JPH11329802A - チップ型抵抗器及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造工程の簡略化を果たすことができ、かつ
抵抗温度係数のばらつき及び電流雑音を低減し得る、安
価なチップ型抵抗器を得る。 【解決手段】 下面２ｂの両端が上面２ａに向かって傾
斜されている傾斜面２ｂ₁ ，２ｂ₂ を有する絶縁性基板
２の下面２ｂの両端に至るように卑金属膜よりなる抵抗
膜３が形成されており、抵抗膜３の中央部分を被覆する
ように絶縁性保護層４が形成されており、抵抗膜３の両
端近傍部分において、抵抗膜３上に外部電極５，６が形
成されているチップ型抵抗器１。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板の一方面に抵
抗膜が設けられた構造を有するチップ型抵抗器及びその
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】プリント回路基板などに実装される抵抗
器として、種々のチップ型抵抗器が知られている。図７
は、従来のチップ型抵抗器の一例を示す断面図である。

【０００３】チップ型抵抗器５１では、アルミナなどの
絶縁性材料よりなる絶縁性基板５２が用いられている。
絶縁性基板５２の上面においいては、両端に電極５３
ａ，５３ｂが形成されている。同様に、絶縁性基板５２
の下面においては、両端に電極５３ｃ，５３ｄが形成さ
れている。

【０００４】絶縁性基板５２の上面においては、電極５
３ａ，５３ｂに両端が接続されるように抵抗膜５４が形
成されている。また、抵抗膜５４を外部から保護するた
めに、抵抗膜５４の露出されている部分が絶縁性保護膜
５５で被覆されている。絶縁性基板５２の両端には、外
部電極５６，５７が形成されている。外部電極５６，５
７は、それぞれ、電極５３ａ，５３ｃまたは電極５３
ｂ，５３ｄに電気的に接続されている。

【０００５】また、電極５６，５７は、それぞれ、Ａｇ
層５６ａ，５７ａ、Ｎｉメッキ層５６ｂ，５７ｂ及び最
外側に形成された半田メッキ層５６ｃ，５７ｃを有す
る。上記チップ型抵抗器５１は、以下の工程を経て製造
されていた。すなわち、図８（ａ）に示すように、マザ
ーの絶縁性基板５２Ａを用意する。マザーの絶縁性基板
５２Ａの一方主面上には複数本の平行なスクライブ溝Ａ
と、該スクライブ溝Ａに直交する複数本のスクライブ溝
Ｂとが形成されている。スクライブ溝Ａ，Ｂで囲まれた
矩形の領域が、個々のチップ型抵抗器を構成する基板部
分となる。

【０００６】次に、マザーの絶縁性基板５２Ａの裏面に
おいて、図７に示した電極５３ｃ，５３ｄに対応する位
置にＡｇペーストを印刷し、焼成することにより裏面電
極（図示せず）を形成する。次に、スクライブ溝Ａ，Ｂ
が形成されている表面側において、上記裏面電極と対応
する位置にＡｇペーストを印刷し、乾燥する。

【０００７】このスクライブ溝Ａ，Ｂで囲まれた各領域
において、上記のようにして乾燥されたＡｇペースト層
に跨がるように酸化ルテニウムからなる抵抗膜を形成
し、焼成する。それによって、図８（ｂ）で示すよう
に、表面電極５８，５８間に跨がるように抵抗膜５４が
形成される。なお、図８（ｂ）における表面電極５８
は、最終的にスクライブ溝Ａに沿って分割されることに
より、図７に示した電極５３ａまたは電極５３ｂを構成
する。また、前述した裏面電極は、図８（ｂ）で示され
ている表面電極５８と表裏対向する位置に形成されてい
る。

【０００８】次に、各領域における抵抗値を調整するた
めに、抵抗膜５４をトリミングする。さらに、抵抗膜５
４の露出部分を覆うようにガラスなどの絶縁性保護膜を
印刷し、焼成し、絶縁性保護膜５５（図７参照）を形成
する。しかる後、スクライブ溝Ａに沿って絶縁性基板５
２Ａを分割し、図８（ｃ）に示す短冊状のマザー基板５
２Ｂを得る（ここでは、絶縁性保護膜は図示を省略して
ある。）。この分割により、表面電極５８から上述した
電極５３ａ，５３ｂが形成され、裏面側においては裏面
電極が分割されて電極５３ｃ，５３ｄが形成されること
になる。

【０００９】次に、短冊状のマザーの絶縁性基板５２Ｂ
の両側面にＡｇ含有導電ペーストを塗布し、焼成するこ
とにより、Ａｇ層５６ａ，５７ａを形成する。さらに、
Ａｇ層５６ａ，５７ａ上にＮｉをメッキし、さらに最外
側表面に半田をメッキし、スクライブ溝Ｂに沿って分割
することにより、チップ型抵抗器５１が得られる。

【００１０】他方、特開平８−３１６００３号公報に
は、図９に示すチップ型抵抗器６１の製造方法が開示さ
れている。このチップ型抵抗器６１では、アルミナなど
の絶縁性材料よりなる絶縁性基板６２の上面にＮｉ電極
６３が形成されており、該Ｎｉ電極６３の上面に抵抗膜
６４が形成されている。上記Ｎｉ電極６３及び抵抗膜６
４の両端は、外部電極６６，６７に電気的に接続されて
いる。また、抵抗膜６４の上面には、抵抗膜６４を保護
するための絶縁性保護膜６５が形成されている。

【００１１】外部電極６６，６７は、Ａｇ層６６ａ，６
７ａ、Ｎｉメッキ層６６ｂ，６７ｂ及び半田メッキ層６
６ｃ，６７ｃを積層した構造を有する。チップ型抵抗器
６１の製造方法を、図１０に示すフローチャートを参照
して説明する。

【００１２】まず、アルミナなどからなる絶縁性基板６
２の表面をフッ酸水溶液を用いてエッチングし、荒ら
す。次に、抵抗膜６４の下地となるＮｉ電極６３を、Ｎ
ｉを無電解メッキすることにより形成する。しかる後、
Ｎｉ電極６３上に、電解メッキによりＣｕ膜及びＮｉ膜
を順次形成し、８００℃の温度で熱処理することによ
り、Ｃｕ−Ｎｉ合金とし、Ｃｕ−Ｎｉ合金からなる抵抗
膜６４を形成する。

【００１３】次に、抵抗値を調整するために、抵抗膜６
４をレーザを用いてトリミングする。しかる後、マザー
の絶縁性基板を個々の抵抗器単位に分割する。さらに、
分割された絶縁性基板６２において、抵抗膜６４上にエ
ポキシ樹脂系ペーストをスクリーン印刷し、絶縁性保護
膜６５を形成し、２００℃の温度で乾燥し、硬化する。

【００１４】次に、Ａｇペーストをローラー塗布機によ
り塗布し、乾燥し、焼成することにより、Ａｇ層６６
ａ，６７ａを形成する。さらに、Ａｇ層６６ａ，６７ａ
上に、Ｎｉを電解メッキし、Ｎｉメッキ層６６ｂ，６７
ｂを形成する。さらに、Ｎｉメッキ層６６ｂ，６７ｂ上
に、半田をメッキし、半田メッキ層６６ｃ，６７ｃを形
成する。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のチップ
型抵抗器５１，６１では、外部電極５６，５７，６６，
６７は、いずれも、絶縁性基板５２，６２の両端面にお
いて、端面だけでなく、上面及び下面にも及ぶように、
すなわち、３面に至るように形成されていた。また、各
面において外部電極５６，５７，６６，６７を形成する
に際し、導電ペーストの印刷、乾燥及び焼成によりＡｇ
層５６ａ，５７ａ，６６ａ，６７ａを形成する必要があ
り、さらに、半田食われを防止するためにＮｉメッキ層
５６ｂ，５７ｂ，６６ｂ，６７ｂを形成し、最外側に半
田付け性を高めるために半田メッキ層を５６ｃ，５７
ｃ，６６ｃ，６７ｃを形成しなければならなかった。従
って、外部電極形成に際しての工程が非常に煩雑であ
り、かつ３層構造の外部電極を形成していたためコスト
が非常に高くつくという問題があった。

【００１６】加えて、チップ型抵抗器５１では、抵抗膜
５４を構成する材料として、高価な貴金属であるＲｕの
酸化物を用いているため、材料コストが高くつくという
問題もあった。

【００１７】加えて、酸化ルテニウムにより抵抗膜５４
を形成した場合、抵抗温度係数（ＴＣＲ）のばらつきが
大きいこと、酸化物よりなるため、電流雑音が多いこ
と、高周波特性が十分でないことなどの問題もあった。

【００１８】本発明の目的は、外部電極形成に際しての
製造工程の簡略化を図ることができ、安価であり、かつ
製造容易なチップ型抵抗器及び該チップ型抵抗器の製造
方法を提供することにある。

【００１９】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明に
係るチップ型抵抗器は、一方主面の両端近傍部分が、他
方主面側に向かって傾斜面とされている基板と、前記基
板の一方主面において両端に至るように形成されてお
り、卑金属を含む合金膜により構成されている抵抗膜
と、前記抵抗膜の両端近傍部分を覆うように抵抗膜上に
形成されたメッキ層からなる外部電極と、前記外部電極
間において抵抗膜上に形成された絶縁性保護膜とを備え
ることを特徴とする請求項２に記載の発明では、前記外
部電極が、半田メッキ層により構成されている。

【００２０】請求項３に記載の発明では、上記外部電極
が、Ｎｉメッキ層と、Ｎｉメッキ層上に形成された半田
メッキ層とを備える。請求項４に記載の発明では、前記
抵抗膜が、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｐ系合金膜である。

【００２１】請求項５に記載の発明に係るチップ型抵抗
器の製造方法は、一方主面にマトリクス状に個々のチッ
プ型抵抗器を構成するための領域を区画するようにスク
ライブ溝が形成されているマザー基板を用意する工程
と、前記マザー基板の各領域内において対向しているス
クライブ溝に両端が至るように卑金属を含む合金膜より
なる抵抗膜を形成する工程と、前記各領域において抵抗
膜の中央部分を覆うように絶縁性保護膜を形成する工程
と、前記マザー基板を、スクライブ溝に沿って個々のチ
ップ型抵抗器単位に分割する工程と、前記抵抗膜の絶縁
性保護膜で被覆されている部分以外の両端近傍部分に導
電膜をメッキし、外部電極を形成する工程とを備えるこ
とを特徴とする。

【００２２】請求項６に記載の発明では、上記抵抗膜
が、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｐ系合金膜を無電解メッキすることに
より形成される。請求項７に記載の発明では、スクライ
ブ溝の開口幅及び深さが、それぞれ、１００〜３００μ
ｍの範囲とされる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
具体的な実施例を説明することにより本発明を明らかに
する。

【００２４】図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の
実施例に係るチップ型抵抗器の側面図及び正面断面図を
示す。チップ型抵抗器１は、アルミナなどの絶縁性材料
である絶縁性基板２を用いて構成されている。絶縁性基
板２を構成する材料については、アルミナに限定され
ず、他の適宜の絶縁性材料を用いることができ、好まし
くは、アルミナなどの絶縁性セラミックスが用いられ
る。

【００２５】絶縁性基板２は、矩形板状の形状を有し、
上面２ａは平坦であるが、下面２ｂにおいては、両端近
傍に傾斜面２ｂ₁ ，２ｂ₂ が形成されている。すなわ
ち、下面２ｂは、両端において上面２ａ側に近づくよう
に傾斜されており、それによって両端近傍に傾斜面２ｂ
₁ ，２ｂ₂ が形成されている。

【００２６】なお、下面２ｂの両端とは、上記傾斜面２
ｂ₁ ，２ｂ₂ の外側端をいうものとする。下面２ｂにお
いては、両端に至るように、抵抗膜３が形成されてい
る。抵抗膜３は、チップ型抵抗器１の抵抗特性を実現し
得る適宜の卑金属を含む合金膜により構成することがで
きるが、本実施例では、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｐ系合金膜により
構成されている。

【００２７】抵抗膜３の両端近傍部分間の中央領域に
は、抵抗膜３を被覆するように絶縁性保護膜４が形成さ
れている。絶縁性保護膜４は、適宜の絶縁性材料、例え
ば合成樹脂などにより構成することができるが、本実施
例では、エポキシ系樹脂により構成されている。

【００２８】絶縁性保護膜４の両側には、外部電極５，
６が形成されている。外部電極５，６は、本実施例で
は、Ｎｉメッキ層５ａ，６ａ及び半田メッキ層５ｂ，６
ｂを積層した構造を有する。

【００２９】この外部電極５，６が形成される位置は、
抵抗膜３の両端近傍部分、すなわち上記傾斜面２ｂ₁ ，
２ｂ₂ が形成されている部分を含む両端近傍の領域であ
る。チップ型抵抗器１では、傾斜面２ｂ₁ ，２ｂ₂ が形
成されており、合金膜からなる抵抗膜３が上記傾斜面２
ｂ₁ ，２ｂ₂ にも至るように形成されている。そして、
外部電極５，６は、この傾斜面２ｂ₁ ，２ｂ₂ に至る抵
抗膜部分上に形成されているので、合金膜よりなる抵抗
膜３自体が外部電極のための下地電極として機能する。

【００３０】従って、上記のように、外部電極５，６を
形成するにあたり、直接Ｎｉメッキ層５ａ，６ａを形成
することができる。よって、Ａｇペーストのローラー塗
布機を用いた塗布、乾燥及び焼成といった煩雑な工程を
省略することができる。すなわち、外部電極形成工程を
簡略化することができる。また、抵抗膜３が、Ｎｉ−Ｆ
ｅ−Ｐ系合金膜、すなわち、卑金属材料を用いているた
め、抵抗膜３の材料コストを低減することができる。加
えて、抵抗膜３が酸化物を用いるものではないため、電
流雑音の低減及び高周波特性の向上を図り得る。

【００３１】さらに、後述の製造方法から明らかなよう
に、チップ型抵抗器１では、外部電極形成工程だけでな
く、製造工程全体を簡略化することができ、それによっ
てチップ型抵抗器のコストを低減することができる。

【００３２】チップ型抵抗器１では、外部電極５，６
は、絶縁性基板２の下面２ｂの両端近傍部分に形成され
ており、絶縁性基板２の側面全体を覆うようには形成さ
れていない。しかしながら、図２に略図的断面図で示す
ように、プリント回路基板７上に実装し、半田により外
部電極５，６を接合した場合、確実に半田フィレット８
ａ，８ｂが形成される。従って、従来のチップ型抵抗器
と同様に、プリント回路基板７に確実に面実装すること
ができる。

【００３３】特に、上記傾斜面２ｂ₁ ，２ｂ₂ の高さ方
向距離、すなわち、傾斜面２ｂ₁ ，２ｂ₂ の外側端と下
面２ｂとの間の高さ方向距離が１００μｍ以上あれば、
半田フィレット８ａ，８ｂが確実に形成され、さらに実
装後に半田付け状態を目視により容易に確認し得ること
が確かめられている。

【００３４】チップ型抵抗器１の製造方法を図３に示す
フローチャートを参照しつつ説明する。まず、絶縁性基
板２を得るためのマザー基板として、図４に矢印Ｃ，Ｄ
で示す複数本のスクライブ溝が互いに直交する方向に形
成されたマザー基板１１を用意する。矢印Ｃ，Ｄで示す
スクライブ溝で囲まれた各領域が個々のチップ型抵抗器
１の絶縁性基板２を構成する部分となる。上記スクライ
ブ溝については、図５に断面図で示すように、その開口
幅Ｘ及び深さＹが１００〜３００μｍの範囲となるよう
にスクライブ溝を形成する。このスクライブ溝Ｃ，Ｄの
幅が１００μｍ未満の場合には、最終的に得られたチッ
プ型抵抗器をプリント回路基板に実装する際に、半田フ
ィレットの形成が良好に行われず、かつ実装後に半田接
合部分を目視により確認することが困難となることがあ
る。逆に、３００μｍを超えると、深さ方向に対して
は、通常使用するアルミナ基板厚み０．４〜０．６ｍｍ
に対しスクライブ溝が深く親基板の強度が弱くなり、製
造歩留まり上、実用性がなくなることがある。また、幅
方向に対しては素子サイズに対する誤差要因が大きくな
り、実用的ではない。

【００３５】上記スクライブ溝の形成は、アルミナグリ
ーンシートを用意し、型押し等により溝を成形した後、
１５００℃程度の温度で焼成することにより行い得る。
次に、抵抗膜の密着性を高めるために、フッ酸水溶液を
用いて上記マザー基板をエッチングする。エッチング
は、マザー基板をフッ酸水溶液に浸漬することにより容
易に行い得る。もっとも、エッチングは、抵抗膜が形成
される側の面、すなわち、スクライブ溝Ｃ，Ｄが形成さ
れている面に対してのみ行ってもよい。

【００３６】次に、マザー基板に抵抗膜を形成するため
に、マザー基板の裏面をマスクし、塩化すず水溶液及び
塩化パラジウム水溶液を用い、感受性化及び活性化処理
を施す。すなわち、マザー基板を塩化すず水溶液に浸漬
し、次に塩化パラジウム水溶液に浸漬することにより、
感受性化及び活性化処理を施す。この感受性化処理及び
活性化処理は、抵抗膜を無電解メッキにより絶縁性基板
上に付着させるためである。

【００３７】上記感受性化処理及び活性化処理を行うに
際しては、マザー基板の抵抗膜が形成されない側の面、
図１における絶縁性基板２の上面２ａに相当する面には
活性層を形成しないことが望ましい。従って、図４に示
すように、２枚のマザー基板１１，１１を用意し、スク
ライブ溝が形成されていない側の面同士を重ね合わせて
裏面をマスクし、上記感受性化処理及び活性化処理を行
うことが望ましい。

【００３８】しかる後、ニッケル塩、鉄塩、還元剤、錯
化剤及びｐＨ調整剤を調合し、抵抗膜形成用メッキ浴を
用意する。このメッキ浴の温度を６０℃とし、上記マザ
ーの絶縁性基板を浸漬し、メッキ法によりＮｉＦｅＰ系
合金膜よりなる抵抗膜を形成する。この場合、上記メッ
キ浴にマザーの絶縁性基板を約３０分間浸漬すれば、約
１０Ω／ｃｍ² のシート抵抗の抵抗膜を形成することが
できる。もっとも、このメッキ浴への浸漬時間等につい
ては、目的とする抵抗値等に応じて適宜定めればよい。

【００３９】また、上記メッキにより形成された抵抗膜
は、２５０℃の温度で３時間程度熱処理することにより
安定化される。従って、合金化のために高温度による熱
処理を行う必要がなく、エネルギーコストの低減及び製
造工程の簡略化を果たすことができる。

【００４０】次に、必要ならば、レーザによりトリミン
グし、抵抗値を調整してもよいが、上記のように抵抗膜
の抵抗値はメッキ浴への浸漬時間を制御することにより
行い得る。従って、煩雑なトリミング工程を省略するこ
とも可能である。

【００４１】しかる後、上記マザー基板１１において、
各チップ型抵抗器１の抵抗膜の両端近傍を除いた中央部
分に、エポキシ樹脂ペーストをスクリーン印刷し、紫外
線を照射し硬化させ、絶縁性保護膜４を形成する。この
絶縁性保護膜４の厚みは、硬化後の厚みで５〜１０μｍ
程度とすることが望ましい。

【００４２】次に、上記絶縁性保護膜４を形成した後、
マザー基板２をスクライブ溝Ｃ，Ｄに沿って分割し、個
々のチップ型抵抗器１単位の絶縁性基板２を得る。しか
る後、個々の絶縁性基板２において、抵抗膜４上に、Ｎ
ｉ及び半田を順次電解メッキし、Ｎｉメッキ層５ａ，６
ａ及び半田メッキ層５ｂ，６ｂを形成する。

【００４３】このようにしてチップ型抵抗器１が得られ
る。上記実施例では、抵抗膜３上に、Ｎｉメッキ層５
ａ，６ａを形成し、さらに、半田メッキ層５ｂ，６ｂを
形成したが、図６（ａ）及び（ｂ）に示す第２の実施例
のように、Ｎｉメッキ層を省略してもよい。すなわち、
チップ型抵抗器２１では、抵抗膜４上に直接半田メッキ
層よりなる外部電極２５，２６が形成されている。すな
わち、外部電極において下地層としてＡｇ系材料を用い
ていないため、半田食われを防止するためのＮｉメッキ
層５ａ，６ａ（図１）を使用する必要は必ずしもなく、
直接半田メッキ層のみからなる外部電極２５，２６を形
成してもよい。

【００４４】もっとも、実装時の外部電極材料の流出を
抑制する上では、図１に示したようにＮｉメッキ層５
ａ，６ａ形成することが望ましい。第１，第２の実施例
では、抵抗膜３を構成する材料として、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｐ
系合金膜を示したが、抵抗膜３を構成する材料として
は、酸化ルテニウムのような高価の材料ではなく、かつ
メッキ法により容易に形成し得る限り、ＮｉＣｕ、Ｎｉ
Ｃｒなどの卑金属を用いた適宜の合金膜を用いることが
できる。

【００４５】また、上記外部電極５，６の形成位置は、
傾斜面２ｂ₁ ，２ｂ₂ 上のみであってもよいが、好まし
くは、第１の実施例のように、傾斜面２ｂ₁ ，２ｂ₂ 上
だけでなく、下面２ｂの平坦部分にも至るように形成す
ることが望ましい。このように下面２ｂの平坦部分にも
至るように外部電極５，６を形成することにより、面実
装時に際してのチップ型抵抗器の安定性及び半田による
接合性を高めることができる。

【００４６】

【発明の効果】請求項１に記載の発明に係るチップ型抵
抗器では、一方主面の両端近傍部分が他方主面側に向か
って傾斜面とされている基板が用いられており、抵抗膜
は、該基板の傾斜面が形成されている一方主面の両端に
至るように形成されている。そして、抵抗膜の両端近傍
部分を覆うように抵抗膜上に外部電極が形成されてい
る。従って、卑金属を含む合金膜からなる抵抗膜が外部
電極の下地層として機能するため、上記外部電極をメッ
キ法のみを用いて容易に形成することができる。

【００４７】すなわち、外部電極形成に際し、導電ペー
ストの塗布、乾燥及び焼成といった煩雑な工程を省略す
ることができ、それによってチップ型抵抗器の製造工程
を簡略化することができ、かつコストを低減することが
できる。

【００４８】また、上記抵抗膜が卑金属を用いた合金膜
により構成されているので、抵抗膜のコストを低減する
ことができると共に、酸化物を用いないため、抵抗温度
係数のばらつきの低減及び電流雑音の低減を図ることが
でき、高周波用途に適したチップ型抵抗器を提供するこ
とができる。

【００４９】さらに、上記外部電極の下地層として抵抗
膜が機能するため、請求項２に記載のように、Ｎｉ層を
省略し、半田メッキ層のみにより外部電極を形成するこ
とができる。

【００５０】請求項３に記載の発明では、外部電極がＮ
ｉメッキ層と、Ｎｉメッキ層上に形成された半田メッキ
層とを積層した構造を有するため、実装時に半田が流出
するとしても、Ｎｉメッキ層が流出し難いため、実装に
際しての安定性を高めることができる。

【００５１】請求項５に記載の発明に係るチップ型抵抗
器の製造方法では、スクライブ溝が形成されたマザー基
板の個々のチップ型抵抗器を構成するための領域内にお
いて対向しているスクライブ溝に両端が至るように抵抗
膜を形成し、抵抗膜の中央部分を覆うように絶縁性保護
膜を形成し、マザー基板を個々のチップ型抵抗器間に分
割した後、抵抗膜の絶縁性保護膜で被覆されている部分
以外の両端近傍部分を導電膜で被覆するだけで、外部電
極を容易に形成することができる。従って、従来のチッ
プ型抵抗器に比べて、製造工程を簡略化することがで
き、チップ型抵抗器のコストを効果的に低減することが
可能となる。しかも、上記のように抵抗膜が卑金属を用
いた合金膜により構成されているので、ＴＣＲのばらつ
き及び電流雑音が小さく、高周波用途に優れたチップ型
抵抗器を提供することが可能となる。

【００５２】請求項４，６に記載の発明では、上記抵抗
膜が、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｐ系合金膜を無電解メッキすること
により形成されているので、抵抗膜のコストを低減させ
ることができ、かつＴＣＲのばらつきや電流雑音を低減
することが可能となる。

【００５３】請求項７に記載の発明では、スクライブ溝
の開口幅及び深さが、１００〜３００μｍの範囲とされ
ているので、マザー基板を分割して得られた個々のチッ
プ型抵抗器において、プリント回路基板に実装された載
置半田フィレットを確実に形成することができると共
に、実装後の半田フィレットの状態を目視により容易に
確認することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施例に
係るチップ型抵抗器の側面図及び正面断面図。

【図２】本発明の第１の実施例に係るチップ型抵抗器を
プリント回路基板に実装した状態を示す断面図。

【図３】本発明の第１の実施例のチップ型抵抗器の製造
方法を説明するためのフローチャートを示す図。

【図４】第１の実施例のチップ型抵抗器を得るのに用い
られるマザー基板を重ね合わせて感受性化処理及び活性
化処理を施す工程を説明するための斜視図。

【図５】スクライブ溝の断面形状を説明するための部分
切欠拡大断面図。

【図６】（ａ）及び（ｂ）は、第２の実施例に係るチッ
プ型抵抗器を説明するための側面図及び正面断面図。

【図７】従来のチップ型抵抗器の一例を示す縦断面図。

【図８】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、図７に示した従
来のチップ型抵抗器の製造工程を説明するための各部分
切欠平面図及び部分切欠斜視図。

【図９】従来のチップ型抵抗器の他の例を説明するため
の断面図。

【図１０】従来のチップ型抵抗器の製造工程を説明する
ためのフローチャートを示す図。

【符号の説明】

１…チップ型抵抗器 ２…絶縁性基板 ２ａ…上面 ２ｂ…下面 ２ｂ₁ ，２ｂ₂ …傾斜面 ３…抵抗膜 ４…絶縁性保護膜 ５，６…外部電極 ５ａ，６ａ…Ｎｉメッキ層 ５ｂ，６ｂ…半田メッキ層 ２１…チップ型抵抗器 ２５，２６…外部電極 Ｃ，Ｄ…スクライブ溝 ７…マザー基板

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一方主面の両端近傍部分が、他方主面側
   に向かって傾斜面とされている基板と、 前記基板の一方主面において両端に至るように形成され
   ており、卑金属を含む合金膜により構成されている抵抗
   膜と、 前記抵抗膜の両端近傍部分を覆うように抵抗膜上に形成
   されたメッキ層からなる外部電極と、 前記外部電極間において抵抗膜上に形成された絶縁性保
   護膜とを備えることを特徴とする、チップ型抵抗器。
2. 【請求項２】 前記外部電極が、半田メッキ層により構
   成されている請求項１に記載のチップ型抵抗器。
3. 【請求項３】 前記外部電極が、抵抗膜上に形成された
   第１のメッキ層と、第１のメッキ層上に形成されてお
   り、かつ半田よりなる第２のメッキ層とを有する請求項
   １に記載のチップ型抵抗器。
4. 【請求項４】 前記抵抗膜が、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｐ系合金膜
   である請求項１〜３のいずれかに記載のチップ型抵抗
   器。
5. 【請求項５】 一方主面にマトリクス状に個々のチップ
   型抵抗器を構成するための領域を区画するようにスクラ
   イブ溝が形成されているマザー基板を用意する工程と、 前記マザー基板の各領域内において対向しているスクラ
   イブ溝に両端が至るように卑金属を含む合金膜よりなる
   抵抗膜を形成する工程と、 前記各領域において抵抗膜の中央部分を覆うように絶縁
   性保護膜を形成する工程と、 前記マザー基板を、スクライブ溝に沿って個々のチップ
   型抵抗器単位に分割する工程と、 前記抵抗膜の絶縁性保護膜で被覆されている部分以外の
   両端近傍部分に導電膜をメッキし、外部電極を形成する
   工程とを備えることを特徴とする、チップ型抵抗器の製
   造方法。
6. 【請求項６】 前記抵抗膜が、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｐ系合金膜
   を無電解メッキにより形成されることを特徴とする、請
   求項３に記載のチップ型抵抗器の製造方法。
7. 【請求項７】 前記スクライブ溝の開口幅及び深さが、
   それぞれ、１００μｍ〜３００μｍである、請求項５ま
   たは６に記載のチップ型抵抗器の製造方法。