JPH1151960A

JPH1151960A - 加速度センサ

Info

Publication number: JPH1151960A
Application number: JP9212163A
Authority: JP
Inventors: Keiichi Kami; 慶一上; Jiyun Tahoda; 純多保田
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1997-08-06
Filing date: 1997-08-06
Publication date: 1999-02-26
Also published as: CA2242415C; CA2242415A1; US6021671A; EP0896226A1

Abstract

(57)【要約】【課題】接合部分に起因するノイズを低減することが
でき、剪断方向に作用する加速度を高精度に検出し得る
加速度センサを得る。【解決手段】基板２の電極２ａ，２ｂ上に加速度検出
素子３が接合されており、加速度検出素子３は、第１，
第２の圧電体素子４，５を有し、第１，第２の圧電体素
子４，５が上面及び下面と平行な方向に、ただし互いに
逆方向に分極処理された圧電板４ａ，５ａと、圧電板４
ａ，５ａの上面及び下面に形成された電極４ｂ，４ｃ，
５ｂ，５ｃとを有し、電極４ｃ，５ｃが、基板２上の電
極２ａ，２ｂに対して導電性接合材７，８を介して接合
されている加速度センサ１。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、車載用エ
アバッグなどにおいて加速度を検出するために用いられ
る加速度センサに関し、より詳細には、圧電体を用いて
構成されており、かつ圧電体を剪断する方向に作用する
加速度を検出する形式の加速度センサの改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、車載用エアバッグなどにおいて加
速度を検出するために、圧電体を利用した加速度センサ
が用いられている。この種の加速度センサの一例が、特
開平５−３２２９１５号公報に開示されている。図１４
及び図１５は、前述した従来の加速度センサを説明する
ための各斜視図である。

【０００３】加速度センサ５１は、ハイブリッドＩＣ基
板５２上に加速度検出素子５３を搭載した構造を有す
る。ハイブリッドＩＣ基板５２は、絶縁性ベース基板５
４に固定されている。下方に開いた形状の金属ケース５
５がハイブリッドＩＣ基板５２及びベース基板５４から
なる積層体に上方から取り付けられており、内部の空間
に加速度検出素子５３が囲繞されている。

【０００４】ハイブリッドＩＣ基板５２上には、加速度
検出素子５３に電気的に接続される信号取出し電極５
６，５７か形成されている。加速度検出素子５３は、第
１，第２の圧電体５８，５９を有する。第１，第２の圧
電体５８，５９は、それぞれ、チタン酸ジルコン酸鉛系
圧電セラミックスで構成されており、矢印Ａ₁，Ａ₂の
方向に分極処理されている。すなわち、圧電体５８，５
９は、何れも、ハイブリッドＩＣ基板５２の主面と平行
な方向に、ただし両者が互いに逆方向となるように分極
処理されている。

【０００５】圧電体５８，５９の上面及び下面には、図
示しない電極が形成されている。圧電体５８，５９の上
面の電極は、ウエイト６０に接合されており、ウエイト
６０を介して圧電体５８，５９の上面の電極が電気的に
接続されている。ウエイト６０は、圧電体５８，５９の
上面の電極を電気的に接続する機能とともに、圧電体５
８，５９に上方から重量を加えることにより、検出感度
を高める機能を果たすものである。

【０００６】圧電体５８，５９の下面の電極（図示され
ず）は、それぞれ、信号取出し電極５６，５７に直接接
触されて導通されている。この圧電体５８，５９の下面
の電極と信号取出し電極５６，５７との接合は、以下の
ようにして行われていた。すなわち、例えば、圧電体５
８の下面の電極と信号取出し電極５６とを直接接触さ
せ、かつ接合するに際し、少量の絶縁性接着剤を用いて
接着し、接着剤層が実質的に厚みを有しないようにして
圧電体５８の下面の電極と信号取出し電極５６とを直接
接触させていた。圧電体５８の下面は平滑ではないた
め、圧電体５８の下面に形成された電極も微小な凹凸を
有し、他方、信号取出し電極５６の表面にも微小の凹凸
が存在する。従って、微量の絶縁性接着剤を用いて圧電
体５８の下面と信号取出し電極５６とを接着すると、圧
電体５８の下面の電極の突出している部分や信号取出し
電極５６の上方に突出している部分が相手方の電極表面
に接触されて導通が確保され、他の部分では絶縁性接着
剤を介して両者が接合される。

【０００７】上記のように、絶縁性接着剤を用いて接着
し、圧電体５８の下面の電極と信号取出し電極５６とを
直接接触させて導通を確保しているのは、絶縁性接着剤
の使用量を低減し、それによって加速度センサ５１の低
背化を実現するためである。

【０００８】加速度センサ５１では、矢印Ａ方向（図１
５参照）に作用する加速度、すなわちハイブリッドＩＣ
基板５２の主面と平行な方向に作用する加速度が検出さ
れる。この場合、圧電体５８，５９がハイブリッドＩＣ
基板５２上に上記のようにして固定されているため、ハ
イブリッドＩＣ基板５２に直交する方向に大きな加速度
が発生したとしても、加速度検出素子５３の破損やハイ
ブリッドＩＣ基板５２からの脱落等が生じ難い。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】車両用エアバッグ等に
搭載される加速度センサにおいては、作用する加速度を
より高精度に検出することが求められている。従来の加
速度センサ５１は、剪断方向に作用する加速度を正確に
検出し得るものであるが、車両用エアバッグ等に搭載さ
れる加速度センサにおいては、導通の信頼性の向上がよ
り一層求められている。

【００１０】本発明の目的は、上述した剪断方向に作用
する加速度を検出する加速度センサであって、導通の信
頼性がより一層高められた加速度センサを提供すること
にある。また、上述した加速度センサにおいては、温度
変化によって、ハイブリッドＩＣ基板から加速度検出素
子に対して過大な応力が伝達されることとなり、突発的
なノイズが発生し、誤動作に結びつくおそれがあった。
このため、本発明の他の目的は、温度変化によるノイズ
の発生を抑制して、誤動作を招来することのない加速度
センサを提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、回路基板と、前記回路基板に搭載されており、かつ
圧電体を用いて構成された加速度検出素子とを備え、加
速度検出素子が、剪断方向に作用する加速度を検出する
ように構成されている加速度センサにおいて、前記回路
基板上に形成された電極と、前記加速度検出素子の下面
の電極とが直接接触しないように、導電性接合材を介し
て接合されていることを特徴とする。

【００１２】本発明において用い得る上記加速度検出素
子の機械的な構造については特に限定されないが、本発
明の特定的な局面によれば、請求項２に記載のように、
前記加速度検出素子は、第１，第２の圧電体素子を有
し、第１，第２の圧電体素子のそれぞれが、圧電体と、
圧電体の上面に形成された第１の電極と、下面に形成さ
れた第２の電極とを有し、第１，第２の圧電体素子の圧
電体の分極方向が、圧電体の上面及び下面と平行であ
り、かつ第１の圧電体素子の圧電体の分極方向と、第２
の圧電体素子の圧電体の分極方向とが逆方向とされてお
り、第１の圧電体素子の第１の電極と、第２の圧電体素
子の第１の電極とが互いに電気的に接続されている。

【００１３】また、本発明のより特定的な局面によれ
ば、請求項３に記載のように、第１，第２の圧電体素子
上に接合されたウエイトがさらに備えられる。好ましく
は、上記導電性接合材は、その厚みが４０〜１，０００
μｍの寸法とされる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
の加速度センサの具体的な構造例を説明する。

【００１５】図１は、本発明の第１の実施例にかかる加
速度センサの断面図であり、図２は、該加速度センサを
プリント回路基板に実装した状態を示す断面図である。
図１に示すように、加速度センサ１は、回路基板として
のハイブリッドＩＣ基板２上に加速度検出素子３を搭載
した構造を有する。

【００１６】ハイブリッドＩＣ基板２の上面には、電極
ランド２ａ，２ｂが形成されている。電極ランド２ａ，
２ｂは、加速度検出素子３をＩＣ基板２上の他の回路部
分（図示せず）と電気的に接続するために、並びに加速
度検出素子３を固定するために設けられている。

【００１７】他方、加速度検出素子３は、第１，第２の
圧電体素子４，５を用いて構成されている。第１の圧電
体素子４は、圧電板４ａの上面に電極４ｂを、下面に電
極４ｃを形成した構造を有する。同様に、第２の圧電体
素子５は、圧電板５ａの上面に電極５ｂを下面に電極５
ｃを形成した構造を有する。圧電板４ａ，５ａは、それ
ぞれ、図示の矢印Ａ１，Ａ２方向に分極処理されてい
る。すなわち、圧電板４ａ，５ａの主面と平行な方向で
あって、互いに逆方向に分極処理されている。

【００１８】圧電板４ａ，５ａは、チタン酸ジルコン酸
鉛系圧電セラミックスのような適宜の圧電セラミックス
または圧電単結晶により構成され得る。電極４ｂ，４
ｃ，５ｂ，５ｃは、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄなどの適宜の導電
性材料により構成されている。

【００１９】第１，第２の圧電体素子４，５は、それぞ
れ、下面において部分的に厚みの薄い切欠部４ｄ，５ｄ
を有する。この切欠部４ｄ，５ｄは矩形板状の圧電板４
ａ，５ａの一辺に沿って形成されており、かつ圧電体素
子４，５は切欠４ｄ，５ｄが向かい合うように突き合わ
されて接合されている。

【００２０】切欠４ｄ，５ｄ内には、下面の電極４ｃ，
５ｃは形成されていない。切欠４ｄ，５ｄは、電極４ｃ
と、電極５ｃとの短絡を防止するために設けられてい
る。第１，第２の圧電体素子を構成している圧電板４
ａ，５ａ間の接合については、適宜の絶縁性接着剤を用
いて行い得る。あるいは、圧電板４ａ，５ａは、両者が
接合された形状となるように一体に形成されていてもよ
い。

【００２１】また、電極４ｂ，５ｂは互いに電気的に接
続されているが、圧電板４ａ，５ａを接合した後に、圧
電板４ａ，５ａの上面の全面に金属膜を形成することに
より一体に構成されている。もっとも、電極４ｂ，５ｂ
は、予め圧電板４ａ，５ａの上面にそれぞれ形成されて
いてもよい。

【００２２】第１，第２の圧電体素子４，５の上方に
は、ウエイト６が固定されている。すなわち、ウエイト
６は、第１，第２の圧電体素子４，５の上面に、両者に
跨がるように接合されている。

【００２３】ウエイト６は、Ｃｕ、Ａｌなどの適宜の金
属もしくは合金で構成されていてもよく、あるいはアル
ミナなどの絶縁性セラミックスや合成樹脂などの絶縁性
材料により構成されていてもよい。また、絶縁性材料の
表面に導電膜を形成した構造を有していてもよい。本実
施例では、電極４ｂ，５ｂが図１に示すように一体に形
成されているので、ウエイト６は導電性表面を有せずと
もよい。もっとも、電極４ｂと電極５ｂとが分離されて
いる場合には、ウエイト６の下面が導電性表面を有する
ように構成することが好ましく、それによって電極４ｂ
と電極５ｂとの電気的接続が図られる。

【００２４】ウエイト６は、圧電体素子４，５に質量を
付加することにより、検出感度を高めるように作用す
る。加速度検出素子３は、導電性接合材７，８を介して
ハイブリッドＩＣ基板２の電極２ａ，２ｂに接合されて
いる。導電性接合材７，８は、本実施例では、Ａｇ、Ａ
ｇ−Ｐｄなどの導電性粉末を、エポキシ系樹脂などに混
入してなる導電ペーストの塗布・硬化により構成されて
いるが、電極４ｃ，５ｃと電極ランド２ａ，２ｂを電気
的に接続し得る限り、他の導電性材料や、絶縁性材料に
導電膜を形成した部材など、適宜の部材により構成し得
る。

【００２５】加速度検出センサ１では、圧電板４ａ，５
ａが上記のように分極処理されているため、剪断方向、
すなわち図２に矢印Ａで示す方向に作用する加速度に基
づく圧電板４ａ，５ａの歪みに対応した電気信号が電極
ランド２ａ，２ｂから取り出される。この場合、ウエイ
ト６により圧電体素子４，５に荷重が加えられているた
め、剪断方向以外の方向の歪みが効果的に抑制され、従
って、矢印Ａに沿って作用した加速度を高精度に検出し
得る。なお、図２では電極４ｂ，４ｃ，５ｂ，５ｃは省
略している。

【００２６】本実施例の特徴は、上記加速度検出素子３
が、導電性接合材７，８によりハイブリッドＩＣ基板２
の電極２ａ，２ｂに接合されていることにある。すなわ
ち、導電性接合材７，８を介して電極４ｃ，５ｃと電極
ランド２ａ，２ｂとが接合されているため、加速度検出
素子３とハイブリッドＩＣ基板２との間の導通が確実に
保たれる。

【００２７】すなわち、従来の加速度センサ５１（図１
４及び図１５）では、加速度検出素子の電極は、ハイブ
リッドＩＣ基板５２上の電極５６，５７に対し少量の絶
縁性接着剤を用いて直接接触されることにより導通が図
られていた。そのため、加速度検出素子５３とハイブリ
ッドＩＣ基板５２との間の導通が必ずしも十分に図られ
ず、それによって導通の信頼性が低いという問題があっ
た。

【００２８】これに対して、本実施例の加速度センサ１
では、電極４ｃ，５ｃと、電極ランド２ａ，２ｂとが、
直接接触しないように、かつ導電性接合材７，８を介し
て接合されているため、加速度検出素子３とハイブリッ
ドＩＣ基板２との間の応力が低減され、それによって導
通の信頼性が高められる。

【００２９】また、この導電性接合材７，８が存在する
ことにより、温度変化によりハイブリッドＩＣ基板２か
ら加速度検出素子３に加わる応力が吸収、緩和され、突
発的なノイズが発生することがなく、誤動作を防止する
ことができる。これは、導電性接合材７，８の有する弾
性に起因するものと考えられる。

【００３０】さらには、加速度センサ１では、上記導電
性接合材７，８を介して加速度検出素子３がハイブリッ
ドＩＣ基板２に接合されているため、加速度検出素子３
のハイブリッドＩＣ基板２に対する接合強度の信頼性も
高められる。これを図４及び図５を参照して説明する。

【００３１】下記の表１は、チタン酸ジルコン酸鉛系圧
電セラミックス、アルミナ基板、及び導電ペースト固化
物（組成はＡｇ５５重量％、エポキシ樹脂４５重量％で
ある。）と、カーボンの熱膨張係数及び弾性率を示す。

【００３２】

【表１】

【００３３】加速度センサ１が温度変化にさらされる
と、高温時には、圧電体素子４，５、固化した導電ペー
スト７，８及びハイブリッドＩＣ基板２が熱膨張し、低
温時には熱収縮する。ところが、表１から明らかなよう
に、導電ペーストからなる導電性接合材７，８の弾性率
がチタン酸ジルコン酸鉛系圧電セラミックスやアルミナ
よりもはるかに小さいため、上記温度変化による熱膨張
及び熱収縮差に基づく応力が、図４及び図５に示すよう
に、導電性接合材自身の変形により吸収される。

【００３４】すなわち、圧電板４ａ、導電性接合材７及
び電極２ａの各界面近傍では図５に矢印で示すように応
力が発生するが、導電性接合材７の変形によりこれらの
応力が吸収される。従って、圧電体素子４，５と導電性
接合材７，８との界面並びに導電性接合材７，８とハイ
ブリッドＩＣ基板２との界面における剪断方向に働く応
力が非常に小さくなり、加速度検出素子３のハイブリッ
ドＩＣ基板２からの剥離を効果的に防止することができ
る。

【００３５】本実施例の加速度センサ１は、適宜のパッ
ケージ構造を有する製品とされるが、一例を挙げると、
図３に示すパッケージ構造が用いられる。図３に示す加
速度センサ１では、ハイブリッドＩＣ基板２上に上記の
ように加速度検出素子３が搭載されており、かつハイブ
リッドＩＣ基板２が、パッケージを構成するベース基板
９に取り付けられており、ベース基板９に、下方に開口
を有する金属ケース１０が固定されている。

【００３６】なお、１１，１２は金属端子を示し、それ
ぞれ、ハイブリッドＩＣ基板２に電気的に接続されてお
り、かつベース基板９を貫通している。また、金属端子
１１，１２がプリント回路基板１３の取り付け孔１３
ａ，１３ｂに挿入され、はんだ１４，１５を用いて金属
端子１１，１２がプリント回路基板１３に固定されてい
る。

【００３７】次に、本実施例の加速度センサ１により検
出感度及び接合強度が高められることを、具体的な実験
例に基づき説明する。図６は、導電性接合材７，８の厚
みを変化させた場合の加速度センサ１の導通の信頼性の
変化を説明するための図であり、実線は、Ａｇ５５重量
％、エポキシ樹脂４５重量％の組成の導電ペーストから
なる導電性接合材７，８を用いた本実施例の結果を示
す。

【００３８】なお、加速度センサ１を構成するにあたっ
ては、ハイブリッドＩＣ基板２は０．８ｍｍ厚のアルミ
ナ基板で構成し、圧電板４ａ，５ａとしてチタン酸ジル
コン酸鉛系圧電セラミックスからなり、３×２．４×
０．１５ｍｍ寸法のものを用いた。また、導電性接合材
の厚みは８０μｍとした。

【００３９】図６から明らかなように、導電性接合材の
厚導電性接合材７，８の厚みを大きくすることにより、
応力を効果的に低減することができ、導通の信頼性を高
めることがわかる。また、図６の結果から、上記導電性
接合材７，８の厚みを４０μｍ以上とすることにより、
導通の信頼性をより一層向上し得ることがわかる。

【００４０】また、図７は、本実施例の加速度センサ及
び図１４及び図１５に示した従来の加速度センサ５１を
加熱した場合のハイブリッドＩＣ基板と加速度検出素子
との間の熱膨張差に起因する接合強度の変化を示す図で
ある。図７において、実線は実施例の結果を、破線は従
来の加速度センサについての結果を示す。

【００４１】図７から明らかなように、常温から２４０
℃まで加熱した場合、従来の加速度センサ５１では、加
熱温度が高くなるに連れ、加速度検出素子のハイブリッ
ドＩＣ基板に対する接合強度が低下するのに対し、実施
例の加速度センサでは接合強度がほとんど低下しないこ
とがわかる。従って、図７の結果から、導電ペーストを
用いた導電性接合材７，８を加速度検出素子とハイブリ
ッドＩＣ基板２との間に介在させることにより耐熱衝撃
性に優れた加速度センサを構成し得ることがわかる。

【００４２】なお、上記接合強度の測定は、以下の要領
で行った。接合強度の測定…ハイブリッドＩＣ基板に固
定された加速度検出素子を、ハイブリッドＩＣ基板面内
で、加速度検出方向に垂直な方向に力を加え、接合が解
かれた状態の引張強度を接合強度とした。

【００４３】（第１の実施例の変形例）図８は、本発明
の加速度センサの第１の実施例の変形例を説明するため
の断面図である。

【００４４】第１の実施例の加速度センサ１では、導電
性接合材７，８により第１，第２の圧電体素子４，５と
ハイブリッドＩＣ基板２とが接合されていたが、この場
合、図８に示すように、導電性接合材７，８の周囲に絶
縁性接着剤２１を付与してもよい。このように絶縁性接
着剤２１を付与することにより、加速度検出素子３のハ
イブリッドＩＣ基板２に対する接合強度をより一層高め
ることができる。上記絶縁性接着剤２１としては、エポ
キシ系接着剤、シリコン系接着剤、アクリル系接着剤な
どを例示することができる。

【００４５】（その他の変形例）導電性接合材７，８
は、第１の実施例では導電ペーストの固化物により構成
されていた。図９及び図１０に示すように、絶縁性セラ
ミックスよりなる直方体状のスペーサー２２の外表面に
導電膜２３を形成してなる導電性接合材２４を用いても
よい。この場合、導電膜２３は、スペーサー２２の上
面、側面及び下面に至るように構成されている。従っ
て、導電膜２３により、電極４ｂ，５ｂと、電極ランド
２ａ，２ｂとが確実に電気的に接続される。

【００４６】この場合にも、温度変化が与えられると、
圧電体素子４，５、導電性接合材２４及びハイブリッド
ＩＣ基板２が熱膨張し、図１１に示すように、各部材間
の界面に応力が発生するが、導電性接合材２４により、
圧電体素子４ａとハイブリッドＩＣ基板２との間で上記
各界面に発生する応力が緩和される。

【００４７】なお、上記導電性接合材は、図１２及び図
１３に示すように変形されたものであってもよい。図１
２に示す導電性接合材２５では、スペーサー２６の上面
から下面に至るようにスルーホール電極もしくはビアホ
ール電極２７が形成されており、スペーサー２６の上面
及び下面に導電膜２８ａ，２８ｂが形成されている。従
って、上記スルーホール電極もしくはビアホール電極２
７により、上面及び下面の電極が電気的に接続される。

【００４８】また、図１３に示す導電性接合材２９で
は、絶縁性セラミックスよりなるスペーサー半体２９
ａ，２９ｂが貼り合わされている。もっとも、スペーサ
ー半体２９ａ，２９ｂのそれぞれの上面、一方の側面及
び下面に導電膜３０ａ，３０ｂが形成されている。そし
て、互いの側面に形成されている導電膜部分でスペーサ
ー半体２９ａ，２９ｂが接合されている。従って、導電
性接合材２９を、導電性接合材７，８に代えて用いるこ
とにより、やはり、上方電極４ａとハイブリッドＩＣ基
板２上の電極２ａとの間の電気的接続の信頼性を高める
ことができる。

【００４９】

【発明の効果】請求項１に記載の発明では、回路基板
と、回路基板に搭載されておりかつ圧電体を用いて構成
された加速度検出素子とを備え、加速度検出素子が剪断
方向に作用する加速度を検出するように構成されてお
り、回路基板上に形成された電極と、加速度検出素子の
下面の電極とが直接接触しないように、上記導電性接合
材を介して接合されているので、加速度検出素子と回路
基板との電気的接続の信頼性を高めることができる加速
度センサを提供することが可能となる。

【００５０】特に、上記導電性接合材として、圧電セラ
ミックスや絶縁性セラミックスに比べて弾性率の低い材
料を用いた場合には、温度変化に起因する加速度検出素
子と回路基板との間の熱膨張係数差によって生じる応力
を緩和することができるので、温度変化が与えられた場
合であっても、接合強度が低下し難い、加速度センサを
提供することができる。また、温度変化によって回路基
板から加速度検出素子に伝わる応力が導電性接合材によ
って吸収、緩和されるため、突発的なノイズが生じ難
く、誤動作を防止することができる。

【００５１】請求項２に記載の発明では、加速度検出素
子が、第１，第２の圧電体素子を有し、第１，第２の圧
電体素子のそれぞれが圧電体と、圧電体の上面に形成さ
れた第１の電極と、下面に形成された第２の電極とを有
し、第１，第２の圧電体素子の圧電体の分極方向が圧電
体の上面及び下面と平行であり、かつ第１の圧電体素子
の圧電体の分極方向と第２の圧電体素子の圧電体の分極
方向とが逆方向とされており、第１の圧電体素子の第１
の電極と、第２の圧電体素子の第１の電極とが互いに電
気的に接続されているので、剪断方向すなわち圧電板の
上面及び下面に平行な方向であって、第１，第２の圧電
板を結ぶ方向に沿って作用する加速度を高精度に検出す
ることができる。

【００５２】さらに、請求項３に記載の発明のように、
第１，第２の圧電体素子上に第１，第２の圧電体素子に
跨がるようにウエイトを設けた場合には、ウエイト及び
第１，第２の圧電体素子に質量が付加され、それによっ
て剪断方向以外の歪みを確実に抑制し得るので、剪断方
向に作用する加速度を高精度に検出することが可能とな
る。

【００５３】請求項４に記載の発明では、上記導電性接
合材の厚みが４０μｍ以上とされているため、導電性接
合材により加速度検出素子と回路基板との間の歪みをよ
り効果的に緩和することができ、それによって検出感度
に優れた加速度センサを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例にかかる加速度センサを
説明するための断面図。

【図２】図１に示した加速度センサの動作を説明するた
めの略図的斜視図。

【図３】図１に示した実施例の加速度センサをパッケー
ジ内に収納し、プリント回路基板に実装した状態を示す
断面図。

【図４】温度変化が与えられた際の導電性接合材の変形
状態を説明するための断面図。

【図５】図４の要部を拡大して示す部分切欠断面図。

【図６】導電性接合材の厚みと導通不良発生率との関係
を示す図。

【図７】加速度センサを加熱した場合の加速度検出素子
と基板との接合強度の変化を示す図。

【図８】本発明の第２の実施例にかかる加速度センサを
説明するための断面図。

【図９】本発明の加速度センサの他の例を説明するため
の断面図。

【図１０】図９に示した実施例で用いられている導電性
接合材を示す斜視図。

【図１１】図９に示した加速度センサが加熱された際の
導電性接合材の変形状態を説明するための断面図。

【図１２】導電性接合材の他の例を示す斜視図。

【図１３】導電性接合材のさらに他の例を説明するため
の斜視図。

【図１４】従来の加速度センサを説明するための斜視
図。

【図１５】従来の加速度センサの要部を示す部分切欠斜
視図。

【符号の説明】

１…加速度センサ２…回路基板としてのハイブリッドＩＣ基板２ａ，２ｂ…電極ランド３…加速度検出素子４，５…第１，第２の圧電体素子４ａ，５ａ…圧電板４ｂ，５ｂ…第１の電極４ｃ，５ｃ…第２の電極６…ウエイト７，８…導電性接合材２１…絶縁性接着剤

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】回路基板と、前記回路基板に搭載されて
おり、かつ圧電体を用いて構成された加速度検出素子と
を備え、加速度検出素子が、剪断方向に作用する加速度
を検出するように構成されている加速度センサにおい
て、前記回路基板上に形成された電極と、前記加速度検出素
子の下面の電極とが直接接触しないように、導電性接合
材を介して接合されていることを特徴とする、加速度セ
ンサ。
【請求項２】前記加速度検出素子は、第１，第２の圧
電体素子を有し、第１，第２の圧電体素子のそれぞれ
が、圧電体と、圧電体の上面に形成された第１の電極
と、下面に形成された第２の電極とを有し、第１，第２
の圧電体素子の圧電体の分極方向が、圧電体の上面及び
下面と平行であり、かつ第１の圧電体素子の圧電体の分
極方向と、第２の圧電体素子の圧電体の分極方向とが逆
方向とされており、第１の圧電体素子の第１の電極と、第２の圧電体素子の
第１の電極とが互いに電気的に接続されている、請求項
１に記載の加速度センサ。
【請求項３】第１，第２の圧電体素子上に固定された
ウエイトをさらに備えることを特徴とする、請求項２に
記載の加速度センサ。
【請求項４】前記導電性接合材の厚みが４０μｍ〜
１，０００μｍの範囲とされている、請求項１〜３の何
れかに記載の加速度センサ。