JPH11333882A - 半導体装置の樹脂封止用金型 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止用金型Info
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- JPH11333882A JPH11333882A JP14570398A JP14570398A JPH11333882A JP H11333882 A JPH11333882 A JP H11333882A JP 14570398 A JP14570398 A JP 14570398A JP 14570398 A JP14570398 A JP 14570398A JP H11333882 A JPH11333882 A JP H11333882A
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置の樹脂封止する際にゲートブロッ
クとキャビティブロックとの間に段差が生じないように
した半導体装置の樹脂封止用金型を提供する。 【解決手段】 可動金型及び固定金型の各ゲートブロッ
ク１１２Ａ，１１２Ｂを可動金型及び固定金型の当接方
向に摺動可能にすると共に、可動金型及び固定金型を当
接させていない通常の状態では各ゲートブロックの先端
部が隣接するキャビティブロック１００Ａ，１００Ｂの
先端面より突出するように各ゲートブロック１１２Ａ，
１１２Ｂを付勢する付勢手段１１４Ａ，１１４Ｂを設け
る。
クとキャビティブロックとの間に段差が生じないように
した半導体装置の樹脂封止用金型を提供する。 【解決手段】 可動金型及び固定金型の各ゲートブロッ
ク１１２Ａ，１１２Ｂを可動金型及び固定金型の当接方
向に摺動可能にすると共に、可動金型及び固定金型を当
接させていない通常の状態では各ゲートブロックの先端
部が隣接するキャビティブロック１００Ａ，１００Ｂの
先端面より突出するように各ゲートブロック１１２Ａ，
１１２Ｂを付勢する付勢手段１１４Ａ，１１４Ｂを設け
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の樹脂
封止工程に使用される半導体装置の樹脂封止用金型に関
する。
封止工程に使用される半導体装置の樹脂封止用金型に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の樹脂封止用金型の断
面構造を図５及び図６に示す。図５は半導体装置の樹脂
封止を行う前の状態を、図６は半導体装置の樹脂封止時
の状態をそれぞれ、示している。これらの図において、
半導体装置の樹脂封止用金型は可動金型１０及び固定金
型１２を有している。可動金型１０は樹脂３２が載置さ
れるポット部１４と、樹脂の流路となるランナ部１６Ａ
と、キャビティ部２０Ａとが形成されたキャビティブロ
ック３０Ａを有している。
面構造を図５及び図６に示す。図５は半導体装置の樹脂
封止を行う前の状態を、図６は半導体装置の樹脂封止時
の状態をそれぞれ、示している。これらの図において、
半導体装置の樹脂封止用金型は可動金型１０及び固定金
型１２を有している。可動金型１０は樹脂３２が載置さ
れるポット部１４と、樹脂の流路となるランナ部１６Ａ
と、キャビティ部２０Ａとが形成されたキャビティブロ
ック３０Ａを有している。
【０００３】また固定金型１２はカル部２２、ランナ部
１６Ｂ、キャビティ部２０Ｂが形成されたキャビティブ
ロック３０Ｂを有している。ランナ部１６とキャビティ
部２０とを連通し、かつ樹脂射出口となるゲート部１８
は、図５及び図６には現れていないが、図７に示すよう
にキャビティブロック３０Ａ及びキャビティブロック３
０Ｂに連設された一対のゲートブロック５０Ａ，５０Ｂ
により形成されている。この一対のゲートブロック５０
Ａ，５０Ｂはゲート部１８の摩耗を防止するために超硬
素材により形成されている。図７（Ａ）は図５とは一
部、切断面が異なる断面図、図７（Ｂ）は図７（Ａ）の
平面図である。
１６Ｂ、キャビティ部２０Ｂが形成されたキャビティブ
ロック３０Ｂを有している。ランナ部１６とキャビティ
部２０とを連通し、かつ樹脂射出口となるゲート部１８
は、図５及び図６には現れていないが、図７に示すよう
にキャビティブロック３０Ａ及びキャビティブロック３
０Ｂに連設された一対のゲートブロック５０Ａ，５０Ｂ
により形成されている。この一対のゲートブロック５０
Ａ，５０Ｂはゲート部１８の摩耗を防止するために超硬
素材により形成されている。図７（Ａ）は図５とは一
部、切断面が異なる断面図、図７（Ｂ）は図７（Ａ）の
平面図である。
【０００４】通常、半導体装置を樹脂封止する場合、可
動金型１０上に素子を搭載したリードフレーム４０を半
導体装置の主要部である素子が搭載された部分がキャビ
ティ部２０Ａに位置するように載置した後、可動金型１
０を固定金型１２に押圧し、更に加圧して半導体装置の
外観を樹脂で成型するためのキャビティ部２０Ａ，２０
Ｂを形成し、ポット部１４内に載置された樹脂３２を図
示してないプランジャにより押圧し、ランナ部１６Ａ，
１６Ｂ，ゲート部１８を介してキャビティ部２０Ａ，２
０Ｂ内に充填し、加圧及び加熱した状態で硬化させて半
導体装置のパッケージ７０を成型する。このとき多量の
ガラス質を含む樹脂が断面積が急激に絞り込むように形
成されたゲート部１８を通過するためにこのゲート部１
８は摩耗速度が著しく速いので、図７に示すようにこの
部分だけ耐摩耗性の高い超硬素材を埋め込むように形成
する方法が一般的に使用されている。
動金型１０上に素子を搭載したリードフレーム４０を半
導体装置の主要部である素子が搭載された部分がキャビ
ティ部２０Ａに位置するように載置した後、可動金型１
０を固定金型１２に押圧し、更に加圧して半導体装置の
外観を樹脂で成型するためのキャビティ部２０Ａ，２０
Ｂを形成し、ポット部１４内に載置された樹脂３２を図
示してないプランジャにより押圧し、ランナ部１６Ａ，
１６Ｂ，ゲート部１８を介してキャビティ部２０Ａ，２
０Ｂ内に充填し、加圧及び加熱した状態で硬化させて半
導体装置のパッケージ７０を成型する。このとき多量の
ガラス質を含む樹脂が断面積が急激に絞り込むように形
成されたゲート部１８を通過するためにこのゲート部１
８は摩耗速度が著しく速いので、図７に示すようにこの
部分だけ耐摩耗性の高い超硬素材を埋め込むように形成
する方法が一般的に使用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の半導体装置の樹脂封止用金型では、金型の大部
分、すなわちキャビティブロックを形成する素材（例え
ば、粉末ハイス、ＳＵＳ等）とゲートブロックを形成す
る素材（超硬素材）との間に膨張係数の相違が有り、そ
れ故樹脂の成型温度（１５０〜２００℃）においてキャ
ビティブロックとこのキャビティブロックに連設される
ゲートブロックとがゲート部において全く段差が生じな
いように金型を製造することは困難であった。
た従来の半導体装置の樹脂封止用金型では、金型の大部
分、すなわちキャビティブロックを形成する素材（例え
ば、粉末ハイス、ＳＵＳ等）とゲートブロックを形成す
る素材（超硬素材）との間に膨張係数の相違が有り、そ
れ故樹脂の成型温度（１５０〜２００℃）においてキャ
ビティブロックとこのキャビティブロックに連設される
ゲートブロックとがゲート部において全く段差が生じな
いように金型を製造することは困難であった。
【０００６】図８に示すようにゲート部１８においてゲ
ートブロックとキャビティブロックとの間に段差が生じ
ると、低い部分から最終的に半導体装置のリードとなる
部分に樹脂が浸出し、固着する、所謂フラッシュ６０が
発生する。このフラッシュ６０は後工程で剥離できず、
その結果メッキ不良が発生するという問題が有った。
ートブロックとキャビティブロックとの間に段差が生じ
ると、低い部分から最終的に半導体装置のリードとなる
部分に樹脂が浸出し、固着する、所謂フラッシュ６０が
発生する。このフラッシュ６０は後工程で剥離できず、
その結果メッキ不良が発生するという問題が有った。
【０００７】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであり、半導体装置を樹脂封止する際にゲートブ
ロックとキャビティブロックとの間に段差が生じないよ
うにした半導体装置の樹脂封止用金型を提供することを
目的とする。
たものであり、半導体装置を樹脂封止する際にゲートブ
ロックとキャビティブロックとの間に段差が生じないよ
うにした半導体装置の樹脂封止用金型を提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１に記載の発明は、各々キャビティ部が形成さ
れたキャビティブロックと、該キャビティブロックに連
設され樹脂射出口となるゲート部を形成するゲートブロ
ックとを含んで構成された固定金型及び可動金型からな
り、前記固定金型及び可動金型を当接させた際にキャビ
ティ部により形成される空間内にリードフレームに搭載
された半導体装置の主要部が位置するように前記固定金
型及び可動金型により半導体装置のリードフレームを挟
持し、前記空間内に前記ゲート部より樹脂を充填し、硬
化させることにより半導体装置を樹脂で封止する半導体
装置の樹脂封止用金型において、前記各ゲートブロック
を前記固定金型及び可動金型の当接方向に摺動可能にす
ると共に、前記固定金型及び可動金型を当接させていな
い通常の状態では前記各ゲートブロックの先端部が隣接
するキャビティブロックの先端面より突出するように各
ゲートブロックを付勢する付勢手段を設けたことを特徴
とする。
に請求項１に記載の発明は、各々キャビティ部が形成さ
れたキャビティブロックと、該キャビティブロックに連
設され樹脂射出口となるゲート部を形成するゲートブロ
ックとを含んで構成された固定金型及び可動金型からな
り、前記固定金型及び可動金型を当接させた際にキャビ
ティ部により形成される空間内にリードフレームに搭載
された半導体装置の主要部が位置するように前記固定金
型及び可動金型により半導体装置のリードフレームを挟
持し、前記空間内に前記ゲート部より樹脂を充填し、硬
化させることにより半導体装置を樹脂で封止する半導体
装置の樹脂封止用金型において、前記各ゲートブロック
を前記固定金型及び可動金型の当接方向に摺動可能にす
ると共に、前記固定金型及び可動金型を当接させていな
い通常の状態では前記各ゲートブロックの先端部が隣接
するキャビティブロックの先端面より突出するように各
ゲートブロックを付勢する付勢手段を設けたことを特徴
とする。
【０００９】請求項１に記載の半導体装置の樹脂封止用
金型では、半導体装置の主要部が搭載されたリードフレ
ームを固定金型及び可動金型により挟持し、樹脂封止す
る際に、固定金型及び可動金型の各ゲートブロックがリ
ードフレームを介して当接し押圧される。このときに各
ゲートブロックがそれぞれ付勢手段の付勢力に抗して各
ゲートブロックの先端部が各ゲートブロックにそれぞれ
連設された各キャビティブロックの先端面と同一面上に
なるまで押し込まれ、各キャビティブロックは．固定さ
れているために、この状態で各ゲートブロックを付勢す
る付勢手段の付勢力が均衡する。したがって、半導体装
置を樹脂封止する際にゲートブロックとキャビティブロ
ックの先端面が同一平面上に維持され、ゲートブロック
とキャビティブロックとの間に段差が生じることが無く
なる。それ故、フラッシュの発生を防止でき、良好なリ
ード品質を得ることができる。
金型では、半導体装置の主要部が搭載されたリードフレ
ームを固定金型及び可動金型により挟持し、樹脂封止す
る際に、固定金型及び可動金型の各ゲートブロックがリ
ードフレームを介して当接し押圧される。このときに各
ゲートブロックがそれぞれ付勢手段の付勢力に抗して各
ゲートブロックの先端部が各ゲートブロックにそれぞれ
連設された各キャビティブロックの先端面と同一面上に
なるまで押し込まれ、各キャビティブロックは．固定さ
れているために、この状態で各ゲートブロックを付勢す
る付勢手段の付勢力が均衡する。したがって、半導体装
置を樹脂封止する際にゲートブロックとキャビティブロ
ックの先端面が同一平面上に維持され、ゲートブロック
とキャビティブロックとの間に段差が生じることが無く
なる。それ故、フラッシュの発生を防止でき、良好なリ
ード品質を得ることができる。
【００１０】また請求項２に記載の発明は、請求項１に
記載の半導体装置の樹脂封止用金型において、前記固定
金型のゲートブロックの先端部の該ゲートブロックに隣
接するキャビティブロックの先端面からの突出長を、可
動金型のゲートブロックの先端部の該ゲートブロックに
隣接するキャビティブロックの先端面からの突出長より
大きくしたことを特徴とする。
記載の半導体装置の樹脂封止用金型において、前記固定
金型のゲートブロックの先端部の該ゲートブロックに隣
接するキャビティブロックの先端面からの突出長を、可
動金型のゲートブロックの先端部の該ゲートブロックに
隣接するキャビティブロックの先端面からの突出長より
大きくしたことを特徴とする。
【００１１】請求項２に記載の半導体装置の樹脂封止用
金型では、固定金型のゲートブロックの先端部の該ゲー
トブロックに隣接するキャビティブロックの先端面から
の突出長を、可動金型のゲートブロックの先端部の該ゲ
ートブロックに隣接するキャビティブロックの先端面か
らの突出長より大きくしたので、請求項１に記載の発明
により得られる効果に加えて、半導体装置の樹脂封止が
終了し、可動金型が固定金型に対して下降する際に固定
金型のゲートブロックが付勢手段の付勢力により元の位
置に復帰する際に製品を押し出すことができ、製品の離
型性を良好に保持することができる。
金型では、固定金型のゲートブロックの先端部の該ゲー
トブロックに隣接するキャビティブロックの先端面から
の突出長を、可動金型のゲートブロックの先端部の該ゲ
ートブロックに隣接するキャビティブロックの先端面か
らの突出長より大きくしたので、請求項１に記載の発明
により得られる効果に加えて、半導体装置の樹脂封止が
終了し、可動金型が固定金型に対して下降する際に固定
金型のゲートブロックが付勢手段の付勢力により元の位
置に復帰する際に製品を押し出すことができ、製品の離
型性を良好に保持することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。本発明の第１の実施の形態
に係る半導体装置の樹脂封止用金型の要部の構成を図１
に示す。本実施の形態が従来例と構成上、異なるのは固
定金型及び可動金型の各ゲートブロックに付勢手段を設
け、前記各ゲートブロックを固定金型及び可動金型の当
接方向に摺動可能にすると共に、固定金型及び可動金型
を当接させていない通常の状態では前記各ゲートブロッ
クの先端部を隣接するキャビティブロックの先端面より
突出するように形成した点であり、その他の構成は同一
である。同図において、可動金型１０、固定金型１２を
構成するキャビティブロック１００Ａ，１００Ｂには段
付き穴１１０Ａ，１１０Ｂが設けられている。２０Ａ，
２０Ｂはそれぞれ、キャビティブロック１００Ａ，１０
０Ｂに形成されたキャビティ部である。この段付き穴１
１０Ａ，１１０Ｂには下部に鍔部１１３Ａ，１１３Ｂを
有する超硬素材で形成されたゲートブロック１１２Ａ，
１１２Ｂが嵌入されている。ゲートブロック１１２Ａ，
１１２Ｂは、その外周部と段付き穴１１０Ａ，１１０Ｂ
との間に樹脂が侵入せず、かつ摺動良好なクリアランス
で製作されており、ゲートブロック１１２Ａ，１１２Ｂ
の鍔部１１３Ａ，１１３Ｂは、それぞれ段付き穴１１０
Ａ，１１０Ｂの底部と鍔部１１３Ａ，１１３Ｂとの間に
設けられたばね等の付勢手段１１４Ａ，１１４Ｂにより
固定金型１２及び可動金型１０の当接方向に摺動可能に
付勢されている。ゲートブロック１１２Ａ，１１２Ｂの
鍔部１１３Ａ，１１３Ｂが段付き穴１１０Ａ，１１０Ｂ
の段差部と当接した位置でゲートブロック１１２Ａ，１
１２Ｂの先端部がキャビティブロック１００Ａ，１００
Ｂの先端面より幾分、突出する高さになるようにゲート
ブロック１１２Ａ，１１２Ｂが形成されている。
を参照して詳細に説明する。本発明の第１の実施の形態
に係る半導体装置の樹脂封止用金型の要部の構成を図１
に示す。本実施の形態が従来例と構成上、異なるのは固
定金型及び可動金型の各ゲートブロックに付勢手段を設
け、前記各ゲートブロックを固定金型及び可動金型の当
接方向に摺動可能にすると共に、固定金型及び可動金型
を当接させていない通常の状態では前記各ゲートブロッ
クの先端部を隣接するキャビティブロックの先端面より
突出するように形成した点であり、その他の構成は同一
である。同図において、可動金型１０、固定金型１２を
構成するキャビティブロック１００Ａ，１００Ｂには段
付き穴１１０Ａ，１１０Ｂが設けられている。２０Ａ，
２０Ｂはそれぞれ、キャビティブロック１００Ａ，１０
０Ｂに形成されたキャビティ部である。この段付き穴１
１０Ａ，１１０Ｂには下部に鍔部１１３Ａ，１１３Ｂを
有する超硬素材で形成されたゲートブロック１１２Ａ，
１１２Ｂが嵌入されている。ゲートブロック１１２Ａ，
１１２Ｂは、その外周部と段付き穴１１０Ａ，１１０Ｂ
との間に樹脂が侵入せず、かつ摺動良好なクリアランス
で製作されており、ゲートブロック１１２Ａ，１１２Ｂ
の鍔部１１３Ａ，１１３Ｂは、それぞれ段付き穴１１０
Ａ，１１０Ｂの底部と鍔部１１３Ａ，１１３Ｂとの間に
設けられたばね等の付勢手段１１４Ａ，１１４Ｂにより
固定金型１２及び可動金型１０の当接方向に摺動可能に
付勢されている。ゲートブロック１１２Ａ，１１２Ｂの
鍔部１１３Ａ，１１３Ｂが段付き穴１１０Ａ，１１０Ｂ
の段差部と当接した位置でゲートブロック１１２Ａ，１
１２Ｂの先端部がキャビティブロック１００Ａ，１００
Ｂの先端面より幾分、突出する高さになるようにゲート
ブロック１１２Ａ，１１２Ｂが形成されている。
【００１３】図１に示した半導体装置の樹脂封止用金型
の樹脂封止時の動作状態を図２に示す。図２において、
可動金型１０上に素子等を含む半導体装置の主要部が搭
載されたリードフレーム４０をこの半導体装置の主要部
がキャビティ部２０Ａ内に位置するように載置し、この
状態で可動金型１０を固定金型１２に当接させ、更に押
圧すると、ゲートブロック１１２Ａ，１１２Ｂはその押
圧力及びその押圧力に対する反力により付勢手段１１２
Ｂ，１１２Ａが圧縮され、付勢手段１１２Ａ，１１２Ｂ
の付勢力が増大した状態で、かつ各付勢手段１１２Ａ，
１１２Ｂの付勢力が均衡する位置である、キャビティブ
ロック１００Ａ，１００Ｂの先端面と同一面上になる位
置まで押し込まれる。
の樹脂封止時の動作状態を図２に示す。図２において、
可動金型１０上に素子等を含む半導体装置の主要部が搭
載されたリードフレーム４０をこの半導体装置の主要部
がキャビティ部２０Ａ内に位置するように載置し、この
状態で可動金型１０を固定金型１２に当接させ、更に押
圧すると、ゲートブロック１１２Ａ，１１２Ｂはその押
圧力及びその押圧力に対する反力により付勢手段１１２
Ｂ，１１２Ａが圧縮され、付勢手段１１２Ａ，１１２Ｂ
の付勢力が増大した状態で、かつ各付勢手段１１２Ａ，
１１２Ｂの付勢力が均衡する位置である、キャビティブ
ロック１００Ａ，１００Ｂの先端面と同一面上になる位
置まで押し込まれる。
【００１４】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装
置の樹脂封止用金型によれば、半導体装置の主要部が搭
載されたリードフレームを固定金型及び可動金型により
挟持し、樹脂封止する際に、固定金型及び可動金型の各
ゲートブロックがリードフレームを介して当接し押圧さ
れる。このときに各ゲートブロックがそれぞれ付勢手段
の付勢力に抗して各ゲートブロックの先端部が各ゲート
ブロックにそれぞれ連設された各キャビティブロックの
先端面と同一面上になるまで押し込まれ、各キャビティ
ブロックは固定されているために、この状態で各ゲート
ブロックを付勢する付勢手段の付勢力が均衡する。した
がって、半導体装置を樹脂封止する際にゲートブロック
とキャビティブロックの先端面が同一平面上に維持さ
れ、ゲートブロックとキャビティブロックとの間に段差
が生じることが無くなる。それ故、フラッシュの発生を
防止でき、良好なリード品質を得ることができる。
置の樹脂封止用金型によれば、半導体装置の主要部が搭
載されたリードフレームを固定金型及び可動金型により
挟持し、樹脂封止する際に、固定金型及び可動金型の各
ゲートブロックがリードフレームを介して当接し押圧さ
れる。このときに各ゲートブロックがそれぞれ付勢手段
の付勢力に抗して各ゲートブロックの先端部が各ゲート
ブロックにそれぞれ連設された各キャビティブロックの
先端面と同一面上になるまで押し込まれ、各キャビティ
ブロックは固定されているために、この状態で各ゲート
ブロックを付勢する付勢手段の付勢力が均衡する。した
がって、半導体装置を樹脂封止する際にゲートブロック
とキャビティブロックの先端面が同一平面上に維持さ
れ、ゲートブロックとキャビティブロックとの間に段差
が生じることが無くなる。それ故、フラッシュの発生を
防止でき、良好なリード品質を得ることができる。
【００１５】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装
置の樹脂封止用金型の要部の構成を図３に示す。本実施
の形態に係る半導体装置の樹脂封止用金型が第１の実施
の形態に係る樹脂封止用金型と構成上、異なるのは固定
金型のゲートブロックの先端部の該ゲートブロックに隣
接するキャビティブロックの先端面からの突出長を、可
動金型のゲートブロックの先端部の該ゲートブロックに
隣接するキャビティブロックの先端面からの突出長より
大きくした点であり、その他の構成は同一であるので同
一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省
略する。
置の樹脂封止用金型の要部の構成を図３に示す。本実施
の形態に係る半導体装置の樹脂封止用金型が第１の実施
の形態に係る樹脂封止用金型と構成上、異なるのは固定
金型のゲートブロックの先端部の該ゲートブロックに隣
接するキャビティブロックの先端面からの突出長を、可
動金型のゲートブロックの先端部の該ゲートブロックに
隣接するキャビティブロックの先端面からの突出長より
大きくした点であり、その他の構成は同一であるので同
一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省
略する。
【００１６】図３において、可動金型１０側の構成は第
１の実施の形態と同一であるが、固定金型１２側におい
て、ゲートブロック１１２Ｂの先端部のゲートブロック
１１２Ｂに隣接するキャビティブロック１００Ｂの先端
面からの突出長Ｌを、可動金型１０のゲートブロック１
１２Ａの先端部のゲートブロック１１２Ａに隣接するキ
ャビティブロック１００Ａの先端面からの突出長より大
きく形成されている。
１の実施の形態と同一であるが、固定金型１２側におい
て、ゲートブロック１１２Ｂの先端部のゲートブロック
１１２Ｂに隣接するキャビティブロック１００Ｂの先端
面からの突出長Ｌを、可動金型１０のゲートブロック１
１２Ａの先端部のゲートブロック１１２Ａに隣接するキ
ャビティブロック１００Ａの先端面からの突出長より大
きく形成されている。
【００１７】ゲートブロック１１２Ｂの突出長Ｌは、例
えば、１〜２ｍｍである。
えば、１〜２ｍｍである。
【００１８】次に図３に示した半導体装置の樹脂封止用
金型の動作状態を図４を参照して説明する。上記構成に
おいて、半導体装置の樹脂封止時には図４（Ａ）に示す
ように第１の実施の形態と同様にゲートブロック１１２
Ａ，１１２Ｂとキャビティブロック１００Ａ，１００Ｂ
とは段差の無い状態を保持することができる。
金型の動作状態を図４を参照して説明する。上記構成に
おいて、半導体装置の樹脂封止時には図４（Ａ）に示す
ように第１の実施の形態と同様にゲートブロック１１２
Ａ，１１２Ｂとキャビティブロック１００Ａ，１００Ｂ
とは段差の無い状態を保持することができる。
【００１９】次に半導体装置の樹脂封止動作が終了し、
可動金型１０が下降を開始すると、図４（Ｂ）に示すよ
うに固定金型１２側のゲートブロック１１２Ｂは付勢手
段１１４Ｂの弾発力により元の位置までキャビティブロ
ック１００Ｂの先端面から突出し、成型された製品（半
導体装置）を押し出す。
可動金型１０が下降を開始すると、図４（Ｂ）に示すよ
うに固定金型１２側のゲートブロック１１２Ｂは付勢手
段１１４Ｂの弾発力により元の位置までキャビティブロ
ック１００Ｂの先端面から突出し、成型された製品（半
導体装置）を押し出す。
【００２０】このように本発明の第２の実施の形態に係
る半導体装置の樹脂封止用金型によれば、固定金型のゲ
ートブロックの先端部の該ゲートブロックに隣接するキ
ャビティブロックの先端面からの突出長を、可動金型の
ゲートブロックの先端部の該ゲートブロックに隣接する
キャビティブロックの先端面からの突出長より大きくし
たので、請求項１に記載の発明により得られる効果に加
えて、半導体装置の樹脂封止が終了し、可動金型が固定
金型に対して下降する際に固定金型のゲートブロックが
付勢手段の付勢力により元の位置に復帰する際に製品を
押し出すことができ、製品の離型性を良好に保持するこ
とができる。
る半導体装置の樹脂封止用金型によれば、固定金型のゲ
ートブロックの先端部の該ゲートブロックに隣接するキ
ャビティブロックの先端面からの突出長を、可動金型の
ゲートブロックの先端部の該ゲートブロックに隣接する
キャビティブロックの先端面からの突出長より大きくし
たので、請求項１に記載の発明により得られる効果に加
えて、半導体装置の樹脂封止が終了し、可動金型が固定
金型に対して下降する際に固定金型のゲートブロックが
付勢手段の付勢力により元の位置に復帰する際に製品を
押し出すことができ、製品の離型性を良好に保持するこ
とができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように請求項１に記載した
発明によれば、半導体装置の主要部が搭載されたリード
フレームを固定金型及び可動金型により挟持し、樹脂封
止する際に、固定金型及び可動金型の各ゲートブロック
がリードフレームを介して当接し押圧される。このとき
に各ゲートブロックがそれぞれ付勢手段の付勢力に抗し
て各ゲートブロックの先端部が各ゲートブロックにそれ
ぞれ連設された各キャビティブロックの先端面と同一面
上になるまで押し込まれ、各キャビティブロックは固定
されているために、この状態で各ゲートブロックを付勢
する付勢手段の付勢力が均衡する。したがって、半導体
装置を樹脂封止する際にゲートブロックとキャビティブ
ロックの先端面が同一平面上に維持され、ゲートブロッ
クとキャビティブロックとの間に段差が生じることが無
くなる。それ故、フラッシュの発生を防止でき、良好な
リード品質を得ることができる。
発明によれば、半導体装置の主要部が搭載されたリード
フレームを固定金型及び可動金型により挟持し、樹脂封
止する際に、固定金型及び可動金型の各ゲートブロック
がリードフレームを介して当接し押圧される。このとき
に各ゲートブロックがそれぞれ付勢手段の付勢力に抗し
て各ゲートブロックの先端部が各ゲートブロックにそれ
ぞれ連設された各キャビティブロックの先端面と同一面
上になるまで押し込まれ、各キャビティブロックは固定
されているために、この状態で各ゲートブロックを付勢
する付勢手段の付勢力が均衡する。したがって、半導体
装置を樹脂封止する際にゲートブロックとキャビティブ
ロックの先端面が同一平面上に維持され、ゲートブロッ
クとキャビティブロックとの間に段差が生じることが無
くなる。それ故、フラッシュの発生を防止でき、良好な
リード品質を得ることができる。
【００２２】請求項２に記載した発明によれば、固定金
型のゲートブロックの先端部の該ゲートブロックに隣接
するキャビティブロックの先端面からの突出長を、可動
金型のゲートブロックの先端部の該ゲートブロックに隣
接するキャビティブロックの先端面からの突出長より大
きくしたので、請求項１に記載の発明により得られる効
果に加えて、半導体装置の樹脂封止が終了し、可動金型
が固定金型に対して下降する際に固定金型のゲートブロ
ックが付勢手段の付勢力により元の位置に復帰する際に
製品を押し出すことができ、製品の離型性を良好に保持
することができる。
型のゲートブロックの先端部の該ゲートブロックに隣接
するキャビティブロックの先端面からの突出長を、可動
金型のゲートブロックの先端部の該ゲートブロックに隣
接するキャビティブロックの先端面からの突出長より大
きくしたので、請求項１に記載の発明により得られる効
果に加えて、半導体装置の樹脂封止が終了し、可動金型
が固定金型に対して下降する際に固定金型のゲートブロ
ックが付勢手段の付勢力により元の位置に復帰する際に
製品を押し出すことができ、製品の離型性を良好に保持
することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の
樹脂封止用金型の要部の構成を示す断面図。
樹脂封止用金型の要部の構成を示す断面図。
【図２】図１に示した半導体装置の樹脂封止用金型の動
作状態を示す断面図。
作状態を示す断面図。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の
樹脂封止用金型の要部の構成を示す断面図。
樹脂封止用金型の要部の構成を示す断面図。
【図４】図１に示した半導体装置の樹脂封止用金型の動
作状態を示す断面図。
作状態を示す断面図。
【図５】従来の半導体装置の樹脂封止用金型の構造を示
す断面図。
す断面図。
【図６】図５に示した半導体装置の樹脂封止用金型の半
導体装置の樹脂封止時の状態を示す断面図。
導体装置の樹脂封止時の状態を示す断面図。
【図７】図５に示した半導体装置の樹脂封止用金型のゲ
ート部の構造を示す断面図。
ート部の構造を示す断面図。
【図８】ゲートブロックとキャビティブロックとの間に
段差が生じた場合にフラッシュが発生する状態を示す説
明図。
段差が生じた場合にフラッシュが発生する状態を示す説
明図。
１０ 可動金型 １２ 固定金型 １００Ａ キャビティブロック １００Ｂ キャビティブロック １１０Ａ 段付き穴 １１０Ｂ 段付き穴 １１２Ａ ゲートブロック １１２Ｂ ゲートブロック １１４Ａ 付勢手段 １１４Ｂ 付勢手段
Claims (2)
- 【請求項１】 各々キャビティ部が形成されたキャビテ
ィブロックと、該キャビティブロックに連設され樹脂射
出口となるゲート部を形成するゲートブロックとを含ん
で構成された固定金型及び可動金型からなり、前記固定
金型及び可動金型を当接させた際にキャビティ部により
形成される空間内にリードフレームに搭載された半導体
装置の主要部が位置するように前記固定金型及び可動金
型により半導体装置のリードフレームを挟持し、前記空
間内に前記ゲート部より樹脂を充填し、硬化させること
により半導体装置を樹脂で封止する半導体装置の樹脂封
止用金型において、 前記各ゲートブロックを前記固定金型及び可動金型の当
接方向に摺動可能にすると共に、前記固定金型及び可動
金型を当接させていない通常の状態では前記各ゲートブ
ロックの先端部が隣接するキャビティブロックの先端面
より突出するように各ゲートブロックを付勢する付勢手
段を設けたことを特徴とする半導体装置の樹脂封止用金
型。 - 【請求項２】 前記固定金型のゲートブロックの先端部
の該ゲートブロックに隣接するキャビティブロックの先
端面からの突出長を、可動金型のゲートブロックの先端
部の該ゲートブロックに隣接するキャビティブロックの
先端面からの突出長より大きくしたことを特徴とする請
求項１に記載の半導体装置の樹脂封止用金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14570398A JPH11333882A (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 半導体装置の樹脂封止用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14570398A JPH11333882A (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 半導体装置の樹脂封止用金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11333882A true JPH11333882A (ja) | 1999-12-07 |
Family
ID=15391172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14570398A Pending JPH11333882A (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 半導体装置の樹脂封止用金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11333882A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1457302A1 (en) * | 2003-03-10 | 2004-09-15 | Calsonic Kansei Corporation | Insert molding die and method for molding hollow component |
| US7393489B2 (en) * | 2003-02-08 | 2008-07-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Mold die for molding chip array, molding equipment including the same, and method for molding chip array |
| JP2009184359A (ja) * | 2001-08-28 | 2009-08-20 | Smithkline Beecham Plc | 医薬活性剤の経口デリバリーデバイスの調製のための射出成形法 |
| CN104369315A (zh) * | 2013-08-14 | 2015-02-25 | 青岛佳友模具科技有限公司 | 一种大型嵌件注塑真空定位模具 |
| KR102151350B1 (ko) * | 2019-05-09 | 2020-09-03 | 황인형 | 인서트 사출 성형 금형 장치 |
| US20220165583A1 (en) * | 2020-11-20 | 2022-05-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Manufacturing method of insert case for semiconductor device and semiconductor device |
| KR20230121255A (ko) * | 2022-02-11 | 2023-08-18 | (주)엠알인프라오토 | 인서트 사출 성형 장치 및 그에 의해 성형되는 인서트 사출 성형품 |
-
1998
- 1998-05-27 JP JP14570398A patent/JPH11333882A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009184359A (ja) * | 2001-08-28 | 2009-08-20 | Smithkline Beecham Plc | 医薬活性剤の経口デリバリーデバイスの調製のための射出成形法 |
| US8123509B2 (en) | 2001-08-28 | 2012-02-28 | Smithkline Beecham Limited | Injection molding process for the preparation of an oral delivery device for the pharmaceutically active agent |
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| CN104369315A (zh) * | 2013-08-14 | 2015-02-25 | 青岛佳友模具科技有限公司 | 一种大型嵌件注塑真空定位模具 |
| CN104369315B (zh) * | 2013-08-14 | 2017-04-19 | 青岛佳友模具科技有限公司 | 一种大型嵌件注塑真空定位模具 |
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