JPS635538A - 樹脂封止形半導体装置の成形用金型 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置の成形用金型Info
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- JPS635538A JPS635538A JP14880286A JP14880286A JPS635538A JP S635538 A JPS635538 A JP S635538A JP 14880286 A JP14880286 A JP 14880286A JP 14880286 A JP14880286 A JP 14880286A JP S635538 A JPS635538 A JP S635538A
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- 239000002184 metal Substances 0.000 title 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/27—Sprue channels ; Runner channels or runner nozzles
- B29C45/2701—Details not specific to hot or cold runner channels
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
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- B29C45/2673—Moulds with exchangeable mould parts, e.g. cassette moulds
-
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
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- B29C45/2701—Details not specific to hot or cold runner channels
- B29C45/2708—Gates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、リードフレーム上の半導体素子を樹脂封止す
る際に使用する樹脂封止形半導体装置の成形用金型に関
する。
る際に使用する樹脂封止形半導体装置の成形用金型に関
する。
従来、この種樹脂封止形半導体装置の成形用金型は第６
図〜第９図に示すように構成されている。
図〜第９図に示すように構成されている。
これを同図に基づいて説明すると、同図において、符号
１で示す型板は、リードフレーム（図示せず）上に半導
体素子（図示せず）を樹脂封止するためのキャビティ２
を有するキャビティインサート３と、このキャビティイ
ンサート３のキャビティ２にゲート４を介して連通ずる
ランナ５を有するランナインサート６とを備えている。
１で示す型板は、リードフレーム（図示せず）上に半導
体素子（図示せず）を樹脂封止するためのキャビティ２
を有するキャビティインサート３と、このキャビティイ
ンサート３のキャビティ２にゲート４を介して連通ずる
ランナ５を有するランナインサート６とを備えている。
この型板１のキャビティインサート３には、樹脂封止後
に前記キャビティ２内のパッケージをイジェクトするイ
ジェクトビン（図示せず）を案内するピン孔３ａおよび
エアを排出するエアベン）３ｂが形成されており、また
ランナインサート６には、前記キャビティ２に前記ゲー
ト４を介して連通する分岐ランナ６ａおよびリードフレ
ームを型板内に位置決めするピン６ｂが形成されている
。７は前記ランナインサート６のランナ５の終端を形成
するエンドプレートで、前記キャビティインサート３お
よび前記ランナインサート６と共に取付孔８ａを有する
リテーナ８上に取り付けられている。なお、このリテー
ナ８はボルト（図示せず）によって熱盤（図示せず）上
に固定されている。
に前記キャビティ２内のパッケージをイジェクトするイ
ジェクトビン（図示せず）を案内するピン孔３ａおよび
エアを排出するエアベン）３ｂが形成されており、また
ランナインサート６には、前記キャビティ２に前記ゲー
ト４を介して連通する分岐ランナ６ａおよびリードフレ
ームを型板内に位置決めするピン６ｂが形成されている
。７は前記ランナインサート６のランナ５の終端を形成
するエンドプレートで、前記キャビティインサート３お
よび前記ランナインサート６と共に取付孔８ａを有する
リテーナ８上に取り付けられている。なお、このリテー
ナ８はボルト（図示せず）によって熱盤（図示せず）上
に固定されている。
このように構成された樹脂封止形半導体装置の成形用金
型を用いると、半導体素子（図示せず）は第１０図に示
すように樹脂封止される。これを同図に基づいて説明す
ると、同図において、９はリード９ａおよび位置決め用
孔９ｂを有するリードフレーム、１０および１１は上部
パフケージと下部パフケージ、１２および１３はイジェ
クトピン跡とゲート跡である。
型を用いると、半導体素子（図示せず）は第１０図に示
すように樹脂封止される。これを同図に基づいて説明す
ると、同図において、９はリード９ａおよび位置決め用
孔９ｂを有するリードフレーム、１０および１１は上部
パフケージと下部パフケージ、１２および１３はイジェ
クトピン跡とゲート跡である。
次に、前記した樹脂封止形半導体装置の成形用金型を用
いる樹脂封止方法について説明する。
いる樹脂封止方法について説明する。
先ず、型板１内の所定位置に半導体素子（図示せず）が
ボンディングされたリードフレーム９を位置決めする０
次いで、型閉め時にポット（図示せず）内で加熱、可塑
化された樹脂をプランジャ（図示せず）によってランナ
５に押し出す、このとき、樹脂はランナ５から分岐ラン
ナ６ａ、ゲート４を経てキャビティ２に流入し、また樹
脂通路内のエアはエアベント３ｂから排出する。
ボンディングされたリードフレーム９を位置決めする０
次いで、型閉め時にポット（図示せず）内で加熱、可塑
化された樹脂をプランジャ（図示せず）によってランナ
５に押し出す、このとき、樹脂はランナ５から分岐ラン
ナ６ａ、ゲート４を経てキャビティ２に流入し、また樹
脂通路内のエアはエアベント３ｂから排出する。
しかる後、型開き時にイジェクトビン（図示せず）によ
ってキャビティ２内のパフケージ１０．１１を突き出す
。
ってキャビティ２内のパフケージ１０．１１を突き出す
。
このようにしてリードフレーム９上の半導体素子（図示
せず）を樹脂封止することができる。
せず）を樹脂封止することができる。
ところで、従来の樹脂封止形半導体装置の成形用金型に
おいては、分岐ランナ６ａのゲート４に樹脂のみならず
その成分であるフィラー等の高硬度物質も流入するため
、長期間に亘る使用によってゲート４が摩耗してその内
容積が大きくなり、キャビティ２内の樹脂とゲート４内
の樹脂との接合面積が増大してゲート４とキャビティ２
間の分離切断を困難なものにしていた。この場合、ゲー
ト４の内容積がさらに大きくなると、それだけゲート部
分の樹脂強度が高くなってゲート４とキャビティ２の接
合面で樹脂を分離切断するに際してキャビティ２が欠け
たり、その接合面で分離されずに切り残りが生じて樹脂
封止後工程に支障をきたしたり、外観が悪くなったりす
るという問題があった。
おいては、分岐ランナ６ａのゲート４に樹脂のみならず
その成分であるフィラー等の高硬度物質も流入するため
、長期間に亘る使用によってゲート４が摩耗してその内
容積が大きくなり、キャビティ２内の樹脂とゲート４内
の樹脂との接合面積が増大してゲート４とキャビティ２
間の分離切断を困難なものにしていた。この場合、ゲー
ト４の内容積がさらに大きくなると、それだけゲート部
分の樹脂強度が高くなってゲート４とキャビティ２の接
合面で樹脂を分離切断するに際してキャビティ２が欠け
たり、その接合面で分離されずに切り残りが生じて樹脂
封止後工程に支障をきたしたり、外観が悪くなったりす
るという問題があった。
そこで、ゲート４が摩耗すると部品をその都度交換する
ことが考えられるが、この場合ランナインサート６全体
を交換する必要が生じ、コストが嵩むという不都合があ
った。
ことが考えられるが、この場合ランナインサート６全体
を交換する必要が生じ、コストが嵩むという不都合があ
った。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、ゲート
摩耗による部品交換を頻繁に行うことができ、もって樹
脂封止後の工程に悪影響を与えることがなく、かつ外観
上良好に半導体素子を樹脂封止することができる樹脂封
止形半導体装置の成形用金型を提供するものである。
摩耗による部品交換を頻繁に行うことができ、もって樹
脂封止後の工程に悪影響を与えることがなく、かつ外観
上良好に半導体素子を樹脂封止することができる樹脂封
止形半導体装置の成形用金型を提供するものである。
本発明に係る樹脂封止形半導体装置の成形用金型は、ラ
ンナインサートを分断することによりゲートを存するゲ
ート入れ子を形成し、このゲート入れ子はランナインサ
ートとキャビティインサートとの間に着脱自在に設けら
れているものである。
ンナインサートを分断することによりゲートを存するゲ
ート入れ子を形成し、このゲート入れ子はランナインサ
ートとキャビティインサートとの間に着脱自在に設けら
れているものである。
本発明においては、ゲートの摩耗による部品の交換をゲ
ート入れ子だけで済ませることができる。
ート入れ子だけで済ませることができる。
第１図は本発明に係る樹脂封止形半導体装置の成形用金
型の要部を示す断面図、第２図は同じく樹脂封止型半導
体装置の成形用金型におけるゲート入れ子を示す斜視図
、第３図はその成形用金型の型板を示す平面図、第４図
および第５図は第３図のＩＶ−ｒＶ断面図とＶ−Ｖ断面
図で、同図において第６図〜第９図と同一の部材につい
ては同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。同図に
おいて、前記ランナインサート４には前記キャビティ２
の個数と同数個の切欠き溝２１，２１． ・・・が形
成されている。２２，２２． ・・・は断面台形状の
ゲート入れ子で、前記切欠き溝２１．２１゜・・・に着
脱自在に嵌合されており、前記キャビティ２の一部を形
成するように構成されている。
型の要部を示す断面図、第２図は同じく樹脂封止型半導
体装置の成形用金型におけるゲート入れ子を示す斜視図
、第３図はその成形用金型の型板を示す平面図、第４図
および第５図は第３図のＩＶ−ｒＶ断面図とＶ−Ｖ断面
図で、同図において第６図〜第９図と同一の部材につい
ては同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。同図に
おいて、前記ランナインサート４には前記キャビティ２
の個数と同数個の切欠き溝２１，２１． ・・・が形
成されている。２２，２２． ・・・は断面台形状の
ゲート入れ子で、前記切欠き溝２１．２１゜・・・に着
脱自在に嵌合されており、前記キャビティ２の一部を形
成するように構成されている。
そして、これらゲート入れ子２２，２２． ・・・の
上部には前記分岐ランナ６ａに連通ずる前記ゲート４．
４．・・・を有している。すなわち、これらゲート入れ
子２２，２２． ・・・は、前記ランナインサート６
を分断することにより形成されており、前記キャビティ
インサート３と前記ランナインサート６との間に着脱自
在に設けられている。
上部には前記分岐ランナ６ａに連通ずる前記ゲート４．
４．・・・を有している。すなわち、これらゲート入れ
子２２，２２． ・・・は、前記ランナインサート６
を分断することにより形成されており、前記キャビティ
インサート３と前記ランナインサート６との間に着脱自
在に設けられている。
このように構成された樹脂封止形半導体装置の成形用金
型においては、ゲート４．４． ・・・の摩耗による
部品の交換をゲート入れ子２２，２２゜・・・だけで済
ませることができ、これにより常時所定の成形条件を保
持することができる。
型においては、ゲート４．４． ・・・の摩耗による
部品の交換をゲート入れ子２２，２２゜・・・だけで済
ませることができ、これにより常時所定の成形条件を保
持することができる。
な、お、本実施例においては、ゲート入れ子２２を金属
材料で形成する例を示したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、例えばセラミックス、石英ガラスある
いは宝石等の高硬度および耐摩耗材料で形成することも
できる。これにより、ゲート４の摩耗進行速度を遅らせ
ることができ、長期間に亘って所定の成形条件を維持す
ることができる。
材料で形成する例を示したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、例えばセラミックス、石英ガラスある
いは宝石等の高硬度および耐摩耗材料で形成することも
できる。これにより、ゲート４の摩耗進行速度を遅らせ
ることができ、長期間に亘って所定の成形条件を維持す
ることができる。
また、本発明におけるゲート入れ子２２の個数は前述し
た実施例に限定されず、例えばランナインサート６と同
一の個数としてもよく、その個数は適宜変更することが
自由である。
た実施例に限定されず、例えばランナインサート６と同
一の個数としてもよく、その個数は適宜変更することが
自由である。
以上説明したように本発明に°よれば、ランナインサー
トを分断することによりゲートを有するゲート入れ子を
形成し、このゲート入れ子はランナインサートとキャビ
ティインサートとの間に着脱自在に設けられているので
、ゲートの摩耗による部品の交換をゲート入れ子だけで
済ませることができる。したがって、部品交換を頻繁に
行うことができるから、常時所定の成形条件を保持する
ことができ、樹脂封止後の工程に悪影響を与えることが
な（、かつ外観上良好に半導体素子を樹脂封止すること
ができる。
トを分断することによりゲートを有するゲート入れ子を
形成し、このゲート入れ子はランナインサートとキャビ
ティインサートとの間に着脱自在に設けられているので
、ゲートの摩耗による部品の交換をゲート入れ子だけで
済ませることができる。したがって、部品交換を頻繁に
行うことができるから、常時所定の成形条件を保持する
ことができ、樹脂封止後の工程に悪影響を与えることが
な（、かつ外観上良好に半導体素子を樹脂封止すること
ができる。
第１図は本発明に係る樹脂封止形半導体装置の成形用金
型の要部を示す断面図、第２図は同じく樹脂封止形半導
体装置の成形用金型におけるゲート入れ子を示す斜視図
、第３図はその成形用金型の型板を示す平面図、第４図
および第５図は第３図のｒｌ／−ＩＶ断面図とＶ−Ｖ断
面図、第６図は従来の樹脂封止形半導体装置の成形用金
型における型板を示す平面図、第７図および第８図は第
６図の■−■断面図と■−■断面図、第９図はその要部
を示す断面図、第１０図は成形品を示す斜視図である。 １・・・・型板、２・・・・キャビティ、３・・・・キ
ャビティインサート、４・・・・ゲート、５・・・・ラ
ンナ、６・・・・ランナインサート、２２・・・・ゲー
ト入れ子 代 理 人 大 岩 増 雄 第３図 第４図 第６図 第７図
型の要部を示す断面図、第２図は同じく樹脂封止形半導
体装置の成形用金型におけるゲート入れ子を示す斜視図
、第３図はその成形用金型の型板を示す平面図、第４図
および第５図は第３図のｒｌ／−ＩＶ断面図とＶ−Ｖ断
面図、第６図は従来の樹脂封止形半導体装置の成形用金
型における型板を示す平面図、第７図および第８図は第
６図の■−■断面図と■−■断面図、第９図はその要部
を示す断面図、第１０図は成形品を示す斜視図である。 １・・・・型板、２・・・・キャビティ、３・・・・キ
ャビティインサート、４・・・・ゲート、５・・・・ラ
ンナ、６・・・・ランナインサート、２２・・・・ゲー
ト入れ子 代 理 人 大 岩 増 雄 第３図 第４図 第６図 第７図
Claims (2)
- （１）リードフレーム上の半導体素子を樹脂封止するた
めのキャビティを有するキャビティインサートと、この
キャビティインサートのキャビティにゲートを介して連
通するランナを有するランナインサートとを備えた樹脂
封止形半導体装置の成形用金型において、前記ランナイ
ンサートを分断することにより前記ゲートを有するゲー
ト入れ子を形成し、このゲート入れ子は前記ランナイン
サートと前記キャビティインサートとの間に着脱自在に
設けられていることを特徴とする樹脂封止形半導体装置
の成形用金型。 - （２）ゲート入れ子は高硬度および耐摩耗材料で形成さ
れている特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止形半導体
装置の成形用金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14880286A JPS635538A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 樹脂封止形半導体装置の成形用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14880286A JPS635538A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 樹脂封止形半導体装置の成形用金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS635538A true JPS635538A (ja) | 1988-01-11 |
Family
ID=15461033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14880286A Pending JPS635538A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 樹脂封止形半導体装置の成形用金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS635538A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5750153A (en) * | 1995-08-31 | 1998-05-12 | Rohm Co. Ltd. | Mold device and process for resin-packaging semiconductor devices |
| EP0875354A1 (en) * | 1996-01-18 | 1998-11-04 | Hoya Corporation | Method of manufacturing lens, injection mold for molding of lens, and molded lens |
| US5882692A (en) * | 1994-07-06 | 1999-03-16 | Sony Corporation | Resin molding apparatus |
| JP2010263066A (ja) * | 2009-05-07 | 2010-11-18 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-06-25 JP JP14880286A patent/JPS635538A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5882692A (en) * | 1994-07-06 | 1999-03-16 | Sony Corporation | Resin molding apparatus |
| US5750153A (en) * | 1995-08-31 | 1998-05-12 | Rohm Co. Ltd. | Mold device and process for resin-packaging semiconductor devices |
| EP0875354A1 (en) * | 1996-01-18 | 1998-11-04 | Hoya Corporation | Method of manufacturing lens, injection mold for molding of lens, and molded lens |
| EP0875354A4 (en) * | 1996-01-18 | 2000-03-15 | Hoya Corp | GLASS MANUFACTURING PROCESS, MOLD FOR GLASS INJECTION MOLDING, AND MOLDED GLASSES |
| JP2010263066A (ja) * | 2009-05-07 | 2010-11-18 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
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