JP9253831A JP25383197A JPH1196521A JP H1196521 A JPH1196521 A JP H1196521A JP 9253831 A JP9253831 A JP 9253831A JP 25383197 A JP25383197 A JP 25383197A JP H1196521 A JPH1196521 A JP H1196521A
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- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
Abstract
(57)【要約】
【課題】 静電耐圧が高く、かつ、製造が容易な磁気抵
抗効果型ヘッドを提供する。 【解決手段】 軟磁性材料からなる上部シールド１５と
下部シールド１６の間に、絶縁体からなる第１ギャップ
１３と第２ギャップ１４を介して磁気抵抗効果素子１１
が挟まれ、下部シールド１６が絶縁体であるスライダ保
護膜１７を介してスライダ１８に接続された構造を有す
る磁気抵抗効果型ヘッドを製造するに際して、例えば、
第２ギャップ材料として比誘電率が大きな材料（例え
ば、炭化ケイ素）を用いることによって、磁気抵抗効果
素子１１（素子端子１２）と下部シールド１６との間の
容量Ｃｇが、下部シールド１４とスライダ１７との間の
容量の６．３倍以上となるようにする。
抗効果型ヘッドを提供する。 【解決手段】 軟磁性材料からなる上部シールド１５と
下部シールド１６の間に、絶縁体からなる第１ギャップ
１３と第２ギャップ１４を介して磁気抵抗効果素子１１
が挟まれ、下部シールド１６が絶縁体であるスライダ保
護膜１７を介してスライダ１８に接続された構造を有す
る磁気抵抗効果型ヘッドを製造するに際して、例えば、
第２ギャップ材料として比誘電率が大きな材料（例え
ば、炭化ケイ素）を用いることによって、磁気抵抗効果
素子１１（素子端子１２）と下部シールド１６との間の
容量Ｃｇが、下部シールド１４とスライダ１７との間の
容量の６．３倍以上となるようにする。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果型ヘ
ッドと及び磁気記録再生装置に関し、特に、軟磁性シー
ルドを備える磁気抵抗効果型ヘッドと、そのような磁気
抵抗効果型ヘッドを備えた磁気記録再生装置に関する。
ッドと及び磁気記録再生装置に関し、特に、軟磁性シー
ルドを備える磁気抵抗効果型ヘッドと、そのような磁気
抵抗効果型ヘッドを備えた磁気記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁界変化を磁気抵抗効果素子を用いて検
出する磁気抵抗効果型ヘッドの中には、軟磁性シールド
を備えたものが存在している。図９に、そのような磁気
抵抗効果型ヘッドの概略構成を示す。図示したように、
この種の磁気抵抗効果型ヘッドは、磁気抵抗効果素子２
１並びに素子端子２２が、第１、第２ギャップ２３、２
４を介して、上部シールド２５と下部シールド２６に挟
まれ、下部シールド２６がスライダ保護膜２７を介して
スライダ２８に接続された構成を有する。
出する磁気抵抗効果型ヘッドの中には、軟磁性シールド
を備えたものが存在している。図９に、そのような磁気
抵抗効果型ヘッドの概略構成を示す。図示したように、
この種の磁気抵抗効果型ヘッドは、磁気抵抗効果素子２
１並びに素子端子２２が、第１、第２ギャップ２３、２
４を介して、上部シールド２５と下部シールド２６に挟
まれ、下部シールド２６がスライダ保護膜２７を介して
スライダ２８に接続された構成を有する。
【０００３】磁気抵抗効果素子２１としては、スピンバ
ブル素子或いは異方性磁気抵抗効果素子が用いられてお
り、第１ギャップ２３と第２ギャップ２４、スライダ保
護膜２７としては、それぞれ、絶縁材料（通常、アルミ
ナ（Ａｌ2Ｏ3））からなる膜が用いられている。また、
上部シールド２５と下部シールド２６としては、高透磁
率を持つ磁性材料（通常、ＮｉＦｅ）からなる膜が用い
られ、スライダ２８としては、アルチック（Ａｌ2Ｏ3・
ＴｉＣ）などからなるものが用いられている。
ブル素子或いは異方性磁気抵抗効果素子が用いられてお
り、第１ギャップ２３と第２ギャップ２４、スライダ保
護膜２７としては、それぞれ、絶縁材料（通常、アルミ
ナ（Ａｌ2Ｏ3））からなる膜が用いられている。また、
上部シールド２５と下部シールド２６としては、高透磁
率を持つ磁性材料（通常、ＮｉＦｅ）からなる膜が用い
られ、スライダ２８としては、アルチック（Ａｌ2Ｏ3・
ＴｉＣ）などからなるものが用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】周知のように、上記し
たような磁気抵抗効果型ヘッドは、薄膜プロセスによっ
て形成された後、人手による机上での作業に供される。
この際、人体には、１００Ｖ程度の静電気が発生するこ
とがあるため、その静電気が、磁気抵抗効果素子１１と
素子端子１２からなる部分（以下、変換素子部と表記す
る）とスライダ１８間に印加され、変換素子部と下部シ
ールド１６との間で放電が起こり、その結果として、ヘ
ッドが破壊されてしまう（性能が劣化してしまう）こと
があった。
たような磁気抵抗効果型ヘッドは、薄膜プロセスによっ
て形成された後、人手による机上での作業に供される。
この際、人体には、１００Ｖ程度の静電気が発生するこ
とがあるため、その静電気が、磁気抵抗効果素子１１と
素子端子１２からなる部分（以下、変換素子部と表記す
る）とスライダ１８間に印加され、変換素子部と下部シ
ールド１６との間で放電が起こり、その結果として、ヘ
ッドが破壊されてしまう（性能が劣化してしまう）こと
があった。
【０００５】このような問題を解決するために、特開平
９−４４８２０号公報では、素子端子と下部シールドの
間に、５０ｐＦ程度の容量を有する誘電体を設けること
が提案されている。以下、図１０を用いて、この公報に
記載の磁気抵抗効果型ヘッドの構成並びに製造手順を簡
単に説明する。
９−４４８２０号公報では、素子端子と下部シールドの
間に、５０ｐＦ程度の容量を有する誘電体を設けること
が提案されている。以下、図１０を用いて、この公報に
記載の磁気抵抗効果型ヘッドの構成並びに製造手順を簡
単に説明する。
【０００６】特開平９−４４８２０号公報記載の技術で
は、まず、図１０（ａ）に示してあるように、スライダ
基板２８上に、アルミナを堆積することによってスライ
ダ保護膜２７が形成される。次いで、図１０（ｂ）に示
してあるように、ＮｉＦｅを堆積することによって下部
シールド２６が形成される。
は、まず、図１０（ａ）に示してあるように、スライダ
基板２８上に、アルミナを堆積することによってスライ
ダ保護膜２７が形成される。次いで、図１０（ｂ）に示
してあるように、ＮｉＦｅを堆積することによって下部
シールド２６が形成される。
【０００７】その後、図１０（ｃ）に示してあるよう
に、浮上面（図において下側）付近に、アルミナ等堆積
することによって第２ギャップ２４の一部をなすことに
なる絶縁膜２４1を形成し、さらに、図１０（ｄ）に示
してあるように、絶縁膜２４1と共に第２ギャップ２４
を構成する誘電体膜２４2が形成される。その後、図１
０（ｅ）に示したように、磁気抵抗効果素子２１が絶縁
膜２４1上に形成される。
に、浮上面（図において下側）付近に、アルミナ等堆積
することによって第２ギャップ２４の一部をなすことに
なる絶縁膜２４1を形成し、さらに、図１０（ｄ）に示
してあるように、絶縁膜２４1と共に第２ギャップ２４
を構成する誘電体膜２４2が形成される。その後、図１
０（ｅ）に示したように、磁気抵抗効果素子２１が絶縁
膜２４1上に形成される。
【０００８】磁気抵抗効果素子２１の形成後、図１０
（ｆ）に示してあるように、その抵抗変化を検出するた
めの素子端子２２が形成される。次いで、図１０
（ｇ）、（ｈ）に示したように、第１ギャップ２３、上
部シールド２５が形成され、磁気抵抗効果型ヘッドが得
られる。
（ｆ）に示してあるように、その抵抗変化を検出するた
めの素子端子２２が形成される。次いで、図１０
（ｇ）、（ｈ）に示したように、第１ギャップ２３、上
部シールド２５が形成され、磁気抵抗効果型ヘッドが得
られる。
【０００９】このような手順で形成された磁気抵抗効果
型ヘッドは、素子端子２１と下部シールド２６間の容量
が大きくなるので、磁気抵抗効果素子２１と下部シール
ド２６間で放電が生じにくくなる。しかしながら、この
磁気抵抗効果型ヘッドでは、第２ギャップ２４を２種の
膜を組み合わせて形成しなければならないため、製造プ
ロセスが複雑なものとなっていた。
型ヘッドは、素子端子２１と下部シールド２６間の容量
が大きくなるので、磁気抵抗効果素子２１と下部シール
ド２６間で放電が生じにくくなる。しかしながら、この
磁気抵抗効果型ヘッドでは、第２ギャップ２４を２種の
膜を組み合わせて形成しなければならないため、製造プ
ロセスが複雑なものとなっていた。
【００１０】そこで、本発明の課題は、静電耐圧が高
く、かつ、製造が容易な磁気抵抗効果型ヘッドを提供す
ることにある。また、本発明の他の課題は、そのような
磁気抵抗効果型ヘッドを備えた磁気記録再生装置を提供
することにある。
く、かつ、製造が容易な磁気抵抗効果型ヘッドを提供す
ることにある。また、本発明の他の課題は、そのような
磁気抵抗効果型ヘッドを備えた磁気記録再生装置を提供
することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、軟磁性材料からなる上部シールドと下
部シールドの間に、第１絶縁層と第２絶縁層を介して磁
気抵抗効果素子が挟まれ、下部シールドが絶縁体である
スライダ保護膜を介してスライダに接続された構造を有
する磁気抵抗効果型ヘッドを、磁気抵抗効果素子と下部
シールドとの間の容量が、下部シールドとスライダとの
間の容量の６．３倍以上となるように構成する。
に、本発明では、軟磁性材料からなる上部シールドと下
部シールドの間に、第１絶縁層と第２絶縁層を介して磁
気抵抗効果素子が挟まれ、下部シールドが絶縁体である
スライダ保護膜を介してスライダに接続された構造を有
する磁気抵抗効果型ヘッドを、磁気抵抗効果素子と下部
シールドとの間の容量が、下部シールドとスライダとの
間の容量の６．３倍以上となるように構成する。
【００１２】より具体的には、本発明では、磁気抵抗効
果型ヘッドを製造するに際して、磁気抵抗効果素子と
下部シールドとの間の容量（以下、ギャップ容量と表記
する）が大きくなる材料を用いて第２絶縁層を形成す
る、下部シールドとスライダ間の容量（以下、保護膜
容量と表記する）が小さくなる材料を用いてスライダ保
護膜を形成する、ギャップ容量が大きくなる材料を用
いて第２絶縁層を形成するとともに、保護膜容量が小さ
くなる材料を用いてスライダ保護膜を形成する、スラ
イダと第２シールドの間隔が浮上面側よりも内部のほう
がより広くなる形状を有したスライダ保護膜を用いる、
といったいずれかの構成（方法）を採用することによっ
て、磁気抵抗効果素子と下部シールドとの間の容量が下
部シールドとスライダとの間の容量の６．３倍以上とな
るようにする。
果型ヘッドを製造するに際して、磁気抵抗効果素子と
下部シールドとの間の容量（以下、ギャップ容量と表記
する）が大きくなる材料を用いて第２絶縁層を形成す
る、下部シールドとスライダ間の容量（以下、保護膜
容量と表記する）が小さくなる材料を用いてスライダ保
護膜を形成する、ギャップ容量が大きくなる材料を用
いて第２絶縁層を形成するとともに、保護膜容量が小さ
くなる材料を用いてスライダ保護膜を形成する、スラ
イダと第２シールドの間隔が浮上面側よりも内部のほう
がより広くなる形状を有したスライダ保護膜を用いる、
といったいずれかの構成（方法）を採用することによっ
て、磁気抵抗効果素子と下部シールドとの間の容量が下
部シールドとスライダとの間の容量の６．３倍以上とな
るようにする。
【００１３】磁気抵抗効果型ヘッドをこのような構成と
すれば、１００Ｖ程度の電圧が磁気抵抗効果素子とスラ
イダ間に印加された場合に、磁気抵抗効果素子と下部シ
ールドとの間に印加される電圧を放電開始電圧以下とす
ることができる。従って、人手による作業時に静電気に
よる破壊が生じにくい磁気抵抗効果型ヘッドが得られる
ことになる。また、その結果として、本磁気抵抗効果型
ヘッドを用いれば、正常に機能する磁気記録再生装置を
極めて簡単に（歩留り良く）製造できることになる。
すれば、１００Ｖ程度の電圧が磁気抵抗効果素子とスラ
イダ間に印加された場合に、磁気抵抗効果素子と下部シ
ールドとの間に印加される電圧を放電開始電圧以下とす
ることができる。従って、人手による作業時に静電気に
よる破壊が生じにくい磁気抵抗効果型ヘッドが得られる
ことになる。また、その結果として、本磁気抵抗効果型
ヘッドを用いれば、正常に機能する磁気記録再生装置を
極めて簡単に（歩留り良く）製造できることになる。
【００１４】また、〜の構成を有する磁気抵抗効果
型ヘッドは、通常の磁気抵抗効果型ヘッドの製造プロセ
スと同じ工程数の製造プロセスで実現できる。さらに、
の構成を採用する場合には、第２絶縁層を、比誘電率
が１３．５以上の材料で形成すれば、静電耐圧の高い磁
気抵抗効果型ヘッドを、第２絶縁層を除く各部のそれま
で採用していた形状、材料を変えることなく実現できる
ことになる。また、の構成を採用する場合にも、スラ
イダ保護膜を、比誘電率が４．４以下の材料で形成すれ
ば、静電耐圧の高い磁気抵抗効果型ヘッドを、スライダ
保護膜を除く各部のそれまで採用していた形状、材料を
変えることなく実現できることになる。
型ヘッドは、通常の磁気抵抗効果型ヘッドの製造プロセ
スと同じ工程数の製造プロセスで実現できる。さらに、
の構成を採用する場合には、第２絶縁層を、比誘電率
が１３．５以上の材料で形成すれば、静電耐圧の高い磁
気抵抗効果型ヘッドを、第２絶縁層を除く各部のそれま
で採用していた形状、材料を変えることなく実現できる
ことになる。また、の構成を採用する場合にも、スラ
イダ保護膜を、比誘電率が４．４以下の材料で形成すれ
ば、静電耐圧の高い磁気抵抗効果型ヘッドを、スライダ
保護膜を除く各部のそれまで採用していた形状、材料を
変えることなく実現できることになる。
【００１５】の構成を有する磁気抵抗効果型ヘッド
は、〜の構成を有する磁気抵抗効果型ヘッドに比し
て、その製造プロセスが複雑となる。しかしながら、２
種の膜を隣接させて形成する必要はないので、の構成
を有する磁気抵抗効果型ヘッドは、特開平９−４４８２
０号公報記載の磁気抵抗効果型ヘッドよりも容易に形成
できるものとなっている。また、の構成を採用する場
合には、スライダ保護膜材料をアルミナとしたままで
も、静電耐圧の高い磁気抵抗効果型ヘッドを実現できる
ことにもなる。
は、〜の構成を有する磁気抵抗効果型ヘッドに比し
て、その製造プロセスが複雑となる。しかしながら、２
種の膜を隣接させて形成する必要はないので、の構成
を有する磁気抵抗効果型ヘッドは、特開平９−４４８２
０号公報記載の磁気抵抗効果型ヘッドよりも容易に形成
できるものとなっている。また、の構成を採用する場
合には、スライダ保護膜材料をアルミナとしたままで
も、静電耐圧の高い磁気抵抗効果型ヘッドを実現できる
ことにもなる。
【００１６】なお、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドを実
現する際に用いる磁気抵抗効果素子は、スピンバブル素
子であっても、異方性磁気抵抗効果素子であっても良
い。また、第２絶縁層、スライダ保護膜の形成に用いら
れる材料は、結果として、磁気抵抗効果素子と下部シー
ルドとの間の容量を、下部シールドとスライダとの間の
容量の６．３倍以上と出来るものであれば良い。
現する際に用いる磁気抵抗効果素子は、スピンバブル素
子であっても、異方性磁気抵抗効果素子であっても良
い。また、第２絶縁層、スライダ保護膜の形成に用いら
れる材料は、結果として、磁気抵抗効果素子と下部シー
ルドとの間の容量を、下部シールドとスライダとの間の
容量の６．３倍以上と出来るものであれば良い。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して具体的に説明する。まず、図１及び図２を用
いて、後述する各実施例の磁気抵抗効果型ヘッドの構成
を決定するために行ったシミュレーションの説明を行う
ことにする。
を参照して具体的に説明する。まず、図１及び図２を用
いて、後述する各実施例の磁気抵抗効果型ヘッドの構成
を決定するために行ったシミュレーションの説明を行う
ことにする。
【００１８】既に説明したように、磁気抵抗効果型ヘッ
ドに関する作業時に、磁気抵抗効果素子並びに素子端子
とスライダとの間には、１００Ｖ程度の電圧がかかるこ
とがある。このため、本発明者らは、まず、図１に模式
的に示したように、磁気抵抗効果素子１１及び素子端子
１２（以下、変換素子部と表記する）とスライダ１８と
の間にかかる電圧が１００Ｖであるときに変換素子部と
下部シールド１６との間にかかる電圧ΔＶ（以下、第２
ギャップ間電圧と表記する）が、磁気抵抗効果型ヘッド
１０の構造に応じてどのように変化するかを、回路シミ
ュレータ「ＳＰＩＣＥ」を用いてシミュレートした。な
お、シミュレーションで用いた磁気抵抗効果型ヘッドの
回路モデルは、例えば、“EOS/ESD SYMPOSIUM 95”p.32
2-330に記載の論文で用いられているモデルと同様のも
のであるため、その詳細についての説明は省略する。
ドに関する作業時に、磁気抵抗効果素子並びに素子端子
とスライダとの間には、１００Ｖ程度の電圧がかかるこ
とがある。このため、本発明者らは、まず、図１に模式
的に示したように、磁気抵抗効果素子１１及び素子端子
１２（以下、変換素子部と表記する）とスライダ１８と
の間にかかる電圧が１００Ｖであるときに変換素子部と
下部シールド１６との間にかかる電圧ΔＶ（以下、第２
ギャップ間電圧と表記する）が、磁気抵抗効果型ヘッド
１０の構造に応じてどのように変化するかを、回路シミ
ュレータ「ＳＰＩＣＥ」を用いてシミュレートした。な
お、シミュレーションで用いた磁気抵抗効果型ヘッドの
回路モデルは、例えば、“EOS/ESD SYMPOSIUM 95”p.32
2-330に記載の論文で用いられているモデルと同様のも
のであるため、その詳細についての説明は省略する。
【００１９】シミュレーションの結果、変換素子部と下
部シールド１６との間の容量Ｃｇ（以下、ギャップ容量
と表記する）と下部シールド１６とスライダ１８との間
の容量Ｃｓ（以下、保護膜容量と表記する）の比Ｃｇ／
Ｃｓと、第２ギャップ間電圧ΔＶとの間には、図２に示
した関係があることが分かった。
部シールド１６との間の容量Ｃｇ（以下、ギャップ容量
と表記する）と下部シールド１６とスライダ１８との間
の容量Ｃｓ（以下、保護膜容量と表記する）の比Ｃｇ／
Ｃｓと、第２ギャップ間電圧ΔＶとの間には、図２に示
した関係があることが分かった。
【００２０】一方、間隔が狭い（数μｍ以下の）２つの
電極間の放電は、電界放出機構による電子の放出の影響
を大きく受けることが知られている。そして、その電界
放出条件は、電極によらず、電極間に７５ＭＶ／ｍ（Ｖ
／μｍ）を越える電界が印加されたときに生じることも
知られている（例えば、電子通信学会論文誌'83/11 Vol
J66-C No.11 pp508-812）。また、一般に電極間に電圧
が印加されたとき、電界強度が最も強くなるのは、電極
の角の部分であることも知られている。そして、電極間
が真空（空気）の場合と、電極間に比誘電率がεの誘電
体が存在する場合とでは、電極の帯電量が同じとき、前
者の電界強度が後者の電界強度のε倍となることも知ら
れている。
電極間の放電は、電界放出機構による電子の放出の影響
を大きく受けることが知られている。そして、その電界
放出条件は、電極によらず、電極間に７５ＭＶ／ｍ（Ｖ
／μｍ）を越える電界が印加されたときに生じることも
知られている（例えば、電子通信学会論文誌'83/11 Vol
J66-C No.11 pp508-812）。また、一般に電極間に電圧
が印加されたとき、電界強度が最も強くなるのは、電極
の角の部分であることも知られている。そして、電極間
が真空（空気）の場合と、電極間に比誘電率がεの誘電
体が存在する場合とでは、電極の帯電量が同じとき、前
者の電界強度が後者の電界強度のε倍となることも知ら
れている。
【００２１】従って、誘電体であり、かつ、幅の狭い
（厚さの薄い）第２ギャップ１４が設けられている磁気
抵抗効果型ヘッドでは、磁気抵抗効果素子１１と下部シ
ールド１６間に７５ＭＶ／ｍを越える電界が印加された
ときに、磁気抵抗効果素子１１あるいは下部シールド１
６の浮上面に接する角の部分から空気を伝わって放電が
生ずることになる。
（厚さの薄い）第２ギャップ１４が設けられている磁気
抵抗効果型ヘッドでは、磁気抵抗効果素子１１と下部シ
ールド１６間に７５ＭＶ／ｍを越える電界が印加された
ときに、磁気抵抗効果素子１１あるいは下部シールド１
６の浮上面に接する角の部分から空気を伝わって放電が
生ずることになる。
【００２２】すなわち、第２ギャップ１４の厚さが０．
１μｍであるとすると、第２ギャップ１４の材料によら
ず、第２ギャップ間電圧△Ｖが７．５Ｖ以上となったと
きに放電が生ずることになる。
１μｍであるとすると、第２ギャップ１４の材料によら
ず、第２ギャップ間電圧△Ｖが７．５Ｖ以上となったと
きに放電が生ずることになる。
【００２３】このため、人手による作業時に、０．１μ
ｍ厚の第２ギャップ１４において放電が生じないように
するためには、図２から明らかなように、磁気抵抗効果
型ヘッドのギャップ容量Ｃｇと保護膜容量Ｃｓの比Ｃｇ
／Ｃｓを、６．３以上とすれば良いことになる。なお、
本発明者らが以前に製造していた、各ギャップ、スライ
ダ保護膜がアルミナからなる磁気抵抗効果型ヘッド（以
下、従来型磁気抵抗効果型ヘッドと表記する）のＣｇ／
Ｃｓは３．６となっており、図２からも、このヘッドが
静電気による破壊が生じ易いヘッドであることが確認さ
れた。
ｍ厚の第２ギャップ１４において放電が生じないように
するためには、図２から明らかなように、磁気抵抗効果
型ヘッドのギャップ容量Ｃｇと保護膜容量Ｃｓの比Ｃｇ
／Ｃｓを、６．３以上とすれば良いことになる。なお、
本発明者らが以前に製造していた、各ギャップ、スライ
ダ保護膜がアルミナからなる磁気抵抗効果型ヘッド（以
下、従来型磁気抵抗効果型ヘッドと表記する）のＣｇ／
Ｃｓは３．６となっており、図２からも、このヘッドが
静電気による破壊が生じ易いヘッドであることが確認さ
れた。
【００２４】さて、容量比Ｃｇ／Ｃｓを６．３以上とす
るためには、保護膜容量Ｃｓを小さくする、ギャップ容
量Ｃｇを大きくする、保護膜容量Ｃｓを小さくするとと
もに、ギャップ容量Ｃｇを大きくする、といった方法が
採用できる。
るためには、保護膜容量Ｃｓを小さくする、ギャップ容
量Ｃｇを大きくする、保護膜容量Ｃｓを小さくするとと
もに、ギャップ容量Ｃｇを大きくする、といった方法が
採用できる。
【００２５】ただし、保護膜容量Ｃｓを小さくするため
に、スライダ保護膜１７の厚さ（図１における横方向の
長さ）を単に増やしたのでは、媒体上の突起状欠陥の磁
気抵抗効果素子への衝突によって生ずるノイズ（サーマ
ルアスピリティ）の発生頻度が多くなってしまう。具体
的には、サーマルアスピリティの発生を防ぐためには、
スライダ１８と磁気抵抗効果素子１１との間の距離を６
μｍ以下とすることが望ましいことが知られている。そ
して、下部シールド１６には１μｍ程度の厚さが必要と
されるので、結局、スライダ保護膜１７には、その厚さ
が５μｍ以下であることが必要とされることになる（現
在、製造されている磁気抵抗効果型ヘッドのスライダ保
護膜の厚さは、４．５〜５μｍである）。このため、ス
ライダ保護膜１７の厚さを単に増やすことによって、保
護膜容量Ｃｓを小さくすることは好ましくない。
に、スライダ保護膜１７の厚さ（図１における横方向の
長さ）を単に増やしたのでは、媒体上の突起状欠陥の磁
気抵抗効果素子への衝突によって生ずるノイズ（サーマ
ルアスピリティ）の発生頻度が多くなってしまう。具体
的には、サーマルアスピリティの発生を防ぐためには、
スライダ１８と磁気抵抗効果素子１１との間の距離を６
μｍ以下とすることが望ましいことが知られている。そ
して、下部シールド１６には１μｍ程度の厚さが必要と
されるので、結局、スライダ保護膜１７には、その厚さ
が５μｍ以下であることが必要とされることになる（現
在、製造されている磁気抵抗効果型ヘッドのスライダ保
護膜の厚さは、４．５〜５μｍである）。このため、ス
ライダ保護膜１７の厚さを単に増やすことによって、保
護膜容量Ｃｓを小さくすることは好ましくない。
【００２６】そこで、本発明の一実施形態では、比誘電
率εが４．４以下の材料からなるスライダ保護膜１７を
磁気抵抗効果型ヘッド１０に具備させる。そのような材
料からなるスライダ保護膜１７を用いると保護膜容量Ｃ
ｓは、アルミナ（ε≒７．７）からなる同形状のスライ
ダ保護膜が用いられた場合の保護膜容量のおよそ５７％
以下となる。従って、製造される磁気抵抗効果型ヘッド
のＣｇ／Ｃｓを、アルミナからなるスライダ保護膜を有
している従来型磁気抵抗効果型ヘッドのＣｇ／Ｃｓ
（３．６）の１．７５倍の６．３とすることが出来る。
率εが４．４以下の材料からなるスライダ保護膜１７を
磁気抵抗効果型ヘッド１０に具備させる。そのような材
料からなるスライダ保護膜１７を用いると保護膜容量Ｃ
ｓは、アルミナ（ε≒７．７）からなる同形状のスライ
ダ保護膜が用いられた場合の保護膜容量のおよそ５７％
以下となる。従って、製造される磁気抵抗効果型ヘッド
のＣｇ／Ｃｓを、アルミナからなるスライダ保護膜を有
している従来型磁気抵抗効果型ヘッドのＣｇ／Ｃｓ
（３．６）の１．７５倍の６．３とすることが出来る。
【００２７】このように、比誘電率εが４．４以下の材
料でスライダ保護膜１７を形成すれば、他の部分の形状
及び材料、スライダ保護膜の形状を変えることなく、静
電気による破壊が生じにくい（容量比Ｃｇ／Ｃｓが６．
３以上となる）磁気抵抗効果型ヘッドを得ることが出来
る。また、その磁気抵抗効果型ヘッドは、スライダ保護
膜１７形成時に用いる原料を変えるだけで製造できるこ
とにもなる。
料でスライダ保護膜１７を形成すれば、他の部分の形状
及び材料、スライダ保護膜の形状を変えることなく、静
電気による破壊が生じにくい（容量比Ｃｇ／Ｃｓが６．
３以上となる）磁気抵抗効果型ヘッドを得ることが出来
る。また、その磁気抵抗効果型ヘッドは、スライダ保護
膜１７形成時に用いる原料を変えるだけで製造できるこ
とにもなる。
【００２８】なお、比誘電率εが４．４以下の材料とし
ては、ポリエチレン（ε≒２．３）、ポリプロピレン
（ε≒２．０）、ポリスチレン（ε≒２．５）、ポリカ
ーボネート（ε≒２．９）、フッ素樹脂（ε≒２．
４）、石英ガラス（ε≒３．５）などがあり、いずれも
スライダ保護膜１７の形成に用いることが出来る。
ては、ポリエチレン（ε≒２．３）、ポリプロピレン
（ε≒２．０）、ポリスチレン（ε≒２．５）、ポリカ
ーボネート（ε≒２．９）、フッ素樹脂（ε≒２．
４）、石英ガラス（ε≒３．５）などがあり、いずれも
スライダ保護膜１７の形成に用いることが出来る。
【００２９】また、本発明の他の実施形態では、比誘電
率εが１３．５以上の材料からなる第２ギャップ１４を
磁気抵抗効果型ヘッドに具備させる。そのような材料か
らなる第２ギャップ１４を用いると、ギャップ容量Ｃｇ
は、アルミナ（ε≒７．７）からなる同形状の第２ギャ
ップが用いられている場合におけるギャップ容量の１．
７５倍以上となる。従って、製造される磁気抵抗効果型
ヘッドのＣｇ／Ｃｓは、アルミナからなる第２ギャップ
を有している従来型磁気抵抗効果型ヘッドのＣｇ／Ｃｓ
の１．７５倍の６．３となる。
率εが１３．５以上の材料からなる第２ギャップ１４を
磁気抵抗効果型ヘッドに具備させる。そのような材料か
らなる第２ギャップ１４を用いると、ギャップ容量Ｃｇ
は、アルミナ（ε≒７．７）からなる同形状の第２ギャ
ップが用いられている場合におけるギャップ容量の１．
７５倍以上となる。従って、製造される磁気抵抗効果型
ヘッドのＣｇ／Ｃｓは、アルミナからなる第２ギャップ
を有している従来型磁気抵抗効果型ヘッドのＣｇ／Ｃｓ
の１．７５倍の６．３となる。
【００３０】すなわち、比誘電率εが１３．５以上ので
第２ギャップ１４を形成すれば、他の部分の形状及び材
料、第２ギャップ１４の形状を変えることなく、静電気
による破壊が生じにくい磁気抵抗効果型ヘッドを得るこ
とが出来ることになる。また、その磁気抵抗効果型ヘッ
ドは、第２ギャップ１４の形成時に用いる原料を変える
だけで製造できることにもなる。
第２ギャップ１４を形成すれば、他の部分の形状及び材
料、第２ギャップ１４の形状を変えることなく、静電気
による破壊が生じにくい磁気抵抗効果型ヘッドを得るこ
とが出来ることになる。また、その磁気抵抗効果型ヘッ
ドは、第２ギャップ１４の形成時に用いる原料を変える
だけで製造できることにもなる。
【００３１】なお、比誘電率εが１３．５以上の材料と
しては、常誘電体であるポリイミド（ε≒３５）、炭化
ケイ素（ε≒４０）、強誘電体である酸化チタン（ε≒
１００）、チタン酸バリウム系酸化物（ε≒１２０
０）、チタン酸ストロンチウム系酸化物（ε≒３０
０）、チタン酸カルシウム系酸化物（ε≒１５０）、反
強誘電体材料であるニオブ酸ナトリウム系酸化物（ε≒
８０）などがあり、いずれも第２ギャップ１４の形成に
用いることが出来る。
しては、常誘電体であるポリイミド（ε≒３５）、炭化
ケイ素（ε≒４０）、強誘電体である酸化チタン（ε≒
１００）、チタン酸バリウム系酸化物（ε≒１２０
０）、チタン酸ストロンチウム系酸化物（ε≒３０
０）、チタン酸カルシウム系酸化物（ε≒１５０）、反
強誘電体材料であるニオブ酸ナトリウム系酸化物（ε≒
８０）などがあり、いずれも第２ギャップ１４の形成に
用いることが出来る。
【００３２】本発明の他の実施形態では、スライダ保護
膜１７の形成に比較的大きな誘電率を持つ材料を用いる
とともに、第２材料の形成に比較的小さな誘電率を持つ
材料を用いることにより、容量比Ｃｇ／Ｃｓが６．３以
上となるようにする。この形態を採用した場合、誘電率
が１３．５以下の材料を第２ギャップ１４の形成に用い
て従来と同形状の磁気抵抗効果型ヘッドを製造すること
も、誘電率が４．４以上の材料をスライダ保護膜１７の
形成に用いて従来と同形状の磁気抵抗効果型ヘッドを製
造することもできることになる。
膜１７の形成に比較的大きな誘電率を持つ材料を用いる
とともに、第２材料の形成に比較的小さな誘電率を持つ
材料を用いることにより、容量比Ｃｇ／Ｃｓが６．３以
上となるようにする。この形態を採用した場合、誘電率
が１３．５以下の材料を第２ギャップ１４の形成に用い
て従来と同形状の磁気抵抗効果型ヘッドを製造すること
も、誘電率が４．４以上の材料をスライダ保護膜１７の
形成に用いて従来と同形状の磁気抵抗効果型ヘッドを製
造することもできることになる。
【００３３】さらに、本発明の他の実施形態では、スラ
イダと下部シールドの間隔が浮上面側よりも内部のほう
がより広くなる形状を有しているスライダ保護膜を具備
させることによって、容量比Ｃｇ／Ｃｓが６．３以上と
なる磁気抵抗効果型ヘッドを実現する。すなわち、サー
マルアスピリティに関する特性を劣化させないために、
浮上面でのスライダ保護膜の厚さを、例えば５μｍ程度
としておくとともに、浮上面での厚さよりも内部での厚
さの方が大きくなる形状をスライダ保護膜に与えること
によって、保護膜容量を増大させ、Ｃｇ／Ｃｓが６．３
以上となるようにする。
イダと下部シールドの間隔が浮上面側よりも内部のほう
がより広くなる形状を有しているスライダ保護膜を具備
させることによって、容量比Ｃｇ／Ｃｓが６．３以上と
なる磁気抵抗効果型ヘッドを実現する。すなわち、サー
マルアスピリティに関する特性を劣化させないために、
浮上面でのスライダ保護膜の厚さを、例えば５μｍ程度
としておくとともに、浮上面での厚さよりも内部での厚
さの方が大きくなる形状をスライダ保護膜に与えること
によって、保護膜容量を増大させ、Ｃｇ／Ｃｓが６．３
以上となるようにする。
【００３４】この形態を採用した場合には、従来と同様
に、スライダ保護膜の形成にアルミナを用いても、静電
耐圧の高い磁気抵抗効果型ヘッドが製造できることにな
る。そして、図３に示したように、上述したような各形
態の磁気抵抗効果型ヘッド１０を、磁気記録媒体３１、
制御系３２等と組み合わせて磁気記録再生装置３０を製
造すれば、正常に機能する磁気記録再生装置を極めて簡
単に（歩留り良く）製造できることになる。
に、スライダ保護膜の形成にアルミナを用いても、静電
耐圧の高い磁気抵抗効果型ヘッドが製造できることにな
る。そして、図３に示したように、上述したような各形
態の磁気抵抗効果型ヘッド１０を、磁気記録媒体３１、
制御系３２等と組み合わせて磁気記録再生装置３０を製
造すれば、正常に機能する磁気記録再生装置を極めて簡
単に（歩留り良く）製造できることになる。
【００３５】
＜第１実施例＞図４に、本発明の第１実施例による磁気
抵抗効果型ヘッドの構成を示す。図示したように、第１
実施例の磁気抵抗効果型ヘッドは、従来の磁気抵抗効果
型ヘッドと同様に、磁気抵抗効果素子１１並びに素子端
子１２が、第１、第２ギャップ１３、１４を介して、上
部シールド１５と下部シールド１６に挟まれ、下部シー
ルド１６がスライダ保護膜１７を介してスライダ１８に
接続された構成を有する。また、第１、第２ギャップ１
３、１４を除く各部の形状、構成材料も、従来の磁気抵
抗効果型ヘッドと同様のものとなっている。例えば、下
部シールド１６としては、厚さ１μｍのＮｉＦｅが用い
れており、スライダ保護膜１７としては厚さ５μｍのア
ルミナが用いられている。
抵抗効果型ヘッドの構成を示す。図示したように、第１
実施例の磁気抵抗効果型ヘッドは、従来の磁気抵抗効果
型ヘッドと同様に、磁気抵抗効果素子１１並びに素子端
子１２が、第１、第２ギャップ１３、１４を介して、上
部シールド１５と下部シールド１６に挟まれ、下部シー
ルド１６がスライダ保護膜１７を介してスライダ１８に
接続された構成を有する。また、第１、第２ギャップ１
３、１４を除く各部の形状、構成材料も、従来の磁気抵
抗効果型ヘッドと同様のものとなっている。例えば、下
部シールド１６としては、厚さ１μｍのＮｉＦｅが用い
れており、スライダ保護膜１７としては厚さ５μｍのア
ルミナが用いられている。
【００３６】ただし、本実施例では、第１、第２ギャッ
プ１３、１４を、アルミナ（比誘電率ε＝７．７）では
なく炭化ケイ素（比誘電率ε＝４０）を用いて形成して
いる。
プ１３、１４を、アルミナ（比誘電率ε＝７．７）では
なく炭化ケイ素（比誘電率ε＝４０）を用いて形成して
いる。
【００３７】具体的には、本実施例では、まず、図５
（ａ）に示してあるように、スライダ基板１８上に、ア
ルミナを５μｍ厚堆積することによってスライダ保護膜
１７を形成した。次いで、図５（ｂ）に示してあるよう
に、ＮｉＦｅを１μｍ厚堆積することによって下部シー
ルド１６を形成した。
（ａ）に示してあるように、スライダ基板１８上に、ア
ルミナを５μｍ厚堆積することによってスライダ保護膜
１７を形成した。次いで、図５（ｂ）に示してあるよう
に、ＮｉＦｅを１μｍ厚堆積することによって下部シー
ルド１６を形成した。
【００３８】その後、図５（ｃ）に示してあるように、
炭化ケイ素を０．１μｍ厚堆積することによって第２ギ
ャップ１４を形成し、さらに、図５（ｄ）に示してある
ように、磁気抵抗効果素子１１を形成した。なお、本実
施例では、磁気抵抗効果素子１１として、いわゆる、ス
ピンバブル素子を形成している。すなわち、図５（ｄ）
に示した工程では、磁性層、中間層、磁性層、反強磁性
層の積層構造（スピンバブル素子）が製造されている。
炭化ケイ素を０．１μｍ厚堆積することによって第２ギ
ャップ１４を形成し、さらに、図５（ｄ）に示してある
ように、磁気抵抗効果素子１１を形成した。なお、本実
施例では、磁気抵抗効果素子１１として、いわゆる、ス
ピンバブル素子を形成している。すなわち、図５（ｄ）
に示した工程では、磁性層、中間層、磁性層、反強磁性
層の積層構造（スピンバブル素子）が製造されている。
【００３９】磁気抵抗効果素子１１の形成後、図５
（ｅ）に示してあるように、その抵抗変化を検出するた
めの素子端子１２（Ｔｉ／Ａｕ／Ｔｉ）を形成した。次
いで、図５（ｆ）、（ｇ）に示したように、炭化ケイ
素、ＮｉＦｅを順次堆積することにより、第１ギャップ
１３、上部シールド１５を形成し、図４に示した構成を
有する磁気抵抗効果型ヘッドを得ている。
（ｅ）に示してあるように、その抵抗変化を検出するた
めの素子端子１２（Ｔｉ／Ａｕ／Ｔｉ）を形成した。次
いで、図５（ｆ）、（ｇ）に示したように、炭化ケイ
素、ＮｉＦｅを順次堆積することにより、第１ギャップ
１３、上部シールド１５を形成し、図４に示した構成を
有する磁気抵抗効果型ヘッドを得ている。
【００４０】このように、本実施例の磁気抵抗効果型ヘ
ッドは、炭化ケイ素（比誘電率ε＝４０）で構成された
第２ギャップ１４を有しているので、第２ギャップ１４
の容量Ｃｇとスライダ保護膜１７の容量Ｃｓの比Ｃｓ／
Ｃｇは、およそ、１９となる。このため、机上での作業
時に素子端子・スライダ間に１００Ｖ程度の電圧が加わ
っても、本磁気抵抗効果型ヘッドの第２ギャップ間電圧
は、２．５Ｖ程度になるだけであり（図２参照）、放電
は生じないことになる。実際、製造した磁気抵抗効果型
ヘッドは、素子端子・スライダ間に１００Ｖの電圧を意
図的に印加しても放電が生じないものとなっていた。
ッドは、炭化ケイ素（比誘電率ε＝４０）で構成された
第２ギャップ１４を有しているので、第２ギャップ１４
の容量Ｃｇとスライダ保護膜１７の容量Ｃｓの比Ｃｓ／
Ｃｇは、およそ、１９となる。このため、机上での作業
時に素子端子・スライダ間に１００Ｖ程度の電圧が加わ
っても、本磁気抵抗効果型ヘッドの第２ギャップ間電圧
は、２．５Ｖ程度になるだけであり（図２参照）、放電
は生じないことになる。実際、製造した磁気抵抗効果型
ヘッドは、素子端子・スライダ間に１００Ｖの電圧を意
図的に印加しても放電が生じないものとなっていた。
【００４１】＜第２実施例＞図６に、第２実施例の磁気
抵抗効果型ヘッドの構成を示す。図示したように、第２
実施例の磁気抵抗効果型ヘッドは、通常の磁気抵抗効果
型ヘッドと同様に、磁気抵抗効果素子１１（本実施例で
は、異方性磁気抵抗効果素子）並びに素子端子１２が、
第１、第２ギャップ１３、１４を介して、上部シールド
１５と下部シールド１６に挟まれ、下部シールド１６が
スライダ保護膜１７を介してスライダ１８に接続された
構成を有する。また、スライダ保護膜１７を除く各部の
形状、構成材料も、通常の、異方性磁気抵抗効果素子を
備えた磁気抵抗効果型ヘッドと同様のものとなってい
る。例えば、第２ギャップ１４としては、厚さ０．１μ
ｍのアルミナを用いており、下部シールド１６として
は、厚さ１μｍのＮｉＦｅを用いている。
抵抗効果型ヘッドの構成を示す。図示したように、第２
実施例の磁気抵抗効果型ヘッドは、通常の磁気抵抗効果
型ヘッドと同様に、磁気抵抗効果素子１１（本実施例で
は、異方性磁気抵抗効果素子）並びに素子端子１２が、
第１、第２ギャップ１３、１４を介して、上部シールド
１５と下部シールド１６に挟まれ、下部シールド１６が
スライダ保護膜１７を介してスライダ１８に接続された
構成を有する。また、スライダ保護膜１７を除く各部の
形状、構成材料も、通常の、異方性磁気抵抗効果素子を
備えた磁気抵抗効果型ヘッドと同様のものとなってい
る。例えば、第２ギャップ１４としては、厚さ０．１μ
ｍのアルミナを用いており、下部シールド１６として
は、厚さ１μｍのＮｉＦｅを用いている。
【００４２】ただし、本実施例では、スライダ保護膜１
７として、形状は従来のそれと同様のものであるが、ア
ルミナではなく、ポリエチレン（比誘電率ε＝２．３）
からなるものを用いている。なお、本実施例の磁気抵抗
効果型ヘッドの製造プロセスは、第１実施例のそれとほ
ぼ同じであるので、その説明は省略する。
７として、形状は従来のそれと同様のものであるが、ア
ルミナではなく、ポリエチレン（比誘電率ε＝２．３）
からなるものを用いている。なお、本実施例の磁気抵抗
効果型ヘッドの製造プロセスは、第１実施例のそれとほ
ぼ同じであるので、その説明は省略する。
【００４３】このため、第２実施例の磁気抵抗効果型ヘ
ッドの保護膜容量は、アルミナ（比誘電率ε＝７．７）
からなるスライダ保護膜を用いた場合の保護膜容量の約
３０％となっている。従って、本磁気抵抗効果型ヘッド
における第２ギャップ１４とスライダ保護膜１７との容
量比Ｃｇ／Ｃｓは、従来型の磁気抵抗効果型ヘッドの容
量比のおよそ３．３倍である１２となる。このため、本
磁気抵抗効果型ヘッドの第２ギャップ間電圧は、机上で
の作業時に素子端子・スライダ間に１００Ｖ程度の電圧
が加わっても、放電が起こらない３．９Ｖ程度までしか
上昇しないことになる（図２参照）。なお、本実施例の
磁気抵抗効果型ヘッドに関しても、素子端子・スライダ
間に１００Ｖの電圧を意図的に印加することによって、
放電が生じないものであることを確認している。
ッドの保護膜容量は、アルミナ（比誘電率ε＝７．７）
からなるスライダ保護膜を用いた場合の保護膜容量の約
３０％となっている。従って、本磁気抵抗効果型ヘッド
における第２ギャップ１４とスライダ保護膜１７との容
量比Ｃｇ／Ｃｓは、従来型の磁気抵抗効果型ヘッドの容
量比のおよそ３．３倍である１２となる。このため、本
磁気抵抗効果型ヘッドの第２ギャップ間電圧は、机上で
の作業時に素子端子・スライダ間に１００Ｖ程度の電圧
が加わっても、放電が起こらない３．９Ｖ程度までしか
上昇しないことになる（図２参照）。なお、本実施例の
磁気抵抗効果型ヘッドに関しても、素子端子・スライダ
間に１００Ｖの電圧を意図的に印加することによって、
放電が生じないものであることを確認している。
【００４４】＜第３実施例＞図７に、第３実施例の磁気
抵抗効果型ヘッドの構成を示す。図示したように、第３
実施例の磁気抵抗効果型ヘッドは、通常の磁気抵抗効果
型ヘッドと同様に、磁気抵抗効果素子１１（本実施例で
は、スピンバブル素子）並びに素子端子１２が、第１、
第２ギャップ１３、１４を介して、上部シールド１５と
下部シールド１６に挟まれ、下部シールド１６がスライ
ダ保護膜１７を介してスライダ１８に接続された構成を
有する。また、第１、第２ギャップ１３、１４、スライ
ダ保護膜１７を除く各部の形状、構成材料も、通常の、
異方性磁気抵抗効果素子を備えた磁気抵抗効果型ヘッド
と同様のものとなっている。
抵抗効果型ヘッドの構成を示す。図示したように、第３
実施例の磁気抵抗効果型ヘッドは、通常の磁気抵抗効果
型ヘッドと同様に、磁気抵抗効果素子１１（本実施例で
は、スピンバブル素子）並びに素子端子１２が、第１、
第２ギャップ１３、１４を介して、上部シールド１５と
下部シールド１６に挟まれ、下部シールド１６がスライ
ダ保護膜１７を介してスライダ１８に接続された構成を
有する。また、第１、第２ギャップ１３、１４、スライ
ダ保護膜１７を除く各部の形状、構成材料も、通常の、
異方性磁気抵抗効果素子を備えた磁気抵抗効果型ヘッド
と同様のものとなっている。
【００４５】ただし、本実施例では、スライダ保護膜１
７を、アルミナではなく、石英ガラス（比誘電率ε≒
３．５）で形成しており、第１、第２ギャップ１３、１
４を、ポリイミド（比誘電率ε≒３５）で形成してい
る。
７を、アルミナではなく、石英ガラス（比誘電率ε≒
３．５）で形成しており、第１、第２ギャップ１３、１
４を、ポリイミド（比誘電率ε≒３５）で形成してい
る。
【００４６】このため、本磁気抵抗効果型ヘッドは、第
２ギャップ１４とスライダ保護膜１７との容量比Ｃｇ／
Ｃｓがおよそ３６となっており、図２から明らかなよう
に、素子端子・スライダ間に１００Ｖ程度の電圧が加わ
っても、第２ギャップ間電圧が１．３Ｖ程度までしか上
昇しないヘッドとなっている。
２ギャップ１４とスライダ保護膜１７との容量比Ｃｇ／
Ｃｓがおよそ３６となっており、図２から明らかなよう
に、素子端子・スライダ間に１００Ｖ程度の電圧が加わ
っても、第２ギャップ間電圧が１．３Ｖ程度までしか上
昇しないヘッドとなっている。
【００４７】＜第４実施例＞図８に、本発明の第４実施
例による磁気抵抗効果型ヘッドの概略構成を示す。図示
してあるように、第４実施例の磁気抵抗効果型ヘッドの
スライダ１８′、スライダ保護膜１７′は、第１ないし
第３実施例の磁気抵抗効果型ヘッドのスライダ１８、ス
ライダ保護膜１７とは異なる形状を有している。
例による磁気抵抗効果型ヘッドの概略構成を示す。図示
してあるように、第４実施例の磁気抵抗効果型ヘッドの
スライダ１８′、スライダ保護膜１７′は、第１ないし
第３実施例の磁気抵抗効果型ヘッドのスライダ１８、ス
ライダ保護膜１７とは異なる形状を有している。
【００４８】以下、この磁気抵抗効果型ヘッドの製造手
順を簡単に説明する。本実施例では、スライダ保護膜１
７′を形成するためにアルミナを用いることを前提とし
て、まず、誘電率ε≒７．７の材料で、浮上面側の厚さ
が５μｍであり、かつ、Ｃｇ／Ｃｓ≒６．５とすること
が出来るスライダ保護膜１７′の形状を求めた。次い
で、その形状が形成できるように、スライダ１８′とな
る基板を加工することによって、基板に凹部を形成し
た。そして、加工が施された基板上に、アルミナを堆積
することによってスライダ保護膜１７′を形成し、その
後、第１実施形態と同様の手順で、下部シールド１６、
第２ギャップ１３等を形成することによって、図示した
磁気抵抗効果型ヘッドを得ている。
順を簡単に説明する。本実施例では、スライダ保護膜１
７′を形成するためにアルミナを用いることを前提とし
て、まず、誘電率ε≒７．７の材料で、浮上面側の厚さ
が５μｍであり、かつ、Ｃｇ／Ｃｓ≒６．５とすること
が出来るスライダ保護膜１７′の形状を求めた。次い
で、その形状が形成できるように、スライダ１８′とな
る基板を加工することによって、基板に凹部を形成し
た。そして、加工が施された基板上に、アルミナを堆積
することによってスライダ保護膜１７′を形成し、その
後、第１実施形態と同様の手順で、下部シールド１６、
第２ギャップ１３等を形成することによって、図示した
磁気抵抗効果型ヘッドを得ている。
【００４９】すなわち、本実施例では、突起物との衝突
によるノイズの発生を防止できる状態を維持したまま
で、スライダ保護膜の実効的な膜厚を増やすために、ス
ライダ保護膜の形状を、スライダと下部シールドの間隔
が浮上面側よりも内部のほうがより広くなるものとして
いる。このような構成としても、Ｃｇ／Ｃｓを６．３以
上とすることが出来るので、静電破壊が生じにくい磁気
抵抗効果型ヘッドが得られることになる。
によるノイズの発生を防止できる状態を維持したまま
で、スライダ保護膜の実効的な膜厚を増やすために、ス
ライダ保護膜の形状を、スライダと下部シールドの間隔
が浮上面側よりも内部のほうがより広くなるものとして
いる。このような構成としても、Ｃｇ／Ｃｓを６．３以
上とすることが出来るので、静電破壊が生じにくい磁気
抵抗効果型ヘッドが得られることになる。
【００５０】＜変形例＞各実施例に示した磁気抵抗効果
型ヘッドは各種の変形が可能である。例えば、第１実施
形態では、第１、第２ギャップを共に炭化ケイ素を用い
て形成しているが、第２ギャップのみの形成に炭化ケイ
素を用いて、第１ギャップの形成に他の材料（例えば、
アルミナ）を用いても良い。第３実施形態についても同
様に、第１ギャップを第２ギャップとは異なる材料を用
いて形成しても良い。
型ヘッドは各種の変形が可能である。例えば、第１実施
形態では、第１、第２ギャップを共に炭化ケイ素を用い
て形成しているが、第２ギャップのみの形成に炭化ケイ
素を用いて、第１ギャップの形成に他の材料（例えば、
アルミナ）を用いても良い。第３実施形態についても同
様に、第１ギャップを第２ギャップとは異なる材料を用
いて形成しても良い。
【００５１】また、第４実施例では、スライダ保護膜の
材料としてアルミナを用いているが、比誘電率がより低
い材料を用いれば、基板の加工量を低減すること、ある
いは、Ｃｇ／Ｃｓの値をより大きくすることが出来る。
また、同実施例では、基板に凹部を形成しているが、基
板に凸部を形成することによって、図８に示したような
構成を実現することも出来る。また、スライダとスライ
ダ保護膜の界面を平面としておき、その上に、浮上面側
の厚さの方が薄いスライダ保護膜を形成することによっ
て、浮上面における下部シールドとスライダの間隔を５
μｍ程度に維持したままで、Ｃｇ／Ｃｓが６．３以上と
なるようにしても良い。さらに、スライダとスライダ保
護膜界面、スライダ保護膜と下部シールド界面が共に弯
曲しているような構成を採用することも出来る。ただ
し、これらの場合、下部シールド上への第２ギャップ、
磁気抵抗効果素子等の形成が困難なものとなるので、第
４実施例のように、平坦な下部シールドが形成されるよ
うにしておくことが望ましい。
材料としてアルミナを用いているが、比誘電率がより低
い材料を用いれば、基板の加工量を低減すること、ある
いは、Ｃｇ／Ｃｓの値をより大きくすることが出来る。
また、同実施例では、基板に凹部を形成しているが、基
板に凸部を形成することによって、図８に示したような
構成を実現することも出来る。また、スライダとスライ
ダ保護膜の界面を平面としておき、その上に、浮上面側
の厚さの方が薄いスライダ保護膜を形成することによっ
て、浮上面における下部シールドとスライダの間隔を５
μｍ程度に維持したままで、Ｃｇ／Ｃｓが６．３以上と
なるようにしても良い。さらに、スライダとスライダ保
護膜界面、スライダ保護膜と下部シールド界面が共に弯
曲しているような構成を採用することも出来る。ただ
し、これらの場合、下部シールド上への第２ギャップ、
磁気抵抗効果素子等の形成が困難なものとなるので、第
４実施例のように、平坦な下部シールドが形成されるよ
うにしておくことが望ましい。
【００５２】
【発明の効果】本発明によれば、人手による作業時に静
電破壊が生じにくく、かつ、簡単に製造できる磁気抵抗
効果型ヘッドを得ることが出来る。また、本発明の磁気
抵抗効果型ヘッドを用いれば、正常に機能する磁気記録
再生装置を極めて簡単に製造できることになる。
電破壊が生じにくく、かつ、簡単に製造できる磁気抵抗
効果型ヘッドを得ることが出来る。また、本発明の磁気
抵抗効果型ヘッドを用いれば、正常に機能する磁気記録
再生装置を極めて簡単に製造できることになる。
【図１】本発明の実施形態を説明するための図である。
【図２】ギャップ容量／保護膜容量と第２ギャップ間電
圧の関係を示した図である。
圧の関係を示した図である。
【図３】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドを用いて形成さ
れる磁気記録再生装置の概略構成図である。
れる磁気記録再生装置の概略構成図である。
【図４】本発明の第１実施例による磁気抵抗効果型ヘッ
ドの概略構成図である。
ドの概略構成図である。
【図５】第１実施例の磁気抵抗効果型ヘッドの製造プロ
セスの説明図である。
セスの説明図である。
【図６】本発明の第２実施例による磁気抵抗効果型ヘッ
ドの概略構成図である。
ドの概略構成図である。
【図７】本発明の第３実施例による磁気抵抗効果型ヘッ
ドの概略構成図である。
ドの概略構成図である。
【図８】本発明の第４実施例による磁気抵抗効果型ヘッ
ドの概略構成図である。
ドの概略構成図である。
【図９】従来の磁気抵抗効果型ヘッドの概略構成図であ
る。
る。
【図１０】特開平９−４４８２０号公報に記載の磁気抵
抗効果型ヘッドの製造プロセスの説明図である。
抗効果型ヘッドの製造プロセスの説明図である。
１０ 磁気抵抗効果型ヘッド １１、２１ 磁気抵抗効果素子 １２、２２ 素子端子 １３、２３ 第１ギャップ １４、２４ 第２ギャップ １５、２５ 上部シールド １６、２６ 下部シールド １７、２７ スライダ保護膜 １８、２８ スライダ、スライダ基板 ３０ 磁気記録再生装置 ３１ 磁気記録媒体 ３２ 制御系
Claims (13)
- 【請求項１】 軟磁性材料からなる上部シールドと下部
シールドの間に、第１絶縁層と第２絶縁層を介して磁気
抵抗効果素子が挟まれ、前記下部シールドが絶縁体であ
るスライダ保護膜を介してスライダに接続された構造を
有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、 前記磁気抵抗効果素子と前記下部シールドとの間の容量
が、前記下部シールドと前記スライダとの間の容量の
６．３倍以上であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘ
ッド。 - 【請求項２】 前記第２絶縁層が、比誘電率が１３．５
以上の材料からなることを特徴とする請求項１記載の磁
気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項３】 前記第２絶縁層が、ポリイミド、炭化ケ
イ素のいずれかからなることを特徴とする請求項２記載
の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項４】 前記第２絶縁層が、強誘電体材料からな
ることを特徴とする請求項２記載の磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項５】 前記強誘電体材料が、酸化チタン、チタ
ン酸バリウム系酸化物、チタン酸ストロンチウム系酸化
物、チタン酸カルシウム系酸化物のいずれかであること
を特徴とする請求項４記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項６】 前記第２絶縁層が、反強誘電体材料から
なることを特徴とする請求項２記載の磁気抵抗効果型ヘ
ッド。 - 【請求項７】 前記反強誘電体材料が、ニオブ酸ナトリ
ウム系酸化物であることを特徴とする請求項６記載の磁
気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項８】 前記スライダ保護膜が、前記スライダと
前記下部シールドの間隔が浮上面側よりも内部のほうが
より広くなる形状を有していることを特徴とする請求項
１記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項９】 前記スライダ保護膜が、比誘電率が４．
４以下の材料からなることを特徴とする請求項１記載の
磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項１０】 前記材料が、石英ガラス、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリカーボネー
ト、フッ素樹脂のいずれかであることを特徴とする請求
項９記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項１１】 前記磁気抵抗効果素子が、スピンバブ
ル素子であることを特徴とする請求項１ないし請求項１
０のいずれかに記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項１２】 前記磁気抵抗効果素子が、異方性磁気
抵抗効果素子であることを特徴とする請求項１ないし請
求項１０のいずれかに記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項１３】 請求項１ないし請求項１２記載の磁気
抵抗効果型ヘッドを備えたことを特徴とする磁気記録再
生装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25383197A JP3576361B2 (ja) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録再生装置 |
| US09/007,572 US6046890A (en) | 1997-09-18 | 1998-01-15 | Method for protecting a magnetoresistive head from damage due to electrostatic discharge |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25383197A JP3576361B2 (ja) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1196521A true JPH1196521A (ja) | 1999-04-09 |
| JP3576361B2 JP3576361B2 (ja) | 2004-10-13 |
Family
ID=17256750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25383197A Expired - Fee Related JP3576361B2 (ja) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録再生装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6046890A (ja) |
| JP (1) | JP3576361B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6404604B2 (en) * | 1999-05-18 | 2002-06-11 | Hitachi, Ltd. | Magneto-resistive effect type head |
| US6721140B2 (en) * | 2000-11-22 | 2004-04-13 | Tdk Corporation | Magnetoresistive device and method of manufacturing same and thin-film magnetic head and method of manufacturing same |
| JP2010141301A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | 高誘電率及び高透磁率を有する薄膜を備えたラジオ周波数デバイス |
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| US6583971B1 (en) * | 1999-03-09 | 2003-06-24 | Sae Magnetics (Hk) Ltd. | Elimination of electric-pop noise in MR/GMR device |
| US6252741B1 (en) * | 1999-05-11 | 2001-06-26 | Greenleaf Technologies | Thin film magnetic recording head with treated ceramic substrate |
| JP2002025017A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-25 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
| JP2002025012A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-25 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
| JP2002025018A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-25 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| US6704174B2 (en) * | 2000-12-15 | 2004-03-09 | Sony Corporation | Magnetic recording and playback device with ESD protection |
| JP3835237B2 (ja) * | 2001-10-09 | 2006-10-18 | ソニー株式会社 | ヘッドドラム装置および磁気記録再生装置 |
| US7142398B2 (en) * | 2002-03-06 | 2006-11-28 | Seagate Technology Llc | Electrostatic discharge and electrical overstress protection for magnetic heads |
| US20030169539A1 (en) * | 2002-03-07 | 2003-09-11 | International Business Machines Corporation | Electrostatic discharge insensilive recording head with a high-resistance gap layer |
| JP2004062941A (ja) * | 2002-07-25 | 2004-02-26 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド組立体及び磁気記録再生装置 |
| KR100515305B1 (ko) * | 2003-10-29 | 2005-09-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법 |
| KR100658616B1 (ko) * | 2004-05-31 | 2006-12-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법 |
| KR100635509B1 (ko) * | 2005-08-16 | 2006-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계발광 표시장치 |
| KR100666640B1 (ko) * | 2005-09-15 | 2007-01-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계발광 표시장치 |
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| WO2013169258A1 (en) * | 2012-05-10 | 2013-11-14 | Intel Corporation | Network routing based on resource availability |
| US9210039B2 (en) | 2012-05-10 | 2015-12-08 | Intel Corporation | Generating and/or receiving at least one packet to facilitate, at least in part, network path establishment |
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| JP2741837B2 (ja) * | 1993-08-06 | 1998-04-22 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 薄膜磁気抵抗ヘッド |
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| US5760584A (en) * | 1996-08-16 | 1998-06-02 | General Electric Company | Shield for MR system RF coil provided with multiple capacitive channels for RF current flow |
| US5822153A (en) * | 1997-01-03 | 1998-10-13 | Censtor Corp. | Hard disk drive having contact write and recessed magnetorestive read head |
-
1997
- 1997-09-18 JP JP25383197A patent/JP3576361B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-01-15 US US09/007,572 patent/US6046890A/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6046890A (en) | 2000-04-04 |
| JP3576361B2 (ja) | 2004-10-13 |
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