JPH1126931A - 電子部品実装基板およびその接続検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、電子部品とプリント基板との電気的
接続状態を容易に検査することができる検査方法並びに
その方法に直接使用する通電用金属並びに該通電用金属
を具備する電子部品およびプリント基板を提供すること
を目的とする。 【解決手段】ＢＧＡ型半導体装置にチェック用半田バン
プ（１４ａ〜１４ｄ）を設け、当該バンプを導電体（５
０）および当該導電体と抵抗率のことなる中間体（５
１）で形成し、当該中間体を導電体（５０）とプリント
基板に設けられたチェック用パッド（２２ａ〜２２ｄ）
の接触を妨げるように配置する。このＢＧＡ型半導体装
置をプリント基板に載置した後、中間体（５１）が溶融
する温度でリフローし、半田付けを行う。半田付けが正
常に終了した場合には、導電体（５０）と中間体（５
１）は融合し、半田付けが正常に終了しなかった場合に
は、中間体（５１）がチェック用パッド（２２ａ〜２２
ｄ）の表面に残るため、半田付けの状態によって抵抗値
に差が生ずる。この抵抗値の差を検出することにより半
田付けの良否を判定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品とプリン
ト基板とを物理的および電気的に接続する通電用金属並
びに該通電用金属を具備する電子部品およびプリント基
板に関し、特に、該通電用電極を抵抗率の異なる２つの
物質で形成することにより、前記電子部品と前記プリン
ト基板との電気的接続状態を検査することができる通電
用金属並びに該通電用金属を具備する電子部品およびプ
リント基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置等の電子部品の高機能化に伴
い、当該電子部品に設けられた入出力用の端子数が増大
する傾向にある。また、プリント基板の実装密度を高く
するため、電子部品の電極間ピッチは狭くなり、例え
ば、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ ＦｌａｔＰａｃｋａｇｅ）で
は、０．３ｍｍピッチといった極めて狭いものまで使用
されている。

【０００３】しかし、電極間ピッチの狭小化は製造工程
の困難さを招き、電子部品の品質を確保するには、高度
な製造技術が必要である等の問題がある。

【０００４】そこで、近年、電子部品の裏面にグリッド
状に半田バンプ配置し、当該半田バンプを電極として使
用するものが注目されている。この種の電子部品として
は、例えば、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａ
ｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）、あるいはフリップチップ等が挙げられる。

【０００５】上記のような半田バンプを具備する電子部
品は、プリント基板に半田付けされた際に電極部が当該
電子部品と当該プリント基板の間に隠れてしまうため、
半田付けの状態を確認することが困難である。

【０００６】この問題を解決するため、従来は、半田付
けの検査方法としてＸ線検査装置を使用して電極部の状
態を透視する方法や、特開平７−２３４１８９に記載さ
れているように、微細管にセンサを配置し、当該微細管
を電子部品の電極部に挿入して接続状態を検知する方法
が使用されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、Ｘ線検査装置
を使用する方法では、検査装置が非常に高額であり、ま
た、プリント基板に設けられたパッドへの半田の濡れ不
良を判別できないという問題や、検査部位がプリント基
板の配線パターンの像と重なって良否の判定が困難であ
るという問題がある。

【０００８】また、特開平７−２３４１８９に開示され
ている方法では、隙間の狭い部分であってもセンサーを
挿入することができるようにセンサーの固定には微細管
を使用しているが、たとえ、どのように微細な管状のも
のであっても実際にＢＧＡ等の電極部を直接センシング
することは困難であり、検出精度が低くくなるという問
題がある。

【０００９】そこで、本発明は、電子部品とプリント基
板との電気的接続状態を容易に検査することができる検
査方法並びにその方法に直接使用する通電用金属並びに
該通電用金属を具備する電子部品およびプリント基板を
提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、電子部品に設けられた複数
の第１の電気的接続部位とプリント基板に設けられた複
数の第２の電気的接続部位とを複数の通電用部材が溶融
することにより電気的な接続状態とする電子部品実装基
板において、前記複数の通電用部材のうち、少なくとも
１部は、前記電気的接続の主体となる導電体と、該導電
体と抵抗率の異なる中間体とを具備し、該中間体は、前
記導電体と前記第２の電気的接続部位が接触する接触面
の少なくとも１部に配置されていることを特徴とする。

【００１０】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の発明において、前記中間体は、前記電気的接続部位
に塗布されるソルダーペーストの中に粉末状で含まれて
いることを特徴とする。

【００１１】また、請求項３記載の発明は、プリント基
板に設けられた電気的接続部位に対し、溶融することに
より該プリント基板との電気的接続を行う複数の通電用
部材を具備する電子部品において、前記複数の通電用部
材のうち、少なくとも１つは、前記電気的接続の主体と
なる導電体と、該導電体と抵抗率の異なる中間体とを具
備し、該中間体は、前記導電体と前記電気的接続部位が
接触する接触面の少なくとも１部に形成されていること
を特徴とする。

【００１２】また、請求項４記載の発明は、溶融するこ
とにより電気的接続を行う複数の通電用部材を有する電
子部品の該通電用部材のが固着部に対応する位置に複数
の電気的接続部位が配置されたプリント基板において、
前記複数の電気的接続部位のうち、少なくとも１つに
は、前記通電用部材と抵抗率の異なる中間体が前記通電
用部材と前記電気的接続部位が接触する接触面の少なく
とも１部に形成されていることを特徴とする。

【００１３】また、請求項５記載の発明は、電子部品に
設けられた第１の電気的接続部位とプリント基板に設け
られた第２の電気的接続部位との間に配置され、溶融す
ることにより該電子部品と該プリント基板との電気的接
続を行う通電用部材において、該通電用部材は、前記電
気的接続の主体となる導電体と、該導電体と抵抗率の異
なる中間体とを具備し、該中間体は、前記導電体と前記
第２の電気的接続部位が接触する接触面の少なくとも１
部に形成されていることを特徴とする。

【００１４】また、請求項６記載の発明は、請求項５記
載の発明において、前記導電体は、錫を主成分とし、融
点が２２０℃以下であることを特徴とする。

【００１５】また、請求項７記載の発明は、請求項５ま
たは６記載の発明において、前記中間体は、前記導電体
の融点以上の融点を有する金属、合金若しくは有機材料
またはこれらの結合で形成されていることを特徴とす
る。

【００１６】また、請求項８記載の発明は、請求項５乃
至請求項７記載の発明において、前記中間体の融点は、
前記導電体の融点より３０℃高い温度以下であることを
特徴とする。

【００１７】また、請求項９記載の発明は、請求項５乃
至請求項８記載の発明において、前記中間体の抵抗率
は、前記導電体の抵抗率の２倍以上であることを特徴と
する。

【００１８】また、請求項１０記載の発明は、電子部品
に設けられた複数の第１の電気的接続部位とプリント基
板に設けられた複数の第２の電気的接続部位とが複数の
通電用金属を介して電気的に接続されている電子部品実
装基板の電気的接続検査方法において、前記複数の通電
用金属のうち、少なくとも１部は、前記電気的接続の主
体となる導電体と、該導電体と抵抗率の異なる中間体と
を具備し、該中間体は、前記導電体と前記第２の電気的
接続部位が接触する接触面の少なくとも１部に配置され
ており、前記電子部品および前記プリント基板の電気的
接続は、前記通電用金属を前記中間体が溶融する温度以
上の温度で溶融し、前記第１の電気的接続部位および前
記第２の電気的接続部位に固着させることにより達成さ
れ、前記中間体を具備する通電用金属を介して接続され
た前記第１の電気的接続部位と前記第２の電気的接続部
位との間の抵抗値を測定することによって、前記電子部
品と前記プリント基板との電気的接続状態を検査するこ
とを特徴とする。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る通電用金属並
びにこれを具備する電子部品およびプリント基板並びに
該通電用金属を使用した電子部品実装基板およびその接
続検査方法の一実施の形態を添付図面を参照して詳細に
説明する。

【００２０】図１は、本発明をＢＧＡ型半導体装置の実
装に適用した場合の一例を示す立体図であり、同図にお
いて、ＢＧＡ型半導体装置は、半導体チップを内部に封
止したＢＧＡモールド１０と、当該半導体チップの入出
力に特定の配線パターンを供給するＢＧＡ基板１１と、
ＢＧＡ基板１１の裏側に設けられ当該半導体チップの入
出力と電気的に接続し、外部端子となる半田バンプ１３
と、本発明に係る通電用金属で形成されたチェック用半
田バンプ１４と、チェック用半田バンプと電気的に接続
され、ＢＧＡ基板１１の上面に露呈したチェック用電極
から構成される。

【００２１】ここで、チェック用半田バンプ１４は、図
１に示すように、ＢＧＡ基板１１の四隅に設けられる。
このよにチェック用半田バンプ１４を四隅に設けること
で、最小のチェック部位で最大の検査を実現することが
できる。もちろん、チェック用半田バンプ１４の数は自
由に増やすことができる。

【００２２】さらに、前記半導体チップの入出力と電気
的に接続されている半田バンプ１３の一部または全部を
チェック用半田バンプ１４とし、余分な半田バンプを具
備しない構成とすることも可能である。

【００２３】一方、プリント基板２０は、前記半田バン
プ１３に対応する位置に設けられ、ＢＧＡ型半導体装置
との電気的接続を達成するためのパッド２１と、前記チ
ェック用半田バンプ１４に対応する位置に設けられ、前
記チェック用電極３０との電気的接続を達成するための
チェック用パッド２２から構成される。

【００２４】ここで、チェック用パッド２２は、ＢＧＡ
型半導体装置をプリント基板２０に搭載した際に外部に
露呈する大きさで形成される。プリント基板２０の部品
面の面積に余裕がない場合には、チェック用パッド２２
をパッド２１と同じ大きさで形成し、チェック用パッド
２２にスルーホールを形成してプリント基板２０の半田
面にチェック用端子を形成することもできる。

【００２５】ＢＧＡ型半導体装置は、図１に示す矢印の
方向に搭載され、その後所定のリフロー工程を経てプリ
ント基板２０と電気的に接続される。

【００２６】図２は、チェック用半田バンプ１４の構造
例を示す側面図である。同図は、チェック用半田バンプ
１４がＢＧＡ基板１１の四辺にそれぞれ４個（同図中１
４ａ〜１４ｄ）設けられている場合の例を示している。

【００２７】各チェック用半田バンプ１４ａ〜１４ｄ
は、ＢＧＡ基板１１に設けられた配線パターンに固着さ
れる導電体５０と、当該導電体と抵抗率の異なる中間体
５１から構成される。

【００２８】この導電体５０には、融点１８２℃付近の
半田を使用し、中間体５１には、導電体５０の融点以上
の融点を有する半田よりも抵抗率の低い金や銀、また
は、半田よりも抵抗率の高いビスマス、アンチモン、タ
ングステン、ゲルマニウム等の金属を使用する。

【００２９】その他、中間体５１に使用する材料として
は、錫と上記金属との合金やロジン樹脂、エポキシ樹
脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂等の樹脂が挙げられ
る。これらの合金や樹脂は、前記金属中に含ませて使用
してもよいし、当該樹脂を金属または合金の表面に塗布
する等、金属、合金および樹脂を任意に結合させて使用
してもよい。

【００３０】中間体５１は、導電体５０が溶融した際に
当該導電体中に拡散しやすいように薄く（例えば５μ
ｍ）形成することが好ましい。もし、導電体５０との抵
抗値の差を中間体５１の厚さで出したい場合には、１０
０μｍ以下で形成してもよい。また、導電体５０には、
錫または鉛を主成分とする融点が２２０℃以下の高温半
田を使用することもできる。この場合には、中間体５１
に融点が２２０℃以上のものを使用する。

【００３１】プリント基板側には、各チェック用半田バ
ンプ１４ａ〜１４ｄにそれぞれ対応する位置にチェック
用パッド２２ａ〜２２ｄを設けられ、各チェック用パッ
ドには、半田付けを良好に行うためにフラックス４０が
塗布される。

【００３２】中間体５１は、導電体５０が各チェック用
パッドと接触しないように、導電体５０のうち、チェッ
ク用パッド側の表面に形成される。

【００３３】具体的には、チェック用半田バンプ１４ａ
は、導電体５０のチェック用パッド２２ａの幅に対応す
る表面部分に中間体５１を部分的にメッキ処理すること
によって形成し、チェック用半田バンプ１４ｂは、導電
体５０の表面全体を中間体５１でメッキ処理することに
よって形成し、チェック用半田バンプ１４ｃは、導電体
５０のチェック用パッド２２ｃの端面に対応する位置に
ボール状の中間体５１を接着することによって形成し、
チェック用半田バンプ１４ｄは、導電体５０の最下面に
ボール状の中間体５０を融着することによって形成す
る。

【００３４】その他、中間体５１を粉末状あるいはペレ
ット状にして導電体５０に粘着させてもよい。

【００３５】上記のように構成されたチェック用半田バ
ンプを具備するＢＧＡ型半導体装置をプリント基板に載
置すると、各チェック用半田バンプの導電体５０は、中
間体５１を介してプリント基板のチェック用パッドに載
置された状態となる。

【００３６】その後、中間体５１が溶融する温度でリフ
ロー工程を行い、各チェック用半田バンプ１４を各チェ
ック用パッド２２に、半田バンプ１３をパッド２１に融
着させる。尚、半田バンプ１３は、導電体５０と同じ材
質で形成されている。

【００３７】中間体５１は、導電体５０の融点以上の融
点を有するため、中間体５１が完全に溶融するときは、
導電体５０も完全に溶融し、中間体５１と導電体５０は
融合する。また、中間体５１が完全に溶融しない場合で
あっても導電体５０が完全に溶融すれば、当該中間体は
導電体５０の内部に移動するかまたはその表面を移動
し、チェック用パッド２２から離れ、導電体５０がチェ
ック用パッド２２に融着する。

【００３８】ここで、リフロー時に導電体５０が溶融す
る温度に達しなかった場合、または、フラックスによる
活性化が不十分であった場合には、導電体５０は完全に
溶融しない、と同時に中間体５１も溶融しない。

【００３９】その結果、正常に半田付けが終了したチェ
ック用半田バンプ１４は、導電体５０の抵抗率でチェッ
ク用パッド２２と電気的に接続されるが、正常に半田付
けが終了しなかったチェック用半田バンプ１４は、中間
体５１を介してチェック用パッド２２に接続された状態
となるため、ＢＧＡ型半導体装置とプリント基板間の抵
抗値が正常に半田付けが終了した場合と異なることにな
る。

【００４０】即ち、チェック用半田バンプ１４が完全に
溶融するときは、半田バンプ１３も完全に溶融すること
になるため、チェック用電極３０とチェック用パッド２
２との間の抵抗値を測定すれば、ＢＧＡ半導体装置の半
田付け不良を検出することが可能となる。

【００４１】上記検出は、中間体５１の融点を導電体５
０の融点よりも高くすれば高くする程正確に検出するこ
とができるが、一般に、高温でのリフローは電子部品に
損害を与えるため、中間体５１と導電体５０の融点の差
は３０℃以下とするのが好ましい。

【００４２】また、中間体５１は、その抵抗率が導電体
５０の抵抗率より２倍以上離れるように形成すると、半
田付けが正常に終了したときと正常に終了しなかったと
きの抵抗値の差が検知し易くなるためより好ましい。

【００４３】次に、図３を使用して、上述した中間体を
プリント基板側に設けた場合の例を説明する。

【００４４】図３は、図２と同様、チェック用半田バン
プがＢＧＡ基板１１の四辺にそれぞれ４個（同図中１４
ａ〜１４ｄ）設けられている場合の例を示している。

【００４５】各チェック用パッド２２ａ〜２２ｄには、
ＢＧＡ型半導体装置に設けられたチェック用半田バンプ
１４ａ〜１４ｄと抵抗率の異なる中間体５１が当該各パ
ッドの表面に載置または塗布されている。これにより、
ＢＧＡ型半導体装置がプリント基板に載置されても、導
電体５０が各チェック用パッドに接触することはない。

【００４６】図３には、中間体５１の載置例を示してお
り、チェック用パッド２２ａは、その表面を覆うように
中間体５１が載置または固着され、その上からフラック
ス４０を塗布している。また、チェック用パッド２２ｂ
は、その表面に中間体５１を融着しその周辺にフラック
ス４０を塗布している。また、チェック用パッド２２ｃ
は、その表面にフラックス４０を塗布し、その上からボ
ール状の中間体５１を載置している。また、チェック用
パッド２２ｄは、その表面に粉末状の中間体を含むソル
ダーペースト４１を塗布している。

【００４７】チェック用パッド２２ｄで使用するソルダ
ーペースト４１には、その融点がチェック用半田バンプ
１４ｄの融点以上のものを使用する。このように、ソル
ダーペースト４１に中間体５１の粉末を含ませることに
よって、当該ソルダーペーストの抵抗率は、混合する割
合に応じて中間体５１の抵抗率に近くなる。

【００４８】以上説明したような構造を有するＢＧＡ型
半導体装置またはプリント基板を使用して半田付けを行
い、その電気的接続状態を検査する場合の検査例を図４
を使用して説明する。

【００４９】図４は、図１に示すＢＧＡ型半導体装置を
同図に示すプリント基板に載置し、所定のリフロー工程
を経て、実装した場合の半田付けの状態を示す側面図で
ある。

【００５０】図４に示す状態では、左側のチェック用半
田バンプ１４はまだ完全に溶融しておらず、中間体５１
が残っているが、右側のチェック用半田バンプ１４は完
全に溶融しており、中間体５１と導電体５０が完全に融
合している。

【００５１】この状態で、両方のチェック用半田バンプ
に対応する位置に設けられたチェック用電極３０とチェ
ック用パッド４０との間の抵抗値をテスター６０で測定
する。

【００５２】その測定結果と予め正常に半田付けが終了
した状態で測定された基準抵抗値と比較し、当該各チェ
ック用半田バンプの半田付けが正常か否かを判断する。
図４に示す例では、左側の抵抗値は前記基準抵抗値と異
なり、右側の抵抗値は前記基準抵抗値とほぼ同じ値とな
る。

【００５３】このようにして、ＢＧＡ基板１１の四隅に
設けられたチェック用半田バンプ１４の抵抗値を測定
し、基準抵抗値と異なるものがあった場合には、複数の
半田バンプ１３のうちのいずれかは半田付け不良がある
ものと推定し、リペアを実行する。

【００５４】全てのチェック用半田バンプ１４の抵抗値
が基準抵抗値と同一であった場合には、この実装体は正
常に半田付けが終了したものとして、次の製造工程に移
行する。

【００５５】また、ＢＧＡ型半導体装置に設けられた半
田バンプにすべて中間体を使用し、各電極の電気的接続
を個々に検査できる構成とすることも可能である。

【００５６】以上、図１から図４までを使用して、本発
明の一実施の形態をＢＧＡ型半導体装置を例に説明した
が、本発明はＢＧＡ型半導体装置に拘わらず他の表面実
装部品にも使用することができる。この例を図５を使用
して説明する。

【００５７】図５は、チップコイル等の表面実装部品７
０をプリント基板７４に実装する場合の本発明の実施例
を示している。

【００５８】表面実装部品７０は、その裏面に電極７１
を２つ具備し、当該各電極がプリント基板７４に設けら
れたランド７３に半田付けされる。通常、このような表
面実装部品の半田付けには電極７１およびランド７３に
予備半田が使用されるため、図５に示すソルダーペース
ト７２に抵抗率が通常のソルダーペーストより高い中間
体を粉末にして混合し、ランド７３に塗布しておく。

【００５９】その後、所定のリフロー工程を経て半田付
けが完了したら、表面実装部品７０がチップコイルであ
れば当該コイルの右側の配線パターン７５と左側の配線
パターン７５との間の抵抗値をテスターで測定し、当該
コイルの抵抗値の変化を測定する。ここで、半田付けに
異常があった場合には、当該コイルの抵抗値は中間体の
抵抗値に近くなる。

【００６０】表面実装部品７０が抵抗器である場合に
は、上記と同様の方法で当該抵抗器の抵抗値の変化を測
定し、上記と同様の方法で半田付けの異常を検査する。

【００６１】尚、上記のようなソルダーペーストを使用
せず、表面実装部品７０の電極７１にＢＧＡ型半導体装
置の例で説明したようなチェック用半田バンプを固着し
て使用してもよい。

【００６２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＢＧＡ型半導体装置に代表される表面実装型電子部品の
半田付け不良を特別な検査装置等を使用することなく、
テスターのみで簡易にかつ精度よく判定することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明をＢＧＡ型半導体装置のプリント基板へ
の実装に適用した場合の一実施の形態を示す立体図。

【図２】図１に示すＢＧＡ型半導体装置に設けられたチ
ェック用半田バンプの構造の一例を示す側面図。

【図３】図１に示すプリント基板に設けられたチェック
用パッドの構造の一例を示す側面図。

【図４】図１に示すＢＧＡ型半導体装置を実装した実装
基板の半田付け検査方法を示す側面図。

【図５】本発明を表面実装部品に適用した場合の一実施
の形態を示す立体図。

【符号の説明】

１０…ＢＧＡモールド、１１…ＢＧＡ基板、１３…半田
バンプ、１４、１４ａ〜１４ｄ…チェック用半田バン
プ、２０…プリント基板、２１…パッド、２２、２２ａ
〜２２ｄ…チェック用パッド、３０…チェック用電極、
４０…フラックス、４１…ソルダーペースト、５０…導
電体、５１…中間体、６０…テスター、７０…表面実装
部品、７１…電極、７２…ソルダーペースト、７３…ラ
ンド、７４…プリント基板、７５…配線パターン。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子部品に設けられた複数の第１の電気
   的接続部位とプリント基板に設けられた複数の第２の電
   気的接続部位とを複数の通電用部材が溶融することによ
   り電気的な接続状態とする電子部品実装基板において、 前記複数の通電用部材のうち、少なくとも１部は、 前記電気的接続の主体となる導電体と、該導電体と抵抗
   率の異なる中間体とを具備し、 該中間体は、 前記導電体と前記第２の電気的接続部位が接触する接触
   面の少なくとも１部に配置されていることを特徴とする
   電子部品実装基板。
2. 【請求項２】 前記中間体は、前記電気的接続部位に塗
   布されるソルダーペーストの中に粉末状で含まれている
   ことを特徴とする請求項１記載のプリント基板。
3. 【請求項３】 プリント基板に設けられた電気的接続部
   位に対し、溶融することにより該プリント基板との電気
   的接続を行う複数の通電用部材を具備する電子部品にお
   いて、 前記複数の通電用部材のうち、少なくとも１つは、 前記電気的接続の主体となる導電体と、該導電体と抵抗
   率の異なる中間体とを具備し、 該中間体は、 前記導電体と前記電気的接続部位が接触する接触面の少
   なくとも１部に形成されていることを特徴とする電子部
   品。
4. 【請求項４】 溶融することにより電気的接続を行う複
   数の通電用部材を有する電子部品の該通電用部材のが固
   着部に対応する位置に複数の電気的接続部位が配置され
   たプリント基板において、 前記複数の電気的接続部位のうち、少なくとも１つに
   は、 前記通電用部材と抵抗率の異なる中間体が前記通電用部
   材と前記電気的接続部位が接触する接触面の少なくとも
   １部に形成されていることを特徴とするプリント基板。
5. 【請求項５】 電子部品に設けられた第１の電気的接続
   部位とプリント基板に設けられた第２の電気的接続部位
   との間に配置され、溶融することにより該電子部品と該
   プリント基板との電気的接続を行う通電用部材におい
   て、 該通電用部材は、 前記電気的接続の主体となる導電体と、該導電体と抵抗
   率の異なる中間体とを具備し、 該中間体は、 前記導電体と前記第２の電気的接続部位が接触する接触
   面の少なくとも１部に形成されていることを特徴とする
   通電用部材。
6. 【請求項６】 前記導電体は、 錫を主成分とし、融点が２２０℃以下であることを特徴
   とする請求項５記載の通電用金属。
7. 【請求項７】 前記中間体は、 前記導電体の融点以上の融点を有する金属、合金若しく
   は有機材料またはこれらの結合で形成されていることを
   特徴とする請求項５記載または請求項６記載の通電用金
   属。
8. 【請求項８】 前記中間体の融点は、 前記導電体の融点より３０℃高い温度以下であることを
   特徴とする請求項５乃至請求項７記載の通電用金属。
9. 【請求項９】 前記中間体の抵抗率は、 前記導電体の抵抗率の２倍以上であることを特徴とする
   請求項５乃至請求項８記載の通電用金属。
10. 【請求項１０】 電子部品に設けられた複数の第１の電
    気的接続部位とプリント基板に設けられた複数の第２の
    電気的接続部位とが複数の通電用金属を介して電気的に
    接続されている電子部品実装基板の電気的接続検査方法
    において、 前記複数の通電用金属のうち、少なくとも１部は、 前記電気的接続の主体となる導電体と、該導電体と抵抗
    率の異なる中間体とを具備し、 該中間体は、 前記導電体と前記第２の電気的接続部位が接触する接触
    面の少なくとも１部に配置されており、 前記電子部品および前記プリント基板の電気的接続は、 前記通電用金属を前記中間体が溶融する温度以上の温度
    で溶融し、前記第１の電気的接続部位および前記第２の
    電気的接続部位に固着させることにより達成され、 前記中間体を具備する通電用金属を介して接続された前
    記第１の電気的接続部位と前記第２の電気的接続部位と
    の間の抵抗値を測定することによって、前記電子部品と
    前記プリント基板との電気的接続状態を検査することを
    特徴とする電子部品実装基板の電気的接続検査方法。