JPH1180852A - 低α線量錫の製造方法 - Google Patents
低α線量錫の製造方法Info
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- JPH1180852A JPH1180852A JP23688397A JP23688397A JPH1180852A JP H1180852 A JPH1180852 A JP H1180852A JP 23688397 A JP23688397 A JP 23688397A JP 23688397 A JP23688397 A JP 23688397A JP H1180852 A JPH1180852 A JP H1180852A
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- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 52
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 title abstract description 10
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000009991 scouring Methods 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000010439 graphite Substances 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 238000007670 refining Methods 0.000 abstract description 5
- 230000006698 induction Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 abstract description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 abstract description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 38
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 2-naphthol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005262 alpha decay Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000005255 beta decay Effects 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N n'-hydroxy-2-propan-2-ylsulfonylethanimidamide Chemical compound CC(C)S(=O)(=O)CC(N)=NO LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910001174 tin-lead alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000700 radioactive tracer Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000004347 surface barrier Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 低α線量錫の製造方法を提供する。
【解決手段】 錫とα線量が１０ｃｐｈ／ｃｍ2 以下の
鉛を合金化した後、錫に含まれる鉛を除去する精錬を行
う。
鉛を合金化した後、錫に含まれる鉛を除去する精錬を行
う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、α線量の極めて
少ない低α線量錫の製造方法に関するものであり、特に
電子部品を製造するための、はんだ、スパッタリングタ
ーゲットまたは化学蒸着材料などの原料として用いるα
線量が０．０００５ｃｐｈ／ｃｍ2 未満の低α線量錫の
製造方法に関するものである。
少ない低α線量錫の製造方法に関するものであり、特に
電子部品を製造するための、はんだ、スパッタリングタ
ーゲットまたは化学蒸着材料などの原料として用いるα
線量が０．０００５ｃｐｈ／ｃｍ2 未満の低α線量錫の
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、錫は、はんだの原料であること
は知られており、はんだは半導体メモリーにおけるチッ
プと基板の接合など半導体装置の製造に使用されてい
る。これら半導体装置は、近年、ますます高密度化およ
び高容量化する傾向にあり、それに伴って、はんだから
放射されるα線がソフトエラーの発生に大きな影響を及
ぼすようになってきた。そのため、半導体装置の製造に
使用されるはんだはα線量が少ないものが望まれてお
り、はんだの原料となる錫についても低α線量の錫が求
められている。
は知られており、はんだは半導体メモリーにおけるチッ
プと基板の接合など半導体装置の製造に使用されてい
る。これら半導体装置は、近年、ますます高密度化およ
び高容量化する傾向にあり、それに伴って、はんだから
放射されるα線がソフトエラーの発生に大きな影響を及
ぼすようになってきた。そのため、半導体装置の製造に
使用されるはんだはα線量が少ないものが望まれてお
り、はんだの原料となる錫についても低α線量の錫が求
められている。
【０００３】低α線量錫を得る方法として、（ａ）９
９．９５重量％以上の品位を有する錫をアノードとし、
電解液としてＳｎ：３０〜１５０ｇ／ｌ、放射性同位元
素をほとんど含有しないスルファミン酸：３０〜２００
ｇ／ｌを用い、カソード電流密度：０．５〜２．０Ａｍ
ｐ／ｄｍ2 、液温度：１５〜５０℃の条件で電解を行う
方法（特公昭６２−１４７８号公報参照）、（ｂ）ＪＩ
Ｓ−Ｋ ８９５１に規定される試薬特級硫酸の規格に適
合する濃硫酸を用いて作製された５０〜２８０ｇ／ｌの
硫酸電解液中で、品位が９９．９０重量％以上である錫
を陽極に用いて電解を行う方法（特開平１−２８３３９
８号公報参照）などが知られている。
９．９５重量％以上の品位を有する錫をアノードとし、
電解液としてＳｎ：３０〜１５０ｇ／ｌ、放射性同位元
素をほとんど含有しないスルファミン酸：３０〜２００
ｇ／ｌを用い、カソード電流密度：０．５〜２．０Ａｍ
ｐ／ｄｍ2 、液温度：１５〜５０℃の条件で電解を行う
方法（特公昭６２−１４７８号公報参照）、（ｂ）ＪＩ
Ｓ−Ｋ ８９５１に規定される試薬特級硫酸の規格に適
合する濃硫酸を用いて作製された５０〜２８０ｇ／ｌの
硫酸電解液中で、品位が９９．９０重量％以上である錫
を陽極に用いて電解を行う方法（特開平１−２８３３９
８号公報参照）などが知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの方法
で得られた錫のα線量は十分に低くはなく、例えば、前
記（ａ）の電解により得られた錫のα線量は０．２ｃｐ
ｈ／ｃｍ2 以下であり、さらに（ｂ）の電解により得ら
れた錫のα線量は０．０３ｃｐｈ／ｃｍ2 以下であっ
て、現在のところ、錫のα線量を０．００１ｃｐｈ／ｃ
ｍ2 以下に下げることのできる技術はなく、なお一層の
低α線量の錫が求められていた。
で得られた錫のα線量は十分に低くはなく、例えば、前
記（ａ）の電解により得られた錫のα線量は０．２ｃｐ
ｈ／ｃｍ2 以下であり、さらに（ｂ）の電解により得ら
れた錫のα線量は０．０３ｃｐｈ／ｃｍ2 以下であっ
て、現在のところ、錫のα線量を０．００１ｃｐｈ／ｃ
ｍ2 以下に下げることのできる技術はなく、なお一層の
低α線量の錫が求められていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
従来よりも一層の低α線量錫を得るべく研究を行った結
果、（イ）通常の錫から放射されるα線源は、不純物と
して含まれるＰｂの内の放射性核種である210 Ｐｂの孫
核種210 Ｐｏがほとんどである、（ロ）前記210 Ｐｂの
含有量の少ない錫は、通常の錫にα線量が１０ｃｐｈ／
ｃｍ2 以下の鉛を合金化して錫−鉛合金を製造した後、
得られた錫−鉛合金を各種の方法（たとえば、従来の前
記（ａ）または（ｂ）の方法）で精製すると、合金化し
たＰｂを除去することができるだけでなく、210 Ｐｂを
も除去することができ、従来よりも一層α線量の少ない
低α線量錫を得ることができる、などの研究結果が得ら
れたのである。
従来よりも一層の低α線量錫を得るべく研究を行った結
果、（イ）通常の錫から放射されるα線源は、不純物と
して含まれるＰｂの内の放射性核種である210 Ｐｂの孫
核種210 Ｐｏがほとんどである、（ロ）前記210 Ｐｂの
含有量の少ない錫は、通常の錫にα線量が１０ｃｐｈ／
ｃｍ2 以下の鉛を合金化して錫−鉛合金を製造した後、
得られた錫−鉛合金を各種の方法（たとえば、従来の前
記（ａ）または（ｂ）の方法）で精製すると、合金化し
たＰｂを除去することができるだけでなく、210 Ｐｂを
も除去することができ、従来よりも一層α線量の少ない
低α線量錫を得ることができる、などの研究結果が得ら
れたのである。
【０００６】この発明は、かかる研究結果に基づいて成
されたものであって、（１）錫とα線量が１０ｃｐｈ／
ｃｍ2 以下の鉛を合金化した後、錫に含まれる鉛を除去
する精練を行う低α線量錫の製造方法、に特徴を有する
ものである。
されたものであって、（１）錫とα線量が１０ｃｐｈ／
ｃｍ2 以下の鉛を合金化した後、錫に含まれる鉛を除去
する精練を行う低α線量錫の製造方法、に特徴を有する
ものである。
【０００７】錫と合金化する鉛のα線量を１０ｃｐｈ／
ｃｍ2 以下としたのは、錫と合金化する鉛のα線量が１
０ｃｐｈ／ｃｍ2 を越える鉛を使用すると、極微量残留
した鉛によるα線量が０．００１ｃｐｈ／ｃｍ2 以下に
下げることができなくなるところから、錫と合金化する
鉛のα線量を１０ｃｐｈ／ｃｍ2 以下と定めた。
ｃｍ2 以下としたのは、錫と合金化する鉛のα線量が１
０ｃｐｈ／ｃｍ2 を越える鉛を使用すると、極微量残留
した鉛によるα線量が０．００１ｃｐｈ／ｃｍ2 以下に
下げることができなくなるところから、錫と合金化する
鉛のα線量を１０ｃｐｈ／ｃｍ2 以下と定めた。
【０００８】その際、錫と合金化する鉛の量は、０．１
〜９９％の範囲内にあることが好ましい。したがって、
この発明は、（２）錫とα線量が１０ｃｐｈ／ｃｍ2 以
下の鉛を０．１〜９９％の範囲内で合金化した後、錫に
含まれる鉛を除去する精練を行う低α線量錫の製造方
法、に特徴を有するものである。
〜９９％の範囲内にあることが好ましい。したがって、
この発明は、（２）錫とα線量が１０ｃｐｈ／ｃｍ2 以
下の鉛を０．１〜９９％の範囲内で合金化した後、錫に
含まれる鉛を除去する精練を行う低α線量錫の製造方
法、に特徴を有するものである。
【０００９】この発明で錫とα線量が１０ｃｐｈ／ｃｍ
2 以下の鉛を合金化した後、錫に含まれる鉛を除去する
精練を行うと従来よりも低α線量の錫が得られる理由と
して、錫と合金化した鉛を除去する精練を行うことによ
り、錫に含まれている210 Ｐｂを除去することができ、
α線量の低い錫を作製することができたものと考えられ
る。
2 以下の鉛を合金化した後、錫に含まれる鉛を除去する
精練を行うと従来よりも低α線量の錫が得られる理由と
して、錫と合金化した鉛を除去する精練を行うことによ
り、錫に含まれている210 Ｐｂを除去することができ、
α線量の低い錫を作製することができたものと考えられ
る。
【００１０】錫のα線源が主に210 Ｐｂであるが、210
Ｐｂ量を直接測定することは難しい。従って、一般に、
210 Ｐｂから放射されるα線は、210 Ｐｂ（β崩壊）→
210Ｂｉ（β崩壊）→210 Ｐｏ（α崩壊）→206 Ｐｂの
ごとく崩壊する過程で210 Ｐｏがα崩壊して206 Ｐｂに
なる際に放射されるところから、錫中の210 Ｐｏ量を分
析により正確に測定し、この210 Ｐｏ量の測定値により
錫に含まれる210 Ｐｂ量を評価している。
Ｐｂ量を直接測定することは難しい。従って、一般に、
210 Ｐｂから放射されるα線は、210 Ｐｂ（β崩壊）→
210Ｂｉ（β崩壊）→210 Ｐｏ（α崩壊）→206 Ｐｂの
ごとく崩壊する過程で210 Ｐｏがα崩壊して206 Ｐｂに
なる際に放射されるところから、錫中の210 Ｐｏ量を分
析により正確に測定し、この210 Ｐｏ量の測定値により
錫に含まれる210 Ｐｂ量を評価している。
【００１１】
【発明の実施の形態】表面α線量が５ｃｐｈ／ｃｍ2 、
純度：９９．９９％の市販のＳｎと、表面α線量が１０
ｃｐｈ／ｃｍ2 、純度：９９．９９％の市販のＰｂを用
意し、ＳｎとＰｂを窒素雰囲気中、高純度黒鉛ルツボ内
で高周波誘導炉で溶解し、Ｓｎ−５ｗｔ％Ｐｂ合金を製
造した。
純度：９９．９９％の市販のＳｎと、表面α線量が１０
ｃｐｈ／ｃｍ2 、純度：９９．９９％の市販のＰｂを用
意し、ＳｎとＰｂを窒素雰囲気中、高純度黒鉛ルツボ内
で高周波誘導炉で溶解し、Ｓｎ−５ｗｔ％Ｐｂ合金を製
造した。
【００１２】実施例１ 前記Ｓｎ−５ｗｔ％Ｐｂ合金を高純度黒鉛ルツボに入
れ、これを真空蒸留装置に装入し、１０-3Ｔｏｒｒの真
空雰囲気中、９００℃で１０時間加熱した。この真空蒸
留装置は、ルツボの設置場所の真上に水で冷却された捕
集傘が設置されており、蒸発したＰｂは捕集傘内で凝固
し、Ｐｂが除去される。冷却後、高純度黒鉛ルツボ内に
残留したＳｎを取り出し、これを原料として同様に再度
真空蒸留したＳｎを１ｍｍの厚さに圧延し、Ｓｎ板を作
製した。
れ、これを真空蒸留装置に装入し、１０-3Ｔｏｒｒの真
空雰囲気中、９００℃で１０時間加熱した。この真空蒸
留装置は、ルツボの設置場所の真上に水で冷却された捕
集傘が設置されており、蒸発したＰｂは捕集傘内で凝固
し、Ｐｂが除去される。冷却後、高純度黒鉛ルツボ内に
残留したＳｎを取り出し、これを原料として同様に再度
真空蒸留したＳｎを１ｍｍの厚さに圧延し、Ｓｎ板を作
製した。
【００１３】このＳｎ板を３年経過させた後、この合金
板の４０００ｃｍ2 を試料とし、表面α線量を（株）住
化分析センター製（ＬＡＣＳ−４０００Ｍ、測定下限：
０．０００５ｃｐｈ／ｃｍ2 ）で９６時間測定した。こ
の装置の測定下限は０．０００５ｃｐｈ／ｃｍ2 であ
り、この装置では表面α線量を測定することができなか
ったところから、表面α線量は０．０００５ｃｐｈ／ｃ
ｍ2 未満であることが分かり、その結果を表１に示し
た。
板の４０００ｃｍ2 を試料とし、表面α線量を（株）住
化分析センター製（ＬＡＣＳ−４０００Ｍ、測定下限：
０．０００５ｃｐｈ／ｃｍ2 ）で９６時間測定した。こ
の装置の測定下限は０．０００５ｃｐｈ／ｃｍ2 であ
り、この装置では表面α線量を測定することができなか
ったところから、表面α線量は０．０００５ｃｐｈ／ｃ
ｍ2 未満であることが分かり、その結果を表１に示し
た。
【００１４】さらに、この３年経過させたＳｎ板：３ｇ
を試料とし、これを熱塩酸で溶解した液に、208 Ｐｏ溶
液を１ｄｐｍ（ｄｅｃａｙ／ｍｉｎ）添加し、０．５モ
ルＨＣｌ溶液に調整した後、銀板を６時間浸漬し、208
Ｐｏを銀板表面に電着させ、この銀板をシリコン表面障
壁型α線測定装置（ＳＳＢ、測定面積：７０ｃｍ2 、定
量下限：０．０１ｃｐｈ／ｃｍ2 ）を用いて、α線スペ
クトルを７日間測定し、トレーサー208 Ｐｏの量から
210 Ｐｏを測定した。この分析方法の定量下限は２ｄｐ
ｍ／ｋｇであり、この装置では210 Ｐｏを測定すること
ができなかったところから、試料の210 Ｐｏ量は２ｄｐ
ｍ／ｋｇ未満であることが分かり、その結果を表１に示
した。
を試料とし、これを熱塩酸で溶解した液に、208 Ｐｏ溶
液を１ｄｐｍ（ｄｅｃａｙ／ｍｉｎ）添加し、０．５モ
ルＨＣｌ溶液に調整した後、銀板を６時間浸漬し、208
Ｐｏを銀板表面に電着させ、この銀板をシリコン表面障
壁型α線測定装置（ＳＳＢ、測定面積：７０ｃｍ2 、定
量下限：０．０１ｃｐｈ／ｃｍ2 ）を用いて、α線スペ
クトルを７日間測定し、トレーサー208 Ｐｏの量から
210 Ｐｏを測定した。この分析方法の定量下限は２ｄｐ
ｍ／ｋｇであり、この装置では210 Ｐｏを測定すること
ができなかったところから、試料の210 Ｐｏ量は２ｄｐ
ｍ／ｋｇ未満であることが分かり、その結果を表１に示
した。
【００１５】さらに、この３年経過させたＳｎ板を試料
とし、これを熱塩酸に溶解し、得られた液をＩＣＰ（プ
ラズマ発光分光分析装置、定量下限：１ｐｐｍ）で分析
し、不純物Ｐｂ量を測定し、その結果を表１に示した。
とし、これを熱塩酸に溶解し、得られた液をＩＣＰ（プ
ラズマ発光分光分析装置、定量下限：１ｐｐｍ）で分析
し、不純物Ｐｂ量を測定し、その結果を表１に示した。
【００１６】なお、表面α線量および210 Ｐｏ量の測定
を精練後３年経過後の試料で行うのは、精練によりＳｎ
中の主放射性核種である210 Ｐｏが減少し、見掛上α線
量が減少する現象が存在するためであり、210 Ｐｏの親
核種である210 Ｐｂが壊変し、210 Ｐｏが放射平衡に達
するのに約２．３年かかり、３年経過後に測定すれば、
α線量も210 Ｐｏも真の値を測定することができるから
である。
を精練後３年経過後の試料で行うのは、精練によりＳｎ
中の主放射性核種である210 Ｐｏが減少し、見掛上α線
量が減少する現象が存在するためであり、210 Ｐｏの親
核種である210 Ｐｂが壊変し、210 Ｐｏが放射平衡に達
するのに約２．３年かかり、３年経過後に測定すれば、
α線量も210 Ｐｏも真の値を測定することができるから
である。
【００１７】従来例１ 市販のＳｎを単独で高純度黒鉛ルツボに入れ、これを真
空蒸留装置に装入し、１０-3Ｔｏｒｒの真空雰囲気中、
９００℃で１０時間加熱することを２度繰り返すことに
より、実施例１と同様にＰｂを蒸発させ、蒸発したＰｂ
は捕集傘内で凝固し、Ｐｂを除去し、冷却後、高純度黒
鉛ルツボ内に残留したＳｎを取り出し、１ｍｍの厚さに
圧延することによりＳｎ板を作製し、実施例１と同様に
３年経過後の表面α線量、210 Ｐｏおよび不純物Ｐｂ量
を測定し、その結果を表１に示した。
空蒸留装置に装入し、１０-3Ｔｏｒｒの真空雰囲気中、
９００℃で１０時間加熱することを２度繰り返すことに
より、実施例１と同様にＰｂを蒸発させ、蒸発したＰｂ
は捕集傘内で凝固し、Ｐｂを除去し、冷却後、高純度黒
鉛ルツボ内に残留したＳｎを取り出し、１ｍｍの厚さに
圧延することによりＳｎ板を作製し、実施例１と同様に
３年経過後の表面α線量、210 Ｐｏおよび不純物Ｐｂ量
を測定し、その結果を表１に示した。
【００１８】実施例２ 前記高純度黒鉛ルツボ内で高周波誘導炉で溶解して得ら
れたＳｎ−１ｗｔ％Ｐｂ合金をアノードとし、 液組成：Ｓｎ：３０ｇ／ｌ、スルファミン酸：１９６ｇ
／ｌ カソード電流密度：２．０Ａ／ｄｍ3 、 液温：３５℃、 の条件で電解することによりＰｂを除去し、カソードに
Ｓｎを析出させ、カソードのＳｎを実施例１と同様に圧
延して得られたＳｎ板の３年経過後の表面α線量、210
Ｐｏおよび不純物Ｐｂ量を実施例１と同様に測定し、そ
の結果を表１に示した。
れたＳｎ−１ｗｔ％Ｐｂ合金をアノードとし、 液組成：Ｓｎ：３０ｇ／ｌ、スルファミン酸：１９６ｇ
／ｌ カソード電流密度：２．０Ａ／ｄｍ3 、 液温：３５℃、 の条件で電解することによりＰｂを除去し、カソードに
Ｓｎを析出させ、カソードのＳｎを実施例１と同様に圧
延して得られたＳｎ板の３年経過後の表面α線量、210
Ｐｏおよび不純物Ｐｂ量を実施例１と同様に測定し、そ
の結果を表１に示した。
【００１９】従来例２ 市販のＳｎをアノードとし、実施例２と同じ条件で電解
することによりＰｂを除去し、カソードにＳｎを析出さ
せ、カソードのＳｎを実施例１と同様に圧延して得られ
たＳｎ板の３年経過後の表面α線量、210 Ｐｏおよび不
純物Ｐｂ量を実施例１と同様に測定し、その結果を表１
に示した。
することによりＰｂを除去し、カソードにＳｎを析出さ
せ、カソードのＳｎを実施例１と同様に圧延して得られ
たＳｎ板の３年経過後の表面α線量、210 Ｐｏおよび不
純物Ｐｂ量を実施例１と同様に測定し、その結果を表１
に示した。
【００２０】実施例３ 電解液として、ＪＩＳ−Ｋ ８９５１に規定される試薬
特級硫酸と高純度純水を用い、酸濃度：２５０ｇ／ｌの
硫酸を作製し、これにゼラチン：２ｇ、βナフトール：
２ｇを添加した溶液を用意した。この電解液を用い、前
記高純度黒鉛ルツボ内で高周波誘導炉で溶解して得られ
たＳｎ−１ｗｔ％Ｐｂ合金をアノードとし、ステンレス
板をカソードとし、電流密度：０．８Ａ／ｄｍ3 、液
温：４５℃、の条件で電解することによりカソードにＳ
ｎを析出させ、カソードのＳｎを実施例１と同様に圧延
して得られたＳｎ板の３年経過後の表面α線量、210 Ｐ
ｏおよび不純物Ｐｂ量を実施例１と同様に測定し、その
結果を表１に示した。
特級硫酸と高純度純水を用い、酸濃度：２５０ｇ／ｌの
硫酸を作製し、これにゼラチン：２ｇ、βナフトール：
２ｇを添加した溶液を用意した。この電解液を用い、前
記高純度黒鉛ルツボ内で高周波誘導炉で溶解して得られ
たＳｎ−１ｗｔ％Ｐｂ合金をアノードとし、ステンレス
板をカソードとし、電流密度：０．８Ａ／ｄｍ3 、液
温：４５℃、の条件で電解することによりカソードにＳ
ｎを析出させ、カソードのＳｎを実施例１と同様に圧延
して得られたＳｎ板の３年経過後の表面α線量、210 Ｐ
ｏおよび不純物Ｐｂ量を実施例１と同様に測定し、その
結果を表１に示した。
【００２１】従来例３ 市販のＳｎをアノードとし、実施例３と同じ条件で電解
することによりカソードにＳｎを析出させ、カソードの
Ｓｎを実施例１と同様に圧延して得られたＳｎ板の３年
経過後の表面α線量、210 Ｐｏおよび不純物Ｐｂ量を実
施例１と同様に測定し、その結果を表１に示した。
することによりカソードにＳｎを析出させ、カソードの
Ｓｎを実施例１と同様に圧延して得られたＳｎ板の３年
経過後の表面α線量、210 Ｐｏおよび不純物Ｐｂ量を実
施例１と同様に測定し、その結果を表１に示した。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【発明の効果】表１に示される結果から、市販のＳｎを
そのまま単独で精錬する従来例１〜３により得られたＳ
ｎに含まれる不純物Ｐｂ量は、市販のＳｎに表面α線量
が１０ｃｐｈ／ｃｍ2 以下の高純度Ｐｂを合金化したＳ
ｎ−Ｐｂ合金を精錬する実施例１〜３により得られたＳ
ｎに含まれる不純物Ｐｂ量よりも少いにもかかわらず、
実施例１〜３により得られたＳｎのα線量および210 Ｐ
ｏ量は従来例１〜３により得られたＳｎのα線量および
210 Ｐｏ量よりも格段に少ないことが分かる。実施例１
〜３のＳｎ中のα線の放出源である210 Ｐｏの減少は、
Ｓｎ中の210 Ｐｂが合金化したＰｂに希釈され、Ｐｂ除
去を目的とした精錬後には、Ｓｎ中の210Ｐｂが極端に
減少していることを示しているものである。上述のよう
に、この発明の方法によると、α線量の極めて少ない錫
を製造することができ、産業上優れた効果を奏するもの
である。
そのまま単独で精錬する従来例１〜３により得られたＳ
ｎに含まれる不純物Ｐｂ量は、市販のＳｎに表面α線量
が１０ｃｐｈ／ｃｍ2 以下の高純度Ｐｂを合金化したＳ
ｎ−Ｐｂ合金を精錬する実施例１〜３により得られたＳ
ｎに含まれる不純物Ｐｂ量よりも少いにもかかわらず、
実施例１〜３により得られたＳｎのα線量および210 Ｐ
ｏ量は従来例１〜３により得られたＳｎのα線量および
210 Ｐｏ量よりも格段に少ないことが分かる。実施例１
〜３のＳｎ中のα線の放出源である210 Ｐｏの減少は、
Ｓｎ中の210 Ｐｂが合金化したＰｂに希釈され、Ｐｂ除
去を目的とした精錬後には、Ｓｎ中の210Ｐｂが極端に
減少していることを示しているものである。上述のよう
に、この発明の方法によると、α線量の極めて少ない錫
を製造することができ、産業上優れた効果を奏するもの
である。
Claims (1)
- 【請求項１】 錫とα線量が１０ｃｐｈ／ｃｍ2 以下の
鉛を合金化した後、錫に含まれる鉛を除去する精練を行
うことを特徴とする低α線量錫の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23688397A JP3528532B2 (ja) | 1997-09-02 | 1997-09-02 | 低α線量錫の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23688397A JP3528532B2 (ja) | 1997-09-02 | 1997-09-02 | 低α線量錫の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1180852A true JPH1180852A (ja) | 1999-03-26 |
| JP3528532B2 JP3528532B2 (ja) | 2004-05-17 |
Family
ID=17007202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23688397A Expired - Lifetime JP3528532B2 (ja) | 1997-09-02 | 1997-09-02 | 低α線量錫の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP3528532B2 (ja) |
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| US10711358B2 (en) | 2014-02-20 | 2020-07-14 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Method of producing low alpha-ray emitting bismuth, and low alpha-ray emitting bismuth |
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| US20210221700A1 (en) * | 2018-07-30 | 2021-07-22 | Mitsubishi Materials Corporation | LOW alpha-RAY EMISSION STANNOUS OXIDE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME |
| CN114909904A (zh) * | 2022-05-18 | 2022-08-16 | 河南科技大学 | 一种低α锡生产装置及生产方法 |
| EP4013902A4 (en) * | 2019-08-14 | 2023-09-06 | Honeywell International Inc. | COARSE GRAIN TIN SPRAY TARGET |
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| WO2019035446A1 (ja) | 2017-08-17 | 2019-02-21 | 三菱マテリアル株式会社 | 低α線放出量の金属及び錫合金並びにその製造方法 |
-
1997
- 1997-09-02 JP JP23688397A patent/JP3528532B2/ja not_active Expired - Lifetime
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