JPH11330480A - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタの製造方法Info
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- JPH11330480A JPH11330480A JP13690898A JP13690898A JPH11330480A JP H11330480 A JPH11330480 A JP H11330480A JP 13690898 A JP13690898 A JP 13690898A JP 13690898 A JP13690898 A JP 13690898A JP H11330480 A JPH11330480 A JP H11330480A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 例えば液晶パネル用基板における薄膜トラン
ジスタの製造方法において、製造装置に基板検出用の光
透過型センサー、光反射型センサーのいずれが使用され
ても透明石英基板を検出することができるようにする。 【解決手段】 石英基板１の裏面に高融点金属膜１２
（例えば、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＷ等）を形成
し、さらにその上をシリコン窒化膜１３で被覆する。そ
れらの膜を形成したまま、石英基板１の表面に、ポリシ
リコン能動層２、ゲ−ト絶縁膜３、ゲート電極４、保持
容量電極５、第１の層間絶縁膜６、信号配線層７、第２
の層間絶縁膜８、遮光膜９、第３の層間絶縁膜１０、透
明画素電極１１を順次形成し、薄膜トランジスタと画素
部分を形成する。石英基板１の裏面全面に、遮光性と光
反射性を有する膜が形成されているので、光透過型、光
反射型の基板検出用センサーのいずれであっても石英基
板１を検出できる。
ジスタの製造方法において、製造装置に基板検出用の光
透過型センサー、光反射型センサーのいずれが使用され
ても透明石英基板を検出することができるようにする。 【解決手段】 石英基板１の裏面に高融点金属膜１２
（例えば、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＷ等）を形成
し、さらにその上をシリコン窒化膜１３で被覆する。そ
れらの膜を形成したまま、石英基板１の表面に、ポリシ
リコン能動層２、ゲ−ト絶縁膜３、ゲート電極４、保持
容量電極５、第１の層間絶縁膜６、信号配線層７、第２
の層間絶縁膜８、遮光膜９、第３の層間絶縁膜１０、透
明画素電極１１を順次形成し、薄膜トランジスタと画素
部分を形成する。石英基板１の裏面全面に、遮光性と光
反射性を有する膜が形成されているので、光透過型、光
反射型の基板検出用センサーのいずれであっても石英基
板１を検出できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）の製造方法に関し、特に製造装置に付属する
センサーで基板を検出することができるようにした製造
方法に関する。
（ＴＦＴ）の製造方法に関し、特に製造装置に付属する
センサーで基板を検出することができるようにした製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶パネル用基板における薄膜ト
ランジスタの製造方法を図３を用いて説明する。図３
（ａ）に示したように、石英基板１の一主面上にポリシ
リコン能動層２を形成した後、図３（ｂ）に示したよう
に、ポリシリコン能動層２上にゲート絶縁膜３、さらに
その上にポリシリコンからなるゲート電極４と保持容量
電極５を形成する。
ランジスタの製造方法を図３を用いて説明する。図３
（ａ）に示したように、石英基板１の一主面上にポリシ
リコン能動層２を形成した後、図３（ｂ）に示したよう
に、ポリシリコン能動層２上にゲート絶縁膜３、さらに
その上にポリシリコンからなるゲート電極４と保持容量
電極５を形成する。
【０００３】次に、図３（ｃ）に示したように、第１の
層間絶縁膜６を形成した後、ポリシリコン能動層２のゲ
ート電極４を挟む両側に連通するアルミニウムからなる
信号配線層７と、保持容量電極５の上方に信号配線層７
を形成する。さらに第２の層間絶縁膜８を形成した後、
受光部上に窓を有する遮光膜９を形成し、次いで、その
上に第３の層間絶縁膜１０を形成した後、ＩＴＯからな
る透明画素電極１１を形成する。
層間絶縁膜６を形成した後、ポリシリコン能動層２のゲ
ート電極４を挟む両側に連通するアルミニウムからなる
信号配線層７と、保持容量電極５の上方に信号配線層７
を形成する。さらに第２の層間絶縁膜８を形成した後、
受光部上に窓を有する遮光膜９を形成し、次いで、その
上に第３の層間絶縁膜１０を形成した後、ＩＴＯからな
る透明画素電極１１を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の薄膜トランジスタの製造方法においては、シリコン
基板を用いる半導体製造装置（例えば、リソグラフィ
ー、ドライエッチング、イオン注入、ＣＶＤ等の各装
置）で通常使用されている光透過型センサ−の光が石英
基板を透過してしまうため基板の検出ができず、石英基
板用に光透過型センサーに替えて光反射型センサーを新
たに設置する必要があり、したがって、製造装置をシリ
コン基板を用いる半導体装置の製造用と共用する上で大
きな問題となっていた。
来の薄膜トランジスタの製造方法においては、シリコン
基板を用いる半導体製造装置（例えば、リソグラフィ
ー、ドライエッチング、イオン注入、ＣＶＤ等の各装
置）で通常使用されている光透過型センサ−の光が石英
基板を透過してしまうため基板の検出ができず、石英基
板用に光透過型センサーに替えて光反射型センサーを新
たに設置する必要があり、したがって、製造装置をシリ
コン基板を用いる半導体装置の製造用と共用する上で大
きな問題となっていた。
【０００５】本発明はこのような問題点を解決するもの
で、薄膜トランジスタの製造装置に光透過型センサー、
光反射型センサーのいずれが使用されても石英基板の検
出ができるようにした薄膜トランジスタの製造方法を提
供することを目的とする。
で、薄膜トランジスタの製造装置に光透過型センサー、
光反射型センサーのいずれが使用されても石英基板の検
出ができるようにした薄膜トランジスタの製造方法を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、要する
に、石英ガラス等の透明基板の一方の面全面に遮光性お
よび光反射性を有する膜を形成する工程と、その遮光性
および光反射性を有する膜を形成した状態で、石英基板
の他方の面に薄膜トランジスタを形成する工程とを具備
するものである。
に、本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、要する
に、石英ガラス等の透明基板の一方の面全面に遮光性お
よび光反射性を有する膜を形成する工程と、その遮光性
および光反射性を有する膜を形成した状態で、石英基板
の他方の面に薄膜トランジスタを形成する工程とを具備
するものである。
【０００７】これにより、薄膜トランジスタの製造装置
に使用されている基板検出用センサーが光透過型センサ
ー、光反射型センサーのいずれであっても石英基板を検
出することができるので、シリコン半導体装置の製造用
と共用することができる。
に使用されている基板検出用センサーが光透過型センサ
ー、光反射型センサーのいずれであっても石英基板を検
出することができるので、シリコン半導体装置の製造用
と共用することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、画面を参照しながら詳細に説明する。
て、画面を参照しながら詳細に説明する。
【０００９】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１における液晶パネル用基板の薄膜トランジスタの
製造方法を示したもので、図３と同一部分には同一符号
を付しており、また、１２は高融点金属膜、１３はシリ
コン窒化膜である。
形態１における液晶パネル用基板の薄膜トランジスタの
製造方法を示したもので、図３と同一部分には同一符号
を付しており、また、１２は高融点金属膜、１３はシリ
コン窒化膜である。
【００１０】まず、図１（ａ）に示したように、石英基
板１の裏面（ＴＦＴを形成する面とは反対側の面）全面
に、Ａｒガスを用いたスパッタ法により、圧力１〜５Ｐ
ａ、ＲＦ出力１〜２ｋＷで、１０〜３０ｎｍ程度の膜厚
の高融点金属膜１２（例えば、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔｉ
Ｎ、ＴｉＷ等）を形成し、続いて石英基板１の両面に、
ジクロールシランとアンモニアを原料ガスとして、減圧
ＣＶＤ法により、反応圧力１０〜５０Ｐａ、成長温度７
００〜８００℃にて、１０〜５０ｎｍ程度の膜厚のシリ
コン窒化膜１３を形成した後、石英基板１の表面（ＴＦ
Ｔを形成する面）のシリコン窒化膜はフォトレジストを
マスクとしてエッチング除去する。石英基板１の裏面の
高融点金属膜１２をシリコン窒化膜１３で被覆するの
は、高融点金属による他の製造ラインへの汚染を防止す
るためである。シリコン窒化膜１３の代りに、これと同
等な性質を持つシリコン酸窒化膜を使用することもでき
る。
板１の裏面（ＴＦＴを形成する面とは反対側の面）全面
に、Ａｒガスを用いたスパッタ法により、圧力１〜５Ｐ
ａ、ＲＦ出力１〜２ｋＷで、１０〜３０ｎｍ程度の膜厚
の高融点金属膜１２（例えば、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔｉ
Ｎ、ＴｉＷ等）を形成し、続いて石英基板１の両面に、
ジクロールシランとアンモニアを原料ガスとして、減圧
ＣＶＤ法により、反応圧力１０〜５０Ｐａ、成長温度７
００〜８００℃にて、１０〜５０ｎｍ程度の膜厚のシリ
コン窒化膜１３を形成した後、石英基板１の表面（ＴＦ
Ｔを形成する面）のシリコン窒化膜はフォトレジストを
マスクとしてエッチング除去する。石英基板１の裏面の
高融点金属膜１２をシリコン窒化膜１３で被覆するの
は、高融点金属による他の製造ラインへの汚染を防止す
るためである。シリコン窒化膜１３の代りに、これと同
等な性質を持つシリコン酸窒化膜を使用することもでき
る。
【００１１】次に、図１（ｂ）に示したように、石英基
板１の表面に、ポリシリコンの固相成長法により、ポリ
シリコン能動層２を形成した後、そのポリシリコン能動
層２上にゲート絶縁膜３、その上にポリシリコンからな
るゲート電極４と画素の保持容量電極５を形成する。続
いて、第１の層間絶縁膜６を形成した後、ポリシリコン
能動層２のゲート電極４を挟む両側に連通するアルミニ
ウムからなる信号配線層７と保持容量電極５の上方に信
号配線層７を形成する。さらに第２の層間絶縁膜８を形
成した後、受光部上に窓を有する遮光膜９を形成し、次
いで、その上に第３の層間絶縁膜１０を形成した後、Ｉ
ＴＯからなる透明画素電極１１を形成する。
板１の表面に、ポリシリコンの固相成長法により、ポリ
シリコン能動層２を形成した後、そのポリシリコン能動
層２上にゲート絶縁膜３、その上にポリシリコンからな
るゲート電極４と画素の保持容量電極５を形成する。続
いて、第１の層間絶縁膜６を形成した後、ポリシリコン
能動層２のゲート電極４を挟む両側に連通するアルミニ
ウムからなる信号配線層７と保持容量電極５の上方に信
号配線層７を形成する。さらに第２の層間絶縁膜８を形
成した後、受光部上に窓を有する遮光膜９を形成し、次
いで、その上に第３の層間絶縁膜１０を形成した後、Ｉ
ＴＯからなる透明画素電極１１を形成する。
【００１２】最後に、図１（ｃ）に示したように、液晶
パネル組立前に、石英基板１の裏面に形成したシリコン
窒化膜１３と高融点金属膜１２を、ＴＦＴを形成した面
にフォトレジストを塗布した状態で全面エッチングし除
去する。
パネル組立前に、石英基板１の裏面に形成したシリコン
窒化膜１３と高融点金属膜１２を、ＴＦＴを形成した面
にフォトレジストを塗布した状態で全面エッチングし除
去する。
【００１３】（実施の形態２）図２は、本発明の実施の
形態２における液晶パネル用基板の薄膜トランジスタの
製造方法を示したものである。ここでは、石英基板１の
裏面に形成したシリコン窒化膜１３と高融点金属膜１２
を、実施の形態１とは異なる工程で除去するものであ
る。
形態２における液晶パネル用基板の薄膜トランジスタの
製造方法を示したものである。ここでは、石英基板１の
裏面に形成したシリコン窒化膜１３と高融点金属膜１２
を、実施の形態１とは異なる工程で除去するものであ
る。
【００１４】まず、図２（ａ）に示したように、石英基
板１の裏面（ＴＦＴを形成する面とは反対側の面）全面
に、Ａｒガスを用いたスパッタ法により、圧力１〜５Ｐ
ａ、ＲＦ出力１〜２ｋＷで、１０〜３０ｎｍ程度の膜厚
の高融点金属膜１２（例えば、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔｉ
Ｎ、ＴｉＷ等）を形成し、続いて石英基板１の両面に、
ジクロールシランとアンモニアを原料ガスとして、減圧
ＣＶＤ法により、反応圧力１０〜５０Ｐａ、成長温度７
００〜８００℃にて、１０〜５０ｎｍ程度の膜厚のシリ
コン窒化膜１３を形成した後、石英基板１の表面（ＴＦ
Ｔを形成する面）のシリコン窒化膜はフォトレジストを
マスクとしてエッチング除去する。
板１の裏面（ＴＦＴを形成する面とは反対側の面）全面
に、Ａｒガスを用いたスパッタ法により、圧力１〜５Ｐ
ａ、ＲＦ出力１〜２ｋＷで、１０〜３０ｎｍ程度の膜厚
の高融点金属膜１２（例えば、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔｉ
Ｎ、ＴｉＷ等）を形成し、続いて石英基板１の両面に、
ジクロールシランとアンモニアを原料ガスとして、減圧
ＣＶＤ法により、反応圧力１０〜５０Ｐａ、成長温度７
００〜８００℃にて、１０〜５０ｎｍ程度の膜厚のシリ
コン窒化膜１３を形成した後、石英基板１の表面（ＴＦ
Ｔを形成する面）のシリコン窒化膜はフォトレジストを
マスクとしてエッチング除去する。
【００１５】次に、図２（ｂ）に示したように、石英基
板１の表面に、ポリシリコンの固相成長法により、ポリ
シリコン能動層２を形成した後、そのポリシリコン能動
層２上にゲ−ト絶縁膜３、その上にポリシリコンからな
るゲート電極４と画素の保持容量電極５を形成する。続
いて、第１の層間絶縁膜６を形成した後、ポリシリコン
能動層２のゲート電極４を挟む両側に連通するアルミニ
ウムからなる信号配線層７と保持容量電極５の上方に信
号配線層７を形成する。さらに第２の層間絶縁膜８を形
成した後、受光部上に窓を有する遮光膜９を形成し、次
いで、その上に第３の層間絶縁膜１０を形成した後、Ｉ
ＴＯからなる透明画素電極１１を形成する。これまでの
工程は、実施の形態１と同じである。
板１の表面に、ポリシリコンの固相成長法により、ポリ
シリコン能動層２を形成した後、そのポリシリコン能動
層２上にゲ−ト絶縁膜３、その上にポリシリコンからな
るゲート電極４と画素の保持容量電極５を形成する。続
いて、第１の層間絶縁膜６を形成した後、ポリシリコン
能動層２のゲート電極４を挟む両側に連通するアルミニ
ウムからなる信号配線層７と保持容量電極５の上方に信
号配線層７を形成する。さらに第２の層間絶縁膜８を形
成した後、受光部上に窓を有する遮光膜９を形成し、次
いで、その上に第３の層間絶縁膜１０を形成した後、Ｉ
ＴＯからなる透明画素電極１１を形成する。これまでの
工程は、実施の形態１と同じである。
【００１６】次に、液晶パネル組立工程において、図２
（ｃ）に示したように、透明画素電極１１と対向するよ
うに、対向電極１５を有する対向基板１６を配置し、そ
の両電極の間隙部に液晶層１４を形成する。最後に、石
英基板１の裏面に形成したシリコン窒化膜１３と高融点
金属膜１２を、例えばＣＭＰ（化学的機械的研磨）によ
り全面研磨して除去する。全面除去はＣＭＰ以外のドラ
イエッチングなどでも可能であるが、減圧室内で行わね
ばならず、エッチング中には少なからず温度上昇を伴
う。これに対してＣＭＰは大気圧中、室温で行うことが
できるので、液晶に与える影響が少ないという点で優れ
ている。
（ｃ）に示したように、透明画素電極１１と対向するよ
うに、対向電極１５を有する対向基板１６を配置し、そ
の両電極の間隙部に液晶層１４を形成する。最後に、石
英基板１の裏面に形成したシリコン窒化膜１３と高融点
金属膜１２を、例えばＣＭＰ（化学的機械的研磨）によ
り全面研磨して除去する。全面除去はＣＭＰ以外のドラ
イエッチングなどでも可能であるが、減圧室内で行わね
ばならず、エッチング中には少なからず温度上昇を伴
う。これに対してＣＭＰは大気圧中、室温で行うことが
できるので、液晶に与える影響が少ないという点で優れ
ている。
【００１７】上記実施の形態１及び実施の形態２によれ
ば、石英基板１の裏面全面に高融点金属膜を形成し、遮
光性を持たせたので、製造装置の基板検出用センサーが
光透過型センサーの場合は、基板が光を遮ることによっ
て基板を検出することができ、また、高融点金属膜の光
反射性のため、光反射型センサーを有する場合でも反射
光で基板を検出することができるようになる。したがっ
て、製造装置を、シリコン半導体装置の製造用と共用す
ることができる。
ば、石英基板１の裏面全面に高融点金属膜を形成し、遮
光性を持たせたので、製造装置の基板検出用センサーが
光透過型センサーの場合は、基板が光を遮ることによっ
て基板を検出することができ、また、高融点金属膜の光
反射性のため、光反射型センサーを有する場合でも反射
光で基板を検出することができるようになる。したがっ
て、製造装置を、シリコン半導体装置の製造用と共用す
ることができる。
【００１８】なお、実施の形態では、石英基板の裏面全
面に形成する遮光性および反射性を有する膜として高融
点金属を採用したが、高融点金属を選択した理由は、そ
れを被覆するシリコン窒化膜形成工程やＴＦＴの製造工
程が高温処理を伴い、それに対して熱的に安定であるか
らである。この高融点金属以外に高融点金属シリサイド
膜（例えば、ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2等）のよ
うな高融点金属化合物やポリシリコンなどの半導体膜を
使用してもよい。特にポリシリコンを採用できる場合
は、金属による製造ラインの汚染がないので、シリコン
窒化膜１３を形成する必要がないという効果もある。
面に形成する遮光性および反射性を有する膜として高融
点金属を採用したが、高融点金属を選択した理由は、そ
れを被覆するシリコン窒化膜形成工程やＴＦＴの製造工
程が高温処理を伴い、それに対して熱的に安定であるか
らである。この高融点金属以外に高融点金属シリサイド
膜（例えば、ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2等）のよ
うな高融点金属化合物やポリシリコンなどの半導体膜を
使用してもよい。特にポリシリコンを採用できる場合
は、金属による製造ラインの汚染がないので、シリコン
窒化膜１３を形成する必要がないという効果もある。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、石
英基板の裏面全面を、遮光性が高く光反射性もある高融
点金属膜で被覆したことにより、薄膜トランジスタの製
造装置に使用されている基板検出用センサーが光透過型
センサー、光反射型センサーのいずれであっても石英基
板を検出でき、シリコン半導体装置の製造装置を薄膜ト
ランジスタの製造に共用することができるという効果が
得られる。
英基板の裏面全面を、遮光性が高く光反射性もある高融
点金属膜で被覆したことにより、薄膜トランジスタの製
造装置に使用されている基板検出用センサーが光透過型
センサー、光反射型センサーのいずれであっても石英基
板を検出でき、シリコン半導体装置の製造装置を薄膜ト
ランジスタの製造に共用することができるという効果が
得られる。
【００２０】また本発明によれば、高融点金属膜は緻密
性の高いシリコン窒化膜で被覆されているため高融点金
属による製造ラインの汚染を防止できる効果がある。
性の高いシリコン窒化膜で被覆されているため高融点金
属による製造ラインの汚染を防止できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における薄膜トランジス
タの製造方法を示す工程断面図
タの製造方法を示す工程断面図
【図２】本発明の実施の形態２における薄膜トランジス
タの製造方法を示す工程断面図
タの製造方法を示す工程断面図
【図３】従来の薄膜トランジスタの製造方法を示す工程
断面図
断面図
１ 石英基板 ２ ポリシリコン能動層 ３ ゲート絶縁膜 ４ ゲート電極 ５ 保持容量電極 ６ 第１の層間絶縁膜 ７ 信号配線層 ８ 第２の層間絶縁膜 ９ 遮光膜 １０ 第３の層間絶縁膜 １１ 透明画素電極 １２ 高融点金属膜 １３ シリコン窒化膜 １４ 液晶層 １５ 対向電極 １６ 対向基板
Claims (6)
- 【請求項１】 透明基板の一方の面の全面に遮光性およ
び光反射性を有する膜を形成する工程と、前記遮光性お
よび光反射性を有する膜を形成した状態で、前記透明基
板の他方の面に薄膜トランジスタを形成する工程とを具
備することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 【請求項２】 前記遮光性および光反射性を有する膜が
半導体膜であることを特徴とする請求項１記載の薄膜ト
ランジスタの製造方法。 - 【請求項３】 薄膜トランジスタを形成した基板を用い
て、ＴＦＴ液晶パネルを組み立てた後に、前記半導体膜
を除去する工程を具備することを特徴とする請求項２記
載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 【請求項４】 石英基板の一方の面の全面に、高融点金
属膜または高融点金属化合物膜を形成する工程と、前記
高融点金属膜または高融点金属化合物膜をシリコン窒化
膜またはシリコン酸窒化膜で被覆する工程と、前記高融
点金属膜または高融点金属化合物膜とシリコン窒化膜ま
たはシリコン酸窒化膜を形成した状態で、前記石英基板
の他方の面に薄膜トランジスタを形成する工程とを具備
することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 【請求項５】 薄膜トランジスタを形成した基板を用い
て、ＴＦＴ液晶パネルを組み立てた後に、シリコン窒化
膜またはシリコン酸窒化膜と高融点金属膜または高融点
金属化合物膜を除去する工程を具備することを特徴とし
た薄膜トランジスタの製造方法。 - 【請求項６】 半導体膜、あるいはシリコン窒化膜また
はシリコン酸窒化膜と高融点金属膜または高融点金属化
合物膜を除去する工程として、化学的機械的研磨を用い
ることを特徴とする請求項３または請求項５に記載の薄
膜トランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13690898A JPH11330480A (ja) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13690898A JPH11330480A (ja) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330480A true JPH11330480A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=15186393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13690898A Pending JPH11330480A (ja) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11330480A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030062156A (ko) * | 2002-01-16 | 2003-07-23 | 일진다이아몬드(주) | 보존용량 캐패시터를 갖는 액정디스플레이 패널 및 그제조공정 |
| KR100417917B1 (ko) * | 2002-04-03 | 2004-02-11 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR100476169B1 (ko) * | 2002-05-13 | 2005-03-10 | 준 신 이 | Ｍｏ기판을 이용한 다결정 ＴＦＴ의 제조방법 |
| US7541226B2 (en) | 2005-03-25 | 2009-06-02 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing process of thin film transistor |
| JP2015185791A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | セイコーエプソン株式会社 | センサー検知用基板及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-05-19 JP JP13690898A patent/JPH11330480A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030062156A (ko) * | 2002-01-16 | 2003-07-23 | 일진다이아몬드(주) | 보존용량 캐패시터를 갖는 액정디스플레이 패널 및 그제조공정 |
| KR100417917B1 (ko) * | 2002-04-03 | 2004-02-11 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR100476169B1 (ko) * | 2002-05-13 | 2005-03-10 | 준 신 이 | Ｍｏ기판을 이용한 다결정 ＴＦＴ의 제조방법 |
| US7541226B2 (en) | 2005-03-25 | 2009-06-02 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing process of thin film transistor |
| JP2015185791A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | セイコーエプソン株式会社 | センサー検知用基板及びその製造方法 |
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