JPH11330344A - 複合半導体装置 - Google Patents
複合半導体装置Info
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- JPH11330344A JPH11330344A JP14834998A JP14834998A JPH11330344A JP H11330344 A JPH11330344 A JP H11330344A JP 14834998 A JP14834998 A JP 14834998A JP 14834998 A JP14834998 A JP 14834998A JP H11330344 A JPH11330344 A JP H11330344A
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- semiconductor device
- insulating case
- external lead
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ボンディングワイヤが確実に外部導出端子の
下端先端部にボンディングされるようにする。 【解決手段】 ボンディングワイヤ６が接続される外部
導出端子５の下端先端部５１をＬ字状に折曲げ、該先端
部５１が絶縁ケース３内に埋没するようにインサートモ
ールドする。
下端先端部にボンディングされるようにする。 【解決手段】 ボンディングワイヤ６が接続される外部
導出端子５の下端先端部５１をＬ字状に折曲げ、該先端
部５１が絶縁ケース３内に埋没するようにインサートモ
ールドする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複合半導体装置に関
し、特に絶縁ケースにインサートモールドした外部導出
端子の下端先端部にボンディングワイヤが確実にボンデ
ィングできるようにした複合半導体装置に関するもので
ある。
し、特に絶縁ケースにインサートモールドした外部導出
端子の下端先端部にボンディングワイヤが確実にボンデ
ィングできるようにした複合半導体装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の複合半導体装置の概略構
造について、図４を参照して説明する。図４は複合半導
体装置の絶縁ケースの一部を切断した断面図であり、本
発明を示す図１のＡ−Ａ線に沿う断面図に対応してい
る。図において、１は金属放熱板であり、この放熱板１
には所定の導体パターンが形成された絶縁基板２が固着
され、この絶縁基板２の導体パターン上に半導体チップ
４等の電子部品が搭載・固着されている。
造について、図４を参照して説明する。図４は複合半導
体装置の絶縁ケースの一部を切断した断面図であり、本
発明を示す図１のＡ−Ａ線に沿う断面図に対応してい
る。図において、１は金属放熱板であり、この放熱板１
には所定の導体パターンが形成された絶縁基板２が固着
され、この絶縁基板２の導体パターン上に半導体チップ
４等の電子部品が搭載・固着されている。
【０００３】また、上記放熱板１の外周には、外部導出
端子５をインサートモールドした絶縁ケース３が被せら
れている。外部導出端子５の一端５Ａは、絶縁ケース３
の上部開口端から外部に導出され、他端５Ｂは、ボンデ
ィングワイヤをボンディングするための領域として一定
の範囲に亘って絶縁ケース３の底部表面に露出させてあ
る。そして、外部導出端子５の他端５Ｂの表面部と半導
体チップ４の表面電極とはボンディングワイヤ６により
ボンディングされている。
端子５をインサートモールドした絶縁ケース３が被せら
れている。外部導出端子５の一端５Ａは、絶縁ケース３
の上部開口端から外部に導出され、他端５Ｂは、ボンデ
ィングワイヤをボンディングするための領域として一定
の範囲に亘って絶縁ケース３の底部表面に露出させてあ
る。そして、外部導出端子５の他端５Ｂの表面部と半導
体チップ４の表面電極とはボンディングワイヤ６により
ボンディングされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の複合半導体装置
は、上記のように外部導出端子５の他端５Ｂの表面部と
半導体チップ４の表面電極とは、ボンディングワイヤ６
によりボンディングされるが、かかる場合、ボンディン
グ機械により超音波振動を与えながらボンディングして
いる。その際、インサートモールドされた外部導出端子
５の他端５Ｂは、絶縁ケース３の底部表面に露出してい
て絶縁ケース３への付着が不十分であるために、超音波
振動を与えるボンディング機械のアームと共に共振して
しまい、ボンディングが不十分になるおそれがあった。
は、上記のように外部導出端子５の他端５Ｂの表面部と
半導体チップ４の表面電極とは、ボンディングワイヤ６
によりボンディングされるが、かかる場合、ボンディン
グ機械により超音波振動を与えながらボンディングして
いる。その際、インサートモールドされた外部導出端子
５の他端５Ｂは、絶縁ケース３の底部表面に露出してい
て絶縁ケース３への付着が不十分であるために、超音波
振動を与えるボンディング機械のアームと共に共振して
しまい、ボンディングが不十分になるおそれがあった。
【０００５】
【発明の目的】本発明は、上記のような課題を解決する
ためのなされたもので、ボンディングワイヤが確実に外
部導出端子の下端先端部にボンディングされるようにし
た複合半導体装置を提供することを目的とするものであ
る。
ためのなされたもので、ボンディングワイヤが確実に外
部導出端子の下端先端部にボンディングされるようにし
た複合半導体装置を提供することを目的とするものであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の複合半導体装置
は、金属放熱板の上面に導体パターンを形成した絶縁基
板を介して半導体チップ、外部導出端子等の電子部品が
搭載され、前記放熱板の外周に、その壁面内に外部導出
端子がインサートモールドされた両端開口の絶縁ケース
が被せられ、上記電子部品と上記外部導出端子とを電気
的に接続するボンディングワイヤを備える複合半導体装
置において、前記ボンディングワイヤが接続される外部
導出端子の下端先端部をＬ字状に折曲げ、該先端部が前
記絶縁ケース内に埋没するようにインサートモールドし
たことを特徴とするものである。
は、金属放熱板の上面に導体パターンを形成した絶縁基
板を介して半導体チップ、外部導出端子等の電子部品が
搭載され、前記放熱板の外周に、その壁面内に外部導出
端子がインサートモールドされた両端開口の絶縁ケース
が被せられ、上記電子部品と上記外部導出端子とを電気
的に接続するボンディングワイヤを備える複合半導体装
置において、前記ボンディングワイヤが接続される外部
導出端子の下端先端部をＬ字状に折曲げ、該先端部が前
記絶縁ケース内に埋没するようにインサートモールドし
たことを特徴とするものである。
【００１０】また、本発明の複合半導体装置は、前記外
部導出端子の下端先端部に抜け止め加工を施したことを
特徴とするものである。
部導出端子の下端先端部に抜け止め加工を施したことを
特徴とするものである。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の複合半導体装置を図を参照し
て説明する。図１は、本発明の複合半導体装置の一部を
示す平面図である。また、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う
断面図である。これらの図において、従来の複合半導体
装置と同一部分には同一符号を付してその説明は省略す
る。
て説明する。図１は、本発明の複合半導体装置の一部を
示す平面図である。また、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う
断面図である。これらの図において、従来の複合半導体
装置と同一部分には同一符号を付してその説明は省略す
る。
【００１２】本発明の特徴は、ボンディングワイヤ６が
接続される外部導出端子５の下端先端部５１をＬ字状に
折曲げ、該先端部５１が絶縁ケース３内に埋没するよう
にインサートモールドしたことである。なお、上記の下
端先端部５１の絶縁ケース３との固着を強固にするため
に、当該先端部５１に上方に向かって幅が広がるように
逆テーパを付したり、端面を鋸歯状にするなどの抜け止
め加工を施すようにしても良い。
接続される外部導出端子５の下端先端部５１をＬ字状に
折曲げ、該先端部５１が絶縁ケース３内に埋没するよう
にインサートモールドしたことである。なお、上記の下
端先端部５１の絶縁ケース３との固着を強固にするため
に、当該先端部５１に上方に向かって幅が広がるように
逆テーパを付したり、端面を鋸歯状にするなどの抜け止
め加工を施すようにしても良い。
【００１３】また、図３に示すように、外部導出端子５
の下端先端部５１をさらに直角に折曲げた水平部５２を
形成し、絶縁ケース３の端部から外部に突き出すように
しても良い。上記の場合には外部導出端子５をリードフ
レーム状に形成し、最終工程で不要部分を切除するよう
にする。
の下端先端部５１をさらに直角に折曲げた水平部５２を
形成し、絶縁ケース３の端部から外部に突き出すように
しても良い。上記の場合には外部導出端子５をリードフ
レーム状に形成し、最終工程で不要部分を切除するよう
にする。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、上記のようにボンディ
ングワイヤが接続される外部導出端子の下端先端部をＬ
字状に折曲げ、該先端部が絶縁ケース内に埋没するよう
にインサートモールドしたので、下端先端部の絶縁ケー
スに対する付着力が増大する。このため、ボンディング
する際にボンディング機械によって該下端先端部に振動
を与えても下端先端部が剥がれて共振するようなことが
なく、確実にボンディングすることができ、不良品を減
少させることができる。
ングワイヤが接続される外部導出端子の下端先端部をＬ
字状に折曲げ、該先端部が絶縁ケース内に埋没するよう
にインサートモールドしたので、下端先端部の絶縁ケー
スに対する付着力が増大する。このため、ボンディング
する際にボンディング機械によって該下端先端部に振動
を与えても下端先端部が剥がれて共振するようなことが
なく、確実にボンディングすることができ、不良品を減
少させることができる。
【図１】本発明の複合半導体装置に用いる絶縁ケースの
平面図である。
平面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図３】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図４】従来の複合半導体装置に用いる図２と同様の断
面図である。
面図である。
１ 金属放熱板 ２ 絶縁基板 ３ 絶縁ケース ４ 半導体チップ ５ 外部導出端子 ６ ボンディングワイヤ ５１ 外部導出端子の下端先端部
Claims (2)
- 【請求項１】 金属放熱板の上面に導体パターンを形成
した絶縁基板を介して半導体チップ、外部導出端子等の
電子部品が搭載され、前記放熱板の外周に、その壁面内
に外部導出端子がインサートモールドされた両端開口の
絶縁ケースが被せられ、上記電子部品と上記外部導出端
子とを電気的に接続するボンディングワイヤを備える複
合半導体装置において、 前記ボンディングワイヤが接続される外部導出端子の下
端先端部をＬ字状に折曲げ、該先端部が前記絶縁ケース
内に埋没するようにインサートモールドしたことを特徴
とする複合半導体装置。 - 【請求項２】 前記外部導出端子の下端先端部に抜け止
め加工を施したことを特徴とする請求項１に記載の複合
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14834998A JP3347059B2 (ja) | 1998-05-13 | 1998-05-13 | 複合半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14834998A JP3347059B2 (ja) | 1998-05-13 | 1998-05-13 | 複合半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330344A true JPH11330344A (ja) | 1999-11-30 |
| JP3347059B2 JP3347059B2 (ja) | 2002-11-20 |
Family
ID=15450784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14834998A Expired - Lifetime JP3347059B2 (ja) | 1998-05-13 | 1998-05-13 | 複合半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3347059B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104979221A (zh) * | 2014-04-01 | 2015-10-14 | 富士电机株式会社 | 半导体装置的制造方法及半导体装置 |
| WO2018096656A1 (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1998
- 1998-05-13 JP JP14834998A patent/JP3347059B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104979221A (zh) * | 2014-04-01 | 2015-10-14 | 富士电机株式会社 | 半导体装置的制造方法及半导体装置 |
| US9437527B2 (en) | 2014-04-01 | 2016-09-06 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing electrical connections in a semiconductor device and the semiconductor device |
| WO2018096656A1 (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JPWO2018096656A1 (ja) * | 2016-11-25 | 2019-04-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| CN110024118A (zh) * | 2016-11-25 | 2019-07-16 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
| US10763183B2 (en) | 2016-11-25 | 2020-09-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3347059B2 (ja) | 2002-11-20 |
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