JP2015185791A - センサー検知用基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
一方、微細化技術で先行するICラインでは、TFTなどの構造体にこれから求められる微細化要求に対応できるサブミクロンルールのラインに余剰が生まれつつある。
Ra≦0.5nm ・・・(式1)
Ra≧0.1μm ・・・(式2)
前記凹凸を形成した面の表面粗さ(算術平均粗さ)Raが下記式2を満たす。これにより、センサーが透明基板を検知でき、透明基板を処理した後に金属汚染の発生及び残渣の発生を抑制する効果を高めることができる。
Ra≦0.5nm ・・・(式1)
Ra≧0.1μm ・・・(式2)
本発明の一態様に係るセンサー検知用基板の製造方法について図1を参照しつつ説明する。
Ra≦0.5nm ・・・(式1)
Ra≧0.1μm ・・・(式2)
なお本実施形態では、石英基板101の両面を研磨した後に、第2の面101bに凹凸101cを形成するが、これに限定されない。石英基板101の両面に凹凸を形成した後に、第1の面を研磨して研磨面101aを形成してもよい。また、石英基板101の第2の面101bに凹凸101cを形成した後に、第2の面101bとは反対側の第1の面を研磨して研磨面101aを形成してもよい。石英基板101の第1の面を研磨して研磨面101aを形成した後に、第1の面とは反対側の第2の面101bに凹凸101cを形成してもよい。その研磨面101aの表面粗さ(算術平均粗さ)Raは上記式1を満たすものとなる。その凹凸101cを形成した面の表面粗さ(算術平均粗さ)Raは上記式2を満たすものとなる。
比較例としてのセンサー検知用基板の製造方法について図2を参照しつつ説明する。
図3は、図1(A)に示す本実施形態の石英基板(片面研磨)及び図2(A)に示す比較例の石英基板(両面研磨)の光の散乱特性評価を行った結果を示す図である。
図4(A),(B)は、図2(C)に示す比較例のドライエッチングによる全面エッチバック後の石英基板101の研磨面101a側に集光器をあてて外観検査を行い、多結晶シリコン膜102の膜残りの有無を観察した結果を示すものである。図4(A)は、全面エッチバックした際の静電チャック(ESC)方式のステージと石英基板の位置関係を示す断面図であり、図4(B)は、全面エッチバック後の石英基板の研磨面101a側を示す平面図である。
図5は、図1(C)に示す本実施形態の第2の面に凹凸と多結晶シリコン膜を形成した石英基板(片面研磨)及び図2(C)に示す比較例の第2の面に多結晶シリコン膜を形成し、凹凸は形成していない石英基板(両面研磨)について基板検知評価を行った結果を示す図である。
図6(A),(B)は、図2(D)に示す比較例のドライエッチング後の石英基板101の研磨面101a側に集光器をあてて外観検査を行い、レジスト焦げの有無を観察した結果を示すものであり、図6(A)は、ドライエッチングした際の静電チャック(ESC)方式のステージと石英基板の位置関係を示す断面図であり、図6(B)は、ドライエッチング後の石英基板の研磨面101a側を示す平面図である。
Claims (7)
- 透明基板と、
前記透明基板の第1の面に形成された研磨面と、
前記透明基板の第1の面とは反対側の第2の面に形成された凹凸と、
前記第2の面に形成された非金属膜と、
を具備することを特徴とするセンサー検知用基板。 - 請求項1において、
前記研磨面の表面粗さRaが下記式1を満たし、
前記凹凸を形成した前記第2の面の表面粗さRaが下記式2を満たすことを特徴とするセンサー検知用基板。
Ra≦0.5nm ・・・(式1)
Ra≧0.1μm ・・・(式2) - 請求項1または2において、
前記非金属膜は半導体膜であることを特徴とするセンサー検知用基板。 - 透明基板の第1の面を研磨し、
前記透明基板の第1の面とは反対側の第2の面に凹凸を形成し、 前記第2の面に非金属膜を形成することを特徴とするセンサー検知用基板の製造方法。 - 請求項4において、
前記透明基板の第1の面を研磨することで、当該研磨した面の表面粗さRaが下記式1を満たし、
前記凹凸を形成した面の表面粗さRaが下記式2を満たすことを特徴とするセンサー検知用基板。
Ra≦0.5nm ・・・(式1)
Ra≧0.1μm ・・・(式2) - 請求項4または5において、
前記非金属膜は半導体膜であることを特徴とするセンサー検知用基板の製造方法。 - 請求項4乃至6のいずれか一項において、
前記非金属膜を形成した後に、前記透明基板の第1の面上に酸化膜または酸窒化膜を形成し、前記酸化膜または酸窒化膜をドライエッチングしても残渣が前記透明基板の外周に残らないことを特徴とするセンサー検知用基板の製造方法。
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JP2014063226A JP2015185791A (ja) | 2014-03-26 | 2014-03-26 | センサー検知用基板及びその製造方法 |
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57204115A (en) * | 1981-06-10 | 1982-12-14 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
JPH11330480A (ja) * | 1998-05-19 | 1999-11-30 | Matsushita Electron Corp | 薄膜トランジスタの製造方法 |
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JP2009229753A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Citizen Finetech Miyota Co Ltd | 透過型液晶表示素子の製造方法及び透過型液晶表示素子ならびに液晶プロジェクタ装置 |
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2014
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