JPH1174494A - 光集積回路装置 - Google Patents

光集積回路装置

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JPH1174494A
JPH1174494A JP9232947A JP23294797A JPH1174494A JP H1174494 A JPH1174494 A JP H1174494A JP 9232947 A JP9232947 A JP 9232947A JP 23294797 A JP23294797 A JP 23294797A JP H1174494 A JPH1174494 A JP H1174494A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＩＣ内部の配線の影響による問題やカバーガ
ラスを小さくすることが可能な光集積回路装置を提供す
る。 【解決手段】 撮像部１２を含むアナログ部の電源や接
地などは電極パッド１４に接続し、デジタル部の電源や
接地などは電極パッド１５に接続することにより、撮像
部１２およびその周辺回路部１３との間での配線の引き
回しによる電源、接地などインピーダンスの上昇や各回
路間の信号のクロストーク、ノイズなどの問題を防ぐこ
とが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ビデオカメラや
電子カメラなどに用いる撮像素子とその周辺回路を集積
化した光集積回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７に、従来の撮像素子ＣＣＤのＩＣチ
ップを示す。ＣＣＤは、フォトダイオード７１、水平Ｃ
ＣＤ転送部７２、垂直ＣＣＤ転送部７３、信号出力部７
４から構成されている。図８に示すように、このＣＣＤ
はセラミックパッケージ８１に内蔵され、ワイヤボンド
８２により電極パッドを接続した後、カバーガラス８３
を用いて、パッケージされている。ＣＣＤを用いたカメ
ラでは、図９に示すように、受光部９１、ＣＣＤ９２の
他に、信号処理ＩＣ９３、ＣＣＤ駆動ＩＣ９４、ノイズ
処理ＩＣ９５等により構成されている。
【０００３】近年、以前のＣＣＤと同様に撮像素子とし
て使われていた、ＭＯＳ型センサーが性能上問題であっ
た感度やＳ／Ｎ等の改善がなされ再び注目されてきた。
ＣＭＯＳセンサーはＣＣＤとは異なり、通常のＩＣプロ
セスで製造することができるため、図１０に示すように
ＩＣの中に撮像部１０１とＣＣＤカメラで用いていた、
ＣＣＤとは１チップ化できない周辺回路１０２〜１０７
も内蔵することができ、ビデオカメラを小型化すること
ができる。
【０００４】このように撮像部１０１と周辺回路１０２
〜１０７が一体になったＩＣでは、図７で示した周辺に
電極パッドＰがあるワイヤボンド方式で実装されると、
ＩＣ内部の配線の影響により内部の各回路の電源、接地
等のインピーダンスが上り、ノイズや信号のクロストー
ク等、色々な問題を生じる。
【０００５】また、ＩＣの周辺に電極パッドがある状態
で、図１１に示すようなベアチップ実装する（特開平７
ー９９２１４号参照）場合、カバーガラス１０１が大き
くなりコストが上がるとともに、光学精度も悪くなる。
さらに、図１２に示すように、カバーガラス１０１を介
して入射される光Ｌに対し、ＣＣＤ１１２の撮像部１２
１の周辺部１２２などでの内面反射の影響が発生し、映
像にゴーストが発生する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の光集積
回路装置では、ＩＣ内部の配線の影響により内部の各回
路の電源、接地等のインピーダンスが上り、ノイズや信
号のクロストーク等、色々な問題を生じたり、カバーガ
ラスが大きくなりコストが上がるとともに、光学精度も
悪くなる等の問題があった。
【０００７】この発明は、ＩＣ内部の配線の影響による
問題やカバーガラスを小さくすることが可能な光集積回
路装置を提供する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、この発明の光集積回路装置では、入射された光
を電気信号に変換する、少なくとも１個の光機能部と該
光機能部に関連付けられた信号処理などの周辺回路部を
集積した光集積回路において、信号電極パッドを少なく
とも前記光集積回路のチップ周辺部とチップ内部にある
前記光機能部の領域周辺にも電極パッドを設けたことを
特徴とする。
【０００９】これにより、アナログ部とデジタル部のそ
れぞれ近傍において配線が可能となるために、光学精度
の向上が図れるばかりか、信号出力インピーダンスを下
げることが可能となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。図１，図２
は、この発明の第１の実施の形態について説明するため
の説明図である。図１（ａ）において、１１は、図２に
示す撮像部１２およびパルス発生部１３ａ、アナログ部
１３ｂ、Ａ／Ｄ変換・メモリ部１３ｃ、信号処理部１３
ｄなどからなる、撮像部１２の周辺回路部１３が１チッ
プ化されたＩＣである。撮像部１２と周辺回路部１３は
１チップ化が可能となる、たとえばＭＯＳ型のプロセス
によるトランジスタで構成する。撮像部１２が配置され
た近傍周辺のＩＣ１１の表面には、撮像部１２と電気的
に接続された電極パッド１４を形成する。さらに、ＩＣ
１１の周辺の表面には、周辺回路部１３と電気的に接続
された電極パッド１５を形成する。
【００１１】撮像部１２の出力はアナログ信号であり、
撮像部１２の出力が接続された電極パッド１４には電源
や接地などを接続する。また、周辺回路部１３と電気的
に接続された電極パッド１５は、撮像部１２の出力をデ
ジタル信号に変換するとともに、所定の信号処理を施し
た出力信号や電源および接地などを接続する。
【００１２】ＩＣ１１は、図１（ｂ）に示すように、電
極パッド１４，１５にそれぞれ金バンプ１６ａ，１６ｂ
を用い、ＴＡＢテープ１７の開口部１８と撮像部１２を
対向させた状態で、配線パターンに電気的に接続する。
ＩＣ１１が接続されたＴＡＢテープ１７の反対面に、開
口部１８を覆うようにしてカバーガラス１９を固着す
る。
【００１３】このように、アナログ部の電源や接地など
は電極パッド１４に接続し、デジタル部の電源や接地な
どは電極パッド１５に接続することにより、配線の引き
回しによる電源、接地などインピーダンスの上昇や各回
路間の信号のクロストーク、ノイズなどの緒問題を防ぐ
ことが可能となる。また、ＩＣ１１の中央に撮像部１２
を配置したことにより、撮像部１２の前方に配置される
光学レンズの光軸が、電子カメラ装置を製作するとき小
型化に有利に、また組み立てときの光学合わせも楽にな
り構造設計もし易いものとなる。
【００１４】図３は、この発明の第２の実施の形態につ
いて説明するための説明図である。この実施の形態は、
図３（ａ）に示すように、ＩＣ３１の内側に撮像部３
２，３３を配置し、撮像部３２，３３のそれぞれの周辺
に電極パッド３４を形成したものである。
【００１５】この場合も、ＩＣ３１は図３（ｂ）に示す
ように、電極パッド３４に金バンプ３５を用い、ＴＡＢ
テープ３６の開口部３７と撮像部３２，３３を対向させ
た状態で、配線パターンに電気的に接続する。ＩＣ３１
が接続されたＴＡＢテープ３６の反対面に、開口部３７
を覆うようにしてカバーガラス３８を固着する。
【００１６】この実施の形態においても、撮像部３２，
３３と電極パッド３４が近い位置で電気的に接続される
ことから、配線の引き回しによる電源、接地などインピ
ーダンスの上昇を抑えることができる。
【００１７】図４は、この発明の第３の実施の形態につ
いて説明するための説明図である。なお、図１と同一の
構成部分には同一の符号を付して説明する。この実施の
形態は、図１（ａ）に示す電極パッド１４とＴＡＢテー
プ１７の接続パターンとを電気的に接続するときに、撮
像部１２の撮像面を囲むように反射を抑える反射率の低
い、例えば黒色の異方性導電膜４１を用いたものであ
る。カバーガラス１９１、開口部１８を介して入射光
は、撮像部１２の周辺に設けた黒色の異方性導電膜４１
により、たとえばＴＡＢテープ１７とＩＣ１１間での内
面反射を抑えることができる。
【００１８】また、カバーガラス１９１は、開口部１８
より若干大きく、電極パッド１４と対向する位置に来る
程度までの大きさとする。カバーガラス１９１は電極パ
ッド１４と対向する位置付近までの小さい面積のもので
あっても、カバーガラス１９１の位置までＴＡＢテープ
１７を介して異方性導電膜４１があるための、ＴＡＢテ
ープ１７が撓んだりすることがない。
【００１９】この実施の形態では、入射光によるＩＣチ
ップ内面反射によって発生するゴーストを、ＩＣチップ
内部にある撮像部１２の周辺に設けた異方性導電膜４１
により防ぐことができる。また、カバーガラス１９１を
小型化でき、コストが安価になる。
【００２０】ところで、カバーガラスは、図１の実施の
形態でも開口部１８を覆い、電極パッド１４と対向する
位置まで、図２の実施の形態でも開口部３７を覆い、電
極パッド３４と対向する位置までの大きさのものであっ
てよい。この場合も、第３の実施の形態と同様に、小さ
な面積のカバーガラスを使用できることから安価とな
る。
【００２１】この発明は、上記した実施の形態に限定さ
れるものではない。たとえば、光機能部である撮像部１
２を図５に示すように、ＩＣ１１の隅に配置された場合
の電極パッドは、一部をＩＣの周辺部に、他の一部を内
部に配してもよい。また、図６に示すように、ＩＣ１１
内の撮像部１２と電極パッド１４，１５を除く周辺回路
部を、反射率の低い黒の絶縁膜６１で保護すれば、入射
光に対し撮像部１２への反射の影響を極力抑えることが
できる。さらに、カバーガラスは光学ガラスであっても
よい。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の光集積
回路装置によれば、ＩＣ内部の配線の影響によるインピ
ーダンスの上昇を抑えるばかりか、カバーガラスを小さ
くできることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態について説明する
ための説明図。
【図２】図１の撮像部とその周辺回路部を１チップした
場合のＩＣの構成例について説明するための説明図。
【図３】この発明の第２の実施の形態について説明する
ための説明図。
【図４】この発明の第３の実施の形態について説明する
ための説明図。
【図５】この発明の変形例について説明するための説明
図。
【図６】この発明の他の変形例について説明するための
説明図。
【図７】従来のＣＣＤ素子のＩＣチップについて説明す
るための説明図。
【図８】ＣＣＤ素子の構造について説明するための説明
図。
【図９】ＣＣＤビデオカメラの構成例について説明する
ための説明図。
【図１０】従来のＣＭＯＳ型撮像素子の内部構成例につ
いて説明するための説明図。
【図１１】従来の撮像素子のベアチップ実装について説
明するための説明図。
【図１２】図１１の課題について説明するための説明
図。
【符号の説明】 １１，３１…ＩＣ、１２…撮像部、１３…周辺回路部、
１４，１５…電極パッド、１６ａ，１６ｂ，３４…金バ
ンプ、１７，３６…ＴＡＢテープ、１８，３７…開口
部、１９，１９１，３８…カバーガラス、４１…異方性
導電膜、６１…黒の絶縁膜。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 入射された光を電気信号に変換する、少
    なくとも１個の光機能部と該光機能部に関連付けられた
    信号処理などの周辺回路部を集積した光集積回路におい
    て、 信号電極パッドを少なくとも前記光集積回路のチップ周
    辺部とチップ内部にある前記光機能部の領域周辺にも電
    極パッドを設けたことを特徴とする光集積回路装置。
  2. 【請求項２】 信号を取り出す電極パッドを、前記光機
    能部の領域周辺に設けたことを特徴とする請求項１記載
    の光集積回路装置。
  3. 【請求項３】 前記光集積回路は、配線基板に光学部材
    を接着した基板を用い、導電性接着により接合して用い
    ることを特徴とする請求項１記載の光集積回路装置。
  4. 【請求項４】 前記光機能部は光集積回路の中央に配置
    構成されていることを特徴とする請求項１記載の光集積
    回路装置。
  5. 【請求項５】 前記光機能部と前記電極パッドを除く光
    集積回路部を、反射率の低い絶縁膜で保護してなること
    を特徴とする請求項１記載の光集積回路装置。
JP9232947A 1997-08-28 1997-08-28 光集積回路装置 Withdrawn JPH1174494A (ja)

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