JPH1140454A

JPH1140454A - セラミック電子部品

Info

Publication number: JPH1140454A
Application number: JP9196631A
Authority: JP
Inventors: Takuji Nakagawa; 卓二中川; Giichi Takagi; 義一高木; Masayoshi Miyazaki; 雅義宮崎; Hideki Nakayama; 英樹中山
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1997-07-23
Filing date: 1997-07-23
Publication date: 1999-02-12
Anticipated expiration: 2017-07-23
Also published as: JP3358499B2

Abstract

(57)【要約】【課題】実装状態でのセラミック電子部品が、温度変
化により基板から受ける熱衝撃のために破壊されること
を確実に防止する。【解決手段】チップ状のセラミック電子部品本体２の
両端部に形成された端子電極３に、Ｕ字状に折り曲げら
れた金属板６をもって構成された端子部材５を取り付け
る。端子部材５の折り曲げ状態において内側に向く面に
は、半田になじまない半田非親和面１２を形成し、外側
に向く面には、半田になじむ半田親和面１３を形成す
る。基板１０への実装のための半田が、端子部材５の折
り曲げにおける一方側部分７と他方側部分９との間に入
り込んでブリッジを形成することがなく、端子部材５の
動きが阻害されることがないので、基板から受ける熱衝
撃を端子部材５の動きによって確実に吸収できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、セラミック電子
部品に関するもので、特に、たとえば積層セラミックコ
ンデンサのようにチップ状のセラミック電子部品本体を
備えるセラミック電子部品の端子部分の構造に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】たとえば、熱放散性に優れたアルミニウ
ムからなる基板上に積層セラミックコンデンサのような
セラミック電子部品を実装すると、アルミニウム基板と
セラミック電子部品との熱膨張の差が大きいため、温度
の上昇および下降を繰り返す温度サイクルにおいて、セ
ラミック電子部品の破壊等を生じやすい、という問題が
ある。特に、電源市場で求められている高容量のＰｂ系
積層セラミックコンデンサの場合には、その抗折強度が
比較的低いため、この問題がより生じやすい。

【０００３】上述の問題を解決するための技術が、たと
えば特開平５−２８３２８０号公報に記載されている。
特開平５−２８３２８０号公報では、積層セラミックコ
ンデンサの外部電極に、外部電極より分岐し外部電極に
接近させるように折り曲げた端子部材を設け、この端子
部材を基板に半田付けすることにより、積層セラミック
コンデンサを基板に実装した状態とすることが記載され
ている。このような実装状態によれば、温度変化により
基板が膨張・収縮した場合でも、その応力が端子部材の
動きにより吸収され、直接、コンデンサ本体へは加わら
ないようにすることができる。なお、この公報には、端
子部材の半田付け性を良くするため、端子部材に半田め
っきを施しておくことも記載されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た構造の端子部材には、次のような問題がある。すなわ
ち、端子部材は、外部電極に接近するように折り曲げら
れているので、たとえば、積層セラミックコンデンサを
基板に実装するために付与される半田が、端子部材と外
部電極との隙間に入り込んで、これらの間で半田からな
るブリッジを生じやすい。この半田ブリッジは、端子部
材の動きを阻害する。その結果、前述したような温度変
化による基板の応力を吸収し得る作用を、最早、端子部
材には期待できなくなり、端子部材を設けているにもか
かわらず、積層セラミックコンデンサが熱衝撃により破
壊されることがある。

【０００５】そこで、この発明の目的は、上述したよう
な問題を解決し得るセラミック電子部品を提供しようと
することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明は、上述した技
術的課題を解決するため、両端部に端子電極が形成され
た、チップ状のセラミック電子部品本体と、Ｕ字状に折
り曲げられた金属板をもって構成され、折り曲げ状態に
おいて外側に向く面を端子電極に対向させながら折り曲
げにおける一方側部分が各端子電極に取り付けられ、折
り曲げにおける他方側部分が基板への取付け側とされ
た、端子部材とを備え、端子部材の折り曲げ状態におい
て内側に向く面には、半田になじまない半田非親和面が
形成され、端子部材の折り曲げ状態において外側に向く
面には、半田になじむ半田親和面が形成されていること
を特徴としている。

【０００７】この発明の一実施形態では、金属板は、半
田付け性の良好な表面を有し、上述の半田非親和面は、
この金属板の表面を半田になじまないように処理するこ
とによって形成され、半田親和面は、この金属板の表面
自身によって与えられる。上述した半田になじまないよ
うにするための処理は、好ましくは、樹脂を含む材料を
金属板の表面に付与する処理を含む。この樹脂を含む材
料は、たとえば、非導電性樹脂、ゴム、または導電性樹
脂等である。

【０００８】また、上述のように、半田付け性の良好な
表面を有する金属板は、半田親和面を形成する面におい
て、半田引きされてもよい。この発明の他の実施形態で
は、金属板は、半田付け性の悪い表面を有し、上述の半
田非親和面は、この金属板の表面自身によって与えら
れ、半田親和面は、この金属板の表面を半田になじむよ
うに処理することによって形成される。

【０００９】上述の半田になじむようにするための処理
は、半田になじむ金属材料を金属板の表面に付与する処
理を含む。この半田になじむ金属材料は、たとえば、半
田、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ等である。この発明において、端
子部材の折り曲げにおける一方側部分と他方側部分と
は、少なくとも一部において互いに接触していてもよ
い。

【００１０】また、この発明に係るセラミック電子部品
は、複数のセラミック電子部品本体を備え、これら複数
のセラミック電子部品本体の各々の端子電極に端子部材
が共通に取り付けられている構造を有していてもよい。

【００１１】

【発明の実施の形態】図１は、この発明の第１の実施形
態によるセラミック電子部品１を示す正面図である。図
２は、図１の部分ＩＩを拡大して断面で示す正面図であ
る。図１を参照して、セラミック電子部品１は、たとえ
ば積層セラミックコンデンサを構成する、２つのチップ
状のセラミック電子部品本体２を備え、各セラミック電
子部品本体２の両端部には、端子電極３が形成されてい
る。端子電極３は、スパッタリング、蒸着、めっき等の
薄膜形成技術により形成されても、導電性ペーストを付
与し焼き付ける厚膜形成技術により形成されても、さら
には、厚膜形成技術により形成された厚膜上にめっきを
施すことによって形成されてもよい。これらセラミック
電子部品本体２は、同様に配向されながら上下に積み重
ねられ、接着剤４により接合されている。

【００１２】上述した２つのセラミック電子部品本体２
の各々の端子電極３に共通に端子部材５が取り付けられ
ている。より詳細には、端子部材５は、Ｕ字状に折り曲
げられた金属板６をもって構成され、折り曲げ状態にお
いて外側に向く面を端子電極３に対向させながら折り曲
げにおける一方側部分７が各端子電極３にたとえば半田
または導電性接着剤のような導電材８を介して取り付け
られている。半田を介して取り付ける場合、半田浸漬に
よる方法、半田ペーストを付与しリフローする方法等を
採用することができる。

【００１３】端子部材５の、折り曲げにおける他方側部
分９は、破線で示した基板１０への取付け側となるもの
で、その端部は、基板１０に沿うようにさらに折り曲げ
られて接続端子部１１を構成している。なお、図１にお
いて、接続端子部１１は、実線で示すように内側に折り
曲げられて形成されても、２点鎖線で示すように外側に
折り曲げられて形成されてもよい。

【００１４】一例として、厚さ０．１mmの金属板６が用
いられ、一方側部分７と他方側部分９との間隔は０．５
mmとされる。上述した端子部材５の折り曲げ状態におい
て内側に向く面には、半田になじまない半田非親和面１
２が形成され、同じく外側に向く面には、半田になじむ
半田親和面１３が形成されている。この実施形態では、
金属板６として、半田付け性の良好な表面を有するもの
が用いられ、半田非親和面１２は、この金属板６の表面
を半田になじまないように処理することによって形成さ
れ、半田親和面１３は、この金属板６の表面自身によっ
て与えられる。より具体的には、金属板６の半田非親和
面１２を与えるべき面には、たとえば、非導電性樹脂、
ゴム、または導電性樹脂のような樹脂を含む材料からな
る半田非親和層１４が形成される。なお、半田非親和面
１２を与えるため、このような樹脂を含む半田非親和層
１４の形成に代えて、金属板６の表面を酸化するといっ
た化学的処理を施すようにしてもよい。他方、金属板６
の、半田親和面１３を形成すべき面は、さらなる半田付
け性の向上のため、半田引きされてもよい。また、半田
引き以外にも、半田やＡｇ、Ａｕ、Ｐｄ等をたとえばめ
っきにより形成することが行なわれる。

【００１５】上述のように、端子部材５の折り曲げ状態
において外側に向く面には、半田親和面１３が形成され
ているので、このセラミック電子部品１を基板１０上に
実装するときに付与される半田（図示せず。）は、この
半田親和面１３と基板１０とを接続するように回り込
み、所望の電気的接続および機械的取付けを達成する。
他方、端子部材５の折り曲げ状態において内側に向く面
には、半田非親和面１２が形成されているので、上述の
半田は、端子部材５の折り曲げにおける一方側部分７と
他方側部分９との間の隙間には回り込まず、それゆえ、
この半田によるブリッジが形成されることもない。

【００１６】なお、図１に示すように、端子部材５の一
方側部分７は、その端部において、セラミック電子部品
本体２の端子電極３を覆うように折り曲げられている。
このことも、不所望な部分への半田の回り込みを防止す
るのに有効である。図３は、この発明の第２の実施形態
によるセラミック電子部品２１を示す正面図である。図
４は、図３の部分ＩＶを拡大して断面で示す正面図であ
る。このセラミック電子部品２１は、前述した第１の実
施形態によるセラミック電子部品１と比較して、多くの
共通する構成を備えている。したがって、図３および図
４において、図１および図２に示した要素に相当する要
素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略す
る。

【００１７】図３および図４を参照して、端子部材２２
は、Ｕ字状に折り曲げられた金属板２３をもって構成さ
れ、折り曲げにおける一方側部分７と他方側部分９と
は、そのほとんどの部分において互いに接触している。
図１および図２を参照して説明した実施形態の場合と同
様、端子部材２２の折り曲げ状態において内側に向く面
には、半田になじまない半田非親和面１２が形成され、
同じく外側に向く面には、半田になじむ半田親和面１３
が形成されている。この実施形態では、金属板２３とし
て、半田付け性の悪い表面を有するものが用いられ、半
田非親和面１２は、この金属板２３の表面自身によって
与えられ、半田親和面１３は、金属板２３の表面を半田
になじむように処理することによって形成される。より
具体的には、金属板２３として、ステンレス鋼からなる
板が用いられ、この金属板２３の表面がそのまま半田非
親和面１２とされ、半田親和面１３を与えるべき面に
は、たとえば、半田引きによる半田親和層２４が形成さ
れる。

【００１８】この実施形態によれば、端子部材２２の折
り曲げ状態において内側に向く面には、ステンレス鋼か
らなる金属板２３自身の表面による半田非親和面１２が
形成されているので、このセラミック電子部品２１を基
板上に実装するときに付与される半田（図示せず。）
は、端子部材２２の折り曲げにおける一方側部分７と他
方側部分９との間の隙間には回り込まず、それゆえ、こ
の半田によるブリッジが形成されることもないばかりで
なく、一方側部分７と他方側部分９とが互いに接触して
いるので、次のような効果も期待できる。

【００１９】すなわち、一方側部分７と他方側部分９と
の接触は金属板２３自身の表面相互の接触となるので、
この接触部分では、電気的導通が可能である。したがっ
て、端子部材２２自身の長さに比べて、この端子部材２
２を通る実際の電気的導通経路を短くすることができ
る。このことは、比較的長い端子部材２２において、不
所望にも、比較的大きなインダクタンス成分が生じるこ
とを防止する効果がある。

【００２０】なお、上述した効果を奏することを可能に
するため、第１の実施形態のように、半田非親和面１２
を与えるために半田非親和層１４を形成する場合には、
この半田非親和層１４を導電性樹脂のような導電性材料
により形成するようにすればよい。図５は、この発明の
第３の実施形態によるセラミック電子部品３１を示す正
面図であり、一部において破断して断面を示している。
このセラミック電子部品３１も、前述した第１の実施形
態によるセラミック電子部品１と比較して、多くの共通
する構成を備えている。したがって、図５において、図
１および図２に示した要素に相当する要素には同様の参
照符号を付し、重複する説明は省略する。

【００２１】図５を参照して、このセラミック電子部品
３１は、セラミック電子部品本体３２のための端子電極
３３が接合材としても機能し、この端子電極３３によっ
て、端子部材５が取り付けられていることを特徴として
いる。より具体的には、セラミック電子部品本体３２
は、積層セラミックコンデンサとして構成され、その内
部に形成された内部電極３４が図５において図示されて
いる。セラミック電子部品本体３２の端部に形成される
端子電極３３は、たとえば導電性樹脂からなり、この導
電性樹脂は、内部電極３４に電気的に接続されるよう
に、セラミック電子部品本体３２の端部に付与されると
ともに、この導電性樹脂によって、端子部材５がセラミ
ック電子部品本体３２に接合される。

【００２２】図５に示した端子部材５に関する構成は、
前述した第１の実施形態における端子部材５と実質的に
同様である。なお、端子部材５に関する構成は、第２の
実施形態における端子部材２２と同様、折り曲げにおけ
る一方側部分７と他方側部分９とを互いに接触させたも
のに代えてもよい。以上、この発明を図示した実施形態
に関連して説明したが、この発明の範囲内において、そ
の他、種々の変形例が可能である。

【００２３】たとえば、図示した各実施形態では、セラ
ミック電子部品１、２１または３１は、２つのセラミッ
ク電子部品本体２または３２を備えていたが、セラミッ
ク電子部品本体の数は任意に変更でき、３つ以上であっ
ても、単に１つであってもよい。また、セラミック電子
部品本体２または３２は、積層セラミックコンデンサを
構成するものであったが、他のセラミック電子部品を構
成するものであってもよい。また、セラミック電子部品
本体２または３２は、両端部に端子電極３または３３を
形成するものであったが、少なくとも両端部に端子電極
を形成している限り、他の部分にさらに端子電極を形成
するものでもよい。

【００２４】また、端子部材５または２２の折り曲げの
態様に関して、図示した実施形態では、最も基本的かつ
典型的な折り曲げの態様を示したにすぎず、他の種々の
折り曲げの態様を採用することができる。

【００２５】

【実施例１】以下の要領にて、図１に示すようなセラミ
ック電子部品１を作製した。図１に示した正面方向で見
たときの寸法が縦２．５mm、横５．０mmであり、図１の
紙面に直交する方向での寸法が５．５mmのＰｂ系積層セ
ラミックコンデンサ（容量５０μＦ）となるべき２つの
セラミック電子部品本体２を用意した。これらセラミッ
ク電子部品本体２をホルダに装着し、スパッタリングに
より、Ｔｉが０．１μｍ、Ｎｉ３０％Ｃｕが０．５μ
ｍ、Ａｇが０．７μｍの各厚みを有する多層薄膜からな
る端子電極３を形成した。次いで、これらセラミック電
子部品本体２を、エポキシ系接着剤４を介して重ね合わ
せて接合した。

【００２６】他方、半田非親和面１２を与えるための半
田非親和層１４を形成すべくフッ化エチレン系樹脂でコ
ートされ、半田親和面１３側には半田（Ｓｎ／Ｐｂ＝９
／１）引きされた、厚さ０．１mmの黄銅製の金属板６を
用意した。この金属板６をＵ字状に折り曲げ、この折り
曲げにおける一方側部分７と他方側部分９との間隔を
０．３mmに設定した。

【００２７】次に、端子部材５を端子電極３に接触させ
た状態で、高温半田（Ｓｎ／Ｐｂ＝８／９２）で、端子
部材５を端子電極３に取り付けた。このようにして得ら
れた実施例１に係るセラミック電子部品１について、熱
衝撃サイクル信頼性を評価するため、基板１０上の所定
の位置にセラミック電子部品１を位置決めした状態で、
共晶半田（Ｓｎ／Ｐｂ＝６０／４０）を用いてリフロー
で、セラミック電子部品１を基板１０上に実装した。熱
衝撃サイクル信頼性は、−５０℃（３０分）〜２５℃
（３分）〜１２５℃（３０分）の温度条件を５００サイ
クル付与した前後の容量をそれぞれ測定し、その結果か
ら容量変化率を求めることにより評価した。

【００２８】容量変化率が１０％以上のものを不良とし
たが、この実施例１に係るセラミック電子部品１では、
試料数３６個のうち、不良となるものが全くなかった。
これらセラミック電子部品１の端子部材５を観察した
が、そこには半田ブリッジが全く生じていなく、このこ
とが不良の皆無の原因となったと考えることができる。
他方、比較例として、半田非親和層１４が形成されず、
両面が半田（Ｓｎ／Ｐｂ＝９／１）引きされていること
を除いて、実施例１と同様の端子部材を用いて同様の方
法により試料を作製したところ、熱衝撃サイクル信頼性
試験において、試料数３６個のうち、９個の試料が不良
となった。これら比較例に係るセラミック電子部品の端
子部材を観察したが、そこには半田ブリッジがいくつか
生じていて、このことが不良の原因となったと考えるこ
とができる。

【００２９】

【実施例２】以下の要領にて、図３に示すようなセラミ
ック電子部品２１を作製した。実施例１と同様のＰｂ系
積層セラミックコンデンサとなるべき２つのセラミック
電子部品本体２を用意した。これらセラミック電子部品
本体２の両端部に、銀／パラジウム粉末を含有するペー
ストを塗布し、６００℃以上の温度で焼き付けて、厚膜
からなる端子電極３を形成した。次いで、これらセラミ
ック電子部品本体２を、エポキシ系接着剤４を介して重
ね合わせて接合した。

【００３０】他方、端子部材２２のための金属板２３と
して、その半田親和面１３側には半田（Ｓｎ／Ｐｂ＝９
／１）引きによる半田親和層２４が形成された、厚さ
０．１mmのステンレス鋼からなる金属板２３を用意し
た。この金属板２３をＵ字状に折り曲げ、この折り曲げ
における一方側部分７と他方側部分９とを互いに接触さ
せた。

【００３１】次に、高温半田（Ｓｎ／Ｐｂ＝８／９２）
ペーストを介して端子部材２２と端子電極３とを位置決
めした状態で、リフローにより半田ペーストを溶融さ
せ、端子部材２２を端子電極３に取り付けた。次いで、
実施例１と同様の要領により、熱衝撃サイクル信頼性を
評価した。その結果、この実施例２に係るセラミック電
子部品２１でも、試料数３６個のうち、不良となるもの
が全くなかった。これらセラミック電子部品２１の端子
部材２２においても、半田ブリッジが全く生じていなか
った。

【００３２】また、この実施例２に係るセラミック電子
部品２１について、共振周波数を測定したところ、３８
５ｋＨｚを示した。他方、比較のため、前述した実施例
１に係るセラミック電子部品１について、共振周波数を
測定したところ、３００ｋＨｚしか示さなかった。この
ことから、実施例１では、端子部材５自身の長さがその
ままインダクタンス成分の形成に寄与したが、この実施
例２では、端子部材２２の一方側部分７と他方側部分９
とが互いに接触しており、この接触部分での電気的導通
が可能であるので、端子部材２２を通る実際の電気的導
通経路を、端子部材２２自身の長さに比べて短くするこ
とができ、そのため、インダクタンス成分を減じる効果
があることがわかる。

【００３３】

【実施例３】以下の要領にて、図１に示すようなセラミ
ック電子部品１を作製した。実施例１と同様のＰｂ系積
層セラミックコンデンサとなるべき２つのセラミック電
子部品本体２を用意した。これらセラミック電子部品本
体２の両端部に、銀粉末を含有するペーストを塗布し、
６００℃以上の温度で焼き付け、この銀厚膜上に、Ｎｉ
およびＳｎ／Ｐｂの各湿式めっきを行なうことによっ
て、端子電極３を形成した。次いで、これらセラミック
電子部品本体２を、エポキシ系接着剤４を介して重ね合
わせて接合した。

【００３４】他方、半田（Ｓｎ／Ｐｂ＝４／６）引きさ
れた、厚さ０．１mmのリン青銅製の金属板６を用意し、
この金属板６の一方面に半田非親和面１２を与えるため
の半田非親和層１４を形成すべく耐熱性ゴムを付与し
た。この金属板６をＵ字状に折り曲げ、この折り曲げに
おける一方側部分７と他方側部分９との間隔を０．３mm
に設定した。

【００３５】次に、導電性樹脂により、端子部材５を端
子電極３に取り付けた。次いで、実施例１と同様の要領
により、熱衝撃サイクル信頼性を評価した。その結果、
この実施例３に係るセラミック電子部品１でも、試料数
３６個のうち、不良となるものが全くなかった。これら
セラミック電子部品１の端子部材５においても、半田ブ
リッジが全く生じていなかった。

【００３６】

【実施例４】以下の要領にて、図５に示すようなセラミ
ック電子部品３１を作製した。実施例１と同様のＰｂ系
積層セラミックコンデンサとなるべき２つのセラミック
電子部品本体３２を用意した。このセラミック電子部品
本体３２をバレル研磨し、その内部の内部電極３４の端
部を十分に露出させた。次いで、これらセラミック電子
部品本体３２を、エポキシ系接着剤４を介して重ね合わ
せて接合した。

【００３７】他方、半田（Ｓｎ／Ｐｂ＝４／６）引きさ
れた、厚さ０．１mmの黄銅製の金属板６を用意し、この
金属板６の一方面に半田非親和面１２を与えるための半
田非親和層１４を形成すべく導電性樹脂を付与した。こ
の金属板６をＵ字状に折り曲げ、この折り曲げにおける
一方側部分７と他方側部分９とを互いに接触させた。次
に、関連の内部電極３４に接続されるように、セラミッ
ク電子部品本体３２の両端部に、導電性樹脂を付与し、
これによって端子電極３３を形成するとともに、同じ導
電性樹脂により、端子部材５をセラミック電子部品本体
３２の各端部に接合した。

【００３８】次いで、実施例１と同様の要領により、熱
衝撃サイクル信頼性を評価した。その結果、この実施例
４に係るセラミック電子部品３１でも、試料数３６個の
うち、不良となるものが全くなかった。これらセラミッ
ク電子部品３１の端子部材５においても、半田ブリッジ
が全く生じていなかった。また、この実施例４に係るセ
ラミック電子部品３１について、共振周波数を測定した
ところ、３６０ｋＨｚを示した。

【００３９】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、チッ
プ状のセラミック電子部品本体の両端部に形成された端
子電極には、Ｕ字状に折り曲げられた金属板をもって構
成される端子部材が取り付けられるとともに、この端子
部材の折り曲げ状態において内側に向く面には、半田に
なじまない半田非親和面が形成され、同じく外側に向く
面には、半田になじむ半田親和面が形成されている。し
たがって、このチップ状電子部品を基板に実装するため
に付与される半田は、内側に向く半田非親和面の作用に
より、端子部材の折り曲げにおける一方側部分と他方側
部分との隙間に入り込むことが防止されるとともに、外
側に向く半田親和面になじみながら当該端子部材と基板
との間での適正な半田付けを達成する。

【００４０】そのため、端子部材の折り曲げにおける一
方側部分と他方側部分との間で半田からなるブリッジが
生じることを確実に防止でき、また、この半田ブリッジ
によって端子部材の動きが阻害されることもない。した
がって、実装状態において、温度変化による基板の膨張
および収縮応力を端子部材の動きによって有利に吸収で
きるので、熱衝撃によりセラミック電子部品が損傷を受
けることを防止できる。

【００４１】また、上述のように、半田非親和面の作用
により、端子部材の折り曲げにおける一方側部分と他方
側部分との隙間に半田が入り込むことを確実に防止でき
るので、半田の入り込みを防止するために、端子部材の
折り曲げにおける一方側部分と他方側部分との間隔をあ
えて広げなくてもよい。そのため、チップ状電子部品が
端子部材のために大型化されたり、端子部材が変形され
やすい形態とされたりする必要がない。

【００４２】また、この発明によれば、端子部材の折り
曲げにおける一方側部分と他方側部分との間に半田が入
り込むことが防止されているので、半田の入り込みを考
慮することなく、これら一方側部分と他方側部分とを、
少なくとも一部において互いに接触させることができ
る。このように、一方側部分と他方側部分とが互いに接
触していると、半田非親和面を導電性にすることによ
り、この接触部分での電気的導通を可能にすることがで
きる。したがって、端子部材自身の長さに比べて、この
端子部材を通る実際の電気的導通経路を短くすることが
でき、この端子部材において生じ得る不要なインダクタ
ンス成分を減じることができる。

【００４３】また、この発明に係るセラミック電子部品
が複数のセラミック電子部品本体を備え、これら複数の
セラミック電子部品本体の各々の端子電極に端子部材が
共通に取り付けられていると、端子部材によって、これ
らセラミック電子部品本体相互を電気的に接続しかつ機
械的に固定する機能も果たさせることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施形態によるセラミック電
子部品１の外観を示す正面図である。

【図２】図１の部分ＩＩを拡大して断面で示す正面図で
ある。

【図３】この発明の第２の実施形態によるセラミック電
子部品２１の外観を示す正面図である。

【図４】図３の部分ＩＶを拡大して断面で示す正面図で
ある。

【図５】この発明の第３の実施形態によるセラミック電
子部品３１を示す正面図であり、一部において破断して
断面を示している。

【符号の説明】

１，２１，３１セラミック電子部品２，３２セラミック電子部品本体３，３３端子電極５，２２端子部材６，２３金属板７一方側部分８導電材９他方側部分１０基板１１接続端子部１２半田非親和面１３半田親和面１４半田非親和層２４半田親和層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者中山英樹京都府長岡京市天神二丁目26番10号株式会社村田製作所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】両端部に端子電極が形成された、チップ
状のセラミック電子部品本体と、Ｕ字状に折り曲げられた金属板をもって構成され、折り
曲げ状態において外側に向く面を前記端子電極に対向さ
せながら折り曲げにおける一方側部分が各前記端子電極
に取り付けられ、折り曲げにおける他方側部分が基板へ
の取付け側とされた、端子部材とを備え、前記端子部材の折り曲げ状態において内側に向く面に
は、半田になじまない半田非親和面が形成され、前記端子部材の折り曲げ状態において外側に向く面に
は、半田になじむ半田親和面が形成されている、セラミ
ック電子部品。
【請求項２】前記金属板は、半田付け性の良好な表面
を有し、前記半田非親和面は、前記金属板の表面を半田
になじまないように処理することによって形成され、前
記半田親和面は、前記金属板の表面自身によって与えら
れる、請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項３】前記半田になじまないようにするための
処理は、樹脂を含む材料を前記金属板の表面に付与する
処理を含む、請求項２に記載のセラミック電子部品。
【請求項４】前記樹脂を含む材料は、非導電性樹脂、
ゴム、および導電性樹脂からなる群から選ばれた１種で
ある、請求項３に記載のセラミック電子部品。
【請求項５】前記金属板は、前記半田親和面を形成す
る面において、半田引きされている、請求項２ないし４
のいずれかに記載のセラミック電子部品。
【請求項６】前記金属板は、半田付け性の悪い表面を
有し、前記半田非親和面は、前記金属板の表面自身によ
って与えられ、前記半田親和面は、前記金属板の表面を
半田になじむように処理することによって形成される、
請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項７】前記半田になじむようにするための処理
は、半田になじむ金属材料を前記金属板の表面に付与す
る処理を含む、請求項６に記載のセラミック電子部品。
【請求項８】前記半田になじむ金属材料は、半田、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｐｄのいずれかである、請求項７に記載のセ
ラミック電子部品。
【請求項９】前記端子部材の折り曲げにおける前記一
方側部分と前記他方側部分とは、少なくとも一部におい
て互いに接触している、請求項１ないし８のいずれかに
記載のセラミック電子部品。
【請求項１０】複数の前記セラミック電子部品本体を
備え、前記複数のセラミック電子部品本体の各々の前記
端子電極に前記端子部材が共通に取り付けられている、
請求項１ないし９のいずれかに記載のセラミック電子部
品。