JPH1154881A - 電子部品実装基板およびその接続検査方法 - Google Patents
電子部品実装基板およびその接続検査方法Info
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- JPH1154881A JPH1154881A JP9213495A JP21349597A JPH1154881A JP H1154881 A JPH1154881 A JP H1154881A JP 9213495 A JP9213495 A JP 9213495A JP 21349597 A JP21349597 A JP 21349597A JP H1154881 A JPH1154881 A JP H1154881A
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、電子部品とプリント基板との電気的
接続状態を容易に検査することができる電子部品実装基
板およびその接続検査方法を提供することを目的とす
る。 【解決手段】プリント基板（２０）の表面上にチェック
用パッド（２２）を配置し、ＢＧＡ型半導体装置の底面
の当該チェック用パッド（２２）に対応する位置にチェ
ック用半田バンプ（１４）を設け、当該半田バンプの径
をＢＧＡ型半導体装置の電極部となる半田バンプ（１
３）よりも小さく形成する。リフロー工程によって半田
バンプ（１３）が正常に溶融した場合には、ＢＧＡ型半
導体装置は１電極あたりの当該装置の重量に応じて沈む
ため、チェック用半田バンプ（１４）とチェック用半田
パッド（２２）は電気的に接続され、半田バンプ（１
３）が正常に溶解しなかった場合には、ＢＧＡ型半導体
装置は沈まないため、チェック用半田バンプ（１４）と
チェック用半田パッド（２２）は電気的に接続されな
い。この電気的接続状態を測定することにより半田付け
の良否を判定する。
接続状態を容易に検査することができる電子部品実装基
板およびその接続検査方法を提供することを目的とす
る。 【解決手段】プリント基板（２０）の表面上にチェック
用パッド（２２）を配置し、ＢＧＡ型半導体装置の底面
の当該チェック用パッド（２２）に対応する位置にチェ
ック用半田バンプ（１４）を設け、当該半田バンプの径
をＢＧＡ型半導体装置の電極部となる半田バンプ（１
３）よりも小さく形成する。リフロー工程によって半田
バンプ（１３）が正常に溶融した場合には、ＢＧＡ型半
導体装置は１電極あたりの当該装置の重量に応じて沈む
ため、チェック用半田バンプ（１４）とチェック用半田
パッド（２２）は電気的に接続され、半田バンプ（１
３）が正常に溶解しなかった場合には、ＢＧＡ型半導体
装置は沈まないため、チェック用半田バンプ（１４）と
チェック用半田パッド（２２）は電気的に接続されな
い。この電気的接続状態を測定することにより半田付け
の良否を判定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品とプリン
ト基板とを通電用部材を融解して物理的および電気的に
接続した電子部品実装基板およびその接続検査方法に関
し、特に、該電子部品および該プリント基板のそれぞれ
に検査用導体を設け、当該各検査用導体間の間隔を該通
電用部材の沈み量以下とすることにより、該電子部品と
該プリント基板との電気的接続状態を検査することがで
きる電子部品実装基板およびその接続検査方法に関す
る。
ト基板とを通電用部材を融解して物理的および電気的に
接続した電子部品実装基板およびその接続検査方法に関
し、特に、該電子部品および該プリント基板のそれぞれ
に検査用導体を設け、当該各検査用導体間の間隔を該通
電用部材の沈み量以下とすることにより、該電子部品と
該プリント基板との電気的接続状態を検査することがで
きる電子部品実装基板およびその接続検査方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置等の電子部品の高機能化に伴
い、当該電子部品に設けられた入出力用の端子数が増大
する傾向にある。また、プリント基板の実装密度を高く
するため、電子部品の電極間ピッチは狭くなり、例え
ば、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ ＦｌａｔＰａｃｋａｇｅ）で
は、０．３ｍｍピッチといった極めて狭いものまで使用
されている。
い、当該電子部品に設けられた入出力用の端子数が増大
する傾向にある。また、プリント基板の実装密度を高く
するため、電子部品の電極間ピッチは狭くなり、例え
ば、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ ＦｌａｔＰａｃｋａｇｅ）で
は、０．３ｍｍピッチといった極めて狭いものまで使用
されている。
【０００３】しかし、電極間ピッチの狭小化は製造工程
の困難さを招き、電子部品の品質を確保するには、高度
な製造技術が必要である等の問題がある。
の困難さを招き、電子部品の品質を確保するには、高度
な製造技術が必要である等の問題がある。
【０００４】そこで、近年、電子部品の裏面にグリッド
状に半田バンプ配置し、当該半田バンプを電極として使
用するものが注目されている。この種の電子部品として
は、例えば、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａ
ｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）、あるいはフリップチップ等が挙げられる。
状に半田バンプ配置し、当該半田バンプを電極として使
用するものが注目されている。この種の電子部品として
は、例えば、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａ
ｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）、あるいはフリップチップ等が挙げられる。
【０００５】上記のような半田バンプを具備する電子部
品は、プリント基板に半田付けされた際に電極部が当該
電子部品と当該プリント基板の間に隠れてしまうため、
半田付けの状態を確認することが困難である。
品は、プリント基板に半田付けされた際に電極部が当該
電子部品と当該プリント基板の間に隠れてしまうため、
半田付けの状態を確認することが困難である。
【０００６】この問題を解決するため、従来は、半田付
けの検査方法としてＸ線検査装置を使用して電極部の状
態を透視する方法や、特開平７−２３４１８９に記載さ
れているように、微細管にセンサを配置し、当該微細管
を電子部品の電極部に挿入して接続状態を検知する方法
が使用されている。
けの検査方法としてＸ線検査装置を使用して電極部の状
態を透視する方法や、特開平７−２３４１８９に記載さ
れているように、微細管にセンサを配置し、当該微細管
を電子部品の電極部に挿入して接続状態を検知する方法
が使用されている。
【０００７】また、特開平６−９９４２９に開示されて
いるように、光ファイバーを用いて端子間の隙間を観察
するものや、特開平８−１２４９８５に開示されている
ように、端子間の隙間を機械的あるいは光学的に計測し
て検査するものが知られている。
いるように、光ファイバーを用いて端子間の隙間を観察
するものや、特開平８−１２４９８５に開示されている
ように、端子間の隙間を機械的あるいは光学的に計測し
て検査するものが知られている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、Ｘ線検査装置
を使用する方法では、検査装置が非常に高額であり、ま
た、プリント基板に設けられたパッドへの半田の濡れ不
良を判別できないという問題や、検査部位がプリント基
板の配線パターンの像と重なって良否の判定が困難であ
るという問題がある。
を使用する方法では、検査装置が非常に高額であり、ま
た、プリント基板に設けられたパッドへの半田の濡れ不
良を判別できないという問題や、検査部位がプリント基
板の配線パターンの像と重なって良否の判定が困難であ
るという問題がある。
【０００９】また、特開平７−２３４１８９に開示され
ている方法では、隙間の狭い部分であってもセンサーを
挿入することができるようにセンサーの固定には微細管
を使用しているが、たとえ、どのように微細な管状のも
のであっても実際にＢＧＡ等の電極部を直接センシング
することは困難であり、検出精度が低くくなるという問
題がある。
ている方法では、隙間の狭い部分であってもセンサーを
挿入することができるようにセンサーの固定には微細管
を使用しているが、たとえ、どのように微細な管状のも
のであっても実際にＢＧＡ等の電極部を直接センシング
することは困難であり、検出精度が低くくなるという問
題がある。
【００１０】また、特開平６−９４４２９に開示されて
いる方法では、非常に狭い隙間の中に配置された複数の
電極の状態を個々に観察しなけらばならないため、検査
に多大な時間を要するだけでなく、検査の精度が低いと
いう問題がある。
いる方法では、非常に狭い隙間の中に配置された複数の
電極の状態を個々に観察しなけらばならないため、検査
に多大な時間を要するだけでなく、検査の精度が低いと
いう問題がある。
【００１１】また、特開平８−１２４９８５に開示され
ている方法では、半田付けの状態を計測するための光学
的検査装置が必要となるため、検査装置自体にコストが
かかる。さらに、当該装置では、電極の数だけ検出動作
を実行する必要があるため、特開平６−９４４２９に開
示されている方法と同様に検査に多大な時間を要すると
いう問題がある。
ている方法では、半田付けの状態を計測するための光学
的検査装置が必要となるため、検査装置自体にコストが
かかる。さらに、当該装置では、電極の数だけ検出動作
を実行する必要があるため、特開平６−９４４２９に開
示されている方法と同様に検査に多大な時間を要すると
いう問題がある。
【００１２】そこで、本発明は、電子部品とプリント基
板との電気的接続状態を容易に検査することができる電
子部品実装基板およびその接続検査方法を提供すること
を目的とする。
板との電気的接続状態を容易に検査することができる電
子部品実装基板およびその接続検査方法を提供すること
を目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、第１の電気的接続部位が配
置された電子部品と、該第１の電気的接続部位に対応す
る位置に第２の電気的接続部位が配置された基板とを、
溶融することにより該第１の電気的接続部位と該第２の
電気的接続部位との間を電気的に接続する通電用部材を
介して接続した電子部品実装基板において、前記電子部
品には、第１の検査用導体が設けられ、前記基板には、
第２の検査用導体が設けられ、該第１の検査用導体と該
第２の検査用導体は、前記電子部品と前記基板とを前記
通電用部材を介して載置した場合に、該第１の検査用導
体と該第２の検査用導体との距離が、該通電用部材の沈
み量以下となるように形成されることを特徴とする。
め、請求項１記載の発明は、第１の電気的接続部位が配
置された電子部品と、該第１の電気的接続部位に対応す
る位置に第２の電気的接続部位が配置された基板とを、
溶融することにより該第１の電気的接続部位と該第２の
電気的接続部位との間を電気的に接続する通電用部材を
介して接続した電子部品実装基板において、前記電子部
品には、第１の検査用導体が設けられ、前記基板には、
第２の検査用導体が設けられ、該第１の検査用導体と該
第２の検査用導体は、前記電子部品と前記基板とを前記
通電用部材を介して載置した場合に、該第１の検査用導
体と該第２の検査用導体との距離が、該通電用部材の沈
み量以下となるように形成されることを特徴とする。
【００１４】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の発明において、前記第１の検査用導体または前記第
２の検査用導体は、前記通電用部材の高さより沈み量だ
け小さい高さ以上の高さを有することを特徴とする。
載の発明において、前記第１の検査用導体または前記第
２の検査用導体は、前記通電用部材の高さより沈み量だ
け小さい高さ以上の高さを有することを特徴とする。
【００１５】また、請求項３記載の発明は、請求項１記
載の発明において、前記第１の検査用導体または前記第
２の検査用導体は、前記通電用部材以上の高さを有し、
前記電子部品または前記基板には、沈み量以下の深さを
有する凹部を設けたことを特徴とする。
載の発明において、前記第１の検査用導体または前記第
２の検査用導体は、前記通電用部材以上の高さを有し、
前記電子部品または前記基板には、沈み量以下の深さを
有する凹部を設けたことを特徴とする。
【００１６】また、請求項４記載の発明は、請求項１記
載の発明において、前記第１の検査用導体または前記第
２の検査用導体は、前記通電用部材と同じ部材に対し沈
み量以下の切欠部を形成した導体であることを特徴とす
る。
載の発明において、前記第１の検査用導体または前記第
２の検査用導体は、前記通電用部材と同じ部材に対し沈
み量以下の切欠部を形成した導体であることを特徴とす
る。
【００１７】また、請求項５記載の発明は、請求項１記
載の発明において、前記電子部品または前記基板は、凹
部または凸部を具備することを特徴とする。
載の発明において、前記電子部品または前記基板は、凹
部または凸部を具備することを特徴とする。
【００１８】また、請求項６記載の発明は、請求項１乃
至請求項６記載の発明において、前記通電用部材、前記
第１の検査用導体および前記第２の検査用導体は、半田
ボールであることを特徴とする。
至請求項６記載の発明において、前記通電用部材、前記
第１の検査用導体および前記第２の検査用導体は、半田
ボールであることを特徴とする。
【００１９】また、請求項７記載の発明は、請求項１ま
たは請求項５記載の発明において、前記通電用部材は、
半田ボールであり、前記第１の検査用導体および／また
は前記第２の検査用導体は、ソルダーペーストであるこ
とを特徴とする。
たは請求項５記載の発明において、前記通電用部材は、
半田ボールであり、前記第１の検査用導体および／また
は前記第２の検査用導体は、ソルダーペーストであるこ
とを特徴とする。
【００２０】また、請求項８記載の発明は、第１の電気
的接続部位が配置された電子部品と、該第１の電気的接
続部位に対応する位置に第２の電気的接続部位が配置さ
れた基板とを、溶融することにより該第１の電気的接続
部位と該第２の電気的接続部位との間を電気的に接続す
る通電用部材を介して接続した電子部品実装基板におい
て、前記電子部品には、第１の検査用導体が設けられ、
前記基板には、第２の検査用導体が設けられ、該第２の
検査用導体は、ソルダーペーストであり、該第１の検査
用導体と該第２の検査用導体は、前記電子部品と前記基
板とを前記通電用部材を介して載置した場合に、前記ソ
ルダーペストを溶融した後の該ソルダーペーストと該第
１の検査用導体との距離が、該通電用部材の沈み量以下
となるように形成されることを特徴とする。
的接続部位が配置された電子部品と、該第１の電気的接
続部位に対応する位置に第２の電気的接続部位が配置さ
れた基板とを、溶融することにより該第１の電気的接続
部位と該第２の電気的接続部位との間を電気的に接続す
る通電用部材を介して接続した電子部品実装基板におい
て、前記電子部品には、第１の検査用導体が設けられ、
前記基板には、第２の検査用導体が設けられ、該第２の
検査用導体は、ソルダーペーストであり、該第１の検査
用導体と該第２の検査用導体は、前記電子部品と前記基
板とを前記通電用部材を介して載置した場合に、前記ソ
ルダーペストを溶融した後の該ソルダーペーストと該第
１の検査用導体との距離が、該通電用部材の沈み量以下
となるように形成されることを特徴とする。
【００２１】また、請求項９記載の発明は、基板上に配
置された第２の電気的接続部位に対応する位置に、第１
の電気的接続部位を備えるとともに、該基板上に配置さ
れた第２の検査用導体に対応する位置に第１の検査用導
体を備え、溶融することにより該第１の電気的接続部位
と該第２の電気的接続部位との間を電気的に接続する通
電用部材を介して該基板と接続される電子部品におい
て、前記第１の検査用導体は、前記電子部品と前記基板
とを前記通電用部材を介して載置した場合に、該第１の
検査用導体と該第２の検査用導体との距離が、溶融前の
該通電用部材の高さと溶融後の該通電用部材の高さとの
差以下となるように形成されることを特徴とする。
置された第２の電気的接続部位に対応する位置に、第１
の電気的接続部位を備えるとともに、該基板上に配置さ
れた第２の検査用導体に対応する位置に第１の検査用導
体を備え、溶融することにより該第１の電気的接続部位
と該第２の電気的接続部位との間を電気的に接続する通
電用部材を介して該基板と接続される電子部品におい
て、前記第１の検査用導体は、前記電子部品と前記基板
とを前記通電用部材を介して載置した場合に、該第１の
検査用導体と該第２の検査用導体との距離が、溶融前の
該通電用部材の高さと溶融後の該通電用部材の高さとの
差以下となるように形成されることを特徴とする。
【００２２】また、請求項１０記載の発明は、電子部品
に配置された第１の電気的接続部位に対応する位置に、
第２の電気的接続部位を備えるとともに、該電子部品に
配置された第１の検査用導体に対応する位置に第２の検
査用導体を備え、溶融することにより該第１の電気的接
続部位と該第２の電気的接続部位との間を電気的に接続
する通電用部材を介して該電子部品と接続される基板に
おいて、前記第２の検査用導体は、前記電子部品と前記
基板とを前記通電用部材を介して載置した場合に、該第
１の検査用導体と該第２の検査用導体との距離が、溶融
前の該通電用部材の高さと溶融後の該通電用部材の高さ
との差以下となるように形成されることを特徴とする。
に配置された第１の電気的接続部位に対応する位置に、
第２の電気的接続部位を備えるとともに、該電子部品に
配置された第１の検査用導体に対応する位置に第２の検
査用導体を備え、溶融することにより該第１の電気的接
続部位と該第２の電気的接続部位との間を電気的に接続
する通電用部材を介して該電子部品と接続される基板に
おいて、前記第２の検査用導体は、前記電子部品と前記
基板とを前記通電用部材を介して載置した場合に、該第
１の検査用導体と該第２の検査用導体との距離が、溶融
前の該通電用部材の高さと溶融後の該通電用部材の高さ
との差以下となるように形成されることを特徴とする。
【００２３】また、請求項１１記載の発明は、電子部品
に配置された第１の電気的接続部位に対応する位置に、
第２の電気的接続部位を備えるとともに、該電子部品に
配置された第１の検査用導体に対応する位置にソルダー
ペーストを塗布した基板に対して、該ソルダーペースト
を塗布する際に使用されるスクリーンマスクにおいて、
該第１の検査用導体と該第２の検査用導体は、前記電子
部品と前記基板とを前記通電用部材を介して載置した場
合に、前記ソルダーペストを溶融した後の該ソルダーペ
ーストと該第１の検査用導体との距離が、該通電用部材
の沈み量以下となるように形成され、該ソルダーペース
トが塗布される位置に対応する位置に、該ソルダーペー
ストが塗布される体積以上の容積を有する中空部を形成
したことを特徴とする。
に配置された第１の電気的接続部位に対応する位置に、
第２の電気的接続部位を備えるとともに、該電子部品に
配置された第１の検査用導体に対応する位置にソルダー
ペーストを塗布した基板に対して、該ソルダーペースト
を塗布する際に使用されるスクリーンマスクにおいて、
該第１の検査用導体と該第２の検査用導体は、前記電子
部品と前記基板とを前記通電用部材を介して載置した場
合に、前記ソルダーペストを溶融した後の該ソルダーペ
ーストと該第１の検査用導体との距離が、該通電用部材
の沈み量以下となるように形成され、該ソルダーペース
トが塗布される位置に対応する位置に、該ソルダーペー
ストが塗布される体積以上の容積を有する中空部を形成
したことを特徴とする。
【００２４】また、請求項１２記載の発明は、第１の電
気的接続部位が配置された電子部品と、該第１の電気的
接続部位に対応する位置に第２の電気的接続部位が配置
された基板とを、溶融することにより該第１の電気的接
続部位と該第２の電気的接続部位との間を電気的に接続
する通電用部材を介して接続した電子部品実装基板の電
気的接続検査方法において、前記電子部品には、第１の
検査用導体が設けられ、前記基板には、第２の検査用導
体が設けられ、該第１の検査用導体と該第２の検査用導
体は、前記電子部品と前記基板とを前記通電用部材を介
して載置した場合に、該第１の検査用導体と該第２の検
査用導体との距離が、該通電用部材の沈み量以下となる
ように形成され、前記通電用部材を溶融して接続された
前記第１の電気的接続部位と前記第２の電気的接続部位
との間の抵抗値を測定することによって、前記電子部品
と前記基板との電気的接続状態を検査することを特徴と
する。
気的接続部位が配置された電子部品と、該第１の電気的
接続部位に対応する位置に第２の電気的接続部位が配置
された基板とを、溶融することにより該第１の電気的接
続部位と該第２の電気的接続部位との間を電気的に接続
する通電用部材を介して接続した電子部品実装基板の電
気的接続検査方法において、前記電子部品には、第１の
検査用導体が設けられ、前記基板には、第２の検査用導
体が設けられ、該第１の検査用導体と該第２の検査用導
体は、前記電子部品と前記基板とを前記通電用部材を介
して載置した場合に、該第１の検査用導体と該第２の検
査用導体との距離が、該通電用部材の沈み量以下となる
ように形成され、前記通電用部材を溶融して接続された
前記第１の電気的接続部位と前記第２の電気的接続部位
との間の抵抗値を測定することによって、前記電子部品
と前記基板との電気的接続状態を検査することを特徴と
する。
【００２５】
【発明の実施の形態】本発明は、電子部品とプリント基
板とを溶融して電気的に接続させる通電用部材の溶融前
と溶融後の高さの変化に着目し、当該変化量に対応した
間隙を有する検査部位を当該電子部品を当該プリント基
板に実装して電子部品実装基板に設けたことを特徴とす
る。
板とを溶融して電気的に接続させる通電用部材の溶融前
と溶融後の高さの変化に着目し、当該変化量に対応した
間隙を有する検査部位を当該電子部品を当該プリント基
板に実装して電子部品実装基板に設けたことを特徴とす
る。
【００２６】ここで、本明細書中「沈み量」とは、前記
通電用部材の溶融前の高さと溶融後の高さの差を意味
し、当該通電用部材には、半田ボールやソルダーペース
ト等の金属あるいは溶融してその形状が変化し、かつ導
体としての性質を有する樹脂等の化学物質が含まれるも
のとする。
通電用部材の溶融前の高さと溶融後の高さの差を意味
し、当該通電用部材には、半田ボールやソルダーペース
ト等の金属あるいは溶融してその形状が変化し、かつ導
体としての性質を有する樹脂等の化学物質が含まれるも
のとする。
【００２７】以下、本発明に係る電子部品実装基板およ
びその接続検査方法の一実施の形態を添付図面を参照し
て詳細に説明する。
びその接続検査方法の一実施の形態を添付図面を参照し
て詳細に説明する。
【００２８】図１は、本発明をＢＧＡ型半導体装置の実
装に適用した場合の一例を示す立体図であり、同図にお
いて、ＢＧＡ型半導体装置は、半導体チップを内部に封
止したＢＧＡモールド１０と、当該半導体チップの入出
力に特定の配線パターンを供給するＢＧＡ基板１１と、
ＢＧＡ基板１１の裏側に設けられ当該半導体チップの入
出力と電気的に接続し、外部端子となる半田バンプ１３
と、当該半田バンプの沈み量に対応する大きさを有する
チェック用半田バンプ１４と、当該チェック用半田バン
プと電気的に接続され、ＢＧＡ基板１１の上面に露呈し
たチェック用電極３０から構成される。
装に適用した場合の一例を示す立体図であり、同図にお
いて、ＢＧＡ型半導体装置は、半導体チップを内部に封
止したＢＧＡモールド１０と、当該半導体チップの入出
力に特定の配線パターンを供給するＢＧＡ基板１１と、
ＢＧＡ基板１１の裏側に設けられ当該半導体チップの入
出力と電気的に接続し、外部端子となる半田バンプ１３
と、当該半田バンプの沈み量に対応する大きさを有する
チェック用半田バンプ１４と、当該チェック用半田バン
プと電気的に接続され、ＢＧＡ基板１１の上面に露呈し
たチェック用電極３０から構成される。
【００２９】ここで、チェック用半田バンプ１４は、図
１に示すように、ＢＧＡ基板１１の周縁部に沿って所定
の間隔で設けられる。チェック用半田バンプ１４は、理
想的には、半田バンプ１３が配置される間隔と同じ間隔
で設けることが好ましいが、実質的には、図１に示すよ
うに、ＢＧＡ基板１１の周縁四隅並びに前縁中央付近お
よび後縁中央付近または右即縁中央付近および左側縁中
央付近に設ければ十分である。
１に示すように、ＢＧＡ基板１１の周縁部に沿って所定
の間隔で設けられる。チェック用半田バンプ１４は、理
想的には、半田バンプ１３が配置される間隔と同じ間隔
で設けることが好ましいが、実質的には、図１に示すよ
うに、ＢＧＡ基板１１の周縁四隅並びに前縁中央付近お
よび後縁中央付近または右即縁中央付近および左側縁中
央付近に設ければ十分である。
【００３０】また、チェック用半田バンプ１４を四隅に
のみ設ければ、最小のチェック部位で効率の高い検査を
実現することができる。
のみ設ければ、最小のチェック部位で効率の高い検査を
実現することができる。
【００３１】一方、プリント基板２０は、前記半田バン
プ１３に対応する位置に設けられ、ＢＧＡ型半導体装置
との電気的接続を達成するためのパッド２１と、前記チ
ェック用半田バンプ１４に対応する位置に設けられ、前
記チェック用電極３０との電気的接続を達成するための
チェック用パッド２２から構成される。
プ１３に対応する位置に設けられ、ＢＧＡ型半導体装置
との電気的接続を達成するためのパッド２１と、前記チ
ェック用半田バンプ１４に対応する位置に設けられ、前
記チェック用電極３０との電気的接続を達成するための
チェック用パッド２２から構成される。
【００３２】ここで、チェック用パッド２２は、ＢＧＡ
型半導体装置をプリント基板２０に搭載した際に外部に
露呈する大きさで形成される。プリント基板２０の部品
面の面積に余裕がない場合には、チェック用パッド２２
をパッド２１と同じ大きさで形成し、チェック用パッド
２２にスルーホールを形成してプリント基板２０の半田
面にチェック用端子を形成することもできる。
型半導体装置をプリント基板２０に搭載した際に外部に
露呈する大きさで形成される。プリント基板２０の部品
面の面積に余裕がない場合には、チェック用パッド２２
をパッド２１と同じ大きさで形成し、チェック用パッド
２２にスルーホールを形成してプリント基板２０の半田
面にチェック用端子を形成することもできる。
【００３３】ＢＧＡ型半導体装置は、図１に示す矢印の
方向に搭載され、その後所定のリフロー工程を経てプリ
ント基板２０と電気的に接続される。
方向に搭載され、その後所定のリフロー工程を経てプリ
ント基板２０と電気的に接続される。
【００３４】図２は、図１に示すＢＧＡ型半導体装置を
プリント基板に載置し、この状態を前面側から見た側面
図である。
プリント基板に載置し、この状態を前面側から見た側面
図である。
【００３５】図２に示すように、チェック用半田バンプ
１４は、半田バンプ１３より径の小さい半田バンプであ
り、ＢＧＡ基板１１の底面に固着されている。
１４は、半田バンプ１３より径の小さい半田バンプであ
り、ＢＧＡ基板１１の底面に固着されている。
【００３６】一方、プリント基板２０には、各チェック
用半田バンプ１４に対応する位置にチェック用パッド２
２が設けられ、各チェック用パッドには、半田付けを良
好に行うためにフラックス４０が塗布される。
用半田バンプ１４に対応する位置にチェック用パッド２
２が設けられ、各チェック用パッドには、半田付けを良
好に行うためにフラックス４０が塗布される。
【００３７】このように、ＢＧＡ型半導体装置がプリン
ト基板に載置された状態では、各半田バンプ１３とフラ
ックス４０が接触しており、ＢＧＡ基板１１の底面と当
該フラックス４０との距離は、半田バンプ１３の直径と
等しくなる。
ト基板に載置された状態では、各半田バンプ１３とフラ
ックス４０が接触しており、ＢＧＡ基板１１の底面と当
該フラックス４０との距離は、半田バンプ１３の直径と
等しくなる。
【００３８】このとき、チェック用半田バンプ１４と、
当該チェック用半田バンプに対応する位置のチェック用
パッド２２上に塗布されたフラックス４０との距離は、
半田バンプ１３の沈み量ｈとなる。
当該チェック用半田バンプに対応する位置のチェック用
パッド２２上に塗布されたフラックス４０との距離は、
半田バンプ１３の沈み量ｈとなる。
【００３９】即ち、チェック用半田バンプ１４は、半田
バンプ１３の径から当該半田バンプ１３の沈み量だけ小
さい径で形成される。この半田バンプの沈み量は、図５
に示すように、ＢＧＡ型半導体装置の重量を当該ＢＧＡ
型半導体装置に配置された半田バンプの数で乗じた「１
電極あたりの重量」で決定される。
バンプ１３の径から当該半田バンプ１３の沈み量だけ小
さい径で形成される。この半田バンプの沈み量は、図５
に示すように、ＢＧＡ型半導体装置の重量を当該ＢＧＡ
型半導体装置に配置された半田バンプの数で乗じた「１
電極あたりの重量」で決定される。
【００４０】図５は、ＢＧＡ型半導体装置の１電極あた
りの重量を横軸に、沈み量を縦軸にとったときの関係を
示すグラフであり、このグラフを参照すれば、搭載する
半導体装置に応じて沈み量を求めることができる。
りの重量を横軸に、沈み量を縦軸にとったときの関係を
示すグラフであり、このグラフを参照すれば、搭載する
半導体装置に応じて沈み量を求めることができる。
【００４１】ＢＧＡ型半導体装置をプリント基板に載置
した後は、半田バンプ１３が溶融する温度でリフロー工
程を行い、各チェック用半田バンプ１４を各チェック用
パッド２２に、半田バンプ１３をパッド２１に融着させ
る。
した後は、半田バンプ１３が溶融する温度でリフロー工
程を行い、各チェック用半田バンプ１４を各チェック用
パッド２２に、半田バンプ１３をパッド２１に融着させ
る。
【００４２】ここで、リフロー時に半田バンプ１３が溶
融する温度に達しなかった場合、または、フラックスに
よる活性化が不十分であった場合には、半田バンプ１３
は完全に溶融せず、ＢＧＡ型半導体装置は沈み量だけ沈
まない状態となり、チェック用電極３０とチェック用パ
ッド２２は絶縁状態となる。
融する温度に達しなかった場合、または、フラックスに
よる活性化が不十分であった場合には、半田バンプ１３
は完全に溶融せず、ＢＧＡ型半導体装置は沈み量だけ沈
まない状態となり、チェック用電極３０とチェック用パ
ッド２２は絶縁状態となる。
【００４３】一方、半田バンプ１３が正常に融解した場
合には、チェック用パッド１４は融解した状態でフラッ
クス４０に接触し、当該フラックスと融合してチェック
パッド２２に融着する。そして、チェック用電極３０と
チェック用パッド２２は接触し、導通状態となる。
合には、チェック用パッド１４は融解した状態でフラッ
クス４０に接触し、当該フラックスと融合してチェック
パッド２２に融着する。そして、チェック用電極３０と
チェック用パッド２２は接触し、導通状態となる。
【００４４】従って、チェック用電極３０とチェック用
パッド２２の間の導通を検査すれば、半田付けの良否を
判定することができる。
パッド２２の間の導通を検査すれば、半田付けの良否を
判定することができる。
【００４５】この検査の一例を図３および図４を使用し
て説明する。
て説明する。
【００４６】図３は、半田バンプ１３が正常に溶融した
ときの状態を示しており、ＢＧＡ基板１１に設けられた
チェック用半田バンプ１４はすべてチェック用パッド２
２に接触し導通状態となっている。ここで、フラックス
４０は、リフロー工程で半田と融合する。
ときの状態を示しており、ＢＧＡ基板１１に設けられた
チェック用半田バンプ１４はすべてチェック用パッド２
２に接触し導通状態となっている。ここで、フラックス
４０は、リフロー工程で半田と融合する。
【００４７】この状態で、各チェック用電極３０と当該
チェック用電極に対応するチェック用パッド２２との導
通をテスター７０を用いて測定する。このとき、チェッ
ク用パッド２２は、パッド２１よりも広めに形成されて
いるため、テスターの端子を容易に接触させることがで
きる。
チェック用電極に対応するチェック用パッド２２との導
通をテスター７０を用いて測定する。このとき、チェッ
ク用パッド２２は、パッド２１よりも広めに形成されて
いるため、テスターの端子を容易に接触させることがで
きる。
【００４８】図３に示す状態では、各半田バンプは正常
に溶融しており、テスターはすべてのチェック用電極で
導通状態を示す。
に溶融しており、テスターはすべてのチェック用電極で
導通状態を示す。
【００４９】次に、図４に半田バンプ１３の一部が正常
に溶融しなかったときの状態を示す。同図に示すよう
に、正常に溶融しなかった半田バンプ１３の近くにある
チェック用半田バンプ１４は、当該半田バンプ１３の高
さのためチェック用パッド２２に接触しない状態とな
る。
に溶融しなかったときの状態を示す。同図に示すよう
に、正常に溶融しなかった半田バンプ１３の近くにある
チェック用半田バンプ１４は、当該半田バンプ１３の高
さのためチェック用パッド２２に接触しない状態とな
る。
【００５０】従って、各チェック用電極３０とそれに対
応するチェック用パッド２２との間の導通をテスター７
０で測定すると、導通状態となっていないチェック用電
極をが検出され、半田付け不良があるものと判定するこ
とができる。
応するチェック用パッド２２との間の導通をテスター７
０で測定すると、導通状態となっていないチェック用電
極をが検出され、半田付け不良があるものと判定するこ
とができる。
【００５１】ところで、上記実施例で示したように、チ
ェック用半田バンプ１４を半田バンプ１３の沈み量だけ
小さい径で形成すると、半田バンプ１３が当該沈み量だ
け沈んだときのみチェック用パッド２２と接触するた
め、電気的接続状態は、半田バンプ１３が完全に融解し
たときのみ正常と判断されるため、厳格な検査結果を得
ることができる。
ェック用半田バンプ１４を半田バンプ１３の沈み量だけ
小さい径で形成すると、半田バンプ１３が当該沈み量だ
け沈んだときのみチェック用パッド２２と接触するた
め、電気的接続状態は、半田バンプ１３が完全に融解し
たときのみ正常と判断されるため、厳格な検査結果を得
ることができる。
【００５２】しかし、実際は、半田バンプがそこまで完
全に融解しなくても電子部品とプリント基板との電気的
接続は達成されるため、チェック用半田バンプ１４の径
は、半田バンプ１３の沈み量だけ小さい径よりやや大き
く（例えば沈み量の１０％）形成すれば半田付けの良否
を十分判定することができる。即ち、チェック用半田バ
ンプの径は、検査精度に応じて形成すればよい。
全に融解しなくても電子部品とプリント基板との電気的
接続は達成されるため、チェック用半田バンプ１４の径
は、半田バンプ１３の沈み量だけ小さい径よりやや大き
く（例えば沈み量の１０％）形成すれば半田付けの良否
を十分判定することができる。即ち、チェック用半田バ
ンプの径は、検査精度に応じて形成すればよい。
【００５３】また、チェック用半田バンプには、電気を
通すものであれば半田以外の金属または樹脂を使用して
もよいし、また、その形状も図１に示したｈ以下の間隔
さえ確保すればいかなる形状で形成してもよい。
通すものであれば半田以外の金属または樹脂を使用して
もよいし、また、その形状も図１に示したｈ以下の間隔
さえ確保すればいかなる形状で形成してもよい。
【００５４】次に、図６を使用して本発明の別の実施形
態を説明する。
態を説明する。
【００５５】図６は、ＢＧＡ基板１１底面のうち、チェ
ック用半田バンプが配置される位置に深さｈの凹部を形
成し、当該凹部に半田バンプを固着したＢＧＡ型半導体
装置をプリント基板２０に載置した状態を示す側面図で
ある。
ック用半田バンプが配置される位置に深さｈの凹部を形
成し、当該凹部に半田バンプを固着したＢＧＡ型半導体
装置をプリント基板２０に載置した状態を示す側面図で
ある。
【００５６】ここで、チェック用半田バンプ１４には、
半田バンプ１３と同じものを使用する。このような構成
とすることにより、半田バンプ１３が正常に融解する
と、各チェック用半田バンプ１３は対応するチェック用
パッド２２に接触し、導通状態となる。
半田バンプ１３と同じものを使用する。このような構成
とすることにより、半田バンプ１３が正常に融解する
と、各チェック用半田バンプ１３は対応するチェック用
パッド２２に接触し、導通状態となる。
【００５７】後は上述した方法と同じ方法で、各チェッ
ク用電極を調べ、半田付けの良否を判定する。
ク用電極を調べ、半田付けの良否を判定する。
【００５８】尚、図６に示す構成においては、前記凹部
の深さをｈより浅くし半田バンプがあるていど融解すれ
ば導通するように構成してもよい。
の深さをｈより浅くし半田バンプがあるていど融解すれ
ば導通するように構成してもよい。
【００５９】また、前記凹部の深さをｈより浅くした分
チェック用半田バンプ１４の径を小さくしたり、前記凹
部の深さをｈより深くしてその分半田バンプ１４の径を
大きくし、チェック用パッド２２との距離が半田バンプ
１３の沈み量に対応した高さになるように構成してもよ
い。
チェック用半田バンプ１４の径を小さくしたり、前記凹
部の深さをｈより深くしてその分半田バンプ１４の径を
大きくし、チェック用パッド２２との距離が半田バンプ
１３の沈み量に対応した高さになるように構成してもよ
い。
【００６０】次に、図７を使用して本発明のさらに別の
実施形態を説明する。
実施形態を説明する。
【００６１】図７は、チェック用半田バンプ１４の底部
をハンマリング、研磨、化学エッチング等によって切欠
部を形成しチェック用半田バンプ１４として使用する場
合の例を示す側面図である。
をハンマリング、研磨、化学エッチング等によって切欠
部を形成しチェック用半田バンプ１４として使用する場
合の例を示す側面図である。
【００６２】この場合、チェック用半田バンプ１４に
は、半田バンプ１３と同じ半田バンプの底面を研磨等に
よって沈み量以下の切欠部を形成し、当該切欠部がチェ
ック用パッド２２の表面に対峙するように配置する。
は、半田バンプ１３と同じ半田バンプの底面を研磨等に
よって沈み量以下の切欠部を形成し、当該切欠部がチェ
ック用パッド２２の表面に対峙するように配置する。
【００６３】その後、所定のリフローを行い、上述した
方法と同じ方法で、各チェック用電極を調べ、半田付け
の良否を判定する。
方法と同じ方法で、各チェック用電極を調べ、半田付け
の良否を判定する。
【００６４】次に、図８を使用して本発明のさらに別の
実施形態を説明する。
実施形態を説明する。
【００６５】図８は、プリント基板２０の表面のうち、
チェック用パッド２２が配置される位置に凹部を形成
し、当該凹部に半田バンプを固着したＢＧＡ型半導体装
置をプリント基板２０に載置した状態を示す側面図であ
る。
チェック用パッド２２が配置される位置に凹部を形成
し、当該凹部に半田バンプを固着したＢＧＡ型半導体装
置をプリント基板２０に載置した状態を示す側面図であ
る。
【００６６】ここで、チェック用半田バンプ１４には、
半田バンプ１３と同じものを使用し、当該チェック用半
田バンプ１４とフラックス４０との間の距離が沈み量ｈ
となるように前記凹部を形成する。このような構成とす
ることにより、半田バンプ１３が正常に融解すると、各
チェック用半田バンプ１３は対応するチェック用パッド
２２に接触し、導通状態となる。
半田バンプ１３と同じものを使用し、当該チェック用半
田バンプ１４とフラックス４０との間の距離が沈み量ｈ
となるように前記凹部を形成する。このような構成とす
ることにより、半田バンプ１３が正常に融解すると、各
チェック用半田バンプ１３は対応するチェック用パッド
２２に接触し、導通状態となる。
【００６７】後は上述した方法と同じ方法で、各チェッ
ク用電極を調べ、半田付けの良否を判定する。
ク用電極を調べ、半田付けの良否を判定する。
【００６８】尚、図８に示す構成においては、前記凹部
の深さをより浅くし半田バンプがあるていど融解すれば
導通するように構成してもよい。
の深さをより浅くし半田バンプがあるていど融解すれば
導通するように構成してもよい。
【００６９】また、前記凹部の深さを浅くした分チェッ
ク用半田バンプ１４の径を小さくしたり、前記凹部の深
さをより深くしてその分半田バンプ１４の径を大きく
し、フラックス４０との距離が半田バンプ１３の沈み量
に対応した高さになるように構成してもよい。
ク用半田バンプ１４の径を小さくしたり、前記凹部の深
さをより深くしてその分半田バンプ１４の径を大きく
し、フラックス４０との距離が半田バンプ１３の沈み量
に対応した高さになるように構成してもよい。
【００７０】次に、図９を使用して本発明のさらに別の
実施形態を説明する。
実施形態を説明する。
【００７１】図９は、ＢＧＡ基板１１底面のうち、プリ
ント基板２０に設けられたチェック用パッド２２が配置
される位置に対応する位置に凸部を形成し、当該凸部に
導体１５を固着したＢＧＡ型半導体装置をプリント基板
２０に載置した状態を示す側面図である。
ント基板２０に設けられたチェック用パッド２２が配置
される位置に対応する位置に凸部を形成し、当該凸部に
導体１５を固着したＢＧＡ型半導体装置をプリント基板
２０に載置した状態を示す側面図である。
【００７２】この場合、導体１５には、半田バンプ１３
と同じ半田を使用してもよいし、銅やアルミのような金
属を使用してもよい。導体１５に半田を使用する場合に
は、図９に示すようにチェック用パッド２２の表面にフ
ラックス４０を塗布すると当該導体の融着状態が良くな
る。
と同じ半田を使用してもよいし、銅やアルミのような金
属を使用してもよい。導体１５に半田を使用する場合に
は、図９に示すようにチェック用パッド２２の表面にフ
ラックス４０を塗布すると当該導体の融着状態が良くな
る。
【００７３】ここで、導体１５とフラックス４０との間
の距離は、半田バンプ１３の沈み量ｈ以下となるように
構成する。その後、所定のリフローを行い、上述した方
法と同じ方法で、各チェック用電極を調べ、半田付けの
良否を判定する。
の距離は、半田バンプ１３の沈み量ｈ以下となるように
構成する。その後、所定のリフローを行い、上述した方
法と同じ方法で、各チェック用電極を調べ、半田付けの
良否を判定する。
【００７４】尚、図９に示したような凸部は、プリント
基板のチェック用パッド２２が配置される位置に設けて
もよい。
基板のチェック用パッド２２が配置される位置に設けて
もよい。
【００７５】次に、図１０を使用して本発明のさらに別
の実施形態を説明する。
の実施形態を説明する。
【００７６】図１０は、ＢＧＡ基板１１底面のうち、プ
リント基板２０に設けられたチェック用パッド２２が配
置される位置に対応する位置に凸部を形成し、当該凸部
に導体１５を固着したＢＧＡ型半導体装置を、チェック
用パッド２２の表面にソルダーペースト４１を塗布した
プリント基板２０に載置した状態を示す側面図である。
リント基板２０に設けられたチェック用パッド２２が配
置される位置に対応する位置に凸部を形成し、当該凸部
に導体１５を固着したＢＧＡ型半導体装置を、チェック
用パッド２２の表面にソルダーペースト４１を塗布した
プリント基板２０に載置した状態を示す側面図である。
【００７７】ここで、前記凸部の高さと前記ソルダーペ
ースト４１の塗布量は、ＢＧＡ型半導体装置をプリント
基板に載置させた際に前記導体１５とソルダーペースト
４１との間の距離が沈み量ｈ以下となるように形成され
る。
ースト４１の塗布量は、ＢＧＡ型半導体装置をプリント
基板に載置させた際に前記導体１５とソルダーペースト
４１との間の距離が沈み量ｈ以下となるように形成され
る。
【００７８】ＢＧＡ型半導体装置をプリント基板に載置
しリフローした後は、上述した方法と同じ方法で、各チ
ェック用電極を調べ、半田付けの良否を判定する。
しリフローした後は、上述した方法と同じ方法で、各チ
ェック用電極を調べ、半田付けの良否を判定する。
【００７９】尚、上記ソルダーペーストに代えて、チェ
ック用パッド２２の表面にメッキ処理を施し、メッキ量
を調整して前記沈み量を確保してもよい。
ック用パッド２２の表面にメッキ処理を施し、メッキ量
を調整して前記沈み量を確保してもよい。
【００８０】次に、図１１を使用して本発明のさらに別
の実施形態を説明する。
の実施形態を説明する。
【００８１】図１１は、ＢＧＡ基板１１底面のうち、プ
リント基板２０に設けられたチェック用パッド２２が配
置される位置に対応する位置に凸部を形成し、当該凸部
に導体１５を固着したＢＧＡ型半導体装置を、チェック
用パッド２２の表面にソルダーペースト４１を塗布した
プリント基板２０に載置した状態を示す側面図である。
リント基板２０に設けられたチェック用パッド２２が配
置される位置に対応する位置に凸部を形成し、当該凸部
に導体１５を固着したＢＧＡ型半導体装置を、チェック
用パッド２２の表面にソルダーペースト４１を塗布した
プリント基板２０に載置した状態を示す側面図である。
【００８２】ここで、ソルダーペースト４１は、チェッ
ク用パッド２２の表面上に一定の厚さで塗布され、その
塗布量は、当該ソルダーペーストがリフロー工程で溶融
したときに、前記導体１５と溶融後のソルダーペースト
４１との間の距離が沈み量ｈ以下となるように形成され
る。
ク用パッド２２の表面上に一定の厚さで塗布され、その
塗布量は、当該ソルダーペーストがリフロー工程で溶融
したときに、前記導体１５と溶融後のソルダーペースト
４１との間の距離が沈み量ｈ以下となるように形成され
る。
【００８３】ＢＧＡ型半導体装置をプリント基板に載置
しリフローした後は、上述した方法と同じ方法で、各チ
ェック用電極を調べ、半田付けの良否を判定する。
しリフローした後は、上述した方法と同じ方法で、各チ
ェック用電極を調べ、半田付けの良否を判定する。
【００８４】この場合には、ソルダーペースト４１の塗
布量を調整する治具として図１２に示すようなスクリー
ンマスクを使用する。同図に示すように、スクリーンマ
スク８０には、各チェック用パッド２２に塗布するソル
ダーペーストの量に相当する開口容積を有する中空部Ｈ
１、Ｈ２が設けられている。
布量を調整する治具として図１２に示すようなスクリー
ンマスクを使用する。同図に示すように、スクリーンマ
スク８０には、各チェック用パッド２２に塗布するソル
ダーペーストの量に相当する開口容積を有する中空部Ｈ
１、Ｈ２が設けられている。
【００８５】ここで、Ｈ１は、図１１に示す中央部のチ
ェック用パッド２２にソルダーペーストを塗布するため
の中空部であり、Ｈ２は、図１１の右側に示すチェック
用パッド２２にソルダーペーストを塗布するための中空
部である。
ェック用パッド２２にソルダーペーストを塗布するため
の中空部であり、Ｈ２は、図１１の右側に示すチェック
用パッド２２にソルダーペーストを塗布するための中空
部である。
【００８６】チェック用パッド２２の表面にソルダーペ
ーストを塗布する際には、当該各中空部を対応するチェ
ック用パッドの上に位置決めし、スクリーンマスク８０
をプリント基板２０に載置する。
ーストを塗布する際には、当該各中空部を対応するチェ
ック用パッドの上に位置決めし、スクリーンマスク８０
をプリント基板２０に載置する。
【００８７】その後、ソルダーペストを各中空部が埋ま
るようにスクリーンマスク８０の表面全体に塗布し、当
該マスクをプリント基板２０から取り除く。
るようにスクリーンマスク８０の表面全体に塗布し、当
該マスクをプリント基板２０から取り除く。
【００８８】このようにして塗布されたソルダーペース
トは、図１２に示すように、Ｈ２のほうがＨ１よりも開
口容積が広いため、リフロー工程を経た後のソルダーペ
ーストの高さは、図１１に示すように、右側のチェック
用パッド２２に塗布されたものの方が高くなり、それぞ
れ凸部との間に沈み量ｈの間隙を確保する。
トは、図１２に示すように、Ｈ２のほうがＨ１よりも開
口容積が広いため、リフロー工程を経た後のソルダーペ
ーストの高さは、図１１に示すように、右側のチェック
用パッド２２に塗布されたものの方が高くなり、それぞ
れ凸部との間に沈み量ｈの間隙を確保する。
【００８９】以上説明したように本発明では、ＢＧＡ型
半導体装置に設けられた半田バンプの沈み量を考慮し
て、半田バンプやＢＧＡ基板あるいはプリント基板の形
状を変化させ、リフロー後の電気的接続状態を容易に検
査することを可能とする。
半導体装置に設けられた半田バンプの沈み量を考慮し
て、半田バンプやＢＧＡ基板あるいはプリント基板の形
状を変化させ、リフロー後の電気的接続状態を容易に検
査することを可能とする。
【００９０】なお、上述した各実施形態では、チェック
用パッド２２にフラックス４０を塗布し、チェック用半
田バンプ１４と当該フラックスが融合してチェック用半
田バンプ１４がチェック用パッド２２に融着する構成に
ついて説明したが、このフラックスは、本発明の必須要
件ではなく、特に使用しなくてもよい。
用パッド２２にフラックス４０を塗布し、チェック用半
田バンプ１４と当該フラックスが融合してチェック用半
田バンプ１４がチェック用パッド２２に融着する構成に
ついて説明したが、このフラックスは、本発明の必須要
件ではなく、特に使用しなくてもよい。
【００９１】この場合には、チェック用半田バンプ１４
の底面とチェック用パッド２２の表面との距離が沈み量
ｈとなるように構成すればよい。
の底面とチェック用パッド２２の表面との距離が沈み量
ｈとなるように構成すればよい。
【００９２】また、上述した半田バンプやＢＧＡ基板あ
るいはプリント基板の形状の変化をそれぞれ組み合わせ
て使用してもよい。例えば、あるチェック用パッドはプ
リント基板に形成された凹部の中に配置され、あるチェ
ック用パッドはプリント基板に形成された凸部の上に配
置され、あるチェック用パッドはパッドの代わりに半田
バンプを使用するような組合せが考えられる。
るいはプリント基板の形状の変化をそれぞれ組み合わせ
て使用してもよい。例えば、あるチェック用パッドはプ
リント基板に形成された凹部の中に配置され、あるチェ
ック用パッドはプリント基板に形成された凸部の上に配
置され、あるチェック用パッドはパッドの代わりに半田
バンプを使用するような組合せが考えられる。
【００９３】また、本発明は、ＢＧＡ型半導体装置にか
ぎらず、表面実装部品等通電用部材を溶融して、電気的
接続を行うすべての電子部品の実装検査に適用すること
ができる。
ぎらず、表面実装部品等通電用部材を溶融して、電気的
接続を行うすべての電子部品の実装検査に適用すること
ができる。
【００９４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＢＧＡ型半導体装置に代表される表面実装型電子部品の
半田付け不良を特別な検査装置等を使用することなく、
テスターのみで簡易にかつ精度よく判定することができ
る。
ＢＧＡ型半導体装置に代表される表面実装型電子部品の
半田付け不良を特別な検査装置等を使用することなく、
テスターのみで簡易にかつ精度よく判定することができ
る。
【図１】本発明をＢＧＡ型半導体装置のプリント基板へ
の実装に適用した場合の一実施の形態を示す立体図。
の実装に適用した場合の一実施の形態を示す立体図。
【図２】図１に示すＢＧＡ型半導体装置をプリント基板
に載置した状態を示す側面図。
に載置した状態を示す側面図。
【図３】図１に示すＢＧＡ型半導体装置をプリント基板
に載置した後、所定のリフロー工程を行い、当該工程に
おいて半田付けが正常に終了したときの状態を示す側面
図。
に載置した後、所定のリフロー工程を行い、当該工程に
おいて半田付けが正常に終了したときの状態を示す側面
図。
【図４】図１に示すＢＧＡ型半導体装置をプリント基板
に載置した後、所定のリフロー工程を行い、当該工程に
おいて半田付けが正常に終了しなかったときの状態を示
す側面図。
に載置した後、所定のリフロー工程を行い、当該工程に
おいて半田付けが正常に終了しなかったときの状態を示
す側面図。
【図５】図１に示すＢＧＡ型半導体装置の１電極あたり
の重量と沈み量との関係を示すプロット図。
の重量と沈み量との関係を示すプロット図。
【図６】図１に示すＢＧＡ基板の裏面に凹部を形成して
チェック用半田バンプを配置し、プリント基板に載置し
たときの状態を示す側面図。
チェック用半田バンプを配置し、プリント基板に載置し
たときの状態を示す側面図。
【図７】図１に示すＢＧＡ型半導体装置に切欠部を形成
した半田バンプを配置し、プリント基板に載置したとき
の状態を示す側面図。
した半田バンプを配置し、プリント基板に載置したとき
の状態を示す側面図。
【図８】図１に示すプリント基板の表面に凹部を形成し
てチェック用パッドを配置し、ＢＧＡ型半導体装置を載
置したときの状態を示す側面図。
てチェック用パッドを配置し、ＢＧＡ型半導体装置を載
置したときの状態を示す側面図。
【図９】図１に示すＢＧＡ基板の裏面に凸部を形成して
導体を配置し、プリント基板に載置したときの状態を示
す側面図。
導体を配置し、プリント基板に載置したときの状態を示
す側面図。
【図１０】図１に示すＢＧＡ基板の裏面に凸部を形成し
て導体を配置し、プリント基板に配置されたパッドにソ
ルダーペーストをその厚みを変化させて塗布し、ＢＧＡ
型半導体装置をプリント基板に載置したときの状態を示
す側面図。
て導体を配置し、プリント基板に配置されたパッドにソ
ルダーペーストをその厚みを変化させて塗布し、ＢＧＡ
型半導体装置をプリント基板に載置したときの状態を示
す側面図。
【図１１】図１に示すＢＧＡ基板の裏面に凸部を形成し
て導体を配置し、プリント基板に配置されたパッドにソ
ルダーペーストをその面積を変化させて塗布し、ＢＧＡ
型半導体装置をプリント基板に載置したときの状態を示
す側面図。
て導体を配置し、プリント基板に配置されたパッドにソ
ルダーペーストをその面積を変化させて塗布し、ＢＧＡ
型半導体装置をプリント基板に載置したときの状態を示
す側面図。
【図１２】図１１で使用するソルダーペーストを塗布す
る際に使用するスクリーンマスクの構造および使用例を
示す立体図。
る際に使用するスクリーンマスクの構造および使用例を
示す立体図。
１０…ＢＧＡモールド、１１…ＢＧＡ基板、１３…半田
バンプ、１４…チェック用半田バンプ、１５…導体、２
０…プリント基板、２１…パッド、２２…チェック用パ
ッド、３０…チェック用電極、４０…フラックス、４１
…ソルダーペースト、７０…テスター、８０…スクリー
ンマスク、Ｈ１、Ｈ２…中空部。
バンプ、１４…チェック用半田バンプ、１５…導体、２
０…プリント基板、２１…パッド、２２…チェック用パ
ッド、３０…チェック用電極、４０…フラックス、４１
…ソルダーペースト、７０…テスター、８０…スクリー
ンマスク、Ｈ１、Ｈ２…中空部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/92 ６０４Ｔ
Claims (12)
- 【請求項１】 第１の電気的接続部位が配置された電子
部品と、該第１の電気的接続部位に対応する位置に第２
の電気的接続部位が配置された基板とを、溶融すること
により該第１の電気的接続部位と該第２の電気的接続部
位との間を電気的に接続する通電用部材を介して接続し
た電子部品実装基板において、 前記電子部品には、 第１の検査用導体が設けられ、 前記基板には、 第２の検査用導体が設けられ、 該第１の検査用導体と該第２の検査用導体は、 前記電子部品と前記基板とを前記通電用部材を介して載
置した場合に、該第１の検査用導体と該第２の検査用導
体との距離が、該通電用部材の沈み量以下となるように
形成されることを特徴とする電子部品実装基板。 - 【請求項２】 前記第１の検査用導体または前記第２の
検査用導体は、 前記通電用部材の高さより沈み量だけ小さい高さ以上の
高さを有することを特徴とする請求項１記載の電子部品
実装基板。 - 【請求項３】 前記第１の検査用導体または前記第２の
検査用導体は、 前記通電用部材以上の高さを有し、 前記電子部品または前記基板には、 沈み量以下の深さを有する凹部を設けたことを特徴とす
る請求項１記載の電子部品実装基板。 - 【請求項４】 前記第１の検査用導体または前記第２の
検査用導体は、 前記通電用部材と同じ部材に対し沈み量以下の切欠部を
形成した導体であることを特徴とする請求項１記載の電
子部品実装基板。 - 【請求項５】 前記電子部品または前記基板は、 凹部または凸部を具備することを特徴とする請求項１記
載の電子部品実装基板。 - 【請求項６】 前記通電用部材、前記第１の検査用導体
および前記第２の検査用導体は、半田ボールであること
を特徴とする請求項１乃至請求項６記載の電子部品実装
基板。 - 【請求項７】 前記通電用部材は、 半田ボールであり、 前記第１の検査用導体および／または前記第２の検査用
導体は、 ソルダーペーストであることを特徴とする請求項１また
は請求項５記載の電子部品実装基板。 - 【請求項８】 第１の電気的接続部位が配置された電子
部品と、該第１の電気的接続部位に対応する位置に第２
の電気的接続部位が配置された基板とを、溶融すること
により該第１の電気的接続部位と該第２の電気的接続部
位との間を電気的に接続する通電用部材を介して接続し
た電子部品実装基板において、 前記電子部品には、 第１の検査用導体が設けられ、 前記基板には、 第２の検査用導体が設けられ、 該第２の検査用導体は、 ソルダーペーストであり、 該第１の検査用導体と該第２の検査用導体は、 前記電子部品と前記基板とを前記通電用部材を介して載
置した場合に、前記ソルダーペストを溶融した後の該ソ
ルダーペーストと該第１の検査用導体との距離が、該通
電用部材の沈み量以下となるように形成されることを特
徴とする電子部品実装基板。 - 【請求項９】 基板上に配置された第２の電気的接続部
位に対応する位置に、第１の電気的接続部位を備えると
ともに、該基板上に配置された第２の検査用導体に対応
する位置に第１の検査用導体を備え、溶融することによ
り該第１の電気的接続部位と該第２の電気的接続部位と
の間を電気的に接続する通電用部材を介して該基板と接
続される電子部品において、 前記第１の検査用導体は、 前記電子部品と前記基板とを前記通電用部材を介して載
置した場合に、該第１の検査用導体と該第２の検査用導
体との距離が、溶融前の該通電用部材の高さと溶融後の
該通電用部材の高さとの差以下となるように形成される
ことを特徴とする電子部品。 - 【請求項１０】 電子部品に配置された第１の電気的接
続部位に対応する位置に、第２の電気的接続部位を備え
るとともに、該電子部品に配置された第１の検査用導体
に対応する位置に第２の検査用導体を備え、溶融するこ
とにより該第１の電気的接続部位と該第２の電気的接続
部位との間を電気的に接続する通電用部材を介して該電
子部品と接続される基板において、 前記第２の検査用導体は、 前記電子部品と前記基板とを前記通電用部材を介して載
置した場合に、該第１の検査用導体と該第２の検査用導
体との距離が、溶融前の該通電用部材の高さと溶融後の
該通電用部材の高さとの差以下となるように形成される
ことを特徴とする基板。 - 【請求項１１】 電子部品に配置された第１の電気的接
続部位に対応する位置に、第２の電気的接続部位を備え
るとともに、該電子部品に配置された第１の検査用導体
に対応する位置にソルダーペーストを塗布した基板に対
して、該ソルダーペーストを塗布する際に使用されるス
クリーンマスクにおいて、 該第１の検査用導体と該第２の検査用導体は、 前記電子部品と前記基板とを前記通電用部材を介して載
置した場合に、前記ソルダーペストを溶融した後の該ソ
ルダーペーストと該第１の検査用導体との距離が、該通
電用部材の沈み量以下となるように形成され、 該ソルダーペーストが塗布される位置に対応する位置
に、該ソルダーペーストが塗布される体積以上の容積を
有する中空部を形成したことを特徴とするスクリーンマ
スク。 - 【請求項１２】 第１の電気的接続部位が配置された電
子部品と、該第１の電気的接続部位に対応する位置に第
２の電気的接続部位が配置された基板とを、溶融するこ
とにより該第１の電気的接続部位と該第２の電気的接続
部位との間を電気的に接続する通電用部材を介して接続
した電子部品実装基板の電気的接続検査方法において、 前記電子部品には、 第１の検査用導体が設けられ、 前記基板には、 第２の検査用導体が設けられ、 該第１の検査用導体と該第２の検査用導体は、 前記電子部品と前記基板とを前記通電用部材を介して載
置した場合に、該第１の検査用導体と該第２の検査用導
体との距離が、該通電用部材の沈み量以下となるように
形成され、 前記通電用部材を溶融して接続された前記第１の電気的
接続部位と前記第２の電気的接続部位との間の抵抗値を
測定することによって、前記電子部品と前記基板との電
気的接続状態を検査することを特徴とする電子部品実装
基板の電気的接続検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21349597A JP3635882B2 (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | 電子部品実装基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21349597A JP3635882B2 (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | 電子部品実装基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154881A true JPH1154881A (ja) | 1999-02-26 |
| JP3635882B2 JP3635882B2 (ja) | 2005-04-06 |
Family
ID=16640152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21349597A Expired - Fee Related JP3635882B2 (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | 電子部品実装基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3635882B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100894804B1 (ko) | 2007-06-25 | 2009-04-24 | (주)씨앤에스 테크놀로지 | 반도체부품의 결합 체크 방법 |
| WO2010064341A1 (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | パナソニック株式会社 | チップを有する半導体装置 |
| JP2011254053A (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-15 | Nec Corp | 半導体パッケージ、配線基板、及びリフロー炉 |
-
1997
- 1997-08-07 JP JP21349597A patent/JP3635882B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100894804B1 (ko) | 2007-06-25 | 2009-04-24 | (주)씨앤에스 테크놀로지 | 반도체부품의 결합 체크 방법 |
| WO2010064341A1 (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | パナソニック株式会社 | チップを有する半導体装置 |
| US8067950B2 (en) | 2008-12-01 | 2011-11-29 | Panasonic Corporation | Semiconductor device including chip |
| JP2011254053A (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-15 | Nec Corp | 半導体パッケージ、配線基板、及びリフロー炉 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3635882B2 (ja) | 2005-04-06 |
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