JP2000321601A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、透明絶縁基板上に薄膜トランジス
タを形成した後の組立工程において紫外線を使用して
も、この紫外線の照射に起因する薄膜トランジスタの特
性劣化を回避することが可能な液晶表示装置の製造方法
を提供することを目的とする。 【解決手段】 透明絶縁基板１０上に画素トランジスタ
２６等を形成する際に、透明絶縁基板１０の裏面全体に
ポリシリコン遮光膜膜２４を形成する。次いで、透明絶
縁基板１０の裏面全体にポリシリコン遮光膜２４を残存
させたままの状態で、この透明絶縁基板１０をダイシン
グし、透明絶縁基板１０に対向させて対向透明基板４８
をシールし、透明絶縁基板１０上の平坦化絶縁膜４２及
びＩＴＯ画素電極４４と対向透明基板４８の透明対向電
極層４６との間に液晶を注入し封止して、液晶層５０を
形成する一連の組立作業を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置の製造
方法に係り、特にＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜
トランジスタ）を用いたアクティブマトリクス駆動方式
の液晶表示装置の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の透過型の液晶表示装置の製造方法
を、図１７〜図２０の工程断面図を用いて説明する。な
お、図１７及び図１９には画素トランジスタ部を示し、
図１８及び図２０には付加容量部を示す。図１７及び図
１８に示されるように、透明絶縁基板６０上における画
素トランジスタ形成予定領域に導電性遮光膜６２を形成
した後、基体表面全体に例えば酸化シリコン膜又は窒化
シリコン膜等からなる第１の絶縁膜６４を形成する。

【０００３】続いて、この第１の絶縁膜６４上に例えば
ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜を形成した
後、所定の形状にパターニングして、導電性遮光膜６２
上方の第１の絶縁膜６４上に画素トランジスタのシリコ
ン活性領域６６ａと、このシリコン活性領域６６ａの一
端に接続する付加容量のシリコン下部電極６６ｂをそれ
ぞれ形成する。

【０００４】続いて、これらシリコン活性領域６６ａ及
びシリコン下部電極６６ｂをそれぞれ覆うように、例え
ば酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜等からなる第２の
絶縁膜６８を形成する。

【０００５】続いて、基体表面全体に例えば不純物が導
入されている導電性のポリシリコン膜を堆積した後、所
定の形状にパターニングし、シリコン活性領域６６ａ上
方の第２の絶縁膜６８上を横切る画素トランジスタのゲ
ート線７０ａを形成すると共に、シリコン下部電極６６
ｂ上方の第２の絶縁膜６８上を横切る付加容量線７０ｂ
を形成する。

【０００６】こうして、シリコン活性領域６６ａ上にゲ
ート絶縁膜としての第２の絶縁膜６８を介してゲート線
７０ａが設けられているＴＦＴ型の画素トランジスタ７
２を形成すると共に、シリコン下部電極６６ｂと付加容
量線７０ｂとの間に誘電体膜としての第２の絶縁膜６８
が挟まれている付加容量７４を形成する。

【０００７】続いて、基体表面全体に、例えばＰＳＧ
（Phospho Silicate Glass；リンシリケートガラス）膜
からなる第３の絶縁膜７６を堆積した後、この第３の絶
縁膜７６及び第２の絶縁膜６８を選択的にエッチング除
去して、画素トランジスタ７２のソース領域となるシリ
コン活性領域６６ａ表面を露出させる第１のコンタクト
ホールを形成すると共に、付加容量７４のシリコン下部
電極６６ｂ表面を露出させる第２のコンタクトホールを
形成する。

【０００８】続いて、第３の絶縁膜７６上にＡｌ（アル
ミニウム）膜を堆積した後、所定の形状にパターニング
する。こうして、Ａｌデータ線７８ａを第３の絶縁膜７
６上に形成すると共に、このＡｌデータ線７８ａを画素
トランジスタ７２のソース側のシリコン活性領域６６ａ
に第１のコンタクトホールを介して接続する。同時に、
付加容量７４上方を覆うようにし且つデータ線７８ａに
接触しないようにして、Ａｌ電極７８ｂを第３の絶縁膜
７６上に形成すると共に、このＡｌ電極７８ｂを第２の
コンタクトホールを介して付加容量７４のシリコン下部
電極６６ｂに接続する。

【０００９】続いて、基体表面全体に、例えばＰＳＧ膜
８０及びＰ−ＳｉＮ（プラズマ−窒化シリコン）膜８２
を下から順に積層して第４の絶縁膜８４を形成した後、
この第４の絶縁膜８４を選択的にエッチング除去して、
付加容量７４上方を覆うＡｌ電極７８ｂ表面を露出させ
る第３のコンタクトホールを形成する。

【００１０】続いて、第４の絶縁膜８４上にＴｉ（チタ
ン）膜を堆積した後、所定の形状にパターニングする。
こうして、ブラックマトリクスを構成するＴｉ金属遮光
膜８６ａを第４の絶縁膜８４上に形成して、ゲート線７
０ａや付加容量線７０ｂ上方を覆うようにする。同時
に、付加容量７４上方を覆っているＡｌ電極７８ｂに第
３のコンタクトホールを介して接続するＴｉ遮光電極膜
８６ｂを、Ｔｉ金属遮光膜８６ａとは電気的に絶縁して
形成する。

【００１１】続いて、基体表面全体に絶縁膜を堆積した
後、この絶縁膜表面を平坦化して、平坦化絶縁膜８８を
形成する。そして、この平坦化絶縁膜８８を選択的にエ
ッチング除去して、Ｔｉ遮光電極膜８６ｂ表面を露出さ
せる第４のコンタクトホールを形成する。

【００１２】続いて、平坦化絶縁膜８８上に例えばＩＴ
Ｏ（Indium Tin Oxide）膜からなる透明なＩＴＯ画素電
極９０を形成すると共に、このＩＴＯ画素電極９０を第
４のコンタクトホールを介してＴｉ遮光電極膜８６ｂに
接続する。即ち、このＩＴＯ画素電極９０をＴｉ遮光電
極膜８６ｂ及びＡｌ電極７８ｂを介してシリコン下部電
極６６ｂに接続する。

【００１３】次いで、透明絶縁基板６０をダイシングし
た後、更に一連の組立作業を行う。即ち、 図１９及び
図２０に示されるように、対向電極電位をとるための透
明対向電極層９２を表面に形成した対向透明基板９４
を、透明絶縁基板６０の画素トランジスタ７２等を形成
した面に対向させてシールする。

【００１４】続いて、透明絶縁基板６０上の平坦化絶縁
膜８８及びＩＴＯ画素電極９０と対向透明基板９４の透
明対向電極層９２との間に液晶を注入した後、封止し
て、液晶層９６を形成する。このようにして、透過型の
液晶表示装置を作製する。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
液晶表示装置の製造方法においては、透明絶縁基板６０
上にＴＦＴ型の画素トランジスタ７２を形成した後、ダ
イシング、対向透明基板９４のシール、液晶注入及び封
止による液晶層９６の形成等の一連の組立作業を行って
いるが、これら一連の組立工程には紫外線を使用する工
程が必ずある。例えば、紫外線硬化材を固めるために紫
外線が使用されている。

【００１６】このため、組立工程において紫外線を使用
する際に、透明絶縁基板６０上に形成されているＴＦＴ
型の画素トランジスタ７２が紫外線の照射を受けて、そ
の特性の劣化を引き起こしてしまう。これは、ＴＦＴ型
の画素トランジスタ７２が紫外線の照射を受けた場合、
その際に発生する電荷が画素トランジスタ７２のゲート
絶縁膜としての第２の絶縁膜６８やシリコン活性領域６
６ａなどにトラップされ、トランジスタ特性が変動する
からである。

【００１７】このような紫外線の照射に起因するトラン
ジスタの特性劣化としては、具体的には、画素トランジ
スタ７２のオン（ＯＮ）電流の低下により、一定期間中
に十分な充電ができずに輝点が発生したり、回路トラン
ジスタの特性変動による回路動作マージンが低下して動
作不良が発生したりすることが挙げられる。

【００１８】そこで本発明は、上記事情を鑑みてなされ
たものであり、透明絶縁基板上に薄膜トランジスタを形
成した後の組立工程において紫外線を使用しても、この
紫外線の照射に起因する薄膜トランジスタの特性劣化を
回避することが可能な液晶表示装置の製造方法を提供す
ることを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記課題は、以下の本発
明に係る液晶表示装置の製造方法により達成される。即
ち、請求項１に係る液晶表示装置の製造方法は、透明絶
縁基板の表面側に薄膜トランジスタを形成すると共に、
透明絶縁基板の裏面に遮光膜を形成する第１の工程と、
透明絶縁基板の裏面に遮光膜を残存させたままの状態
で、透明絶縁基板のダイシング、対向基板のシール、液
晶注入、及び封止の一連の組立作業を行う第２の工程と
を有することを特徴とする。

【００２０】このように請求項１に係る液晶表示装置の
製造方法においては、透明絶縁基板の表面側に薄膜トラ
ンジスタを形成する際に、その透明絶縁基板の裏面に遮
光膜を形成し、この遮光膜を透明絶縁基板の裏面に残し
たままでダイシング、対向基板のシール、液晶注入、及
び封止の一連の組立作業を行うことにより、これら一連
の組立作業を行う組立工程において紫外線を使用して
も、透明絶縁基板の裏面に遮光膜が存在しているため
に、薄膜トランジスタへの紫外線の照射が遮断される。
従って、紫外線の照射に起因する薄膜トランジスタの特
性劣化が防止され、延いては液晶表示装置の信頼性が向
上する。

【００２１】また、請求項２に係る液晶表示装置の製造
方法は、請求項１に係る液晶表示装置の製造方法におい
て、前記第２の工程の後、透明絶縁基板の裏面の遮光膜
を除去する第３の工程を有する構成とすることにより、
一連の組立作業の完了後、透明絶縁基板の裏面の遮光膜
が除去されるため、透過型の液晶表示装置に要求される
開口部における光透過が確保される。

【００２２】また、請求項３に係る液晶表示装置の製造
方法は、上記請求項２に係る液晶表示装置の製造方法に
おいて、前記第３の工程が、遮光膜を選択的にエッチン
グして、光を透過させる必要のある開口部領域の遮光膜
を除去する一方、薄膜トランジスタ及びこの薄膜トラン
ジスタの配線部に対応する領域の遮光膜を残存させる工
程である構成とすることにより、透過型の液晶表示装置
に要求される開口部における光透過が確保されると共
に、薄膜トランジスタ部が裏面から見て遮光されている
構造が実現されるため、組立後において例えばプロジェ
クタに紫外線が使用される場合であっても、薄膜トラン
ジスタの特性変動を引き起こす光成分が遮光される。従
って、組立後における紫外線の照射に起因する薄膜トラ
ンジスタの特性劣化が防止され、延いては液晶表示装置
の信頼性が向上する。

【００２３】また、請求項４に係る液晶表示装置の製造
方法は、上記請求項２に係る液晶表示装置の製造方法に
おいて、前記第３の工程が、遮光膜を透明絶縁基板の裏
面から全面除去する工程である構成とすることにより、
透過型の液晶表示装置に要求される開口部における光透
過が確保されると共に、遮光膜の除去が容易に行われる
ため、工程の煩雑化やスープットの低下が防止され、延
いてはコストの上昇が抑制される。

【００２４】なお、上記請求項１に係る液晶表示装置の
製造方法においては、遮光膜としてポリシリコン膜又は
Ａｌ等からなる金属膜を用いることが好適である。これ
らのポリシリコン膜又はＡｌ等からなる金属膜は、透明
絶縁基板の表面側に薄膜トランジスタを形成する際に用
いるＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ；化学的気相
成長）法により容易に形成することが可能だからであ
る。但し、遮光膜としては、ポリシリコン膜又は金属膜
に限定する必要はなく、紫外線を遮光するものであれ
ば、他の材料からなる膜であってもよい。

【００２５】ところで、透明絶縁基板の裏面に例えばポ
リシリコン膜を形成すること自体は従来の液晶表示装置
の製造方法においても行われている技術である。例えば
透明絶縁基板の表面側にポリシリコン膜等を例えばＣＶ
Ｄ法によって堆積し、パターニング等を行って薄膜トラ
ンジスタを形成する際に、透明絶縁基板に反りが発生す
ることを軽減するため、透明絶縁基板の裏面に薄膜トラ
ンジスタを構成する材質であるポリシリコン膜を形成す
ることが実際に行われている。

【００２６】また、透明絶縁基板の表面側に薄膜トラン
ジスタを形成する際に、透明絶縁基板の裏面と半導体製
造装置の真空チャックやステージ等の治具との摩擦や接
触が繰り返されてキズが発生すると、透明絶縁基板を透
過する光を部分的に遮蔽又は減衰させて表示画像の品質
を低下させたり、透明絶縁基板が破損し易くなって歩留
りを低下させたりするため、キズ防止用の保護膜、例え
ばシリコン酸化膜／ポリシリコン膜／シリコン酸化膜の
３層保護膜を透明絶縁基板の裏面に形成することが提案
されている（特開平１０−０１２８８８号公報参照）。

【００２７】但し、いずれの場合も、液晶表示装置の組
立工程における薄膜トランジスタへの紫外線の照射を問
題としているものではないため、組立工程に移る前にる
透明絶縁基板の裏面に形成した膜を除去している。

【００２８】即ち、透明絶縁基板の反りを軽減するため
に形成したポリシリコン膜は、透明絶縁基板の表面側に
薄膜トランジスタを形成した後、透明絶縁基板の反りが
問題とならない段階でエッチング除去される。また、透
明絶縁基板の裏面のキズの発生を防止するために形成し
た保護膜も、キズ付いた保護膜を除去する必要があるた
め、透明絶縁基板の表面側に薄膜トランジスタを形成し
た段階でエッチング除去される（特開平１０−０１２８
８８号公報参照）。

【００２９】従って、本発明に係る液晶表示装置の製造
方法においては、透明絶縁基板の裏面に形成した遮光膜
を組立工程が終了するまで残存させておき、その組立工
程における薄膜トランジスタへの紫外線の照射を遮断す
るという機能を発揮させる点に特徴があるといえる。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の実施の形態を説明する。図１〜図１２はそれぞ
れ本発明の一実施形態に係る透過型の液晶表示装置の製
造方法を説明するための工程断面図である。なお、図
１、図３、図５、図７、図９、及び図１１には画素トラ
ンジスタ部を示し、図２、図４、図６、図８、図１０、
及び図１２には付加容量部を示す。また、図１３及び図
１４はそれぞれ図１１及び図１２に示す液晶表示装置の
レイアウト図である。なお、図１３にはデータ線より下
層の部分を示し、図１４にはゲート線及び付加容量線よ
り上層の部分を示す。

【００３１】先ず、図１及び図２に示されるように、透
明絶縁基板１０上における画素トランジスタ形成予定領
域及び第１の付加容量形成予定領域に、それぞれ、導電
性遮光膜１２ａ、１２ｂを連続した状態に形成する。

【００３２】なお、ここで、透明絶縁基板１０の材料と
しては、例えば石英基板又は無アルカリガラス基板を用
いる。また、導電性遮光膜１２ａ、１２ｂの材料として
は、例えばＡｌ、Ｔｉ、Ｗ（タングステン）、Ｍｏ（モ
リブデン）等の金属膿やＭｏＳｉ（モリブデンシリサイ
ド）、ＴｉＳｉ（チタンシリサイド）、ＷＳｉ（タング
ステンシリサイド）等の金属化合物膜を用いる。また、
これらの導電性遮光膜１２ａ、１２ｂは、後の工程にお
いてソース電位Ｖ_ss、対向電極電位Ｖ_com 、ドレイン電
位Ｖ_dd等のいずれかの固定電位に接続されるようになっ
ている。

【００３３】続いて、基体表面全体に第１の絶縁膜１４
を形成する。なお、この第１の絶縁膜１４の材料として
は、例えば酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜等を用い
る。また、この第１の絶縁膜１４は、第１の付加容量形
成予定領域の導電性遮光膜１２ｂ上においては第１の付
加容量の誘電体膜として機能するものである。

【００３４】続いて、この第１の絶縁膜１４上に例えば
ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜を形成した
後、所定の形状にパターニングして、導電性遮光膜１２
ａ、１２ｂ上方の第１の絶縁膜１４上に画素トランジス
タのシリコン活性領域１６ａ及びその一端に接続する第
１の付加容量のシリコン電極１６ｂをそれぞれ形成す
る。なお、ここで、シリコン活性領域１６ａは、後の図
１３及び図１４のレイアウト図に示されるように、略逆
Ｕ字型になるように形成する。

【００３５】こうして、下部電極として機能する導電性
遮光膜１２ｂと上部電極として機能するシリコン電極１
６ｂとの間に誘電体膜としての第１の絶縁膜１４が挟ま
れている第１の付加容量１８を形成する。

【００３６】続いて、画素トランジスタ形成予定領域の
シリコン活性領域１６ａ及び第１の付加容量１８のシリ
コン電極１６ｂをそれぞれ覆うように、第２の絶縁膜２
０を形成する。

【００３７】なお、この第２の絶縁膜２０の材料として
は、例えば酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜等を用い
る。また、この第２の絶縁膜２０は、シリコン活性領域
１６ａ上においては画素トランジスタのゲート絶縁膜と
して機能し、第１の付加容量１８のシリコン電極１６ｂ
上においては第２の付加容量の誘電体膜として機能する
ものである。

【００３８】次いで、図３及び図４に示されるように、
基体表面全体に例えば不純物が導入されている導電性の
ポリシリコン膜２２を堆積する。続いて、基体を裏返
し、透明絶縁基板１０の裏面全体に、後の一連の組立工
程の際の遮光膜として機能するポリシリコン遮光膜２４
を形成する。

【００３９】次いで、図５及び図６に示されるように、
導電性のポリシリコン膜２２を所定の形状にパターニン
グして、シリコン活性領域１６ａ上方の第２の絶縁膜２
０上を横切る画素トランジスタのゲート線２２ａを形成
すると共に、シリコン電極１６ｂ上方の第２の絶縁膜２
０上を横切る付加容量線２２ｂを形成する。なお、ここ
で、これらのゲート線２２ａ及び付加容量線２２ｂは、
後の図１３及び図１４のレイアウト図に示されるよう
に、互いに略並行になるように形成する。

【００４０】こうして、シリコン活性領域１６ａ上にゲ
ート絶縁膜としての第２の絶縁膜２０を介してゲート線
２２ａが設けられているＴＦＴ型の画素トランジスタ２
６を形成すると共に、下部電極として機能するシリコン
電極１６ｂと上部電極として機能する付加容量線２２ｂ
との間に誘電体膜としての第２の絶縁膜２０が挟まれて
いる第２の付加容量２８を形成する。

【００４１】次いで、図７及び図８に示されるように、
基体表面全体に例えばＰＳＧ膜からなる第３の絶縁膜３
０を堆積した後、この第３の絶縁膜３０及び第２の絶縁
膜２０を選択的にエッチング除去する。こうして、画素
トランジスタ２６のソース領域となるシリコン活性領域
１６ａ表面を露出させる第１のコンタクトホールを形成
すると共に、第２の付加容量２８の下部電極として機能
するシリコン電極１６ｂ表面を露出させる第２のコンタ
クトホールを形成する。

【００４２】続いて、この第３の絶縁膜３０上にＡｌ膜
を堆積した後、所定の形状にパターニングする。こうし
て、Ａｌデータ線３２ａを第３の絶縁膜３０上に形成す
ると共に、このＡｌデータ線３２ａを画素トランジスタ
２６のソース側のシリコン活性領域１６ａに第１のコン
タクトホールを介して接続する。同時に、第２の付加容
量２８上方を覆うようにし且つＡｌデータ線３２ａに接
触しないようにして、Ａｌ電極３２ｂを第３の絶縁膜３
０上に形成すると共に、このＡｌ電極３２ｂを第２のコ
ンタクトホールを介して第２の付加容量２８の下部電極
として機能するシリコン電極１６ｂに接続する。

【００４３】なお、ここで、Ａｌデータ線３２ａは、後
の図１３及び図１４のレイアウト図に示されるように、
第３の絶縁膜３０を挟んで画素トランジスタ２６のゲー
ト線２２ａや付加容量線２２ｂと略直行するように形成
する。

【００４４】続いて、基体表面全体に例えばＰＳＧ膜３
４及びＰ−ＳｉＮ膜３６を下から順に積層して第４の絶
縁膜３８を形成した後、この第４の絶縁膜３８を選択的
にエッチング除去して、第２の付加容量２８上方を覆う
Ａｌ電極３２ｂ表面を露出させる第３のコンタクトホー
ルを形成する。

【００４５】続いて、第４の絶縁膜３８上にＴｉ膜を堆
積した後、所定の形状にパターニングする。こうして、
ブラックマトリクスを構成するＴｉ金属遮光膜４０ａを
第４の絶縁膜３８上に形成して、ゲート線２２ａや付加
容量線２２ｂ上方を覆うようにする。同時に、第２の付
加容量２８上方を覆っているＡｌ電極３２ｂに第３のコ
ンタクトホールを介して接続するＴｉ遮光電極膜４０ｂ
を、Ｔｉ金属遮光膜４０ａとは電気的に絶縁して形成す
る。

【００４６】続いて、基体表面全体に絶縁膜を堆積した
後、この絶縁膜表面を平坦化して、平坦化絶縁膜４２を
形成する。そして、この平坦化絶縁膜４２を選択的にエ
ッチング除去して、Ｔｉ遮光電極膜４０ｂ表面を露出さ
せる第４のコンタクトホールを形成する。

【００４７】続いて、平坦化絶縁膜４２上に、例えばＩ
ＴＯ膜からなる透明なＩＴＯ画素電極４４を形成すると
共に、このＩＴＯ画素電極４４を第４のコンタクトホー
ルを介してＴｉ遮光電極膜４０ｂに接続する。こうし
て、このＩＴＯ画素電極４４をＴｉ遮光電極膜４０ｂ及
びＡｌ電極３２ｂを介してシリコン電極１６ｂに接続す
る。

【００４８】このようにして、透明絶縁基板１０上に、
画素トランジスタ２６及びこの画素トランジスタ２６に
接続するゲート線２２ａやＡｌデータ線３２ａを形成
し、第１及び第２の付加容量１８、２８並びにこれら第
１及び第２の付加容量１８、２８にＡｌ電極３２ｂ等を
介して接続するＩＴＯ画素電極４４を形成すると共に、
透明絶縁基板１０の裏面全体にポリシリコン遮光膜膜２
４を形成する。

【００４９】次いで、透明絶縁基板１０の裏面全体にポ
リシリコン遮光膜２４を残存させたままの状態で、この
透明絶縁基板１０をダイシングした後、更に一連の組立
作業を行う。

【００５０】即ち、図９及び図１０に示されるように、
対向電極電位をとるための透明対向電極層４６を表面に
形成した対向透明基板４８を、透明絶縁基板１０の画素
トランジスタ２６等を形成した面に対向させてシールす
る。なお、ここで、透明対向電極層４６の材料として
は、例えばＩＴＯ膜を用いて、対向透明基板４８の材料
としては、例えば無アルカリガラス基板又は石英基板を
用いる。

【００５１】続いて、透明絶縁基板１０上の平坦化絶縁
膜４２及びＩＴＯ画素電極４４と対向透明基板４８の透
明対向電極層４６との間に液晶を注入した後、封止し
て、液晶層５０を形成する。

【００５２】次いで、図１１及び図１２に示されるよう
に、透明絶縁基板１０の裏面全体に形成したポリシリコ
ン遮光膜２４を所定の形状にパターニングしたフォトレ
ジストをマスクとして選択的にエッチングし、光を透過
させる必要のある開口部領域のポリシリコン遮光膜２４
を除去する一方、透明絶縁基板１０上に形成した画素ト
ランジスタ２６、第１及び第２の付加容量１８、２８、
並びに画素トランジスタ２６に接続するゲート線２２ａ
やＡｌデータ線３２ａ等に対応する領域のポリシリコン
遮光膜２４ａを残存させる。

【００５３】このようにして、透過型の液晶表示装置を
作製する。なお、この完成した透過型の液晶表示装置の
レイアウトは、図１３及び図１４に示されるようにな
る。ここで、図１３はＡｌデータ線３２ａより下層の部
分を示し、図１４はゲート線２２ａ及び付加容量線２２
ｂより上層の部分を示している。

【００５４】以上のように本実施形態によれば、透明絶
縁基板１０上に画素トランジスタ２６のゲート線２２ａ
及び第２の付加容量１８、２８の付加容量線２２ｂを形
成するためのポリシリコン膜２２を形成するのに続い
て、基体を裏返し、透明絶縁基板１０の裏面全体にポリ
シリコン遮光膜２４を形成した後、この透明絶縁基板１
０の裏面全体を覆うポリシリコン遮光膜２４を残存させ
たままの状態で、透明絶縁基板１０のダイシング、対向
透明基板４８のシール、透明絶縁基板１０上の平坦化絶
縁膜４２及びＩＴＯ画素電極４４と対向透明基板４８の
透明対向電極層４６との間への液晶注入及び封止による
液晶層５０の形成等の一連の組立作業を行うことによ
り、透明絶縁基板１０の裏面全体を覆うポリシリコン遮
光膜２４がこれら一連の組立工程の際の遮光膜として機
能するため、これら一連の組立工程において例えば紫外
線硬化材を固めるために紫外線を使用する際に、透明絶
縁基板１０上に形成されている画素トランジスタ２６が
紫外線の照射による特性劣化を招くことを防止すること
ができ、延いては液晶表示装置の信頼性を向上させるこ
とができる。

【００５５】また、透明絶縁基板１０の裏面全体に形成
したポリシリコン遮光膜２４を選択的にエッチングし
て、開口部領域のポリシリコン遮光膜２４を除去する一
方で、透明絶縁基板１０上に形成した画素トランジスタ
２６、第１及び第２の付加容量１８、２８、並びに画素
トランジスタ２６に接続するゲート線２２ａやＡｌデー
タ線３２ａ等に対応する領域のポリシリコン遮光膜２４
ａを残存させることにより、透過型の液晶表示装置にお
いて要求される開口部における光透過を確保すると共
に、画素トランジスタ２６等が裏面から見て遮光されて
いる構造を実現し、組立後において例えばプロジェクタ
に紫外線を使用する場合であっても、画素トランジスタ
２６等の特性変動を引き起こす光成分を遮光することが
可能になるため、組立後における紫外線の照射に起因す
る画素トランジスタ２６等の特性劣化を防止することが
でき、延いては液晶表示装置の信頼性を向上させること
ができる。

【００５６】なお、上記実施形態においては、一連の組
立工程の際の遮光膜としてポリシリコン遮光膜２４を用
いているが、この遮光膜の材料はポリシリコンに限定さ
れるものではなく、紫外線を遮光するものであればよ
い。例えばＡｌ等の金属膜を用いた金属遮光膜を透明絶
縁基板１０の裏面全体に形成してもよい。

【００５７】また、上記実施形態においては、画素トラ
ンジスタ２６並びに第１及び第２の付加容量１８、２８
の下方にそれぞれ導電性遮光膜１２ａ、１２ｂを形成し
ている場合について説明したが、透明絶縁基板１０の裏
面に選択的に残存させたポリシリコン遮光膜２４ａが組
立後の紫外線の照射に対する遮光膜としても機能するこ
とから、導電性遮光膜１２ａ、１２ｂを形成しない液晶
表示装置について本発明を適用する場合の方が、液晶表
示装置の信頼性を向上させるという効果はより大きなも
のとなる。

【００５８】また、上記実施形態においては、図１１及
び図１２に示されるように、透明絶縁基板１０の裏面全
体に形成したポリシリコン遮光膜２４を選択的にエッチ
ングして、開口部領域のポリシリコン遮光膜２４を除去
する一方、透明絶縁基板１０上に形成した画素トランジ
スタ２６等に対応する領域のポリシリコン遮光膜２４を
残存させているが、ポリシリコン遮光膜２４を除去する
方式としては、他の方式もある。

【００５９】即ち、図８（ａ）、（ｂ）に示されるよう
に、例えば所定のエッチング液を用いて透明絶縁基板１
０の裏面全体に形成したポリシリコン遮光膜２４を全面
的にエッチング除去したり、いわゆる研磨法を用いてポ
リシリコン遮光膜２４を全面的に研磨除去したりする方
式も可能である。この場合、ポリシリコン遮光膜２４を
全面除去した後の完成した液晶表示装置の構造は、従来
の液晶表示装置の構造と同様になる。

【００６０】また、上記実施形態においては、透過型の
液晶表示装置の製造方法について述べたが、本発明の適
用は透過型の液晶表示装置の製造方法に限定されるもの
ではなく、例えば反射型の液晶表示装置の製造方法にお
いても有効に適用することができる。

【００６１】なお、この場合、透過型の液晶表示装置の
場合と異なり、完成した反射型の液晶表示装置の透明絶
縁基板の裏面全体に遮光膜が残存していても何ら問題を
生じないことから、一連の組立工程が終了した段階で透
明絶縁基板の裏面全体に形成した遮光膜を選択的に又は
全面的に除去する工程は不要となる。このため、上記実
施形態に係る透過型の液晶表示装置の製造方法の場合よ
りも、工程を簡略化することができる。

【００６２】

【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明に係
る液晶表示装置の製造方法によれば、次のような効果を
奏することができる。即ち、請求項１に係る液晶表示装
置によれば、透明絶縁基板の表面側に薄膜トランジスタ
を形成する際に、その透明絶縁基板の裏面に遮光膜を形
成し、この遮光膜を透明絶縁基板の裏面に残存させたま
まの状態で、ダイシング、対向基板のシール、液晶注
入、及び封止の一連の組立作業を行うことにより、これ
ら一連の組立作業を行う組立工程において紫外線を使用
しても、透明絶縁基板の裏面に遮光膜が存在しているた
めに、薄膜トランジスタへの紫外線の照射を遮断するこ
とが可能になる。従って、組立工程における紫外線の照
射に起因する薄膜トランジスタの特性劣化を防止するこ
とができ、延いては液晶表示装置の信頼性を向上させる
ことができる。

【００６３】また、請求項２に係る液晶表示装置の製造
方法によれば、上記請求項１に係る液晶表示装置の製造
方法において、透明絶縁基板の裏面に遮光膜を残存させ
たままの状態で一連の組立作業を行った後、透明絶縁基
板の裏面の遮光膜を除去することにより、透過型の液晶
表示装置に要求される開口部における光透過を確保する
ことができる。

【００６４】また、請求項３に係る液晶表示装置の製造
方法は、上記請求項２に係る液晶表示装置の製造方法に
おいて、透明絶縁基板の裏面から遮光膜を除去する際
に、遮光膜を選択的にエッチングして、光を透過させる
必要のある開口部領域の遮光膜を除去する一方、薄膜ト
ランジスタ及びこの薄膜トランジスタの配線部に対応す
る領域の遮光膜を残存させることにより、透過型の液晶
表示装置に要求される開口部における光透過が確保され
ると共に、薄膜トランジスタ部が裏面から見て遮光され
ている構造が実現されるため、組立後において紫外線が
使用される場合であっても、薄膜トランジスタの特性変
動を引き起こす光成分を遮光することができる。従っ
て、組立後における紫外線の照射に起因する薄膜トラン
ジスタの特性劣化を防止することができ、延いては液晶
表示装置の信頼性を向上させることができる。

【００６５】また、請求項４に係る液晶表示装置の製造
方法は、上記請求項２に係る液晶表示装置の製造方法に
おいて、透明絶縁基板の裏面から遮光膜を除去する際
に、遮光膜を全面除去することにより、透過型の液晶表
示装置に要求される開口部における光透過を確保するこ
とができると共に、遮光膜の除去を容易に行うことが可
能になるため、工程の煩雑化やスープットの低下を防止
することができ、延いてはコストの上昇を抑制すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る透過型の液晶表示装
置の製造方法を説明するための工程断面図（その１）で
あって、画素トランジスタ部を示すものである。

【図２】本発明の一実施形態に係る透過型の液晶表示装
置の製造方法を説明するための工程断面図（その１）で
あって、付加容量部を示すものである。

【図３】本発明の一実施形態に係る透過型の液晶表示装
置の製造方法を説明するための工程断面図（その２）で
あって、画素トランジスタ部を示すものである。

【図４】本発明の一実施形態に係る透過型の液晶表示装
置の製造方法を説明するための工程断面図（その２）で
あって、付加容量部を示すものである。

【図５】本発明の一実施形態に係る透過型の液晶表示装
置の製造方法を説明するための工程断面図（その３）で
あって、画素トランジスタ部を示すものである。

【図６】本発明の一実施形態に係る透過型の液晶表示装
置の製造方法を説明するための工程断面図（その３）で
あって、付加容量部を示すものである。

【図７】本発明の一実施形態に係る透過型の液晶表示装
置の製造方法を説明するための工程断面図（その４）で
あって、画素トランジスタ部を示すものである。

【図８】本発明の一実施形態に係る透過型の液晶表示装
置の製造方法を説明するための工程断面図（その４）で
あって、付加容量部を示すものである。

【図９】本発明の一実施形態に係る透過型の液晶表示装
置の製造方法を説明するための工程断面図（その５）で
あって、画素トランジスタ部を示すものである。

【図１０】本発明の一実施形態に係る透過型の液晶表示
装置の製造方法を説明するための工程断面図（その５）
であって、付加容量部を示すものである。

【図１１】本発明の一実施形態に係る透過型の液晶表示
装置の製造方法を説明するための工程断面図（その６）
であって、画素トランジスタ部を示すものである。

【図１２】本発明の一実施形態に係る透過型の液晶表示
装置の製造方法を説明するための工程断面図（その６）
であって、付加容量部を示すものである。

【図１３】図１１及び図１２に示す液晶表示装置のレイ
アウト図であって、データ線より下層の部分を示すもの
である。

【図１４】図１１及び図１２に示す液晶表示装置のレイ
アウト図であって、ゲート線及び付加容量線より上層の
部分を示すものである。

【図１５】本発明の一実施形態に係る透過型の液晶表示
装置の製造方法の変形例を説明するための工程断面図で
あって、画素トランジスタ部を示すものである。

【図１６】本発明の一実施形態に係る透過型の液晶表示
装置の製造方法の変形例を説明するための工程断面図で
あって、付加容量部を示すものである。

【図１７】従来の液晶表示装置の製造方法を説明するた
めの工程断面図（その１）であって、画素トランジスタ
部を示すものである。

【図１８】従来の液晶表示装置の製造方法を説明するた
めの工程断面図（その１）であって、付加容量部を示す
ものである。

【図１９】従来の液晶表示装置の製造方法を説明するた
めの工程断面図（その２）であって、画素トランジスタ
部を示すものである。

【図２０】従来の液晶表示装置の製造方法を説明するた
めの工程断面図（その２）であって、付加容量部を示す
ものである。

【符号の説明】

１０……透明絶縁基板、１２ａ、１２ｂ……導電性遮光
膜、１４……第１の絶縁膜、１６ａ……シリコン活性領
域、１６ｂ……シリコン電極、１８……第１の付加容
量、２０……第２の絶縁膜、２２……導電性のポリシリ
コン膜、２２ａ……ゲート線、２２ｂ……付加容量線、
２４、２４ａ……ポリシリコン遮光膜、２６……画素ト
ランジスタ、２８……第２の付加容量、３０……第３の
絶縁膜、３２ａ……Ａｌデータ線、３２ｂ……Ａｌ電
極、３４……ＰＳＧ膜、３６……Ｐ−ＳｉＮ膜、３８…
…第４の絶縁膜、４０ａ……Ｔｉ金属遮光膜、４０ｂ…
…Ｔｉ遮光電極膜、４２……平坦化絶縁膜、４４……Ｉ
ＴＯ画素電極、４６……透明対向電極層、４８……対向
透明基板、５０……液晶層、６０……透明絶縁基板、６
２……導電性遮光膜、６４……第１の絶縁膜、６６ａ…
…シリコン活性領域、６６ｂ……シリコン下部電極、６
８……第２の絶縁膜、７０ａ……ゲート線、７０ｂ……
付加容量線、７２……画素トランジスタ、７４……付加
容量、７６……第３の絶縁膜、７８ａ……Ａｌデータ
線、７８ｂ……Ａｌ電極、８０……ＰＳＧ膜、８２……
Ｐ−ＳｉＮ膜、８４……第４の絶縁膜、８６ａ……Ｔｉ
金属遮光膜、８６ｂ……Ｔｉ遮光電極膜、８８……平坦
化絶縁膜、９０……ＩＴＯ画素電極、９２……透明対向
電極層、９４……対向透明基板、９６……液晶層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H088 FA04 FA05 FA24 HA01 HA02 HA08 HA14 MA20 2H090 JA04 JA05 JD03 LA04 2H092 JA25 JA36 JA44 JA46 JB51 JB52 JB56 JB58 JB66 KA04 KA05 KB22 MA17 NA17 PA01 PA09 5G435 AA14 AA16 AA17 BB12 CC09 EE33 FF13 HH02 HH12 KK05

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明絶縁基板の表面側に、薄膜トランジ
   スタを形成すると共に、前記透明絶縁基板の裏面に、遮
   光膜を形成する第１の工程と、 前記透明絶縁基板の裏面に前記遮光膜を残存させたまま
   の状態で、前記透明絶縁基板のダイシング、対向基板の
   シール、液晶注入、及び封止の一連の組立作業を行う第
   ２の工程と、 を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の液晶表示装置の製造方法
   において、 前記第２の工程の後、前記透明絶縁基板の裏面の前記遮
   光膜を除去する第３の工程を有することを特徴とする液
   晶表示装置の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項２記載の液晶表示装置の製造方法
   において、 前記第３の工程が、前記遮光膜を選択的にエッチングし
   て、光を透過させる必要のある開口部領域の前記遮光膜
   を除去する一方、前記薄膜トランジスタ及び前記薄膜ト
   ランジスタの配線部に対応する領域の前記遮光膜を残存
   させる工程であることを特徴とする液晶表示装置の製造
   方法。
4. 【請求項４】 請求項２記載の液晶表示装置の製造方法
   において、 前記第３の工程が、前記遮光膜を前記透明絶縁基板の裏
   面から全面除去する工程であることを特徴とする液晶表
   示装置の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項１記載の液晶表示装置の製造方法
   において、 前記遮光膜が、ポリシリコン膜又は金属膜であることを
   特徴とする液晶表示装置の製造方法。