JPH11503538A - 薄膜アクチュエーテッドミラーのアレイ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 基板(212)、Ｍ×Ｎ個の接続端子(214)のアレイ、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイを有する能動マトリックス(210)と、Ｍ×Ｎ個のコンジット(225)と、弾性部(235)、第２薄膜電極(245)、電気的に変形可能な薄膜部(255)及び第１薄膜電極(265)を有するＭｘＮ個の駆動構造体(341)のアレイと、予め定められた厚み及び特定の屈折率を有する誘電体薄膜部(401)が多層に積層されるＭ×Ｎ個の多層積層体(400)とを含むことを特徴とし、第２薄膜電極(245)が各薄膜アクチュエーテッドミラーにおいて信号電極として作用し、第１薄膜電極(265)が接地されて、各薄膜アクチュエーテッドミラーにおいてミラーとしてだけでなくバイアス電極としても作用する。

Description

【発明の詳細な説明】 薄膜アクチュエーテッドミラーのアレイ及びその製造方法 発明の技術分野 本発明は、光投射システムに関し、特に、その光投射システムに用いられ、各薄 膜アクチュエーテッドミラー上に複数の誘電体層を順に積層して光効率性を最適 とするＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーのアレイ及びその製造方法に関 する。 背景技術 従来の多様なビデオディスプレーシステムのうち、光投射システムは高画質の 画像を大画面で形成し得るものとして知られている。そのような光投射システム において、ランプから発せられた光線は、例えば、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエー テッドミラーのアレイ上に一様に投射される。ここで、各ミラーは各アクチュエ ータに結合されている。これらのアクチュエーターは、印加された電界信号に応 じて変形を起こす、圧電物質または電歪物質のような電気的に変形可能な物質か らなる。 各ミラーから反射した光ビームは、例えば、光学バッフルの開口に入射される 。各アクチュエーターに電気信号を印加することによって、各ミラーの入射光ビ ームに対する相対的な位置が変更されることによって、各ミラーからの反射光ビ ームの光路が偏向される。各反射光ビームの光路が変わる場合、開口を通じて各 ミラーから反射された光ビームの光量が変わることによって光の強さが変調され る。開口を経て変調された光ビームは、投射レンズのような適切な光学装置を介 して投射スクリーンに入射し、その上に像を表示する。 図１Ａ〜図１Ｇには、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー11よりなるの アレイ10の製造方法を説明するための概略的な断面図が各々示されている。ここ で、Ｍ及びＮは各々正の整数である。このアレイ10は、本願出願と出願人を同じ くする米国特許出願番号第08/430、628 号明細書に、「THIN FILM ACTUATED MIR ROR ARRAY」との名称で開示されている。 アレイ10の製造工程は、基板22、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ（図示せず ）及びＭ×Ｎ個の接続端子24のアレイを備える能動マトリックス20を準備するこ とから始まる。 その後、能動マトリックス20の上面に薄膜犠牲層40が形成される。この薄膜犠 牲層40の形成は、薄膜犠牲層40が金属からなる場合はスパッタリング法及または 蒸着法を、ＰＳＧからなる場合は化学気相成長法（ＣＶＤ）またはスピンコーテ ィング法を、ポリシリコンからなる場合にはＣＶＤ法を各々用いて行われる。 その後、図１Ａに示すように、薄膜犠牲層40により取り囲まれたＭ×Ｎ個の支 持部材30のアレイを有する支持層15が形成される。ここで、支持層15の形成は、 各々が各接続端子24の周囲に位置するＭ×Ｎ個の空スロットのアレイ（図示せず ）をフォトリソグラフィー法を用いて、薄膜犠牲層40の上に形成し、各接続端子 24の周囲に位置した各空スロットに支持部材30がスパッタリング法またはＣＶＤ 法を用いて形成されるプロセスによって行われる。支持部材30は絶縁性物質から なる。 続いて、支持部材30のような絶縁性物質からなる弾性層70が、支持層15の上に ゾル−ゲル(sol-gel)法、スパッタリングまたはＣＶＤ法を用いて形成される。 しかる後、図１Ｂに示すように、金属からなるコンジット35が各支持部材30に 形成される。即ち、このコンジット35は最初、エッチング法を用いて、各々が弾 性層70の上部から各接続端子24の上部まで延在するＭ×Ｎ個の孔のアレイ（図示 せず）を生成し、各孔内に金属を埋め込んで形成される。 次に、導電性の物質からなる第２薄膜層60が、スパッタリング法を用いて、コ ンジット35を含む弾性層70の上に形成される。この第２薄膜層60は支持部材30に 形成されたコンジット35を通じて各トランジスタに電気的に接続されている。 その後、図１Ｃに示したように、例えば、ＰＺＴのような圧電物質からなる電 気的に変形可能な薄膜層80がスパッタリング法、ＣＶＤ法またはゾル−ゲル法を 用いて第２薄膜層60の上に形成される。 続いて、図１Ｄに示したように、電気的に変形可能な薄膜層80、第２薄膜層60 及び弾性層70が、フォトリソグラフィー法またはレーザトリミング法を用いて支 持層15が露出されるまで、各々Ｍ×Ｎ個の電気的に変形可能な薄膜部85のアレイ 、Ｍ×Ｎ個の第２薄膜電極65のアレイ及びＭ×Ｎ個の弾性部75のアレイにパター ニングされる。第２薄膜電極65の各々は各支持部材30に形成された各コンジット 35を通じて各トランジスタに電気的に接続されており、各薄膜アクチュエーテッ ドミラー11において信号電極としての機能を果たす。 次に、各変形可能な薄膜部85が相転移の発生のために熱処理されることによっ て、Ｍ×Ｎ個の熱処理済みの構造体のアレイ（図示せず）が形成される。この場 合、各変形可能な薄膜部85が十分に薄くなっているため、薄膜部85が圧電物質で 作られる場合は別に分極は必要でない。これは、薄膜アクチュエーテッドミラー 11の駆動の際に印加された電気信号によって分極できるからである。 次に、図１Ｅに示すように、例えば、アルミニウム(Al)または銀(Ag)のような 導電性及び光反射性の物質からなるＭ×Ｎ個の第１薄膜電極55のアレイが、Ｍ× Ｎ個の熱処理済みの構造体のアレイにおける変形可能な薄膜部85の上に形成され る。この第１薄膜電極55の形成は最初スパッタリング法を用いて、導電性及び光 反射性の物質からなり、Ｍ×Ｎ個の熱処理済みの構造体の上部を完全に覆い、ま た露出された支持層15を有する層50を形成し、その後に、エッチング法を用いて 層50を選択的に取り除いて行われる。かくして、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテ ッドミラー構造体95のアレイ90が形成される。図１Ｆに示すように、各アクチュ エーテッドミラー構造体95は一つの上面及び四つの側面を有する。各第１薄膜電 極55は各薄膜アクチュエーテッドミラー11においてバイアス電極としてだけでは なく、ミラーとしても作用する。 その後、各アクチュエーテッドミラー構造体95における一つの上面及び四つの 側面を完全に覆う薄膜保護層（図示せず）が形成される。 その後、支持層15における薄膜犠牲層40がエッチング法によって取り除かれる 。最後に、図１Ｇに示すように、薄膜保護層が取り除かれることによって、Ｍ× Ｎ個のアクチュエーテッドミラー11のアレイ10が形成される。 しかしながら、前述した従来のＭ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラー11のアレイ 10の製造方法には多くの欠点がある。薄膜保護層の除去の際に用いられるエッチ ング液が各薄膜アクチュエーテッドミラー11においてミラーとして機能する第１ 薄膜電極55に化学的に作用して、薄膜アクチュエーテッドミラー11のアレイ10の 光効率に悪影響を及ぼす。更に、第１薄膜電極55が銀で作られた場合、第１薄膜 電極が酸化されミラーの反射効率性を一層低下させるという不都合がある。 発明の開示 従って、本発明の主な目的は、光効率性を最大とし得るＭｘＮ個の薄膜アクチ ュエーテッドミラーのアレイ及びその製造方法を提供することにある。 上記の目的を達成するために、本発明の一実施例によれば、光投射システムに 用いられるＭ×Ｎ（Ｍ、Ｎは正の整数）個の薄膜アクチュエーテッドミラーのア レイであって、 基板、各々がＭ×Ｎ個のトランジスタのアレイの対応するトランジスタに電気 的に接続されるＭ×Ｎ個の接続端子のアレイ、及びＭ×Ｎ個のトランジスタのア レイを有する能動マトリックスと、 各々が導電性物質からなるＭ×Ｎ個のコンジットと、 各々が接続部分及び光反射部分からなり、弾性部、第２薄膜電極、電気的に変 形可能な薄膜部及び第１薄膜電極を有するＭｘＮ個の駆動構造体のアレイと、 各々が前記各駆動構造体の前記光反射部分上に位置し、予め定められた厚み及 び特定の屈折率を有する誘電体薄膜部が多層に積層されるＭ×Ｎ個の多層積層体 とを具え、 前記各コンジットが前記各駆動構造体の前記接続部分に位置し、前記第２薄膜 電極の下部から対応するトランジスタに電気的に接続された前記接続端子の上部 まで延在して、前記第２薄膜電極が前記各薄膜アクチュエーテッドミラーにおい て信号電極として作用するようにし、導電性及び反射性物質からなる前記第１薄 膜電極が接地されることによって、前記第１薄膜電極が前記各薄膜アクチュエー テッドミラーにおいてミラーとしてだけでなくバイアス電極としても作用するよ うにすることを特徴とするＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーのアレイを 提供する。 本発明の他の実施例によれば、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーのア レイの製造方法であって、 基板、各々がＭ×Ｎ個のトランジスタのアレイにおいて対応するトランジスタに 電気的に接続されるＭ×Ｎ個の接続端子のアレイ、該Ｍ×Ｎ個のトランジスタの アレイを有する能動マトリックスを準備する第１の工程と、 前記能動マトリックスの上に薄膜犠牲層を堆積する第２の工程と、 各々が前記接続端子の上部の周囲に位置するＭ×Ｎ個の空スロットのアレイを 前記薄膜犠牲層に形成する第３の工程と、 絶縁性物質からなる弾性層を前記空スロットに埋め込むと共に前記薄膜犠牲層上 に堆積する第４の工程と、 各々が前記弾性層の上部から対応する接続端子の上部まで延在するＭ×Ｎ個の コンジットのアレイを前記弾性層に形成する第５の工程と、 導電性材料からなる第２薄膜層、電気的に変形可能な薄膜層及び導電性及び光 反射性物質からなる第１薄膜層を順次前記弾性層上に堆積する第６の工程と、 前記薄膜犠牲層が露出するまで、前記第１薄膜層、前記電気的に変形可能な薄 膜層、前記第２薄膜層及び前記弾性層を各々パターニングして、各々が第１薄膜 電極、電気的に変形可能な薄膜部、第２薄膜電極及び弾性部を有するＭ×Ｎ個の 半完成駆動構造体を形成する第７の工程と、 前記露出した薄膜犠牲層を有する前記半完成駆動構造体上に、予め定めた厚み を有する複数の誘電体薄膜層を堆積する第８の工程と、 各半完成アクチュエーテッドミラーが任意に駆動部分及び光反射部分に分けら れ、前記各コンジットが前記各半完成アクチュエーテッドミラーにおける前記駆 動部分に位置し、各誘電体薄膜部が前記各半完成アクチュエーテッドミラーにお ける前記光反射部分に位置するように、前記薄膜犠牲層が再び露出されるまで、 前記複数の誘電体薄膜層を各々誘電体薄膜部からなるＭ×Ｎ個の多層積層体にパ ターニングすることによって、Ｍ×Ｎ個の半完成アクチュエーテッドミラーのア レイを形成する第９の工程と、 前記半完成アクチュエーテッドミラーを薄膜保護層で覆うことによって、Ｍ× Ｎ個の保護されたアクチュエーテッドミラーのアレイを形成する第10の工程と、 前記薄膜犠牲層を取り除く第11の工程と、 前記薄膜犠牲層を取り除くことによって、前記Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテ ッドミラーのアレイを形成する第12の工程とを含むことを特徴とするＭ×Ｎ個の 薄膜アクチュエーテッドミラーのアレイの製造方法を提供する。 図面の簡単な説明 図１Ａ〜図１Ｇは、各々、従来のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーア レイの製造方法を説明するための線図的な断面図であり、 図２は、本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの断面 図であり、 図３Ａ〜図３Ｆは、各々、図２に示す本発明のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテ ッドミラーアレイの製造方法を説明するための断面図である。 発明の実施の形態 以下、本発明の好適実施例について図面を参照しながらより詳しく説明する。 図２及び図３Ａ〜図３Ｆは、光投射システムに用いられ、Ｍ×Ｎ（Ｍ、Ｎは正 の整数である）個の薄膜アクチュエーテッドミラー201 のアレイ200 及びその製 造方法を説明するための断面図である。各図中で、同一部分には同一の参照符号 を付して表示したことに注目されたい。 図２には、本発明の一実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー 201 のアレイ200 の線図的な断面図が示されており、アレイ200 は能動マトリッ クス210 、Ｍ×Ｎ個のコンジット225 、Ｍ×Ｎ個の駆動構造体300 のアレイ及び 誘電体薄膜部401 のＭ×Ｎ個の多層積層体400 から構成されている。説明の便宜 上、図２には、各々が誘電体薄膜部401 の多層積層体400 を有するＭ×Ｎ個の薄 膜アクチュエーテッドミラー201 のアレイ200 が示されている。ここで、多層積 層体400 は一対の誘電体薄膜部401 からなる。 能動マトリックス210 は、基板212 、Ｍ×Ｎ個の接続端子214 のアレイ及びＭ ×Ｎ個のトランジスタのアレイ（図示せず）を有し、各接続端子214 は対応する トランジスタに電気的に接続される。 各駆動構造体300 には接続部分330 及び光反射部分335 が形成され、弾性部23 5 、第２薄膜電極245 、電気的に変形可能な薄膜部255 、第１薄膜電極265 を含 む。導電性物質からなる各コンジット225 は、各駆動構造体300 の接続部分330 に位置し、第２薄膜電極245 の下部からトランジスタに電気的に接続される対応 する接続端子214 の上部まで延在して、第２薄膜電極245 をトランジスタに電気 的に接続することによって、第２薄膜電極245 が各薄膜アクチュエーテッドミラ ー201 において信号電極として作用するようにする。例えば、アルミニウムのよ うな導電性且つ光反射性の材料からなる第１薄膜電極265 は、電気的に接地され て、各薄膜アクチュエーテッドミラー201 においてミラーとしてだけでなくバイ アス電極としても作用するようにする。 誘電体薄膜部401 の各多層積層体400 は、各駆動構造体300 の光反射部分335 上に配置され、各誘電体薄膜部401 は予め定められた厚み及び特定の屈折率を有 する。 可視領域においては、附加的な誘電体層により補強することによって単一の金 属層の反射率を増加させ得る。 空気中での垂直入射の特性反射率Ｒは次の通りである。 ここで、ｎは屈折率であり、ｋは金属の吸光率である。 例えば、各々が屈折率ｎ₁及びｎ₂である1/4 波長を有する２つの材料で金属がオ ーバーコーティングされ、ｎ₂が金属上にコーティングされた材料の場合、空気 中での垂直入射の光反射率Ｒは次の通りである。 ここで、 を満足し、ｎ₂＋ｋ²≧１であると仮定する時、 の関係を有する場合、これは式（１）に与えられた露出した金属の反射率より大 きくなる。 式（４）によると、ｎ₁が外側にコーティングされ、ｎ₂が金属上にコーティ ングされた材料である時、（ｎ₁／ｎ₂）＞１の関係を有する一対の1/4 波長層に よって金属の反射率は増加されることができる。屈折率の比が大きければ大きい ほど、反射率はさらに増加することになる。 例えば、大気中で垂直入射の、550nm の波長を有する光ビームに対してアルミ ニウムの反射率は略91.6% である。 アルミニウムが、屈折率が1.38で金属上にコーティングされたフッ化マグネシ ウムと屈折率が2.35で外側にコーティングされた硫化亜鉛のような２つの1/4 波 長によってコーティングされると、式（４）から(n₁/n₂)²=2.9であり、反射率は 96.9% に大きくなる。 多層積層体400 を構成する各誘電体薄膜部401 の厚さ及び屈折率、誘電体薄膜 部401 の数及びシミュレーションによる入射を最適化することによって、アレイ 200 における各薄膜アクチュエーテッドミラー201 の反射率は最大化され得る。 誘電部薄膜401 の各多層積層体400 は、各駆動構造体300 の第１薄膜電極265 が化学的または物理的損傷から保護すること他にも、各薄膜アクチュエーテッド ミラー201 において最大の反射率を与えることによって、アレイ200 における各 薄膜アクチュエーテッドミラー201 の光効率を最適とする。 図３Ａ〜図３Ｆには、図２に示したＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー 201 のアレイ200 の製造方法を説明するための線図的な断面図が各々示されてい る。 アレイ200 の製造工程は、基板212 、Ｍ×Ｎ個の接続端子214 のアレイ、Ｍ× Ｎ個のトランジスタのアレイ（図示せず）を備える能動マトリックス210 を準備 することから始まり、基板212 は、例えば、シリコンウェーハのような絶縁性材 料からなる。 続いて、厚み、0.2 〜２μｍを有し、例えば、銅(Cu)またはニッケル(Ni)のよ うな金属、リン珪酸塩ガラス(PSG)またはポリシリコンからなる薄膜犠牲層220 が、能動マトリックス210 の上に形成される。この薄膜犠牲層220 は、薄膜犠牲 層220 が金属で作られる場合はスパッタリング法または蒸着法を用いて形成され 、ＰＳＧからなる場合は化学気相成長法（ＣＶＤ）またはスピンコーティング法 を用いて形成され、ポリシリコンからなる場合にはＣＶＤ法を用いて形成される 。 しかる後に、Ｍ×Ｎ個の空スロットのアレイ（図示せず）がフォトリソグラフ ィー法を用いて薄膜犠牲層220 に形成される。各空スロットは、接続端子214 の 上部の周囲に位置する。 次に、例えば、窒化ケイ素のような絶縁性物質から作られ、厚み、0.2 〜２μ ｍを有する弾性層230 が、空スロットを有する薄膜犠牲層220 の上にゾル−ゲル 法、スパッタリング法、ＣＶＤ法を用いて蒸着される。 続いて、図３Ａに示すように、例えば、タングステン（Ｗ）のような金属から なるＭ×Ｎ個のコンジット225 が弾性層230 に形成される。各コンジット225 は 、最初、エッチング法を用いて、各々が弾性層230 の上部から接続端子214 の上 部まで延在するＭ×Ｎ個の孔のアレイ（図示せず）を形成し、スパッタリング法 を用いて該孔内に金属を埋め込むことによって形成される。 続いて、例えば、白金(Pt)または白金／チタン(Pt/Ti)のような導電性物質か ら作られ、厚み、0.2 〜２μm を有する第２薄膜層240 が、スパッタリング法ま たは真空蒸着法を用いて弾性層230 及びコンジット225 の上に形成される。 次に、例えば、ＰＺＴのような圧電物質または例えば、ＰＭＮのような電歪物 質から作られ、厚み、0.2〜２μm を有する電気的に変形可能な薄膜層250 が、 真空蒸着法またはスパッタリング法を用いて第２薄膜層240 の上に蒸着される。 その後、電気的に変形可能な薄膜層250 は相転移を引起こすように熱処理される 。 続いて、図３Ｂに示すように、例えば、アルミニウム(Al)または銀(Ag)のよう な導電性及び光反射性物質から作られ、厚み、0.1 〜２μm を有する第１薄膜層 260 が、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて電気的に変形可能な薄膜層 250 の上に形成される。 次に、図３Ｃに示すように、第１薄膜層260、電気的に変形可能な薄膜層250 、第２薄膜層240 及び弾性層230 が、各々薄膜犠牲層220 が露出するまでパター ニングすることによって、Ｍ×Ｎ個の半完成駆動構造体341 のアレイ340 が形成 される。ここで、各半完成駆動構造体341 は、第１薄膜電極265、電気的に変形 可能な薄膜部255 、第２薄膜電極245 及び弾性部235 を備える。各半完成駆動構 造体341 における第２薄膜電極245 は、対応するコンジット225 及び対応する接 続端子214 を通じてトランジスタに電気的に接続されることによって、各薄膜ア クチュエーテッドミラー201 において信号電極として作用する。各半完成駆動構 造体341 における第１薄膜電極265 は、各薄膜アクチュエーテッドミラー201 に おいてミラーだけでなくバイアス電極としても作用する。 各々の電気的に変形可能な薄膜部255 が十分に薄いため、もし、変形可能な薄 膜部255 が圧電物質からなる場合、薄膜アクチュエーテッドミラー201 の駆動の 際に印加された電気信号によって分極できるので別の分極は必要でない。 続いて、複数の誘電体薄膜層（図示せず）が、スパッタリング法または蒸着法 を用いて露出された薄膜犠牲層220 を有する半完成駆動構造体341 の上に順次堆 積される。各誘電体薄膜層は、予め定められた厚み及び反射率を有する。説明の 便宜上、図中には２つの誘電体薄膜層のみが示されている。 次に、図３Ｄに示すように、薄膜犠牲層220 が再び露出されるまで、複数の誘 電体薄膜層が誘電体薄膜部401 のＭ×Ｎ個の多層積層体400 にパターニングされ ることによって、Ｍ×Ｎ個の半完成アクチュエーテッドミラー321 のアレイ320 を形成される。各半完成アクチュエーテッドミラー321 が駆動部分330 及び光反 射部分335 を有するように、複数の誘電体薄膜層はパターニングされる。ここで 、各コンジット225 は各半完成アクチュエーテッドミラー321 における駆動部分 330 に位置し、誘電体薄膜部401 の各多層積層体400 は各半完成アクチュエーテ ッドミラー321 における光反射部分335 に位置する。各半完成アクチュエーテッ ドミラー321 は誘電体薄膜部401 の多層構造体400 、第１薄膜電極265 、電気的 に変形可能な薄膜部255 、第２薄膜電極245 及び弾性部235 を備える。 続いて、図３Ｅに示すように、各半完成アクチュエーテッドミラー321 は薄膜 保護層290 によって完全に覆われることによって、Ｍ×Ｎ個の保護されたアクチ ュエーテッドミラー311 のアレイ310 が形成される。 次に、図３Ｆに示すように、薄膜犠牲層220 がエッチング法を用いて取り除かれ る。最後に、薄膜保護層290 が取り除かれることによって、Ｍ×Ｎ個の薄膜アク チュエーテッドミラー201 のアレイ200 が形成される。 たとえ、本発明によって各薄膜アクチュエーテッドミラー201 がユニモルフ構 造を有するとしても、本発明の方法は、各薄膜アクチュエーテッドミラー201 が 付加的な電気的に変形可能な層及び付加的な電極層を有するので、各々がバイモ ルフ構造をなす薄膜アクチュエーテッドミラーのアレイを製造するにも同様に適 用することができる。 さらに、本発明の方法は、他の幾何学的な構造を有する薄膜アクチュエーテッ ドミラーのアレイを製造するのにも適用することができる。 上記において、本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明の請求 範囲を逸脱することなく、当業者は種々の変形をなし得るであろう。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．光投射システムに用いられるＭ×Ｎ（Ｍ、Ｎは正の整数）個の薄膜アクチュ エーテッドミラーのアレイであって、 基板、各々がＭ×Ｎ個のトランジスタのアレイの対応するトランジスタに電 気的に接続されるＭ×Ｎ個の接続端子のアレイ、及びＭ×Ｎ個のトランジスタの アレイを有する能動マトリックスと、 各々が導電性物質からなるＭ×Ｎ個のコンジットと、 各々が接続部分及び光反射部分からなり、弾性部、第２薄膜電極、電気的に 変形可能な薄膜部及び第１薄膜電極を有するＭｘＮ個の駆動構造体のアレイと、 各々が前記各駆動構造体の前記光反射部分上に位置し、予め定められた厚み 及び特定の屈折率を有する誘電体薄膜部が多層に積層されたＭ×Ｎ個の多層積層 体とを具え、 前記各コンジットが前記各駆動構造体の前記接続部分に位置し、前記第２薄 膜電極の下部から対応するトランジスタに電気的に接続された前記接続端子の上 部まで延在して、前記第２薄膜電極が前記各薄膜アクチュエーテッドミラーにお いて信号電極として作用するようにし、導電性及び反射性物質からなる前記第１ 薄膜電極が接地されることによって、前記第１薄膜電極が前記各薄膜アクチュエ ーテッドミラーにおいてミラーとしてだけでなくバイアス電極としても作用する ようにすることを特徴とするＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 ２．前記各薄膜アクチュエーテッドミラーが、電極によって分離された一対の電 気的に変形可能な部材を有するバイモルフ構造からなることを特徴とする請求項 １に記載の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 ３．前記各薄膜アクチュエーテッドミラーが、付加的な電気的に変形可能な層及 び付加的な電極層を更に有することを特徴とする請求項２に記載の薄膜アクチュ エーテッドミラーアレイ。 ４．Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーのアレイの製造方法であって、 基板、各々がＭ×Ｎ個のトランジスタのアレイにおいて対応するトランジス タに電気的に接続されるＭ×Ｎ個の接続端子のアレイ、該Ｍ×Ｎ個のトランジス タのアレイを有する能動マトリックスを準備する第１の工程と、 前記能動マトリックスの上に薄膜犠牲層を堆積する第２の工程と、 各々が前記接続端子の上部の周囲に位置するＭ×Ｎ個の空スロットのアレイ を前記薄膜犠牲層に形成する第３の工程と、 絶縁性物質からなる弾性層を前記空スロットに埋め込むと共に前記薄膜犠牲 層上に堆積する第４の工程と、 各々が前記弾性層の上部から対応する接続端子の上部まで延在するＭ×Ｎ個 のコンジットのアレイを前記弾性層に形成する第５の工程と、 導電性材料からなる第２薄膜層、電気的に変形可能な薄膜層及び導電性及び 光反射性物質からなる第１薄膜層を順次前記弾性層上に堆積する第６の工程と、 前記薄膜犠牲層が露出するまで、前記第１薄膜層、前記電気的に変形可能な 薄膜層、前記第２薄膜層及び前記弾性層を各々パターニングして、各々が第１薄 膜電極、電気的に変形可能な薄膜部、第２薄膜電極及び弾性部を有するＭ×Ｎ個 の半完成駆動構造体を形成する第７の工程と、 前記露出した薄膜犠牲層を有する前記半完成駆動構造体上に、予め定めた厚 みを有する複数の誘電体薄膜層を堆積する第８の工程と、 各半完成アクチュエーテッドミラーが任意に駆動部分及び光反射部分に分け られ、前記各コンジットが前記各半完成アクチュエーテッドミラーにおける前記 駆動部分に位置し、各誘電体薄膜部が前記各半完成アクチュエーテッドミラーに おける前記光反射部分に位置するように、前記薄膜犠牲層が再び露出されるまで 、前記複数の誘電体薄膜層を各々誘電体薄膜部からなるＭ×Ｎ個の多層積層体に パターニングすることによって、Ｍ×Ｎ個の半完成アクチュエーテッドミラーの アレイを形成する第９の工程と、 前記半完成アクチュエーテッドミラーを薄膜保護層で覆うことによって、Ｍ ×Ｎ個の保護されたアクチュエーテッドミラーのアレイを形成する第10の工程と 、 前記薄膜犠牲層を取り除く第11の工程と、 前記薄膜犠牲層を取り除くことによって、前記Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエー テッドミラーのアレイを形成する第12の工程と とを含むことを特徴とするＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの 製造方法。 ５．前記複数の薄膜誘電層が、スパッタリング法または蒸着法を用いて蒸着され ることを特徴とする請求項４に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー のアレイの製造方法。 ６．前記各薄膜アクチュエーテッドミラーが、電極によって分離された一対の電 気的に変形可能な部材を有するバイモルフ構造からなることを特徴とする請求項 ４に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。 ７．前記電気的に変形可能な層を堆積した後、付加的な電極層及び付加的な電気 的に変形可能な層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載のＭ× Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。