JPH1147701A - ウエハ状の物品、特にシリコンウエハの処理装置 - Google Patents
ウエハ状の物品、特にシリコンウエハの処理装置Info
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- JPH1147701A JPH1147701A JP10138968A JP13896898A JPH1147701A JP H1147701 A JPH1147701 A JP H1147701A JP 10138968 A JP10138968 A JP 10138968A JP 13896898 A JP13896898 A JP 13896898A JP H1147701 A JPH1147701 A JP H1147701A
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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Abstract
(57)【要約】
【課題】従来の処理装置を、ウエハ状の物品の縁部の領
域においても、ウエハ状の物品の、支持体に向いた面
で、酸残分を除去することができるように構成するこ
と。 【解決手段】洗浄液を前記ノズル(20)から前記ウエ
ハ状の物品(2)の上面の縁部領域へ、及び前記支持体
(1)の、前記物品(2)に向いた前記面(5)と、前
記物品(2)の下面の縁部領域との間へ、噴射すること
ができるように、前記ノズル(20)の注ぎ口(21)
の軸は前記ウエハ状の物品(2)の縁部領域に向けられ
ている。
域においても、ウエハ状の物品の、支持体に向いた面
で、酸残分を除去することができるように構成するこ
と。 【解決手段】洗浄液を前記ノズル(20)から前記ウエ
ハ状の物品(2)の上面の縁部領域へ、及び前記支持体
(1)の、前記物品(2)に向いた前記面(5)と、前
記物品(2)の下面の縁部領域との間へ、噴射すること
ができるように、前記ノズル(20)の注ぎ口(21)
の軸は前記ウエハ状の物品(2)の縁部領域に向けられ
ている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、上に保持する物品
と共に自らの軸線を中心に回転可能である支持体(チャ
ック)と、この支持体の、物品に向いた面の上方に設け
られ、かつこの面に対し傾斜している洗浄液用のノズル
とを具備する、ウエハ状の物品、特にシリコンウエハの
処理装置に関する。
と共に自らの軸線を中心に回転可能である支持体(チャ
ック)と、この支持体の、物品に向いた面の上方に設け
られ、かつこの面に対し傾斜している洗浄液用のノズル
とを具備する、ウエハ状の物品、特にシリコンウエハの
処理装置に関する。
【0002】
【従来技術】ウエハ状の物品、特にシリコンウエハは、
その処理の際に、例えばエッチングの際に、エッチング
媒体で処理が行なわれている間、支持体に保持され、こ
の支持体によって回転される。そして、エッチング後
に、エッチング媒体を除去するために、ウエハは、洗浄
液、例えば水で洗浄される。
その処理の際に、例えばエッチングの際に、エッチング
媒体で処理が行なわれている間、支持体に保持され、こ
の支持体によって回転される。そして、エッチング後
に、エッチング媒体を除去するために、ウエハは、洗浄
液、例えば水で洗浄される。
【0003】特に、ウエハ状の物品の、支持体に向いた
面の、外縁の領域において、洗浄液による、特に、支持
体とは反対側の面(上面)において物品へ注がれる(脱
イオン)水による洗浄後にも、まだ酸残分が残っている
ことが明らかになっている。これは望ましくない。
面の、外縁の領域において、洗浄液による、特に、支持
体とは反対側の面(上面)において物品へ注がれる(脱
イオン)水による洗浄後にも、まだ酸残分が残っている
ことが明らかになっている。これは望ましくない。
【0004】支持体において保持される物品と共に自ら
の軸線を中心に回転可能である支持体と、この支持体
の、物品に向いた面の上方に設けられ、かつこの面に対
し傾斜している洗浄液用のノズルとを具備する、ウエハ
状の物品、特にシリコンウエハの処理装置は、EP 753 8
84 A 及びWO 96/35227 から公知である。
の軸線を中心に回転可能である支持体と、この支持体
の、物品に向いた面の上方に設けられ、かつこの面に対
し傾斜している洗浄液用のノズルとを具備する、ウエハ
状の物品、特にシリコンウエハの処理装置は、EP 753 8
84 A 及びWO 96/35227 から公知である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし乍ら、公知の処
理装置の洗浄液用のノズルによっては、ウエハ状の物品
の、支持体から離隔した(上方に向いた)面のみを洗浄
することができるのである。物品の、支持体へ向いた下
(面)に残っているエッチング媒体の残りの問題は公知
の処理装置では解決されない。
理装置の洗浄液用のノズルによっては、ウエハ状の物品
の、支持体から離隔した(上方に向いた)面のみを洗浄
することができるのである。物品の、支持体へ向いた下
(面)に残っているエッチング媒体の残りの問題は公知
の処理装置では解決されない。
【0006】本発明の課題は、支持した物品と共に自ら
の軸線を中心に回転可能である支持体と、この支持体
の、物品に向いた面の上方に設けられ、かつこの面に対
し傾斜している洗浄液用のノズルとを具備する、ウエハ
状の物品、特にシリコンウエハの処理装置を、ウエハ状
の物品の縁部の領域においても、ウエハ状の物品の、支
持体に向いた面で、酸残分を除去することができるよう
に構成することである。
の軸線を中心に回転可能である支持体と、この支持体
の、物品に向いた面の上方に設けられ、かつこの面に対
し傾斜している洗浄液用のノズルとを具備する、ウエハ
状の物品、特にシリコンウエハの処理装置を、ウエハ状
の物品の縁部の領域においても、ウエハ状の物品の、支
持体に向いた面で、酸残分を除去することができるよう
に構成することである。
【0007】
【発明を解決するための手段】上記課題は、洗浄液をノ
ズルからウエハ状の物品の上面の縁部領域へ、及び支持
体の、物品に向いた面と、物品の下面の縁部領域との間
へ、噴射することができるように、ノズルの注ぎ口の軸
線はウエハ状の物品の縁部領域に向けられていること、
により解決される。
ズルからウエハ状の物品の上面の縁部領域へ、及び支持
体の、物品に向いた面と、物品の下面の縁部領域との間
へ、噴射することができるように、ノズルの注ぎ口の軸
線はウエハ状の物品の縁部領域に向けられていること、
により解決される。
【0008】本発明の処理装置を用いて、エッチング及
びアンダエッチング(支持体に向いた面の外縁の領域で
のエッチング)後に、ウエハ状の物品、好ましくはシリ
コンウエハにおける縁部領域に、ノズルから放出される
洗浄液、好ましくは脱イオン水を噴射する。ノズルの整
列及び洗浄剤の噴射の圧力に従って、ウエハ状の物品と
支持体との間へ多かれ少なかれ奥に侵入し、その直後、
物品の回転の故に、再度遠心分離され、その際に酸残分
を連行する。
びアンダエッチング(支持体に向いた面の外縁の領域で
のエッチング)後に、ウエハ状の物品、好ましくはシリ
コンウエハにおける縁部領域に、ノズルから放出される
洗浄液、好ましくは脱イオン水を噴射する。ノズルの整
列及び洗浄剤の噴射の圧力に従って、ウエハ状の物品と
支持体との間へ多かれ少なかれ奥に侵入し、その直後、
物品の回転の故に、再度遠心分離され、その際に酸残分
を連行する。
【0009】本発明の装置の好ましくかつ好都合な構成
は副請求項の主題である。
は副請求項の主題である。
【0010】本発明の装置のその他の詳細、特徴及び利
点は、図面に略示された実施の形態についての以下の記
述から明らかである。
点は、図面に略示された実施の形態についての以下の記
述から明らかである。
【0011】
【発明の実施の形態】図1に示すように、物品2が支持
される支持体(チャック)1に関連してノズル20が設
けられている。このノズル20の注ぎ口21を、矢印2
2の方向にノズル20を移動させる調整によって、ウエ
ハ状の物品2の外縁16の脇に設けることができる。物
品2、例えば、(シリコン)ウエハは、支持体1に対し
て動かないように、ベルヌーイの原理によって保たれか
つピン7によって横方向に支持されるか、あるいは低圧
によって動かないように保たれる。回転駆動部を、処理
中に物品2を回転することができるように、支持体1に
関連して設けることができる。
される支持体(チャック)1に関連してノズル20が設
けられている。このノズル20の注ぎ口21を、矢印2
2の方向にノズル20を移動させる調整によって、ウエ
ハ状の物品2の外縁16の脇に設けることができる。物
品2、例えば、(シリコン)ウエハは、支持体1に対し
て動かないように、ベルヌーイの原理によって保たれか
つピン7によって横方向に支持されるか、あるいは低圧
によって動かないように保たれる。回転駆動部を、処理
中に物品2を回転することができるように、支持体1に
関連して設けることができる。
【0012】ノズル20から注がれる洗浄液、例えば脱
イオン水は、物品2の外縁16、及び支持体1の上向き
の面5に当たり、ウエハ状の物品2と、支持体1の、物
品2に向いた面5との間に浸入する。洗浄液の浸入の程
度は、洗浄液をノズル20から出すために用いる圧力に
依り、更に、角度γを変化することによって付加的に調
節することができる。この角度γは、ノズル20の、詳
しくはノズル20の注ぎ口21の軸線と半径方向の面2
5との間で規定されている。更に、洗浄液の浸入の程度
にとっては、ノズル20の注ぎ口21の軸線つまり洗浄
液の噴射方向と、支持体1の面5との間の角度αも基準
となっている。
イオン水は、物品2の外縁16、及び支持体1の上向き
の面5に当たり、ウエハ状の物品2と、支持体1の、物
品2に向いた面5との間に浸入する。洗浄液の浸入の程
度は、洗浄液をノズル20から出すために用いる圧力に
依り、更に、角度γを変化することによって付加的に調
節することができる。この角度γは、ノズル20の、詳
しくはノズル20の注ぎ口21の軸線と半径方向の面2
5との間で規定されている。更に、洗浄液の浸入の程度
にとっては、ノズル20の注ぎ口21の軸線つまり洗浄
液の噴射方向と、支持体1の面5との間の角度αも基準
となっている。
【0013】ウエハ状の物品2、(例えばシリコンウエ
ハ)の縁部領域をも、支持体1に向いた下面においてエ
ッチングした後には(アンダエッチング)、物品2の上
面(支持体1から離隔した側)に注がれる洗浄媒体を用
いて、物品2の、下面の縁部領域において洗浄すること
によって、アンダエッチングの領域に残った酸残分を効
果的に除去することを、図1及び2に図示されかつ支持
体1に関連して設けられたノズル20によって、確実に
行なうことができる。更に、ノズル20から洗浄液を噴
霧する最中に、ノズル20は、洗浄効果を改善するため
に、例えば矢印22の方向にも往復移動され得る。前記
角度γは、ノズル20、即ち、このノズル20の注ぎ口
21の軸線と、半径方向の面25とによって規定され、
角度αは、ノズル20の注ぎ口21の軸線と、物品2の
平面とによって規定されている。最善の結果を達成すべ
く、角度γ及び/又は角度αを変えることができる。角
度α及び角度γを一度選択して調節すれば、それを維持
することができるか、又は洗浄工程中に(周期的に)変
えることができる。
ハ)の縁部領域をも、支持体1に向いた下面においてエ
ッチングした後には(アンダエッチング)、物品2の上
面(支持体1から離隔した側)に注がれる洗浄媒体を用
いて、物品2の、下面の縁部領域において洗浄すること
によって、アンダエッチングの領域に残った酸残分を効
果的に除去することを、図1及び2に図示されかつ支持
体1に関連して設けられたノズル20によって、確実に
行なうことができる。更に、ノズル20から洗浄液を噴
霧する最中に、ノズル20は、洗浄効果を改善するため
に、例えば矢印22の方向にも往復移動され得る。前記
角度γは、ノズル20、即ち、このノズル20の注ぎ口
21の軸線と、半径方向の面25とによって規定され、
角度αは、ノズル20の注ぎ口21の軸線と、物品2の
平面とによって規定されている。最善の結果を達成すべ
く、角度γ及び/又は角度αを変えることができる。角
度α及び角度γを一度選択して調節すれば、それを維持
することができるか、又は洗浄工程中に(周期的に)変
えることができる。
【0014】ノズル20から注がれる洗浄液、好ましく
は脱イオン水は、上記の如く、洗浄液の圧力及びノズル
20の整列に従って、物品2と、支持体1の、物品2に
向いた面5との間へ、多かれ少なかれ奥に浸入し、支持
体1従ってまた物品2の回転に従って、支持体1の軸線
を中心に再度遠心分離される。この場合、洗浄液は、ウ
エハ状の物品2の下面に沿って、場合によってはまだ付
着しているエッチング媒体を洗い流す。このことは図3
に略示されている。図3は、ノズル20から放出される
洗浄液が、物品2の上面の外縁をも洗浄し、従って、物
品2と支持体1の間にのみ限定的に浸入しないことを示
している。
は脱イオン水は、上記の如く、洗浄液の圧力及びノズル
20の整列に従って、物品2と、支持体1の、物品2に
向いた面5との間へ、多かれ少なかれ奥に浸入し、支持
体1従ってまた物品2の回転に従って、支持体1の軸線
を中心に再度遠心分離される。この場合、洗浄液は、ウ
エハ状の物品2の下面に沿って、場合によってはまだ付
着しているエッチング媒体を洗い流す。このことは図3
に略示されている。図3は、ノズル20から放出される
洗浄液が、物品2の上面の外縁をも洗浄し、従って、物
品2と支持体1の間にのみ限定的に浸入しないことを示
している。
【0015】本発明の装置の好ましい実施の形態を以下
のように記述することができる。
のように記述することができる。
【0016】ウエハ状の物品2、特にシリコンウエハ
を、処理媒体好ましくはエッチング液で処理した後に、
ウエハ状の物品2の下面で、つまり、ウエハ状の物品2
用の支持体1に向いた面で、この面の縁部領域に付着し
た処理媒体の残りを除去するために、ノズル20が設け
られている。洗浄液、好ましくは脱イオン水を、ノズル
20から物品2の外縁へ及び支持体1とウエハ状の物品
2との間へ、噴射することができる。洗浄液をノズル2
0から放出するために用いる圧力と、ウエハ状の物品2
に対するノズル20の整列とに従って、多かれ少なかれ
奥に浸入する洗浄液は、ウエハ状の物品2の回転によっ
て、再度遠心分離され、その際に、処理媒体の残りを連
行する。最適な作用のためには、ウエハ状の物品2の縁
部16に対するノズル20の整列を変えることができ
る。
を、処理媒体好ましくはエッチング液で処理した後に、
ウエハ状の物品2の下面で、つまり、ウエハ状の物品2
用の支持体1に向いた面で、この面の縁部領域に付着し
た処理媒体の残りを除去するために、ノズル20が設け
られている。洗浄液、好ましくは脱イオン水を、ノズル
20から物品2の外縁へ及び支持体1とウエハ状の物品
2との間へ、噴射することができる。洗浄液をノズル2
0から放出するために用いる圧力と、ウエハ状の物品2
に対するノズル20の整列とに従って、多かれ少なかれ
奥に浸入する洗浄液は、ウエハ状の物品2の回転によっ
て、再度遠心分離され、その際に、処理媒体の残りを連
行する。最適な作用のためには、ウエハ状の物品2の縁
部16に対するノズル20の整列を変えることができ
る。
【図1】図1は、支持体に設けられたウエハ状の物品
と、洗浄液用のノズルとを有する支持体の平面図であ
る。
と、洗浄液用のノズルとを有する支持体の平面図であ
る。
【図2】図2は、支持体に設けられたウエハ状の物品
と、図1に図示したノズルとを有する支持体の側面図で
ある。
と、図1に図示したノズルとを有する支持体の側面図で
ある。
【図3】図3は図2の部分拡大図である。
1 支持体 2 物品 5 面 16 縁部 20 ノズル 21 注ぎ口 22 矢印 25 面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヘルムート・フレイ オーストリア国、アー − 9170 フェル ラハ(ケルンテン)、レスニヒベーク 34
Claims (8)
- 【請求項1】 物品(2)を上に支持し、この物品と共
に自らの軸線を中心に回転可能な支持体(1)と、この
支持体(1)の、前記物品(2)に向いた面(5)の上
方に設けられ、かつこの面(5)に対し傾斜している洗
浄液用のノズル(20)とを具備する、ウエハ状の物品
(2)、特にシリコンウエハの処理装置において、 洗浄液を前記ノズル(20)から前記ウエハ状の物品
(2)の上面の縁部領域へ、及び前記支持体(1)の、
前記物品(2)に向いた前記面(5)と、前記物品
(2)の下面の縁部領域との間へ、噴射することができ
るように、前記ノズル(20)の注ぎ口(21)の軸線
は前記ウエハ状の物品(2)の縁部領域に向けられてい
ることを特徴とする処理装置。 - 【請求項2】 前記ノズル(20)は前記支持体(1)
に対して位置が調整可能であることを特徴とする請求項
1に記載の処理装置。 - 【請求項3】 前記ノズル(20)は、自らの長手方向
(矢印22)に移動かのに保たれていることを特徴とす
る請求項2に記載の処理装置。 - 【請求項4】 前記ノズル(20)は、回動可能に保た
れていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1
に記載の処理装置。 - 【請求項5】 前記ノズル(20)は、このノズル(2
0)が、前記支持体(1)の軸線を通る半径方向の面
(25)から、前記ウエハ状の物品(2)の縁部(1
6)に対しほぼ接線方向の位置まで回動可能であること
を特徴とする請求項1乃至4のいずれか1に記載の処理
装置。 - 【請求項6】 前記ノズル(20)の前記注ぎ口(2
1)は、前記ウエハ状の物品(2)の前記縁部(16)
に関連付けられた自らの位置において、前記ウエハ状の
物品(2)の前記縁部(16)の直ぐ脇に設けられてい
ることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1に記載
の処理装置。 - 【請求項7】 前記ノズル(20)の前記注ぎ口(2
1)の軸線は、前記支持体(1)の、前記物体(2)に
向いた前記面(5)と、鋭角(α)を形成していること
を特徴とする請求項1乃至6のいずれか1に記載の処理
装置。 - 【請求項8】 前記ノズル(20)の前記注ぎ口(2
1)の軸線は、前記ノズル(20)の前記注ぎ口(2
1)及び前記支持体(1)の軸線を通る前記半径方向の
面(25)と、鋭角(γ)を形成していることを特徴と
する請求項1乃至7のいずれか1に記載の処理装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AT0088697A AT407806B (de) | 1997-05-23 | 1997-05-23 | Anordnung zum behandeln wafer-förmiger gegenstände, insbesondere von siliziumwafern |
AT886/97 | 1997-05-23 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1147701A true JPH1147701A (ja) | 1999-02-23 |
Family
ID=3502095
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10138968A Pending JPH1147701A (ja) | 1997-05-23 | 1998-05-20 | ウエハ状の物品、特にシリコンウエハの処理装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5904164A (ja) |
EP (1) | EP0881664A3 (ja) |
JP (1) | JPH1147701A (ja) |
KR (1) | KR19980087206A (ja) |
AT (1) | AT407806B (ja) |
TW (1) | TW521333B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100717445B1 (ko) * | 1999-07-09 | 2007-05-14 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 에지 비드 제거/회전형 세척 건조(ebr/srd)모듈 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW419716B (en) * | 1997-04-28 | 2001-01-21 | Tokyo Electron Ltd | Processing apparatus |
TW385489B (en) * | 1997-08-26 | 2000-03-21 | Tokyo Electron Ltd | Method for processing substrate and device of processing device |
DE19901291C2 (de) * | 1999-01-15 | 2002-04-18 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Vorrichtung zur Ätzbehandlung eines scheibenförmigen Gegenstandes |
DE59900743D1 (de) * | 1999-04-28 | 2002-02-28 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Vorrichtung und Verfahren zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen |
US6796517B1 (en) | 2000-03-09 | 2004-09-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Apparatus for the application of developing solution to a semiconductor wafer |
EP1372186B1 (de) * | 2000-10-31 | 2008-12-10 | Sez Ag | Vorrichtung zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen |
DE10108369A1 (de) * | 2001-02-21 | 2002-08-29 | B L E Lab Equipment Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Ablösen eines Halbleiterwafers von einem Träger |
JP2003031536A (ja) * | 2001-07-12 | 2003-01-31 | Nec Corp | ウエハの洗浄方法 |
US6689418B2 (en) | 2001-08-03 | 2004-02-10 | Applied Materials Inc. | Apparatus for wafer rinse and clean and edge etching |
US8192555B2 (en) | 2002-12-31 | 2012-06-05 | Micron Technology, Inc. | Non-chemical, non-optical edge bead removal process |
US7193295B2 (en) * | 2004-08-20 | 2007-03-20 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for thinning a semiconductor workpiece |
US7288489B2 (en) * | 2004-08-20 | 2007-10-30 | Semitool, Inc. | Process for thinning a semiconductor workpiece |
US20060040111A1 (en) * | 2004-08-20 | 2006-02-23 | Dolechek Kert L | Process chamber and system for thinning a semiconductor workpiece |
US20060046499A1 (en) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Dolechek Kert L | Apparatus for use in thinning a semiconductor workpiece |
US7354649B2 (en) | 2004-08-20 | 2008-04-08 | Semitool, Inc. | Semiconductor workpiece |
CN101389415A (zh) * | 2006-02-22 | 2009-03-18 | 赛迈有限公司 | 单侧工件处理 |
CN103084349A (zh) * | 2011-11-03 | 2013-05-08 | 无锡华润上华科技有限公司 | 晶片清洗方法 |
CN111640689A (zh) * | 2019-03-01 | 2020-09-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 清洗装置及清洗腔室 |
JP2024506122A (ja) * | 2020-12-16 | 2024-02-09 | エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド | 基板支持装置 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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