JP3576361B2 - 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録再生装置 - Google Patents

磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録再生装置 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気抵抗効果型ヘッドと及び磁気記録再生装置に関し、特に、軟磁性シールドを備える磁気抵抗効果型ヘッドと、そのような磁気抵抗効果型ヘッドを備えた磁気記録再生装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
磁界変化を磁気抵抗効果素子を用いて検出する磁気抵抗効果型ヘッドの中には、軟磁性シールドを備えたものが存在している。図9に、そのような磁気抵抗効果型ヘッドの概略構成を示す。図示したように、この種の磁気抵抗効果型ヘッドは、磁気抵抗効果素子21並びに素子端子22が、第1、第2ギャップ23、24を介して、上部シールド25と下部シールド26に挟まれ、下部シールド26がスライダ保護膜27を介してスライダ28に接続された構成を有する。
【0003】
磁気抵抗効果素子21としては、スピンバブル素子或いは異方性磁気抵抗効果素子が用いられており、第1ギャップ23と第2ギャップ24、スライダ保護膜27としては、それぞれ、絶縁材料(通常、アルミナ(Al))からなる膜が用いられている。また、上部シールド25と下部シールド26としては、高透磁率を持つ磁性材料(通常、NiFe)からなる膜が用いられ、スライダ28としては、アルチック(Al・TiC)などからなるものが用いられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
周知のように、上記したような磁気抵抗効果型ヘッドは、薄膜プロセスによって形成された後、人手による机上での作業に供される。この際、人体には、100V程度の静電気が発生することがあるため、その静電気が、磁気抵抗効果素子11と素子端子12からなる部分(以下、変換素子部と表記する)とスライダ18間に印加され、変換素子部と下部シールド16との間で放電が起こり、その結果として、ヘッドが破壊されてしまう(性能が劣化してしまう)ことがあった。
【0005】
このような問題を解決するために、特開平9−44820号公報では、素子端子と下部シールドの間に、50pF程度の容量を有する誘電体を設けることが提案されている。以下、図10を用いて、この公報に記載の磁気抵抗効果型ヘッドの構成並びに製造手順を簡単に説明する。
【0006】
特開平9−44820号公報記載の技術では、まず、図10(a)に示してあるように、スライダ基板28上に、アルミナを堆積することによってスライダ保護膜27が形成される。次いで、図10(b)に示してあるように、NiFeを堆積することによって下部シールド26が形成される。
【0007】
その後、図10(c)に示してあるように、浮上面(図において下側)付近に、アルミナ等堆積することによって第2ギャップ24の一部をなすことになる絶縁膜24を形成し、さらに、図10(d)に示してあるように、絶縁膜24と共に第2ギャップ24を構成する誘電体膜24が形成される。その後、図10(e)に示したように、磁気抵抗効果素子21が絶縁膜24上に形成される。
【0008】
磁気抵抗効果素子21の形成後、図10(f)に示してあるように、その抵抗変化を検出するための素子端子22が形成される。次いで、図10(g)、(h)に示したように、第1ギャップ23、上部シールド25が形成され、磁気抵抗効果型ヘッドが得られる。
【0009】
このような手順で形成された磁気抵抗効果型ヘッドは、素子端子21と下部シールド26間の容量が大きくなるので、磁気抵抗効果素子21と下部シールド26間で放電が生じにくくなる。しかしながら、この磁気抵抗効果型ヘッドでは、第2ギャップ24を2種の膜を組み合わせて形成しなければならないため、製造プロセスが複雑なものとなっていた。
【0010】
そこで、本発明の課題は、静電耐圧が高く、かつ、製造が容易な磁気抵抗効果型ヘッドを提供することにある。
また、本発明の他の課題は、そのような磁気抵抗効果型ヘッドを備えた磁気記録再生装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明では、軟磁性材料からなる上部シールドと下部シールドの間に、第1絶縁層と第2絶縁層を介して磁気抵抗効果素子が挟まれ、下部シールドが絶縁体であるスライダ保護膜を介してスライダに接続された構造を有する磁気抵抗効果型ヘッドを、磁気抵抗効果素子と下部シールドとの間の静電容量が、下部シールドとスライダとの間の静電容量の6.3倍以上となるように構成する。
【0012】
より具体的には、本発明では、磁気抵抗効果型ヘッドを製造するに際して、▲1▼磁気抵抗効果素子と下部シールドとの間の容量(以下、ギャップ容量と表記する)が大きくなる材料を用いて第2絶縁層を形成する、▲2▼下部シールドとスライダ間の容量(以下、保護膜容量と表記する)が小さくなる材料を用いてスライダ保護膜を形成する、▲3▼ギャップ容量が大きくなる材料を用いて第2絶縁層を形成するとともに、保護膜容量が小さくなる材料を用いてスライダ保護膜を形成する、▲4▼スライダと第2シールドの間隔が浮上面側よりも内部のほうがより広くなる形状を有したスライダ保護膜を用いる、といったいずれかの構成(方法)を採用することによって、磁気抵抗効果素子と下部シールドとの間の容量が下部シールドとスライダとの間の容量の6.3倍以上となるようにする。
【0013】
磁気抵抗効果型ヘッドをこのような構成とすれば、100V程度の電圧が磁気抵抗効果素子とスライダ間に印加された場合に、磁気抵抗効果素子と下部シールドとの間に印加される電圧を放電開始電圧以下とすることができる。従って、人手による作業時に静電気による破壊が生じにくい磁気抵抗効果型ヘッドが得られることになる。また、その結果として、本磁気抵抗効果型ヘッドを用いれば、正常に機能する磁気記録再生装置を極めて簡単に(歩留り良く)製造できることになる。
【0014】
また、▲1▼〜▲3▼の構成を有する磁気抵抗効果型ヘッドは、通常の磁気抵抗効果型ヘッドの製造プロセスと同じ工程数の製造プロセスで実現できる。さらに、▲1▼の構成を採用する場合には、第2絶縁層を、比誘電率が13.5以上の材料で形成すれば、静電耐圧の高い磁気抵抗効果型ヘッドを、第2絶縁層を除く各部のそれまで採用していた形状、材料を変えることなく実現できることになる。また、▲2▼の構成を採用する場合にも、スライダ保護膜を、比誘電率が4.4以下の材料で形成すれば、静電耐圧の高い磁気抵抗効果型ヘッドを、スライダ保護膜を除く各部のそれまで採用していた形状、材料を変えることなく実現できることになる。
【0015】
▲4▼の構成を有する磁気抵抗効果型ヘッドは、▲1▼〜▲3▼の構成を有する磁気抵抗効果型ヘッドに比して、その製造プロセスが複雑となる。しかしながら、2種の膜を隣接させて形成する必要はないので、▲4▼の構成を有する磁気抵抗効果型ヘッドは、特開平9−44820号公報記載の磁気抵抗効果型ヘッドよりも容易に形成できるものとなっている。また、▲4▼の構成を採用する場合には、スライダ保護膜材料をアルミナとしたままでも、静電耐圧の高い磁気抵抗効果型ヘッドを実現できることにもなる。
【0016】
なお、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドを実現する際に用いる磁気抵抗効果素子は、スピンバブル素子であっても、異方性磁気抵抗効果素子であっても良い。また、第2絶縁層、スライダ保護膜の形成に用いられる材料は、結果として、磁気抵抗効果素子と下部シールドとの間の容量を、下部シールドとスライダとの間の容量の6.3倍以上と出来るものであれば良い。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して具体的に説明する。
まず、図1及び図2を用いて、後述する各実施例の磁気抵抗効果型ヘッドの構成を決定するために行ったシミュレーションの説明を行うことにする。
【0018】
既に説明したように、磁気抵抗効果型ヘッドに関する作業時に、磁気抵抗効果素子並びに素子端子とスライダとの間には、100V程度の電圧がかかることがある。このため、本発明者らは、まず、図1に模式的に示したように、磁気抵抗効果素子11及び素子端子12(以下、変換素子部と表記する)とスライダ18との間にかかる電圧が100Vであるときに変換素子部と下部シールド16との間にかかる電圧ΔV(以下、第2ギャップ間電圧と表記する)が、磁気抵抗効果型ヘッド10の構造に応じてどのように変化するかを、回路シミュレータ「SPICE」を用いてシミュレートした。なお、シミュレーションで用いた磁気抵抗効果型ヘッドの回路モデルは、例えば、“EOS/ESD SYMPOSIUM 95”p.322−330に記載の論文で用いられているモデルと同様のものであるため、その詳細についての説明は省略する。
【0019】
シミュレーションの結果、変換素子部と下部シールド16との間の静電容量Cg(以下、ギャップ容量と表記する)と下部シールド16とスライダ18との間の静電容量Cs(以下、保護膜容量と表記する)の比Cg/Csと、第2ギャップ間電圧ΔVとの間には、図2に示した関係があることが分かった。
【0020】
一方、間隔が狭い(数μm以下の)2つの電極間の放電は、電界放出機構による電子の放出の影響を大きく受けることが知られている。そして、その電界放出条件は、電極によらず、電極間に75MV/m(V/μm)を越える電界が印加されたときに生じることも知られている(例えば、電子通信学会論文誌’83/11 Vol J66−C No.11 pp508−812)。また、一般に電極間に電圧が印加されたとき、電界強度が最も強くなるのは、電極の角の部分であることも知られている。そして、電極間が真空(空気)の場合と、電極間に比誘電率がεの誘電体が存在する場合とでは、電極の帯電量が同じとき、前者の電界強度が後者の電界強度のε倍となることも知られている。
【0021】
従って、誘電体であり、かつ、幅の狭い(厚さの薄い)第2ギャップ14が設けられている磁気抵抗効果型ヘッドでは、磁気抵抗効果素子11と下部シールド16間に75MV/mを越える電界が印加されたときに、磁気抵抗効果素子11あるいは下部シールド16の浮上面に接する角の部分から空気を伝わって放電が生ずることになる。
【0022】
すなわち、第2ギャップ14の厚さが0.1μmであるとすると、第2ギャップ14の材料によらず、第2ギャップ間電圧△Vが7.5V以上となったときに放電が生ずることになる。
【0023】
このため、人手による作業時に、0.1μm厚の第2ギャップ14において放電が生じないようにするためには、図2から明らかなように、磁気抵抗効果型ヘッドのギャップ容量Cgと保護膜容量Csの比Cg/Csを、6.3以上とすれば良いことになる。なお、本発明者らが以前に製造していた、各ギャップ、スライダ保護膜がアルミナからなる磁気抵抗効果型ヘッド(以下、従来型磁気抵抗効果型ヘッドと表記する)のCg/Csは3.6となっており、図2からも、このヘッドが静電気による破壊が生じ易いヘッドであることが確認された。
【0024】
さて、容量比Cg/Csを6.3以上とするためには、保護膜容量Csを小さくする、ギャップ容量Cgを大きくする、保護膜容量Csを小さくするとともに、ギャップ容量Cgを大きくする、といった方法が採用できる。
【0025】
ただし、保護膜容量Csを小さくするために、スライダ保護膜17の厚さ(図1における横方向の長さ)を単に増やしたのでは、媒体上の突起状欠陥の磁気抵抗効果素子への衝突によって生ずるノイズ(サーマルアスピリティ)の発生頻度が多くなってしまう。具体的には、サーマルアスピリティの発生を防ぐためには、スライダ18と磁気抵抗効果素子11との間の距離を6μm以下とすることが望ましいことが知られている。そして、下部シールド16には1μm程度の厚さが必要とされるので、結局、スライダ保護膜17には、その厚さが5μm以下であることが必要とされることになる(現在、製造されている磁気抵抗効果型ヘッドのスライダ保護膜の厚さは、4.5〜5μmである)。このため、スライダ保護膜17の厚さを単に増やすことによって、保護膜容量Csを小さくすることは好ましくない。
【0026】
そこで、本発明の一実施形態では、比誘電率εが4.4以下の材料からなるスライダ保護膜17を磁気抵抗効果型ヘッド10に具備させる。そのような材料からなるスライダ保護膜17を用いると保護膜容量Csは、アルミナ(ε≒7.7)からなる同形状のスライダ保護膜が用いられた場合の保護膜容量のおよそ57%以下となる。従って、製造される磁気抵抗効果型ヘッドのCg/Csを、アルミナからなるスライダ保護膜を有している従来型磁気抵抗効果型ヘッドのCg/Cs(3.6)の1.75倍の6.3とすることが出来る。
【0027】
このように、比誘電率εが4.4以下の材料でスライダ保護膜17を形成すれば、他の部分の形状及び材料、スライダ保護膜の形状を変えることなく、静電気による破壊が生じにくい(容量比Cg/Csが6.3以上となる)磁気抵抗効果型ヘッドを得ることが出来る。また、その磁気抵抗効果型ヘッドは、スライダ保護膜17形成時に用いる原料を変えるだけで製造できることにもなる。
【0028】
なお、比誘電率εが4.4以下の材料としては、ポリエチレン(ε≒2.3)、ポリプロピレン(ε≒2.0)、ポリスチレン(ε≒2.5)、ポリカーボネート(ε≒2.9)、フッ素樹脂(ε≒2.4)、石英ガラス(ε≒3.5)などがあり、いずれもスライダ保護膜17の形成に用いることが出来る。
【0029】
また、本発明の他の実施形態では、比誘電率εが13.5以上の材料からなる第2ギャップ14を磁気抵抗効果型ヘッドに具備させる。そのような材料からなる第2ギャップ14を用いると、ギャップ容量Cgは、アルミナ(ε≒7.7)からなる同形状の第2ギャップが用いられている場合におけるギャップ容量の1.75倍以上となる。従って、製造される磁気抵抗効果型ヘッドのCg/Csは、アルミナからなる第2ギャップを有している従来型磁気抵抗効果型ヘッドのCg/Csの1.75倍の6.3となる。
【0030】
すなわち、比誘電率εが13.5以上ので第2ギャップ14を形成すれば、他の部分の形状及び材料、第2ギャップ14の形状を変えることなく、静電気による破壊が生じにくい磁気抵抗効果型ヘッドを得ることが出来ることになる。また、その磁気抵抗効果型ヘッドは、第2ギャップ14の形成時に用いる原料を変えるだけで製造できることにもなる。
【0031】
なお、比誘電率εが13.5以上の材料としては、常誘電体であるポリイミド(ε≒35)、炭化ケイ素(ε≒40)、強誘電体である酸化チタン(ε≒100)、チタン酸バリウム系酸化物(ε≒1200)、チタン酸ストロンチウム系酸化物(ε≒300)、チタン酸カルシウム系酸化物(ε≒150)、反強誘電体材料であるニオブ酸ナトリウム系酸化物(ε≒80)などがあり、いずれも第2ギャップ14の形成に用いることが出来る。
【0032】
本発明の他の実施形態では、スライダ保護膜17の形成に比較的大きな誘電率を持つ材料を用いるとともに、第2材料の形成に比較的小さな誘電率を持つ材料を用いることにより、容量比Cg/Csが6.3以上となるようにする。この形態を採用した場合、誘電率が13.5以下の材料を第2ギャップ14の形成に用いて従来と同形状の磁気抵抗効果型ヘッドを製造することも、誘電率が4.4以上の材料をスライダ保護膜17の形成に用いて従来と同形状の磁気抵抗効果型ヘッドを製造することもできることになる。
【0033】
さらに、本発明の他の実施形態では、スライダと下部シールドの間隔が浮上面側よりも内部のほうがより広くなる形状を有しているスライダ保護膜を具備させることによって、容量比Cg/Csが6.3以上となる磁気抵抗効果型ヘッドを実現する。すなわち、サーマルアスピリティに関する特性を劣化させないために、浮上面でのスライダ保護膜の厚さを、例えば5μm程度としておくとともに、浮上面での厚さよりも内部での厚さの方が大きくなる形状をスライダ保護膜に与えることによって、保護膜容量を増大させ、Cg/Csが6.3以上となるようにする。
【0034】
この形態を採用した場合には、従来と同様に、スライダ保護膜の形成にアルミナを用いても、静電耐圧の高い磁気抵抗効果型ヘッドが製造できることになる。そして、図3に示したように、上述したような各形態の磁気抵抗効果型ヘッド10を、磁気記録媒体31、制御系32等と組み合わせて磁気記録再生装置30を製造すれば、正常に機能する磁気記録再生装置を極めて簡単に(歩留り良く)製造できることになる。
【0035】
【実施例】
<第1実施例>
図4に、本発明の第1実施例による磁気抵抗効果型ヘッドの構成を示す。図示したように、第1実施例の磁気抵抗効果型ヘッドは、従来の磁気抵抗効果型ヘッドと同様に、磁気抵抗効果素子11並びに素子端子12が、第1、第2ギャップ13、14を介して、上部シールド15と下部シールド16に挟まれ、下部シールド16がスライダ保護膜17を介してスライダ18に接続された構成を有する。また、第1、第2ギャップ13、14を除く各部の形状、構成材料も、従来の磁気抵抗効果型ヘッドと同様のものとなっている。例えば、下部シールド16としては、厚さ1μmのNiFeが用いれており、スライダ保護膜17としては厚さ5μmのアルミナが用いられている。
【0036】
ただし、本実施例では、第1、第2ギャップ13、14を、アルミナ(比誘電率ε=7.7)ではなく炭化ケイ素(比誘電率ε=40)を用いて形成している。
【0037】
具体的には、本実施例では、まず、図5(a)に示してあるように、スライダ基板18上に、アルミナを5μm厚堆積することによってスライダ保護膜17を形成した。次いで、図5(b)に示してあるように、NiFeを1μm厚堆積することによって下部シールド16を形成した。
【0038】
その後、図5(c)に示してあるように、炭化ケイ素を0.1μm厚堆積することによって第2ギャップ14を形成し、さらに、図5(d)に示してあるように、磁気抵抗効果素子11を形成した。なお、本実施例では、磁気抵抗効果素子11として、いわゆる、スピンバブル素子を形成している。すなわち、図5(d)に示した工程では、磁性層、中間層、磁性層、反強磁性層の積層構造(スピンバブル素子)が製造されている。
【0039】
磁気抵抗効果素子11の形成後、図5(e)に示してあるように、その抵抗変化を検出するための素子端子12(Ti/Au/Ti)を形成した。次いで、図5(f)、(g)に示したように、炭化ケイ素、NiFeを順次堆積することにより、第1ギャップ13、上部シールド15を形成し、図4に示した構成を有する磁気抵抗効果型ヘッドを得ている。
【0040】
このように、本実施例の磁気抵抗効果型ヘッドは、炭化ケイ素(比誘電率ε=40)で構成された第2ギャップ14を有しているので、第2ギャップ14の容量Cgとスライダ保護膜17の容量Csの比Cs/Cgは、およそ、19となる。このため、机上での作業時に素子端子・スライダ間に100V程度の電圧が加わっても、本磁気抵抗効果型ヘッドの第2ギャップ間電圧は、2.5V程度になるだけであり(図2参照)、放電は生じないことになる。実際、製造した磁気抵抗効果型ヘッドは、素子端子・スライダ間に100Vの電圧を意図的に印加しても放電が生じないものとなっていた。
【0041】
<第2実施例>
図6に、第2実施例の磁気抵抗効果型ヘッドの構成を示す。図示したように、第2実施例の磁気抵抗効果型ヘッドは、通常の磁気抵抗効果型ヘッドと同様に、磁気抵抗効果素子11(本実施例では、異方性磁気抵抗効果素子)並びに素子端子12が、第1、第2ギャップ13、14を介して、上部シールド15と下部シールド16に挟まれ、下部シールド16がスライダ保護膜17を介してスライダ18に接続された構成を有する。また、スライダ保護膜17を除く各部の形状、構成材料も、通常の、異方性磁気抵抗効果素子を備えた磁気抵抗効果型ヘッドと同様のものとなっている。例えば、第2ギャップ14としては、厚さ0.1μmのアルミナを用いており、下部シールド16としては、厚さ1μmのNiFeを用いている。
【0042】
ただし、本実施例では、スライダ保護膜17として、形状は従来のそれと同様のものであるが、アルミナではなく、ポリエチレン(比誘電率ε=2.3)からなるものを用いている。なお、本実施例の磁気抵抗効果型ヘッドの製造プロセスは、第1実施例のそれとほぼ同じであるので、その説明は省略する。
【0043】
このため、第2実施例の磁気抵抗効果型ヘッドの保護膜容量は、アルミナ(比誘電率ε=7.7)からなるスライダ保護膜を用いた場合の保護膜容量の約30%となっている。従って、本磁気抵抗効果型ヘッドにおける第2ギャップ14とスライダ保護膜17との容量比Cg/Csは、従来型の磁気抵抗効果型ヘッドの容量比のおよそ3.3倍である12となる。このため、本磁気抵抗効果型ヘッドの第2ギャップ間電圧は、机上での作業時に素子端子・スライダ間に100V程度の電圧が加わっても、放電が起こらない3.9V程度までしか上昇しないことになる(図2参照)。なお、本実施例の磁気抵抗効果型ヘッドに関しても、素子端子・スライダ間に100Vの電圧を意図的に印加することによって、放電が生じないものであることを確認している。
【0044】
<第3実施例>
図7に、第3実施例の磁気抵抗効果型ヘッドの構成を示す。図示したように、第3実施例の磁気抵抗効果型ヘッドは、通常の磁気抵抗効果型ヘッドと同様に、磁気抵抗効果素子11(本実施例では、スピンバブル素子)並びに素子端子12が、第1、第2ギャップ13、14を介して、上部シールド15と下部シールド16に挟まれ、下部シールド16がスライダ保護膜17を介してスライダ18に接続された構成を有する。また、第1、第2ギャップ13、14、スライダ保護膜17を除く各部の形状、構成材料も、通常の、異方性磁気抵抗効果素子を備えた磁気抵抗効果型ヘッドと同様のものとなっている。
【0045】
ただし、本実施例では、スライダ保護膜17を、アルミナではなく、石英ガラス(比誘電率ε≒3.5)で形成しており、第1、第2ギャップ13、14を、ポリイミド(比誘電率ε≒35)で形成している。
【0046】
このため、本磁気抵抗効果型ヘッドは、第2ギャップ14とスライダ保護膜17との容量比Cg/Csがおよそ36となっており、図2から明らかなように、素子端子・スライダ間に100V程度の電圧が加わっても、第2ギャップ間電圧が1.3V程度までしか上昇しないヘッドとなっている。
【0047】
<第4実施例>
図8に、本発明の第4実施例による磁気抵抗効果型ヘッドの概略構成を示す。図示してあるように、第4実施例の磁気抵抗効果型ヘッドのスライダ18′、スライダ保護膜17′は、第1ないし第3実施例の磁気抵抗効果型ヘッドのスライダ18、スライダ保護膜17とは異なる形状を有している。
【0048】
以下、この磁気抵抗効果型ヘッドの製造手順を簡単に説明する。本実施例では、スライダ保護膜17′を形成するためにアルミナを用いることを前提として、まず、誘電率ε≒7.7の材料で、浮上面側の厚さが5μmであり、かつ、Cg/Cs≒6.5とすることが出来るスライダ保護膜17′の形状を求めた。次いで、その形状が形成できるように、スライダ18′となる基板を加工することによって、基板に凹部を形成した。そして、加工が施された基板上に、アルミナを堆積することによってスライダ保護膜17′を形成し、その後、第1実施形態と同様の手順で、下部シールド16、第2ギャップ13等を形成することによって、図示した磁気抵抗効果型ヘッドを得ている。
【0049】
すなわち、本実施例では、突起物との衝突によるノイズの発生を防止できる状態を維持したままで、スライダ保護膜の実効的な膜厚を増やすために、スライダ保護膜の形状を、スライダと下部シールドの間隔が浮上面側よりも内部のほうがより広くなるものとしている。このような構成としても、Cg/Csを6.3以上とすることが出来るので、静電破壊が生じにくい磁気抵抗効果型ヘッドが得られることになる。
【0050】
<変形例>
各実施例に示した磁気抵抗効果型ヘッドは各種の変形が可能である。例えば、第1実施形態では、第1、第2ギャップを共に炭化ケイ素を用いて形成しているが、第2ギャップのみの形成に炭化ケイ素を用いて、第1ギャップの形成に他の材料(例えば、アルミナ)を用いても良い。第3実施形態についても同様に、第1ギャップを第2ギャップとは異なる材料を用いて形成しても良い。
【0051】
また、第4実施例では、スライダ保護膜の材料としてアルミナを用いているが、比誘電率がより低い材料を用いれば、基板の加工量を低減すること、あるいは、Cg/Csの値をより大きくすることが出来る。また、同実施例では、基板に凹部を形成しているが、基板に凸部を形成することによって、図8に示したような構成を実現することも出来る。また、スライダとスライダ保護膜の界面を平面としておき、その上に、浮上面側の厚さの方が薄いスライダ保護膜を形成することによって、浮上面における下部シールドとスライダの間隔を5μm程度に維持したままで、Cg/Csが6.3以上となるようにしても良い。さらに、スライダとスライダ保護膜界面、スライダ保護膜と下部シールド界面が共に弯曲しているような構成を採用することも出来る。ただし、これらの場合、下部シールド上への第2ギャップ、磁気抵抗効果素子等の形成が困難なものとなるので、第4実施例のように、平坦な下部シールドが形成されるようにしておくことが望ましい。
【0052】
【発明の効果】
本発明によれば、人手による作業時に静電破壊が生じにくく、かつ、簡単に製造できる磁気抵抗効果型ヘッドを得ることが出来る。また、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドを用いれば、正常に機能する磁気記録再生装置を極めて簡単に製造できることになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態を説明するための図である。
【図2】ギャップ容量/保護膜容量と第2ギャップ間電圧の関係を示した図である。
【図3】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドを用いて形成される磁気記録再生装置の概略構成図である。
【図4】本発明の第1実施例による磁気抵抗効果型ヘッドの概略構成図である。
【図5】第1実施例の磁気抵抗効果型ヘッドの製造プロセスの説明図である。
【図6】本発明の第2実施例による磁気抵抗効果型ヘッドの概略構成図である。
【図7】本発明の第3実施例による磁気抵抗効果型ヘッドの概略構成図である。
【図8】本発明の第4実施例による磁気抵抗効果型ヘッドの概略構成図である。
【図9】従来の磁気抵抗効果型ヘッドの概略構成図である。
【図10】特開平9−44820号公報に記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造プロセスの説明図である。
【符号の説明】
10 磁気抵抗効果型ヘッド
11、21 磁気抵抗効果素子
12、22 素子端子
13、23 第1ギャップ
14、24 第2ギャップ
15、25 上部シールド
16、26 下部シールド
17、27 スライダ保護膜
18、28 スライダ、スライダ基板
30 磁気記録再生装置
31 磁気記録媒体
32 制御系

Claims (13)

  1. 軟磁性材料からなる上部シールドと下部シールドの間に、第1絶縁層と第2絶縁層を介して磁気抵抗効果素子が挟まれ、前記下部シールドが絶縁体であるスライダ保護膜を介してスライダに接続された構造を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、
    前記磁気抵抗効果素子と前記下部シールドとの間の静電容量が、前記下部シールドと前記スライダとの間の静電容量の6.3倍以上である
    ことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
  2. 前記第2絶縁層が、比誘電率が13.5以上の材料からなることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
  3. 前記第2絶縁層が、ポリイミド、炭化ケイ素のいずれかからなることを特徴とする請求項2記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
  4. 前記第2絶縁層が、強誘電体材料からなることを特徴とする請求項2記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
  5. 前記強誘電体材料が、酸化チタン、チタン酸バリウム系酸化物、チタン酸ストロンチウム系酸化物、チタン酸カルシウム系酸化物のいずれかであることを特徴とする請求項4記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
  6. 前記第2絶縁層が、反強誘電体材料からなることを特徴とする請求項2記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
  7. 前記反強誘電体材料が、ニオブ酸ナトリウム系酸化物であることを特徴とする請求項6記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
  8. 前記スライダ保護膜が、前記スライダと前記下部シールドの間隔が浮上面側よりも内部のほうがより広くなる形状を有していることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
  9. 前記スライダ保護膜が、比誘電率が4.4以下の材料からなることを特徴とする請求項
    1記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
  10. 前記材料が、石英ガラス、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、フッ素樹脂のいずれかであることを特徴とする請求項9記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
  11. 前記磁気抵抗効果素子が、スピンバブル素子であることを特徴とする請求項1ないし請求項10のいずれかに記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
  12. 前記磁気抵抗効果素子が、異方性磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項1ないし請求項10のいずれかに記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
  13. 請求項1ないし請求項12のいずれかに記載の磁気抵抗効果型ヘッドを備えたことを特徴とする磁気記録再生装置。
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